JP2022087915A - インプリント方法、インプリント装置、及び物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】穴の開いたモールドを用いたインプリント方法を実施する際に、パターン形成不良やモールドが破損する可能性を低くできるインプリント方法を提供する。【解決手段】基板上のインプリント材にモールドのパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント方法において、モールド保持部で保持されたモールドに形成された少なくとも一つの第１穴と、モールドが保持されるべき基準位置とのずれ量を取得する取得工程と、ずれ量と所定の許容値とを比較し、インプリント処理を行うか否かを判定する判定工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図２

Description

本発明は、インプリント方法、インプリント装置、及び物品の製造方法に関する。

半導体デバイスやＭＥＭＳなどの微細化の要求が進み、基板上の未硬化樹脂をモールド（モールド）で成形し、樹脂のパターンを基板上に形成するインプリント技術の開発が進んでいる。インプリント技術を用いることにより、基板上にナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。

インプリント技術の一つに、光硬化法がある。この光硬化法によるインプリント方法で
は、まず、基板（ウエハ）上に未硬化の光硬化性樹脂（インプリント材）を塗布する（塗布工程）。次に、基板上のインプリント材とモールド（型）とを接触させて、モールドのパターン部（メサ部）にインプリント材を充填する（押圧工程）。そして、インプリント材とモールドとを接触させた状態で光（紫外線）を照射する（硬化工程）ことで、インプリント材を硬化させる。インプリント材を硬化させた後、基板からモールドを引き離す（離型工程）ことで、硬化したインプリント材からモールドが引き離され基板上にインプリント材のパターンが形成される。これらの一連の処理をインプリント処理ともいう。

ここで、インプリント材をパターン部に充填する際における充填性を向上させることを目的として、一部に穴の開いたモールドを用いる技術がある。一部に穴の開いたモールドを用いることで、インプリント中にモールドの穴から気体（流体）を流通させることができ、モールドとウエハの間を特定の気体雰囲気とすることのできる技術が公開されている（特許文献１）。

上記技術によれば、パターン形成領域の近傍を所望の気体雰囲気を生成するのに有利な技術を提供することができるため、効率的に基板上にインプリント材のパターンを形成することが可能となる。

特開２０１０－２７９６５５号公報

ここで、穴の開いたモールドを使用して上記のように基板上にインプリント材のパターンを形成する場合、モールドを保持するモールド保持部にも穴を形成する必要がある。そして、モールドに形成した穴とモールド保持部に形成した穴に気体を流通させて、パターン形成領域の近傍に気体を供給する必要がある。この際、所望の流量を流通させることができなかった場合に、パターン形成不良や、流体（気体）を流通させるためにかけた圧力によってモールドを落下させ、破損などを発生させる可能性がある。

所望の流量を流通させることができない原因としては、例えばモールドの形状を補正するモールド補正部による補正工程時や、上記の押圧工程や離型工程時にモールドがずれてしまい、いずれかの穴の一部を塞いでしまう場合が考えられる。そして、例えば、モールド保持部の穴の大きさとモールドの穴の大きさが略同一の場合等、それぞれの穴の大きさが同一または同一に近い大きさであればあるほど、穴の一部が塞がる可能性が高まる。そのため、気体を流入可能な穴の大きさが狭くなってしまい、パターン形成不良や、流体を流通させるためにかけた圧力によってモールドを落下させ、破損などを発生させる可能性がある。

そこで本発明は、例えば、穴の開いたモールドを用いたインプリント方法を実施する際に、パターン形成不良やモールドが破損する可能性を低くできるインプリント方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント方法は、基板上のインプリント材にモールドのパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント方法において、モールド保持部で保持されたモールドに形成された少なくとも一つの第１穴と、モールドが保持されるべき基準位置とのずれ量を取得する取得工程と、ずれ量と所定の許容値とを比較し、インプリント処理を行うか否かを判定する判定工程と、を有することを特徴とする。

本発明によれば、例えば、穴の開いたモールドを用いたインプリント方法を実施する際に、パターン形成不良やモールドが破損する可能性を低くできるインプリント方法を提供することができる。

実施例１のインプリント装置を例示した図である。 実施例１のモールドの穴とモールド保持部の穴の位置の一例を示した図である。 実施例１のモールドの穴とモールド保持部の穴における位置関係の一例を示した図である。 実施例１のモールドの穴とモールド保持部の穴の比較及び所定の許容値を取得する処理フローを例示したフローチャートである。 実施例１の所定の許容値を算出する処理フローを例示したフローチャートである。 モールドをモールド保持部まで搬送する処理フローを例示したフローチャートである。 実施例１のモールド補正部とモールドの配置関係の一例を示した図である。 モールドに力が加わることでいずれかの軸方向にモールドがずれてしまう場合を例示している図である。 実施例１のインプリント方法における処理フローを例示したフローチャートである。 実施例４のセンサによるモールド保持部の穴の計測の一例を示した図である。 実施例５のセンサによるモールドの穴の計測の一例を示した図である。 物品の製造方法を説明するための概略図である。

以下に、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について実施例や図を用いて説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略ないし簡略化する。

＜実施例１＞
図１は、本実施例におけるインプリント装置１００を例示した図である。以下、図１を参照して、本実施例に係るインプリント装置１００の構成について説明する。インプリント装置１００は、モールド９の凹凸パターンを有するパターン部（メサ部）１７を基板（ウエハ）６上に塗布（供給）されたインプリント材に押し付ける。そして、パターン部１７をインプリント材に接触させた状態で硬化用のエネルギーを与えることにより、パターン部１７の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。また、以下では、基板６上のインプリント材に対して照射する光の光軸に平行な方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直な平面内で互いに直交する２方向をＸ軸方向及びＹ軸方向とする。

ここで、インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１５０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。

硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。また光硬化性組成物（光硬化性樹脂）を使用する際には、光硬化法を用いて硬化させ、加熱により硬化する組成物である熱硬化性組成物（熱硬化性樹脂）を使用する場合は熱硬化法を用いて硬化させる。

インプリント材は、不図示の供給部の吐出口（液体噴射ヘッド）からインプリント材を吐出し、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板６上に供給（塗布）される。また、これに限らずスピンコーターやスリットコーターにより基板６上に膜状に付与（塗布）してもよい。或いはインプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。インプリント材の塗布量（供給量）は、具体的には、０．１～１０ｐＬ／滴の範囲で調整可能であり、通常、約１ｐＬ／滴で使用する場合がありうる。なお、インプリント材の全塗布量は、パターン部１７の密度、及び所望の残膜厚により決定される。

基板６は、ガラス、セラミックス、金属、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板６とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英を材料に含むガラスウエハなどである。

