JP6161713B2 - 電力変換装置 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態のパワー半導体モジュールを複数組み立てたアッセンブリ10の外観斜視図である。図2は、アッセンブリ10を分解した分解斜視図である。
第2パワー半導体モジュール2は、半導体ユニット30を収納する第2ケース210を有する。第2ケース210は、半導体ユニット400から延びる端子を貫通させる開口部221を形成する。第2フランジ部203は、開口部221を囲むように形成される。 第3パワー半導体モジュール3は、半導体ユニット30を収納する第3ケース310を有する。第3ケース310は、半導体ユニット400から延びる端子を貫通させる開口部321を形成する。第3フランジ部303は、開口部321を囲むように形成される。 貫通孔106は、第1フランジ部103であって、第2パワー半導体モジュール2の開口部221と対向する領域に形成される。貫通孔107は、第1フランジ部103であって、第3パワー半導体モジュール3の開口部321と対向する領域に形成される。さらに貫通孔104aは貫通孔106の短手方向の一方の辺の側部に形成され、貫通孔104bは貫通孔106の短手方向の他方の辺の側部に形成される。貫通孔108aは貫通孔107の短手方向の一方の辺の側部に形成され、貫通孔108bは貫通孔107の短手方向の他方の辺の側部に形成される。
第2ケース210は、ネジ等の固定具105と接続される接続部204a及び接続部204bが形成される。接続部204aは開口部221の短手方向の一方の辺の側部に形成され、接続部204bは開口部221の短手方向の他方の辺の側部に形成される。開口部221の開口面の垂直方向から見た場合、溝部205は、開口部221と接続部204a及び接続部204bを囲むように形成される。シール部材206は、溝部205に嵌め込まれる。
同様に、第3ケース310は、固定具105と接続される接続部304a(不図示)及び接続部304bが形成される。接続部304aは開口部321の短手方向の一方の辺の側部に形成され、接続部304bは開口部321の短手方向の他方の辺の側部に形成される。開口部321の開口面の垂直方向から見た場合、溝部305は、開口部321と接続部304a及び接続部304bを囲むように形成される。シール部材306は、溝部305に嵌め込まれる。
第2ケース210は、固定具105が接続部204a及び接続部204bに接続されることにより、第1フランジ部103に接続される。同様に第3ケース310は、固定具105が接続部304a及び接続部304bに接続されることにより、第1フランジ部103に接続される。第3ケース310は、第1ケース110を挟んで第2ケース210と対向する位置に配置される。
第1ケース110は、第2ケース210に向かって形成された面にフィン101を有し、かつ第3ケース310に向かって形成された面にフィン102(図3参照)を有する。第2ケース210は、第1ケース110に向かって形成された面にフィン202 (図4参照)を有し、かつ第1ケース110が配置された側の面とは反対側の面にフィン201を有する。同様に第3ケース310は、第1ケース110に向かって形成された面にフィン301 を有し、かつ第1ケース110が配置された側の面とは反対側の面にフィン302 (図5参照)を有する。
図3は、図2の平面Aの矢印方向から見た第1パワー半導体モジュール1の断面図である。
半導体ユニット400は、IGBT401やダイオード402の半導体素子と、IGBT401やダイオード402と半田材を介して接続される導体部403ないし406と、半導体素子や導体部を封止する封止樹脂407と、を有する。半導体ユニット400の詳細構造については、図8ないし図12にて説示する。
第1ケース110は、枠体111とフィンベース部112とフィンベース部113とにより構成される。枠体111は、互いに対向する2つの開口部を形成する。フィンベース部112は、枠体111の一方の開口部を塞ぐ。フィンベース部113は、枠体111の他方の開口部を塞ぐ。
半導体ユニット400は、フィンベース部112とフィンベース部113との間の空間に配置される。さらに半導体ユニット400の一方の面は、絶縁部材408を介してフィンベース部112と熱的に接続される。半導体ユニット400の他方の面は、絶縁部材409を介してフィンベース部113と熱的に接続される。絶縁部材408及び409は、高熱伝導性の絶縁層であり、絶縁シートを用いたり、溶射膜を用いたりする。
本実施形態においては、熱伝達率を向上させるために、フィンベース部112はフィン102と一体に形成され、フィンベース部113はフィン101と一体に形成される。また、フィンベース部112とフィンベース部113は、例えば、熱伝導性が良好なA1050等のアルミニウムにより構成される。