モールド９は、矩形の外周形状を有し、基板６に対向する面（パターン面）に３次元状に形成されたパターン（回路パターンなどの基板６に転写すべき凹凸パターン）を備えたパターン部１７を有する。モールド９は、光を透過させることが可能な材料、例えば、石英で構成される。また、モールド９は、光源１３より照射される照射光が照射される面に、平面形状が円形で、かつ、ある程度の深さのキャビティを有していてもよい。

モールド９は、気体供給部１１からの気体を通過させるための穴として、モールドの穴（第１穴）９аが設けてある。なお、本実施例においては、モールドの穴９аは複数設けられており、貫通穴として構成される。例えば、図２では、モールドの穴９аの形状を円形で図示しているが、矩形であってもよく、後述する気体供給部１１から供給する気体を流通させることができる形状であればよい。また、本実施例においては、図２に例示しているようにモールドの穴９аを４つ設けているが、これに限らず、少なくとも１つ以上設けてあればよい。

本実施例のインプリント装置１００は、定盤１と、フレーム２と、ダンパ３と、ステージ駆動部４と、基板ステージ５と、距離計測センサ７と、インプリントモジュール８を含みうる。また、モールド保持部１０と、気体供給部１１と、モールド搬送部１２と、制御部１６と、モールド補正部１８を含みうる。また、不図示ではあるが、照射部と、塗布部と、アライメント計測部を含みうる。

定盤１は、基板ステージ５を載置し基準平面を形成する。フレーム２は、定盤１上には床からの振動をキャンセル（低減）するダンパ３を介して設けられる。このフレーム２にＺ軸等に駆動可能な不図示の駆動部を備えるインプリントモジュール８が備えられている。

基板ステージ５は、ステージ駆動部４を駆動させることで、定盤１の上面に平行なＸ、Ｙ軸方向に移動可能となる。また、モールド９のパターン部１７を基板６上のインプリント材に押し付ける際に基板ステージ５の位置を調整することでモールド９の位置と基板６の位置とを互いに整合させる。基板ステージ５に適用可能なアクチュエータは、例えば、リニアモータやサーボモータまたはエアシリンダを含む。また、基板ステージ５は基板６を保持するように構成される。また、基板ステージ５は、干渉計やエンコーダなど、不図示の計測手段によって検知された位置情報をステージ駆動部４にフィードバックする。距離計測センサ７は、基板ステージ５内に設けられ、基板ステージ５と対向する物体との距離を計測することができる。

モールド保持部（モールド保持機構）１０は、インプリントモジュール８に備えられ、モールド９を引き付けて保持する。モールド保持部１０は、モールド９を移動させる不図示のモールド駆動部を含みうる。モールド保持部１０は、不図示の圧力調整部に接続され、圧力調整部がモールド保持部１０とモールド９の間の空間内の圧力を調整することにより吸着力が発生してモールド９を真空吸着することで保持する。また静電力によってモールド９を保持させるようにしてもよい。モールド９を吸着するための圧力（負圧）は、モールド９の吸着面の面積、モールド９の重量などにより予め定められる。

本実施例のモールド保持部１０は、気体供給部１１から供給される気体を通過させるための穴として、モールド保持部の穴（第２穴）１０аが設けてある。なお、本実施例においては、モールド保持部の穴１０аは複数設けられており、貫通穴として構成される。例えば、図２では、モールド保持部の穴１０аの形状を円形で図示しているが、矩形であってもよく、後述する気体供給部１１から供給する気体を流通させることができる形状であればよい。なお、気体供給部１１から供給される気体を適切に流通させるために、モールド保持部の穴１０аとモールドの穴９аとは同じ形状とする。例えは、モールド保持部の穴１０аが円形であったなら、モールドの穴９аも同様に円形のモールドを用いる。また、本実施例においては、図２に例示しているようにモールド保持部の穴１０аを４つ設けているが、これに限らず、少なくとも１つ以上設けてあればよい。

気体供給部（気体供給機構）１１は、モールド保持部１０に繋がるように構成され、例えば、不活性ガス等の任意の気体（置換気体）についてモールド保持部の穴１０аとモールドの穴９аを通じてモールド９と基板６との間に供給する。モールド９と基板６上との間に気体を供給することにより、パターン形成領域の凹凸パターンにインプリント材が充填される時間を短縮させたり、充填された部分に気泡が残留することを抑止させたりすることができる。これによりパターン部１７にインプリント材を充填する際における充填性の向上を図ることができる。また、気体供給部１１は、引き離し力を可能な限り低減させる離型性の向上を図るために、モールド９の引き離し動作時にも同様に気体を供給し得る。ここで、採用し得る気体としては、充填性と離型性との観点から、溶解性や拡散性に優れる気体（透過性ガス）として、例えば、ヘリウム、二酸化炭素、窒素、水素、キセノン等が望ましい。または他の気体（凝縮性ガス）として、例えばＰＦＰ（ペンタフルオロプロパン）等が望ましい。

モールド搬送部（モールド搬送機構）１２は、インプリント装置１００の外部からモールド９をインプリント装置１００内に搬送する。なお、モールド搬送部１２は、モールド搬送部１２内の位置決め機構で一定の位置合わせをしたのち、不図示の搬送機構を用いて、モールド保持部１０に対しモールド９を搬送する。

制御部１６は、ＣＰＵやメモリ（記憶部）などを含み、少なくとも１つのコンピュータで構成され、インプリント装置１００の各構成要素に回線を介して接続される。また、制御部１６は、メモリに格納されたプログラムに従って、インプリント装置１００全体の各構成要素の動作及び調整などを統括的に制御する。また、制御部１６は、インプリント装置１００の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、インプリント装置１００の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよいし、インプリント装置１００とは別の場所に設置し遠隔で制御してもよい。

モールド補正部（モールド変形機構）１８は、モールド９に力を加える（押圧する）ことでモールド９とパターン部１７の形状を補正しうる。なお、モールド補正部１８はモールド保持部１０に搭載されている。具体的には、モールド９の側面を押圧することでモールド９を変形させ、モールド９の形状を補正する。モールド補正部１８は、モールド９に力を加える部材であるハンド部材と、ハンド部材を駆動させる駆動部を含みうる。なお、後述する図７に例示しているように、ハンド部材はモールド９の各辺（四辺）に対して複数配置されており、各辺に所望の分布の力をかけられるように構成されている。

照射部（照明部）は、光源１３及び反射ユニット１４等の光学素子からなる照射光学系を備えうる。光源１３はインプリント材を硬化させる波長の照射光を照射することができる。光源１３から照射された照射光は、シャッタ１５を通過し、反射ユニット１４、インプリントモジュール８を経由しモールド９を介して、基板６上のインプリント材に照射される。照射光として、例えば紫外線等の光がある。前述の光学素子は、反射ユニット１４に限らず光源１３と、光源からの照射光をインプリント処理に適切な照射光の状態、例えば光の強度分布や照明領域などに調整するための光学素子としてレンズや遮光板等を含みうる。本実施例では、インプリント装置１００が照射部を備えているが、これに限らずインプリント装置１００の外部に照射部を設置してもよい。

塗布部（供給部）は、モールド保持部１０の近傍に設置されうる。また、塗布部は基板６上に存在する、少なくとも１つのパターン形成領域にインプリント材を液滴として塗布する。インプリント材の塗布及び塗布位置や塗布量等は、後述する制御部１６からの動作指令に基づいて制御される。本実施例では、インプリント装置１００が塗布部を備えているが、これに限らずインプリント装置１００の外部に塗布部を設置してもよい。

アライメント計測部（計測光学系）は、不図示の光学系を有し、光をモールド９側のアライメントマーク及び基板６側のアライメントマークに照射する。これらは、重ね合わせマーク部とも呼ばれる。アライメント計測部は、光をこれらマーク部に照射し、その反射光であるアライメント光を検出することで、モールド９と基板６との相対位置ずれ量等を計測（検出）する。なお、この相対位置ずれ量等の計測は、モールド９のパターン部１７とインプリント材とが接触している状態で行う。ここで計測された相対位置ずれ量などは、モールド駆動部やステージ駆動部４を調整することで、位置ずれを低減する際に用いられる。また、モールド補正部１８によりモールド９のパターン部１７または基板６のパターン形成領域の形状を変形させることで、位置ずれを低減させることもできる。

アライメント計測部には、その光軸がモールド９または基板６に対して垂直になるように配置されうる。また、アライメント計測部はモールド９側のアライメントマークもしくは基板６側のアライメントマークの位置に合わせて、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に駆動可能なように構成されうる。さらには、モールド９側のアライメントマークもしくは基板６側のアライメントマークの位置に光学系の焦点を合わせるためにＺ軸方向にも駆動可能なように構成されうる。アライメント計測部で計測されたモールド９と基板６の相対位置情報に基づいて基板ステージ５等の駆動が制御される。

ここで、一般的なインプリント処理工程を説明する。まず、モールド搬送部１２によってインプリント装置１００内の保管場所にモールド９を搬入する処理を行う（モールド搬入工程）。モールド９の搬入後は、搬入されたモールド９とインプリント装置１００内に登録されているモールドの情報について紐づける処理を行う。ここで、モールドの情報は、それぞれのモールドを判別する情報や、インプリント処理を実施する際の制御に必要な各種情報を含む。その後、搬入したモールド９を不図示の搬送機構によって保管場所からモールド保持部１０に搬送する処理を行う。複数の物品（製品）について使用するモールドを切り替えて製造する場合、複数のモールドをインプリント装置１００内に有しうる。制御部１６は、それぞれのモールドを判別し、モールド毎に処理に応じてそれぞれ搬送することで、物品製造の効率を上げることが可能となる。なお、保管場所からモールド保持部１０へ搬送する処理を実行する際、モールド保持部１０へ搬送する前に位置合わせをする処理が実行されてもよい。

次に、インプリント装置１００の外部からインプリント装置１００内に基板６を搬入する処理を行う（基板搬入工程）。次に、基板６上に塗布部によってインプリント材を塗布する塗布処理を行う（塗布工程）。次に、モールド９のパターン部１７を、基板６上の所定のパターン形成領域のインプリント材に押し付ける（接触させる）処理を行う（押圧工程）。次に、アライメント計測部でモールド９と基板６とにそれぞれ設けられたアライメントマークの相対位置関係を計測させる。その後、計測した情報に基づき、相対的な位置ずれを補正してモールド９と基板６との位置合わせ処理を行う（位置合わせ工程）。次に、モールド９と基板６上のインプリント材とを接触させた状態で照射部の光源１３から光を照射してパターン形成領域内のインプリント材を硬化させる硬化処理を行う（硬化工程）。次に、基板６上の硬化したインプリント材からモールド９を引き離す離型処理を行う（離型工程）。これにより、基板６上のパターン形成領域の表面には、パターン部１７の凹凸パターンに倣った３次元形状のパターンを形成する（パターン形成工程）。

このような、供給工程、押圧工程（接触工程）、位置合わせ工程、硬化工程、及び離型工程の一連の処理を、パターン形成領域を変更しつつ複数回実施することで、インプリント装置１００は基板６上に複数のインプリント材のパターンを形成することができる。なお、上記の押圧工程（接触工程）、位置合わせ工程、硬化工程、及び離型工程の一連の処理をインプリント処理とも呼ぶ。また、例えば、供給工程を加えた上記一連の工程もインプリント処理とも呼ぶことがある。

ここで、上記の押圧工程において、モールド９を基板６上のインプリント材に押し付ける際、インプリント材はモールド９のパターン部１７の凹凸パターンに満遍なく充填される必要がある。しかし、インプリント材に気泡が残留する事があり、この状態でインプリント材の硬化を実施すると、パターン形成領域上に形成されるインプリント材のパターンが所望の形状ではなくなる現象が生じる場合がある。

結果、製造される半導体デバイスなどの物品自体に影響を及ぼす事がある。そこで、押圧工程時または押圧工程を実施する前には、気体供給部１１がモールド９と基板６との間の空間に気体を供給する。これにより、一定の時間を経ることで、気体自身の持つ拡散効果からパターン形成領域近傍の気体濃度を高くすることができる。これにより、気泡の残留を効率的に抑えることができる。ここで、気泡の残留を抑えるために大量の気体を消費してしまうと、製造コストが増加してしまうため効率的に気体を供給する必要がある。

効率的に気体を供給する手段の一つとして、モールド９とモールド保持部１０に少なくとも１つ以上の穴（貫通穴）を設け、モールド９に設けた穴とモールド保持部に設けた穴を介して、気体を供給する方法がある。当該方法によって気体をモールド９と基板６上に供給することで、パターン形成領域の近傍を所望の気体雰囲気とすることができる。

次に、本実施例におけるモールド９の穴とモールド保持部１０の穴の位置関係について図２及び図３を参照して説明する。図２は、本実施例におけるモールド保持部１０の中心位置でモールド９を保持している状態のそれぞれの穴の位置関係について例示した図である。図２（Ａ）は、モールド保持部１０を上側方向（＋Ｚ軸方向）から見た平面図である。図２（Ｂ）は、モールド９とモールド保持部１０とを側面方向（Ｙ軸方向）から見た断面図である。図２（Ｃ）は、モールド９を下側方向（－Ｚ軸方向）から見た平面図である。