また、フィンベース部112及びフィンベース部113は、フィン101やフィン102が形成されるフィン形成部と、このフィン形成部を囲む外周部410とにより構成される。そして、この外周部410は、フィン形成部よりも薄く形成される。この薄く形成された外周部410は、フィン形成部の位置を調整して半導体ユニット400を固定する。
枠体111は、強度を向上させるために、フィンベース部112及びフィンベース部113よりも剛性が高いアルミニウム等で形成される。第1フランジ部103は、フィンベース部112のフィン形成面に対して垂直方向に形成される。
図4は、図2の平面Bの矢印方向から見た第2パワー半導体モジュール2の断面図である。
半導体ユニット400は、図3にて説示した半導体ユニットと構造及び機能が同一のため説明を省略する。
第2ケース210は、枠体211とフィンベース部212とフィンベース部213とにより構成される。枠体211は、互いに対向する2つの開口部を形成する。フィンベース部212は、枠体211の一方の開口部を塞ぐ。フィンベース部213は、枠体211の他方の開口部を塞ぐ。
半導体ユニット400は、フィンベース部212とフィンベース部213との間の空間に配置される。さらに半導体ユニット400の一方の面は、絶縁部材408を介してフィンベース部212と熱的に接続される。半導体ユニット400の他方の面は、絶縁部材409を介してフィンベース部213と熱的に接続される。
本実施形態においては、熱伝達率を向上させるために、フィンベース部212はフィン202と一体に形成され、フィンベース部213はフィン201と一体に形成される。また、フィンベース部212とフィンベース部213は、例えば、熱伝導性が良好なA1050等のアルミニウムにより構成される。
また、フィンベース部212及びフィンベース部213は、フィン201やフィン202が形成されるフィン形成部と、このフィン形成部を囲む外周部410とにより構成される。そして、この外周部410は、フィン形成部よりも薄く形成される。この薄く形成された外周部410は、フィン形成部の位置を調整して半導体ユニット400を固定する。
枠体211は、強度を向上させるために、フィンベース部212及びフィンベース部213よりも剛性が高いアルミニウム等で形成される。第2フランジ部203は、フィンベース部212のフィン形成面に対して垂直方向に形成される。
なお、第3ケース310は、第2ケース210と構造及び機能において同一なので、説明を省略する。
図5は、図1の平面Cの矢印方向から見たアッセンブリ10の断面図である。
第2ケース210は、この第2ケース210が第1ケース110との間に冷媒を流すための流路空間500を形成するように、第1フランジ103に接続される。この流路空間500に流れる冷媒の流速は、冷媒の流れ方向(図5の紙面の垂直方向)に対する流路空間500の垂直断面積の大きさによって変化する。それにより、第1ケース110及び第2ケース210の冷却性能が変化する。
一方、流路空間500の垂直断面積を小さくすることにより冷媒の流速を増加させて冷却性能を向上させようとした場合、第1ケース110の第1フランジ部103と第2ケース210の第2フランジ部203が干渉してしまい、冷媒の流速の調整が困難となるおそれがある。つまり、第1ケース110と第2ケース210がそれぞれ個別に固定部材(図5では不図示)に固定される場合、第1ケース110と固定部材との間のシール構造部と、第2ケース210と固定部材との間のシール構造部とのそれぞれが流路空間500 の上部に設けられることになる。
なお、本実施形態では、第1ケース110は、絶縁性樹脂材411や封止樹脂407とは別の部材で構成されているが、これらを樹脂材料等により一体として第1ケース110としてもよい。例えば、枠体111と絶縁性樹脂材411を一体の樹脂材料として、フィンベース部112やフィンベース部113を金属としてよい。第2ケース210や第3ケース310についても同様である。
また、フィン101は、流路空間500において、このフィン101の先端部114がフィン101とフィンベース部113との接続部115よりもフィンベース部212に近づくように形成される。さらにフィン201は、流路空間500において、このフィン201の先端部214がフィン201とフィンベース部212との接続部215よりもフィンベース部113に近づくように形成される。これにより、第1ケース110と第2ケース210の冷却性能を向上させるとともに小型化を促進することができる。なお、流路空間501における、フィン102及びフィン302も同様な関係と作用効果を奏する。 図6は、第2パワー半導体モジュール2のフィン202のみを残した第1パワー半導体モジュール1の側面図である。斜線部で示したフィン101が第1パワー半導体モジュール1のフィンであり、塗り潰されたフィン202が第2パワー半導体モジュール2のフィンである。図7は、第2パワー半導体モジュール2を組み付時における、第2パワー半導体モジュール2のフィン202のみを残した第1パワー半導体モジュール1の側面図である。