図３は、モールド保持部１０の中心位置でモールド９とモールド保持部１０のそれぞれの穴の位置関係を例示している図である。なお、図３（Ａ）～（Ｃ）は、モールド９とモールド保持部１０とを側面方向（Ｙ軸方向）から見た断面図である。

ここで、図３（Ａ）に例示している断面図では、モールド保持部の穴１０аの大きさは、モールドの穴９аの大きさよりも大きい状態であり、それぞれの穴の一部も塞がらずに連通している。この状態であると、モールドの穴９аの全部が塞がれていないため、気体供給部１１から供給される気体の適切な流通が可能となる。

これに対し、図３（Ｂ）に例示している断面図では、モールド保持部の穴１０аの大きさは、モールドの穴９аの大きさよりも大きい状態であるが、モールド保持部１０аに対してモールドの穴９аの穴位置がずれてしまっている。この状態であると、モールドの穴９аとモールド保持部の穴１０аは連通しているが、穴の一部が塞がれているため、気体供給部１１から供給される気体の適切な流通が困難となる。

さらに、図３（Ｃ）に示している断面図では、モールド保持部の穴１０аの大きさとモールドの穴９аの大きさは同一であり、モールドの穴９аの全部が塞がれておらず、それぞれの穴が連通している状態である。しかし、同一の大きさの場合は、例えば、モールド補正部１８を用いてモールドの形状補正を実施した際や、押圧工程を実施した際に、モールド９がずれて（移動して）しまった場合、図３（Ｂ）のようにそれぞれの穴同士がずれてしまう。そのため、図３（Ｂ）と同様にモールドの穴９аとモールド保持部の穴１０аは連通しているが、穴の一部が塞がれてしまうため、気体供給部１１から供給される気体の適切な流通が困難となる。

このように、図３（Ｂ）や図３（Ｃ）のような状態であると、所望の流量が確保できず、パターン形成不良や、気体を流通させるためにかけた圧力によってモールド９を落下させ、破損等を生じさせる可能性がある。なお、図２や図３等では、モールド保持部の穴１０аのサイズを大きくしているがこれに限らず、モールドの穴９аの穴をモールド保持部の穴１０аより大きくしてもよい。

そこで、本実施例においては、モールドの穴９аとモールド保持部１０の穴から気体を供給する前に、それぞれの穴の大きさを比較し、穴の大きさが同一であれば比較したモールド９をインプリント処理に使用しないように処理を終了する。同一の大きさでない場合は、インプリント処理に使用することのできるモールド９として処理を継続する。これにより、供給する気体の所望の流量を確保でき、モールド９の落下や破損を防止することができる。以下、図４を参照して説明する。

図４は、モールド９をインプリント装置１００内に搬入する処理において、モールドの穴９аとモールド保持部の穴１０аの比較と許容値を取得する処理を例示したフローチャートである。なお、図４のフローチャートで示す各動作（処理）は、制御部１６がコンピュータプログラムを実行することによって制御される。

まず、ステップ（工程）Ｓ１０１で制御部１６は、インプリント装置１００のメモリ等に保存されているモールド保持部１０の情報（第２情報）と、これからインプリント処理に使用するモールド９の情報（第１情報）との紐づけを行う。この際に紐づける第１、第２の情報は、それぞれモールド保持部の穴１０аの大きさの情報とモールドの穴９аの大きさの情報を含む。次に、ステップＳ１０２で、インプリント装置１００内の保管場所へモールド９を搬送する。なお、モールド９におけるモールドの穴９аと、モールド保持部１０におけるモールド保持部の穴１０аの大きさの情報は、事前に計測機等を使用して計測した情報である。

次に、ステップＳ１０３で、制御部１６は、メモリからモールドの穴９аの大きさの情報とモールド保持部の穴１０аの大きさの情報を読み出し、これらを比較する（穴比較工程）。次に、ステップＳ１０４で、ステップＳ１０３における比較の結果、モールドの穴９аの大きさとモールド保持部の穴１０аの大きさが異なる大きさであった場合、ステップＳ１０５に進む。モールドの穴９аの大きさとモールド保持部の穴１０аの大きさが同一であった場合は、ステップＳ１０６に進む。

次に、ステップＳ１０５では、制御部１６は、ステップＳ１０３で比較した結果の値を取得する。なお、比較した結果の値を取得する際には制御部１６は、取得部としても機能する。そして、制御部１６は、取得した結果の値を許容値として決定する（決定工程）。当該許容値を決定した後は処理を終了する。

次に、ステップＳ１０６では、制御部１６は、モールドの穴９аの大きさとモールド保持部の穴１０аの大きさが同一の大きさの場合に異常と判断して、異常処理として処理を終了する。異常処理となった場合、モールド９をインプリント装置１００の外部へ搬出する処理を実施する。またその他にエラーを発報しユーザへ警告することや、以後インプリント処理に紐づく処理は実行できないよう情報を記憶（保存）するようにしてもよい。

なお、本実施例において同一の大きさの場合で判断しているが、これに限らず、所定の範囲内に入る場合に同一と判断してもよい。所定の範囲として、例えば大きさの差が±数％以内であれば同一と判断するにようにしてもよいし、比率を設定してその比率を超える場合等に同一と判断するようにしてもよい。

本実施例では、図２に例示しているように、モールドの穴９аとモールド保持部の穴１０аはそれぞれ４つあるため、ステップＳ１０３での比較は４箇所（４回）で行う。そして、比較の結果、１箇所でも同一の大きさであった場合は、ステップＳ１０６に進み処理を終了する。なお、例えば穴の個数が少なくとも１つ以上で複数あり、すべての穴に気体を流通させない場合、つまり使用しない穴がある場合は、当該使用しない穴を除き、使用する穴同士の比較を実施するようにしてもよい。

図５は、モールドの穴９аとモールド保持部の穴１０аの許容値（許容量）を算出する処理フローを例示したフローチャートである。図５を参照して、図４で例示したフローチャートにおけるステップＳ１０５の処理についての具体的な算出方法について説明する。なお、図５のフローチャートで示す各動作（処理）は、制御部１６がコンピュータプログラムを実行することによって制御される。

まず、ステップＳ１００１では、制御部１６は、メモリからモールド保持部の穴１０аの大きさを含む形状情報を取得する。次に、ステップＳ１００２では、制御部１６は、インプリント装置１００の装置に搬入時に紐づけられたモールドの情報から、モールド穴の大きさ９аの大きさ等を含む形状情報をメモリから取得する。次に、ステップＳ１００３では、制御部１６は、取得した情報に基づきモールドの穴９аとモールド保持部の穴１０аの大きさを比較して、比較の結果をメモリに記録する。