矢印Fは、冷媒の流れ方向を示す。フィン101は、冷媒の流れ方向Fを横切る方向に並べられた第1列フィン群116を含んで構成される。そしてフィン202は、冷媒の流れ方向Fと対向する当該フィン202の幅が第1列フィン群116を構成する隣り合うフィンの間の距離Dよりも大きくなるように形成される。さらに冷媒の流れ方向Fから投影した場合、フィン202は、当該フィン202の射影部が第1列フィン群116を構成する隣り合うフィンの間に重なるように配置される(図5参照)。 これにより、フィン101とフィン202との間に流れる冷媒は、冷媒の流れ方向に対して効率良く流されることになり、冷却性能が向上する。なお、流路空間501における、フィン102及びフィン301も同様な関係と作用効果を奏する。
また、フィン101は、冷媒の流れ方向Fを横切る方向に並べられた第2列フィン群117を含んで構成される。そして、第2列フィン群117は、冷媒の流れ方向Fにおける当該第2列フィン群117と第1列フィン群116との間の距離Lが冷媒の流れ方向Fに沿ったフィン202の幅よりも大きくなるように配置される。これにより、第2ケース210が第1フランジ部103に接続される際の挿入方向は、冷媒の流れ方向Fを横切る方向である場合、接続部の位置決めや固定具105による固定作業時に、フィン101とフィン202が干渉することを避けることができ、冷却性能を維持しながら、生産性を向上させることができる。
図8は、本実施形態の半導体冷却ユニット400の一方の面側の外観斜視図である。図9は、半導体冷却ユニット400の他方の面側の外観斜視図である。図10は、半導体冷却ユニット400の封止樹脂407を除去した外観斜視図である。図11は、さらに図10の導体部404及び導体部403を取り除いた外観斜視図である。
図10に図示されるように、導体部403と導体部404はそれぞれの主面が仮想同一面上に重なるように配置される。導体部405と導体部406はそれぞれの主面が仮想同一面上に重なるように配置される。図8に図示されるように、導体部403と導体部404のそれぞれの主面の一部が封止樹脂407から露出して放熱面を形成する。同様に図9に図示されるように、導体部405と導体部406のそれぞれの主面の一部が封止樹脂407から露出して放熱面を形成する。
直流正極端子412は、導体部406と接続され、かつ封止樹脂407から突出する。直流負極端子413は、導体部403と接続され、かつ封止樹脂407から突出する。交流端子415は、導体部405と接続され、かつ封止樹脂407から突出する。上アーム側ゲート端子416は、ボンディングワイヤ419を介して、上アーム回路を構成するIGBT401のゲート電極と接続される。下アーム側ゲート端子417は、ボンディングワイヤ419を介して、下アーム回路を構成するIGBT401のゲート電極と接続される。温度信号端子418は、ボンディングワイヤ419を介して、温度素子と接続される。
IGBT401やダイオード402は、導体部403ないし406に、金属接合材を介してそれぞれ接合される。金属接合材としては、例えば、半田材や銀シート及び微細金属粒子を含んだ低温焼結接合材等を用いる。
図12は、本実施形態の半導体ユニット400に内蔵される回路構成の一例を示す回路図である。図12に図示された回路は、インバータ回路の1相分の回路構成を示す。
図13は、アッセンブリ10を流路形成体502に組み付ける工程を示した外観斜視図である。図14は、流路形成体502に組み込まれたアッセンブリ10の断面図である。
流路形成体502は、主に液体である冷媒を流すための流路507と、この流路507と繋がる開口503と、を形成する。溝部504は、開口503を囲むように形成され、この溝部504にシール部材505が嵌め込まれる。
アッセンブリ10は、第1フランジ部103が第1ケース110と第2パワー半導体モジュール2と第3パワー半導体モジュール3を支持した状態で、固定具506によって流路形成体502に固定される。ここで流路形成体502は、固定部材として機能する。 これにより、第1パワー半導体モジュール1と第2パワー半導体モジュール2と第3パワー半導体モジュール3は、第1フランジ103で開口503を塞ぐことにより、流路507に収納される。
図14に示されるように、流路507は、第2パワー半導体モジュール2を挟んで流路空間500と対向する位置に流路空間508を設けるように形成される。これにより、第2パワー半導体モジュール2は、流路空間500と流路空間508の両側から冷却することができ、かつ第1ケース110と第2ケース210の外側を直接冷却することができるために、冷却性能を向上させることができる。
言い換えると、本実施形態により、少なくとも二つの、第1パワー半導体モジュール1と第2パワー半導体モジュール2を、流路形成体502に別々に水密性をもたせ取付ける必要がないことから、パワー半導体モジュールと流路形成体502間のシールは、二箇所から一箇所に減らせることができ、小型化を促進させることができる。