比較を行う上で、例えば穴の形状が円であった場合は下記の式（１）で許容値を算出できる。下記の式（１）においては、モールド保持部の穴１０аの大きさと基準（基準位置）として、モールドの穴９аと比較する。
Ｒ１ モールド保持部の穴の半径
Ｒ２ モールドの穴の半径
許容値 ＝ Ｒ１－Ｒ２ （１）
なお、上記式（１）では、モールド保持部の穴１０аの半径からモールドの穴９аの半径を減算して許容値を算出しているがこれに限らず、モールドの穴９аの大きさを基準として、許容値＝Ｒ２－Ｒ１で算出するようにしてもよい。

図６は、モールド９をモールド保持部１０まで搬送する処理のフローを例示したフローチャートである。なお、図６のフローチャートで示す各動作（処理）は、制御部１６がコンピュータプログラムを実行することによって制御される。

まず、ステップＳ２０１では、制御部１６はインプリント処理で必要なモールド９を特定する。次に、ステップＳ２０２では、制御部１６は、モールド９を保管場所から搬出して、モールド９の外形による位置合わせを実施する。外形による位置合わせは、外形を計測するセンサを用いてもよいし、モールドを一方向に押し当てることで一定の位置に合わせる方法でもよい。次に、ステップＳ２０３では、制御部１６は、不図示の搬送機構を用いて、モールド９をモールド保持部１０に搬送する。

図７は、モールド補正部１８とモールド９の配置関係を例示した図である。パターン形成領域に正確にモールド９のパターン部１７を押圧し、適切なインプリント処理を実施するには、モールド補正部１８によって、モールド９の形状を変形させて補正をする必要がある。ここで、モールド補正部１８を駆動させ、モールド９を変形させることによりモールド９が歪む等の現象が生じうる。これによって、モールド補正部１８による補正前のモールド保持部１０に対するモールド９の位置と、補正後のモールド９の位置とで、ずれが生じてしまう可能性があることが判っている。当該ずれが発生すると、モールドの穴９аとモールド補正部の穴１０аの位置関係も変わってしまう可能性がある。それぞれの穴の位置関係が変わってしまうと、図４の処理でモールド保持部１０に搬入可能なモールド９と判断されていても、ずれの影響で、いずれかの穴の一部が塞がってしまい、気体供給部１１から供給される気体の適切な流通が困難となる場合もある。

また、上記のずれについては、モールド９を補正する工程であるモールド補正工程以外にも、例えば、押圧工程、位置合わせ工程、硬化工程、または離型工程等で発生する可能性がある。特に、押圧工程等では、インプリント材を広げるために上方からモールド９のパターン部１７をインプリント材に押し付けるため、下方向（－Ｚ軸方向）への圧力２０が発生する。このとき、圧力２０のバランスが均等でなかった場合、例えば、矢印２１の方向（Ｘ軸またはＹ軸方向）にモールド９がずれる可能性がある。

また、押圧工程中に連動させてモールド補正工程をさらに実施してもよく、その場合、下方向への圧力２０に加え、モールド補正部１８による側方からもモールド９に力が加えられる。このとき、上方向（Ｚ軸方向）から加える力に加え、側面方向（Ｘ軸またはＹ軸方向）から加える力のバランスが均等でなかった場合、例えば、矢印２１の方向にモールド９がずれる可能性がある。

図８は、上記したように押圧工程においてモールド９がＸ軸方向にずれてしまう場合を例示している。そこで、本実施例においては、モールド補正部１８によるモールド９の補正等によって生じる上記のずれに対して、モールド９の側面の４辺（四方）にずれを計測することのできるセンサ（計測部）１９を配置する。これにより、常時ずれの計測を行いうことでずれの発生を監視する。これにより、モールド９がどの方向にどの程度ずれたかを判断することができる。本実施例においては、センサ１９によって例えばモールド９の端面位置とモールド９端部からの穴の距離を計測し、これを計測値として取得する。そして取得した計測値を制御部１６によって演算し、計測時におけるモールドの穴９аの位置を見積もることができる。そして、ずれの判断としては、メモリに記憶させておいたモールド保持部の穴１０аの情報を基準として、上記の見積もった穴位置と比較することでモールド９におけるずれの量（ずれ量）を算出することができる。

上記のずれをセンサ１９によって計測し、当該ずれをずれ量として取得した後に許容値と比較して処理を継続するか否かについて、図９を参照して以下に説明する。図９は、実施例１のインプリント方法の処理フローを例示した図である。なお、図９のフローチャートで示す各動作（処理）は、制御部１６がコンピュータプログラムを実行することによって制御される。

まず、ステップＳ３０１で、制御部１６は、気体供給部１１を制御し、インプリント処理を安定させるべく気体を所定のパターン形成領域に供給する。本実施例においては、モールドの穴９аとモールド保持部の穴１０аを介してモールド９と基板６上の間に供給する（気体供給工程）。なお、本実施例の処理フローにおいては、ステップＳ３０１の前に、上記図４及び図６に例示した処理を終えたモールド９をモールド保持部１０に保持する処理についてはステップＳ３０１の前に実施している。さらに、インプリント装置１００の外部からインプリント装置１００内に基板６を搬入する処理もステップＳ３０１の前に実施している。

次に、ステップＳ３０２では、制御部１６は、基板６における各パターン形成領域でインプリント処理が終了したかどうか判定する。基板６における各パターン形成領域でインプリント処理が終了した場合は、ステップＳ３１０に進む。基板６における各パターン形成領域でインプリント処理が終了していない場合は、ステップＳ３０３に進む。

次に、ステップＳ３０３では、制御部１６は、モールド補正部１８の駆動量を調整するように制御し、パターン部１７の形状を高次補正する（モールド補正工程）。パターン部１７の補正を行うに際には、モールド９に対し、四方から圧力を加えモールド９を変形させるようにして補正を行う。

次に、ステップＳ３０４では、制御部１６は、複数のセンサ１９によって、モールド９のずれを測定して計測値として取得する。次に、制御部１６は、当該計測値を基に、この計測時におけるモールドの穴９аの位置と大きさを算出し、モールド保持部の穴１０аの情報と比較をして、その差分であるずれ量を取得し、メモリに記憶する（取得工程）。ここで、本実施例では、モールド保持部の穴１０а（モールド保持部が保持されるべき位置情報）を基準位置としてメモリに記憶させておく。したがって、ずれ量は基準位置に対するモールドの穴９аの相対移動量（相対ずれ量）である。