また、第1パワー半導体モジュール1の第1フランジ部103のフランジ面に別のパワー半導体モジュールを流路側から取付けることから、流路形成体502の壁部厚さもシール巾の一部として用いることが出来る。このようにして半導体モジュールを並列に配置し水密性を確保した上でパワー半導体モジュール同士を隣接して配置出来ることから複数のパワー半導体モジュールを搭載する際、搭載する領域を小形化することが出来る。
また、図14に示されるように、流路507は、第3パワー半導体モジュール3を挟んで流路空間501と対向する位置に流路空間509を設けるように形成される。これにより、第3パワー半導体モジュール3は、流路空間501と流路空間509の両側から冷却することができ、かつ第1ケース110と第3ケース310の外側を直接冷却することができるために、冷却性能を向上させることができる。
また、半導体ユニット400のIGBT401,ダイオード402から発生した熱は、導体部403ないし406、絶縁部材408や409、フィンベース部112等の順に伝導し、フィン101等から熱される。放熱効率を向上させる為に、冷媒は冷却する必要性がない部位に流さないようにして、フィン101等のフィン形成領域に流すようにする。そこで、流路507は、その底部に凹部510ないし512を形成する。具体的には、凹部510は、フィン101及びフィン102が形成されていない第1ケース110の側面及び底面が収納されるように形成される。凹部511は、フィン201及びフィン202が形成されていない第2ケース210の側面及び底面が収納されるように形成される。凹部512は、フィン301及びフィン302が形成されていない第3ケース310の側面及び底面が収納されるように形成される。凹部510の底部は、第1パワー半導体モジュール1が他の第2パワー半導体モジュール2や第3パワー半導体モジュール3よりも高い位置に配置されていることから、他の凹部511の底部と凹部512の底部よりも高い位置に形成される。また、フィン101と第2フランジ部203との間には、他の部材に破損を与えないようなゴム等により構成された流れ抑制部材513が配置される。またフィン201と第2フランジ部203との間、フィン102と第3フランジ部303との間、フィン302と第3フランジ部303との間、のそれぞれに、流れ抑制部材513が配置される。これにより、冷媒はフィン形成領域に流れ易くなり、冷却性能を向上させることができる。
図15は、図14の一点鎖線を通る平面を矢印方向から見た他の実施形態に係る電力変換装置の断面図である。図1ないし図14にて示した図面番号と同じ構成は同様の作用効果を奏する。ここでは、図1ないし図14で説示された電力変換装置とは異なる部分を中心に説明する。
第1パワー半導体モジュール1と第2パワー半導体モジュール2との間に設けられる流路空間500は冷媒の流れ方向に対してフィン101とフィン202が重なり合うので、冷媒の流れ方向に沿った流路空間500の断面積が、冷媒の流れ方向に沿った流路空間508の断面積よりも小さくなる。流路空間500と流路空間508の冷媒流量を平衡化させるために、そこで、流路形成体502は、流路空間508であって、第2ケース210に向かって突出する突出部514を有する。これにより、第2パワー半導体モジュール2の冷却性能を向上させることができるとともに電力変換装置の小型化に寄与する。
また、パワー半導体素子401の電極面と垂直方向Pから投影した場合、突出部514は、突出部514の射影部がパワー半導体素子401の射影部と重なるように配置される。これにより、発熱体であるパワー半導体素子401の近傍で冷媒の流速を速め、放熱性を向上させることができる。
なお、流路空間509側に設けられた突出部515についても、上記と同様の作用効果を奏する。
図16は、図14の一点鎖線を通る平面を矢印方向から見た他の実施形態に係る電力変換装置の断面図である。図1ないし図14にて示した図面番号と同じ構成は同様の作用効果を奏する。ここでは、図1ないし図14で説示された電力変換装置とは異なる部分を中心に説明する。
第2ケース210は、流路空間500に配置されるフィン202と流路空間508に配置されるフィン201を有する。一方、第1ケース110は、流路空間500に、フィンを形成しない。これにより、流路空間500と流路空間508に流れる冷媒流量は平衡化するようになり、各パワー半導体モジュールにおいてばらつきの少ない放熱性を確保出来る。また、第2パワー半導体モジュール2のフィン202は、その先端部が第1パワー半導体モジュール1の第1ケース110に向かって突出するように形成され、フィン202の先端部と第1ケース110との間において流路が絞られ冷媒の流速が増すことから、放熱面積の減少による放熱性への影響を小さくすることが出来る。
同様に、第3ケース310は、流路空間501に配置されるフィン301と流路空間509に配置されるフィン302を有する。一方、第1ケース110は、流路空間501に、フィンを形成しない。これにより上記と同様に作用効果を奏する。
なお、上記と同様の作用効果を奏する構造として、第1ケース110は、流路空間500に配置されるフィン2と流路空間501に配置されるフィンを有して、一方、第2ケース210は流路空間500にフィンを形成しないようにし、第3ケース310は流路空間501にフィンを形成しないように構成してよい。
図17は、他の実施形態に係るアッセンブリ11を流路形成体502に組み込んだ状態を示す断面図である。図1ないし図14にて示した図面番号と同じ構成は同様の作用効果を奏する。ここでは、図1ないし図14で説示された電力変換装置とは異なる部分を中心に説明する。
第2ケース210は正極直流端子412等を第2ケース210の外部に突出させるための開口部221を形成し、第3ケース310は正極直流端子412等を第3ケース310の外部に突出させるための開口部321を形成する。そして、第1フランジ部103は、第2ケース210の開口部221を形成する部分が嵌め込まれる貫通孔118を形成するとともに、第3ケース310の開口部321を形成する部分が嵌め込まれる貫通孔119を形成する。これにより正極直流端子412等は、貫通孔118や貫通孔119を挟んで第2パワー半導体モジュール2や第3パワー半導体モジュール3が配置された側とは反対側に突出することになる。よって、第2パワー半導体モジュール2の端子や第3パワー半導体モジュール3の端子は、第1フランジ部103との干渉を抑制することができ、絶縁信頼性や組立性を向上させることができる。また第1パワー半導体モジュール1と第2パワー半導体モジュール2と第3パワー半導体モジュール3のそれぞれの端子の先端の高さを揃えることができたり、第1パワー半導体モジュール1と第2パワー半導体モジュール2と第3パワー半導体モジュール3の底面の位置を揃えることができたりし、小型化や組立性を向上させることができる。なお、第1フランジ部103と第2ケース210は水密性が有り熱変形の小さい接合方法、例えばレーザー溶接等により接続される。
図18は、他の実施形態に係る電力変換装置の断面図である。第1パワー半導体モジュール1の第1ケース110と第3パワー半導体モジュール3の第3ケース310の間に配置されるフィン102とフィン301の軸方向(フィンの突出方向)で一部重なり合う。言い換えると冷媒の流れ方向Fから見たときにフィン102とフィン301が重なり合う。
このような構成により、第1パワー半導体モジュール1と第3パワー半導体モジュール3の夫々のフィン102及びフィン301は、他方のパワー半導体モジュールに対して、1/3Yの隙間が生じる。これより、重なり合わない部位の流路断面積は、S1とS2の2箇所ある為、流路空間509に対し合計2/3の流路断面積を確保出来る。また、フィン102とフィン301の重なり合う長さは、フィン全長Yの2/3あるが、流路空間501のフィン密度は流路空間509のフィン密度よりも2倍大きくなる為、流路断面積は、半分の1/3相当となる。よって、流路空間501と流路空間509の流路断面積は同一となり、冷媒をバランスよく流すことができ、ばらつきの少ない放熱性を確保出来る。
Claims (13)
- 第1パワー半導体モジュールと、第2パワー半導体モジュールと、前記第1パワー半導体モジュールを固定する固定部材と、を備える電力変換装置であって、
前記第1パワー半導体モジュールは、第1パワー半導体素子と、当該第1パワー半導体素子を収納する第1ケースと、当該第1ケースに接続される第1フランジ部と、を有し、
前記第2パワー半導体モジュールは、第2パワー半導体素子と、当該第2パワー半導体素子を収納する第2ケースと、を有し、
前記第2ケースは、当該第2ケースが前記第1ケースとの間に冷媒を流すための第1流路空間を設けるように、前記第1フランジ部に接続され、
前記第1フランジ部は、前記第1ケース及び前記第2パワー半導体モジュールを支持した状態で前記固定部材に固定される電力変換装置。 - 請求項1に記載された電力変換装置であって、
第3パワー半導体素子と当該第3パワー半導体素子を収納する第3ケースを有する第3パワー半導体モジュールを備え、
前記第3ケースは、前記第1ケースを挟んで前記第2ケースと対向して配置され、
さらに前記第3ケースは、当該第3ケースが前記第1ケースとの間に冷媒を流すための第2流路空間を設けるように、前記第1フランジ部に接続され、
前記第1フランジ部は、前記第1ケース及び前記第3パワー半導体モジュールを支持した状態で前記固定部材に固定される電力変換装置。 - 請求項1または2に記載された電力変換装置であって、
前記固定部材は、冷媒を流すための流路を形成する流路形成体であり、
前記流路形成体は、前記流路と繋がる開口を形成し、
前記第1パワー半導体モジュール及び前記第2パワー半導体モジュールは、前記第1フランジ部で前記開口を塞ぐことにより、前記流路に収納され、