次に、ステップＳ３０５では、制御部１６は、図４のＳ１０５で取得した許容値と、Ｓ３０４で取得したずれ量をメモリから読み出し、これらを比較する（比較工程）。比較の結果、ずれ量が許容値を超えなかった場合（許容値以下であった場合）は、インプリント処理を継続する判定を行いステップＳ３０６に進む（判定工程）。ずれ量が許容値を超えた場合（許容値以上であった場合）は、インプリント処理を終了する（インプリント処理を行わない）判定を行い、ステップＳ３０９に進む（判定工程）。なお、比較した結果に基づいて許容値以下か以上かを判定する際には制御部１６は、判定部としても機能する。

次に、ステップＳ３０６では、制御部１６は、基板６上に塗布部によってインプリント材を所定のパターン形成領域に塗布する（塗布工程）。次に、ステップＳ３０７では、制御部１６は、基板ステージ５を制御して所定のパターン形成領域をパターン部１７の真下に配置させるべく基板６を移動させる。

次に、ステップＳ３０８ではインプリント処理を行う。インプリント処理として、まず、制御部１６は、モールド９のパターン部１７を、基板６上の所定のパターン形成領域のインプリント材に押し付ける（押圧工程）。次に、制御部１６は、アライメント計測部を制御し、モールド９と基板６とにそれぞれ設けられたアライメントマークの相対位置関係を計測させる。その後、計測した情報に基づき、相対的な位置ずれを補正してモールド９と基板６との位置合わせを行う（位置合わせ工程）。なお、基板６との位置合わせが不要な初回のインプリント処理時は、本処理はバイパスされる。

次に、制御部１６は、照射部を制御し、モールド９と基板６上のインプリント材とを接触させた状態で光源１３から光を照射することでパターン形成領域内のインプリント材を硬化させる（硬化工程）。次に、制御部１６は、基板６上の硬化したインプリント材からモールド９を引き離す（離型工程）。これにより、基板６上のパターン形成領域の表面には、パターン部１７の凹凸パターンに倣った３次元形状のパターンを形成する（パターン形成工程）。上記インプリント処理終了後はステップＳ３０２へと戻る。

次に、ステップＳ３０９では、制御部１６は、ずれ量が許容量を超えた場合には異常と判断して、異常処理を実施し、処理を終了すべくステップＳ３１０へと進む。異常と判断した場合、モールド９をインプリント装置１００の外部へ搬出する処理を実施する。しかし、これに限らず、エラーを発報し不図示の表示装置にユーザへメッセージ等を表示して警告することや、一時的な処理（シーケンス）の停止、異常と判断されたモールド９以外の他のモールドの再搭載などを行うようにしてもよい。

ステップＳ３１０では、制御部１６は、気体供給部１１を制御し、気体の供給を停止し処理を終了する。なお、基板６の各パターン形成領域でのインプリント処理が終了したら、制御部１６は、基板６をインプリント装置１００から搬出する。基板６の搬出後は、当該基板６に対し、例えばエッチング等の処理を行い、基板６を加工し（加工工程）、当該加工された基板６から不要な硬化物等を除去することにより物品を製造することができる。

また、ステップＳ３０４で、ずれ量を取得しているが、ずれ量を取得するタイミングとしては、Ｓ３０４に限らない。例えば、Ｓ３０８における押圧工程、位置合わせ工程、硬化工程、離型工程の後等に少なくとも１回は、ずれ量を取得するようにしてもよい。さらに、各ステップの終了後にそれぞれ取得するようにしてもよい。また、インプリント処理を行うパターン形成領域毎、基板６の交換毎等で取得するようにしてもよい。即ち、インプリント処理の前、インプリント処理中、インプリント処理後のいずれかにおいて少なくとも１回は前記判定工程を行うようにする。

以上、本実施例におけるインプリント方法を用いることで、供給する気体の所望の流量を確保できるため、パターン形成領域の近傍を所望の気体雰囲気とすることができ、効率的なパターン形成が可能となる。さらに、穴の開いたモールド９及びモールド保持部１０を使用して、当該穴を介し気体を供給しても穴が塞がった、または一部が塞がったままインプリント処理を継続しないように制御を行うため、モールド９の落下や破損を防止することもできる。

＜実施例２＞
実施例１ではモールドの穴９аとモールド保持部の穴１０аの大きさを比較する際に、事前に計測していたモールドの穴９аとモールド保持部の穴１０аの情報をメモリから読み出して比較を行った。本実施例においては、比較する際にモールド保持部の穴１０аについて設計値の情報を用いるものとする。なお、インプリント装置１００の構成は実施例１と同様であるため説明を省略する。また、実施例１の図４～６、及び図９と処理フローは同様であるため、本実施例における処理フローは説明を省略する。

本実施例におけるモールドの穴９аとモールド保持部の穴１０аの大きさの比較と許容値の算出について以下に説明する。まず、モールド保持部の穴１０аの設計値の情報をインプリント装置１００のメモリに記憶させておく。次に、制御部１６は、メモリに記憶させた設計値の情報をモールド保持部の穴１０аの情報として登録する。次に、制御部１６は、実施例１のステップＳ１０３と同様に、モールドの穴９аの情報と、モールド保持部の穴１０аの設計値の情報とをメモリから読み出し、これらを比較して許容値を算出する。

以上、本実施例においては、実施例１と同様に効率的なパターン形成が可能となり、モールド９の落下や破損を防止することができる。さらに、事前にモールド保持部の穴１０аのおける設計値の情報を登録することで、事前にモールド保持部の穴１０аを計測しなくてもよいため、スループットの向上が図れる。

＜実施例３＞
実施例１ではモールドの穴９аとモールド保持部の穴１０аの大きさを比較する際に、事前に計測していたモールドの穴９аとモールド保持部の穴１０аの情報をメモリから読み出して比較を行った。本実施例においては、比較する際にモールドの穴９аについて設計値の情報を用いるものとする。なお、インプリント装置１００の構成は実施例１と同様であるため説明を省略する。また、実施例１の図４～６、及び図９と処理フローは同様であるため、本実施例における処理フローは説明を省略する。

本実施例におけるモールドの穴９аとモールド保持部の穴１０аの大きさの比較と許容値の算出について以下に説明する。まず、モールドの穴９аの設計値の情報をインプリント装置１００のメモリに記憶させておく。次に、制御部１６は、メモリに記憶させた設計値の情報をモールドの穴９аの情報として登録する。次に、制御部１６は、実施例１のステップＳ１０３と同様に、モールド保持部の穴１０аの情報と、モールドの穴９аの設計値の情報とをメモリから読み出し、これらを比較して許容値を算出する。

以上、本実施例においては、実施例１と同様に効率的なパターン形成が可能となり、モールド９の落下や破損を防止することができる。さらに、事前にモールドの穴９аのおける設計値の情報を登録することで、事前にモールドの穴９аを計測しなくてもよいため、スループットの向上が図れる。