前記流路は、前記第2パワー半導体モジュールを挟んで前記第1流路空間と対向する位置に第2流路空間を設けるように形成される電力変換装置。 - 請求項1または2に記載された電力変換装置であって、
前記第2パワー半導体モジュールは、前記第2パワー半導体素子に流す電流又は制御信号を伝達するための端子を有し、
前記第2ケースは、前記端子を当該第2ケースの外部に突出させるための開口部を形成し、
前記第1フランジ部は、前記端子を貫通させるための貫通孔を形成し、
前記貫通孔の内壁と前記端子との間には、絶縁性樹脂材が配置される電力変換装置。 - 請求項1ないし4に記載のいずれかの電力変換装置において、
前記第1ケースは、第1フィンと、当該第1フィンと接続される第1フィンベースと、を有し、
前記第2ケースは、第2フィンと、当該第2フィンと接続される第2フィンベースと、を有し、
前記第1フィンは、前記第1流路空間において、当該第1フィンの先端部が当該第1フィンと前記第1フィンベースとの接続部よりも前記第2フィンベースに近づくように形成され、
前記第2フィンは、前記第1流路空間において、当該第2フィンの先端部が当該第2フィンと前記第2フィンベースとの接続部よりも前記第1フィンベースに近づくように形成される電力変換装置。 - 請求項5に記載の電力変換装置であって、
前記第1フィンは、冷媒の流れ方向を横切る方向に並べられた第1列フィン群を含んで構成され、
前記第2フィンは、冷媒の流れ方向と対向する当該第2フィンの幅が前記第1列フィン群を構成する隣り合うフィンの間の距離よりも大きくなるように形成され、
冷媒の流れ方向から投影した場合、前記第2フィンは、当該第2フィンの射影部が前記第1列フィン群を構成する隣り合うフィンの間に重なるように配置される電力変換装置。 - 請求項6に記載の電力変換装置であって、
前記第1フィンは、冷媒の流れ方向を横切る方向に並べられた第2列フィン群を含んで構成され、
前記第2列フィン群は、前記冷媒の流れ方向における当該第2列フィン群と前記第1列フィン群との間の距離が前記冷媒の流れ方向に沿った前記第2フィンの幅よりも大きくなるように配置され、
前記第2ケースが前記第1フランジ部に接続される際の挿入方向は、前記冷媒の流れ方向を横切る方向である電力変換装置。 - 請求項3に記載された電力変換装置であって、
前記第1ケースは、前記第1流路空間に配置される第1フィンを有し、
前記第2ケースは、前記第1流路空間と前記第2流路空間に分かれて配置される複数の第2フィンを有し、
前記流路形成体は、前記第2流路空間であって、当該第2ケースに向かって突出する突出部を有する電力変換装置。 - 請求項8に記載された電力変換装置であって、
前記第2パワー半導体素子の電極面と垂直方向から投影した場合、前記突出部は、当該突出部の射影部が前記第2パワー半導体素子の射影部と重なるように配置される電力変換装置。 - 請求項3に記載された電力変換装置であって、
前記第2ケースは、前記第1流路空間と前記第2流路空間に分かれて配置される複数のフィンを有し、
前記第1ケースは、前記第1流路空間に、フィンを形成しない電力変換装置。 - 請求項10に記載された電力変換装置であって、
第3パワー半導体素子と当該第3パワー半導体素子を収納する第3ケースを有する第3パワー半導体モジュールを備え、
前記第3ケースは、前記第1ケースを挟んで前記第2ケースと対向して配置され、
さらに前記第3ケースは、当該第3ケースが前記第1ケースとの間に冷媒を流すための第3流路空間を設けるように、前記第1フランジ部に接続され、
前記第1フランジ部は、前記第1ケース及び前記第3パワー半導体モジュールを支持した状態で前記流路形成体に固定され、
前記流路は、前記第3パワー半導体モジュールを挟んで前記第3流路空間と対向する位置に第4流路空間を設けるように形成され、
前記第3ケースは、前記第3流路空間と前記第4流路空間に分かれて配置される複数のフィンを有し、
前記第1ケースは、前記第3流路空間に、フィンを形成しない電力変換装置。 - 請求項3に記載された電力変換装置であって、
前記第1ケースは、前記第1流路空間に配置される第1フィンを有し、
前記第2ケースは、前記第2流路空間に配置される第2フィンを有し、
さらに前記第2ケースは、前記第1流路空間に、フィンを形成しない電力変換装置。 - 請求項1または2に記載された電力変換装置であって、
前記第2パワー半導体モジュールは、前記第2パワー半導体素子に流す電流又は制御信号を伝達するための端子を有し、
前記第2ケースは、前記端子を当該第2ケースの外部に突出させるための開口部を形成し、
前記第1フランジ部は、前記第2ケースの開口部を形成する部分が嵌め込まれる貫通孔を形成し、
前記端子は、前記貫通孔を挟んで前記第2パワー半導体モジュールが配置された側とは反対側に突出する電力変換装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013209797 | 2013-10-07 | ||
JP2013209797 | 2013-10-07 | ||
PCT/JP2014/076239 WO2015053140A1 (ja) | 2013-10-07 | 2014-10-01 | 電力変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015053140A1 JPWO2015053140A1 (ja) | 2017-03-09 |
JP6161713B2 true JP6161713B2 (ja) | 2017-07-12 |
Family
ID=52812957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015541536A Active JP6161713B2 (ja) | 2013-10-07 | 2014-10-01 | 電力変換装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9992915B2 (ja) |
JP (1) | JP6161713B2 (ja) |
WO (1) | WO2015053140A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015111211A1 (ja) * | 2014-01-27 | 2015-07-30 | 株式会社日立製作所 | パワーモジュール及びその製造方法 |
DE102016219070B4 (de) | 2015-10-09 | 2022-06-02 | Schaeffler Technologies AG & Co. KG | Gehäuse für ein Halbbrückenmodul und ein Verfahren zur Herstellung einer Kühlstruktur |
JP6635901B2 (ja) * | 2016-09-21 | 2020-01-29 | 本田技研工業株式会社 | 電力変換装置 |
JP6710163B2 (ja) * | 2017-01-12 | 2020-06-17 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | パワー半導体装置 |
USD904322S1 (en) * | 2019-08-28 | 2020-12-08 | Carbice Corporation | Flexible heat sink |
USD906269S1 (en) * | 2019-08-28 | 2020-12-29 | Carbice Corporation | Flexible heat sink |
USD903610S1 (en) * | 2019-08-28 | 2020-12-01 | Carbice Corporation | Flexible heat sink |
JP2022188312A (ja) * | 2019-11-27 | 2022-12-21 | 日立Astemo株式会社 | パワーモジュールおよびパワーモジュールの製造方法 |
WO2024074194A1 (en) * | 2022-10-04 | 2024-04-11 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Semiconductor arrangement with direct liquid cooling |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4379339B2 (ja) * | 2005-01-19 | 2009-12-09 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体冷却装置 |
JP4284625B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2009-06-24 | 株式会社デンソー | 三相インバータ装置 |
JP5227532B2 (ja) * | 2007-04-02 | 2013-07-03 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | インバータ回路用の半導体モジュール |
JP4580997B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2010-11-17 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
JP5557441B2 (ja) | 2008-10-31 | 2014-07-23 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置および電動車両 |
JP5557585B2 (ja) * | 2010-04-26 | 2014-07-23 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | パワーモジュール |