＜実施例４＞
実施例２では、モールド保持部の穴１０аの大きさの設計値をモールド保持部の穴１０аの情報として登録し、モールドの穴９аと比較して許容値を算出する方法について説明した。本実施例では、モールド保持部の穴１０аの大きさを、センサ２２によって計測し、当該計測した値を実測値として取得し、この実測値を基として、モールドの穴９аと比較する。以下に、図１０を参照して説明する。なお、インプリント装置１００の構成は実施例１と同様であるため説明を省略する。また、実施例１の図４～６、及び図９と処理フローは同様であるため、本実施例における処理フローは説明を省略する。

図１０は、本実施例に係るセンサ２２を用いてモールド保持部１０及びモールド保持部の穴１０аを計測している状態を例示している図である。図１０（Ａ）は、計測時にモールド保持部１０を下側方向（－Ｚ軸方向）から見た平面図の一例である。図１０（Ｂ）は、モールド保持部の穴１０аについてセンサ２２を用いて計測している状態を側面方向（Ｙ軸方向）から見た断面図の一例である。図１０（Ｃ）は、図１０（Ｂ）での計測結果の一例を示した図である。図１０（Ｃ）は、横軸が計測位置を縦軸は計測結果を表している。

センサ２２は、光等を照射することのできる不図示の光源と、照射した光の反射光を計測することのできる不図示の受光素子を含みうる。計測方法として、例えば、光源（例えば、ＬＥＤやレーザダイオード）から光を照射する。その後照射された光が測定対象物にあたると反射され、反射した光である反射光を受光素子で受光する。これによって、対象物とセンサ２２との距離を計測することができる。計測値は受光素子が受光した反射光の情報を制御部１６が演算を行うことで得ることができる。また、本実施例におけるセンサ２２は、不図示の駆動部を有し、センサ２２は当該駆動部によって複数の軸（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸）に対して移動可能となる。なお、センサ２２は光を用いて計測するものに限らず、例えば超音波や電波等を用いて計測するものであってもよい。

本実施例では、モールド保持部１０の下面側（モールド保持部１０を－Ｚ軸方向から見た面）に対して、センサ２２を走査しながら光を照射することで、モールド保持部の穴１０аの位置及び大きさ（モールド保持部の穴１０аの直径）を計測する。計測の際には、図１０（Ａ）に例示するセンサ２２の移動軌跡２３のように、モールド保持部の穴１０аの位置をセンサ２２が計測できるようして、Ｙ軸方向に移動しながら計測する。なお、計測する軸方向はＸ軸方向でもよい。

さらに、センサ２２は計測前にユーザが一定の距離２４を設定する。そして、一定の距離２４以上に光を照射した際には、返信値を計測（反射光を受光）しないように設定する。一定の距離２４以下で光を照射した場合には返信値を計測できるように設定する。本実施例においてはセンサ２２からモールド保持部１０までの距離を計測することが目的ではなく、モールド保持部の穴１０аの位置及び大きさを取得することが目的だからである。これにより、穴がない場合には、計測箇所に穴がないという情報を取得でき、穴がある場合には穴の位置及び大きさを計測することができるため、モールド保持部１０におけるモールド保持部の穴１０аの位置及び大きさを計測することができる。または、一定の距離２４以上に光等を照射した距離分を、一定の距離２４以上に光等を照射しない場合の計測結果と分けて取得するようにしてもよい。

センサ２２による計測結果として、図１０（Ｃ）に例示しているように、返信値を計測できた場合２６は、横軸に計測できたＹ軸方向の距離分を線分等によって表示する。返信値を計測できない場合２７は、計測できなかった距離分横軸に対して、線分等で表示がされない。そして、返信値を計測できない場合２７の距離を計測することで、モールド保持部の穴１０аの位置と大きさを計測することができる。そして、上記の計測結果を制御部１６が演算することにより、モールド保持部の穴１０аの位置と大きさの情報を実測値として取得することができる。

なお、センサ２２は、一定の距離２４以上及び一定の距離２４以下の場合でもそれぞれ返信値を計測するように設定しても良い。その場合、制御部１６は、それぞれの返信値を演算して、一定の距離２４以下の計測値の場合は線分等で表示するようにし、一定の距離２４以上の場合は線分等で表示しないようにする。

本実施例における、モールドの穴９аとモールド保持部の穴１０аの大きさの比較と許容値の算出について以下に説明する。まず、制御部１６は、比較をする前に、センサ２２により計測したモールド保持部の穴１０аの実測値の情報をメモリに記憶する。次に、制御部１６は、メモリに記憶させた実測値の情報をモールド保持部の穴１０аの情報として登録する。次に、制御部１６は、実施例１のステップＳ１０３と同様に、モールド保持部の穴１０аの実測値の情報と、モールドの穴９аの情報とをメモリから読み出し、これらを比較して許容値を算出する。

以上、本実施例においては、実施例１と同様に効率的なパターン形成が可能となり、モールドの落下や破損を防止することができる。さらに、モールド保持部の穴１０аの加工精度が悪い場合等、モールド保持部の穴１０аを実測値で判断できるため比較時の誤差を少なくする事ができる。

＜実施例５＞
実施例４では、モールド保持部の穴１０аの大きさの実測値をモールド保持部の穴１０аの情報として登録し、モールドの穴９аと比較して許容値を算出する方法について説明した。本実施例では、まず、モールドの穴９аの大きさを、センサ２２によって計測し、当該計測した値を実測値として取得し、この実測値を基として、モールド保持部の穴１０аと比較する。以下に、図１１を参照して説明する。なお、インプリント装置１００の構成は実施例１と同様であるため説明を省略する。また、実施例１の図４～６、及び図９と処理フローは同様であるため、本実施例における処理フローは説明を省略する。

図１１は、本実施例に係るセンサ２２を用いてモールド９及びモールドの穴９аを計測している状態を例示している図である。図１１（Ａ）は、計測時にモールド９を下側方向（－Ｚ軸方向）から見た平面図の一例である。図１１（Ｂ）は、モールドの穴９аについてセンサ２２を用いて計測している状態を側面方向（Ｙ軸方向）から見た断面図の一例である。図１１（Ｃ）は、図１１（Ｂ）での計測結果の一例を示した図である。図１１（Ｃ）は、横軸が計測位置を縦軸は計測結果を表している。

なお、センサ２２及びセンサ２２を用いたモールドの穴９аの計測は、実施例４で示した計測方法と同様であるため説明を省略する。次に、本実施例における、モールドの穴９аとモールド保持部の穴１０аの大きさの比較と許容値の算出について以下に説明する。まず、制御部１６は、比較をする前に、センサ２２により計測したモールドの穴９аの実測値の情報をメモリに記憶する。次に、制御部１６は、メモリに記憶させた実測値の情報をモールドの穴９аの情報として登録する。次に、制御部１６は、実施例１のステップＳ１０３と同様に、モールドの穴９аの実測値の情報と、モールド保持部の穴１０аの情報とをメモリから読み出し、これらを比較して許容値を算出する。