JP5380376B2 (ja) * | 2010-06-21 | 2014-01-08 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | パワー半導体装置 |
JP5273101B2 (ja) * | 2010-06-23 | 2013-08-28 | 株式会社デンソー | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
JP2012016095A (ja) | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Denso Corp | 電力変換装置 |
JP5439309B2 (ja) * | 2010-07-28 | 2014-03-12 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
JP5417314B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2014-02-12 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
JP5591396B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2014-09-17 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体モジュール、および半導体モジュールの製造方法 |
JP5508357B2 (ja) * | 2011-07-29 | 2014-05-28 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
JP5634429B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2014-12-03 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | パワー半導体モジュール |
JP5879233B2 (ja) * | 2012-08-31 | 2016-03-08 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | パワー半導体モジュール |
JP5805838B1 (ja) * | 2014-09-29 | 2015-11-10 | 株式会社日立製作所 | 発熱体の冷却構造、電力変換器ユニットおよび電力変換装置 |
-
2014
- 2014-10-01 JP JP2015541536A patent/JP6161713B2/ja active Active
- 2014-10-01 US US15/025,364 patent/US9992915B2/en active Active
- 2014-10-01 WO PCT/JP2014/076239 patent/WO2015053140A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2015053140A1 (ja) | 2017-03-09 |
US9992915B2 (en) | 2018-06-05 |
US20160234976A1 (en) | 2016-08-11 |
WO2015053140A1 (ja) | 2015-04-16 |
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JP2019125700A (ja) | パワー半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20170126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170328 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170428 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170516 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170613 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6161713 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20170927 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
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