以上、本実施例においては、実施例１と同様に効率的なパターン形成が可能となり、モールドの落下や破損を防止することができる。さらに、モールド保持部の穴１０аの加工精度が悪い場合等、モールド保持部の穴１０аを実測値で判断できるため比較時の誤差を少なくする事ができる。

なお、実施例２で示したモールド保持部の穴１０аの設計値の情報、または実施例４で示したモールド保持部の穴１０аの実測値の情報と、実施例５で示したモールドの穴９аの実測値の情報を比較して許容値を取得してもよい。また、実施例３で示したモールドの穴９аの設計値の情報、または実施例５で示したモールドの穴９аの実測値の情報と、実施例４で示したモールド保持部の穴１０аの実測値の情報とを比較して許容値を取得してもよい。

＜物品製造方法に係る実施例＞
インプリント装置１００を用いて成形した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、モールド（型）等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。モールドとしては、インプリント用のモールド等が挙げられる。

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

次に、物品の具体的な製造方法について、図１２を参照して説明する。図１２（Ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に成形されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材（光硬化性材料）３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。

図１２（Ｂ）に示すように、インプリント用のモールド４ｚを、その凹凸パターンが成形された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１２（Ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚとモールド４ｚとを接触させ、圧力を加える（接触工程）。インプリント材３ｚはモールド４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を、モールド４ｚを透して照射するとインプリント材３ｚは硬化する（硬化工程）。

図１２（Ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、モールド４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが成形される（パターン形成工程）。この硬化物のパターンは、モールドの凹部が硬化物の凸部に、モールドの凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚにモールド４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。

図１２（Ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる（加工工程）。図１２（Ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが成形された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。

＜その他の実施例＞
以上、本発明をその好適な実施例に基づいて詳述してきたが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の主旨に基づき種々の変形が可能であり、それらを本発明の範囲から除外するものではない。

また、上記実施例における制御の一部または全部を上述した実施例の機能を実現するコンピュータプログラムをネットワーク又は各種記憶媒体を介してインプリント装置１００に供給するようにしてもよい。そしてそのインプリント装置１００におけるコンピュータ（又はＣＰＵやＭＰＵ等）がプログラムを読み出して実行するようにしてもよい。その場合、そのプログラム、及び該プログラムを記憶した記憶媒体は本発明を構成することとなる。

９ モールド
９а モールドの穴
１０ モールド保持部
１０а モールド保持部の穴
１８ モールド補正部
１９、２２ センサ

Claims (19)

1. 基板上のインプリント材にモールドのパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント方法において、
   モールド保持部で保持された前記モールドに形成された少なくとも一つの第１穴と、前記モールドが保持されるべき基準位置とのずれ量を取得する取得工程と、
   前記ずれ量と所定の許容値とを比較し、前記インプリント処理を行うか否かを判定する判定工程と、
   を有することを特徴とするインプリント方法。
2. 前記基準位置とは、前記モールド保持部に形成された少なくとも一つの第２穴の位置であることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
3. 前記所定の許容値を決定する決定工程をさらに有し、
   前記所定の許容値は、前記第１穴の大きさと前記第２穴の大きさを比較することで決定されることを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。
4. 前記決定工程は、前記第１穴の大きさを含む情報を第１情報として取得し、前記第２穴の大きさを含む情報を第２情報として取得することを特徴とする請求項３に記載のインプリント方法。
5. 前記第１情報または前記第２情報は設計値を含むことを特徴とする請求項４に記載のインプリント方法。
6. 前記第１情報または前記第２情報は計測部によって計測した情報を含むことを特徴とする請求項４に記載のインプリント方法。
7. 前記第１情報または前記第２情報は記憶部に保存された情報であることを特徴とする請求項４に記載のインプリント方法。
8. 前記第１穴及び前記第２穴は、前記モールド保持部が前記モールドを保持した際に少なくとも一部が連通するように構成されることを特徴とする請求項２～７のいずれか１項に記載のインプリント方法。
9. 前記所定の許容値は前記第１穴及び前記第２穴の大きさに基づき決められることを特徴とする請求項２～８のいずれか１項に記載のインプリント方法。
10. 前記インプリント処理は、前記モールドを前記インプリント材に接触させる接触工程を含み、少なくとも前記接触工程の前に前記第１穴及び前記第２穴を介して気体を供給する供給工程を有することを特徴とする請求項２～９のいずれか１項に記載のインプリント方法。
11. 前記気体は不活性ガスを含むことを特徴とする請求項１０に記載のインプリント方法。
12. 前記インプリント処理は、前記モールドを前記インプリント材に接触させる接触工程と、前記インプリント材を硬化させる硬化工程と、前記モールドを前記インプリント材から離す離型工程を含むことを特徴とする請求項１～１１のいずれか１項に記載のインプリント方法。
13. 前記インプリント処理の前、インプリント処理中、インプリント処理後のいずれかにおいて少なくとも１回は前記判定工程を行うことを特徴とする請求項１２に記載のインプリント方法。
14. 前記モールドを変形させる変形工程をさらに含み、前記変形工程の後または前記インプリント処理の前に前記判定工程を有することを特徴とする請求項１２に記載のインプリント方法。
15. 前記インプリント処理の前、前記インプリント処理中、前記インプリント処理後のいずれかにおいて少なくとも１回は前記取得工程を行うことを特徴とする請求項１３に記載のインプリント方法。
16. 前記判定工程において、前記ずれ量が前記所定の許容値を超えていた場合には、警告を表示するまたは前記インプリント処理を停止することを特徴とする請求項１～１５のいずれか１項に記載のインプリント方法。
17. 前記判定工程において、前記ずれ量が前記所定の許容値を超えていない場合には、前記インプリント処理を継続することを特徴とする請求項１～１６のいずれか１項に記載のインプリント方法。
18. 基板上のインプリント材にモールドのパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置において、
    モールド保持部に保持された前記モールドに形成された少なくとも一つの第１穴と、前記モールドが保持されるべき基準位置とのずれ量を取得する取得部と、
    前記ずれ量と所定の許容値とを比較し、前記インプリント処理を行うか否かを判定する判定部と、
    を有することを特徴とするインプリント装置。
19. 請求項１～１７のいずれか１項に記載の前記インプリント方法を用いて、前記基板にパターンを形成するパターン形成工程と、
    前記パターン形成工程で前記パターンを形成した後で、前記基板を加工する加工工程と、
    前記加工工程で加工された前記基板から物品を製造する工程と、
    を含むことを特徴とする物品の製造方法。
    
    

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