JP5439309B2 - 電力変換装置 - Google Patents

電力変換装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5439309B2
JP5439309B2 JP2010168813A JP2010168813A JP5439309B2 JP 5439309 B2 JP5439309 B2 JP 5439309B2 JP 2010168813 A JP2010168813 A JP 2010168813A JP 2010168813 A JP2010168813 A JP 2010168813A JP 5439309 B2 JP5439309 B2 JP 5439309B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flow path
control member
fin group
power
path control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010168813A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012029539A (ja
Inventor
淳夫 西原
賢市郎 中嶋
敬介 堀内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Astemo Ltd
Original Assignee
Hitachi Automotive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Automotive Systems Ltd filed Critical Hitachi Automotive Systems Ltd
Priority to JP2010168813A priority Critical patent/JP5439309B2/ja
Priority to EP11812431.2A priority patent/EP2600516B1/en
Priority to PCT/JP2011/066853 priority patent/WO2012014842A1/ja
Priority to US13/811,497 priority patent/US9078376B2/en
Priority to CN201180036876.6A priority patent/CN103026605B/zh
Publication of JP2012029539A publication Critical patent/JP2012029539A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5439309B2 publication Critical patent/JP5439309B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/003Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203Rectifying Diode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

本発明は、電力変換装置に関する。
電気自動車あるいはハイブリッド自動車においては、車両の動力源としてモータを搭載しており、モータに供給する電力を制御するためにインバータなどの電力変換装置を備えている。電力変換装置は、IGBTなどの電力用半導体素子を内蔵したパワーモジュール、そのパワーモジュールを駆動する駆動回路、それらを制御する制御回路、および電流平滑化用のコンデンサを備えている。これらの電子部品は熱に弱いため冷却する必要があり、特に大容量で発熱量が大きい電力変換装置では冷却水を循環させる水冷構造の冷却器を備えているものが多い。
電力変換装置を構成する電子部品の中でも最も発熱量が大きいものはパワーモジュールである。そのパワーモジュールの冷却性能を向上させるためには、半導体素子の両面を同時に冷却する両面冷却構造が有効である。パワーモジュールの両面冷却実装構造の例としては、例えば、特許文献1に記載のものが知られている。
特許第4168825号明細書
しかしながら、パワーモジュールを水路に差し込む構造においては冷却水が冷却フィンを迂回して流れ、パワーモジュールの冷却性能が低下するという問題がある。
本発明は、パワー半導体素子のスイッチング動作によって電力を直流から交流に、交流から直流に変換する電力変換装置に適用される。そして、冷却媒体が流れる流路が形成され、流路と連通する開口部が形成された流路筐体と、パワー半導体素子を収納するとともに開口部から流路内に挿入される筒部筒部の外周の一方面に設けられた第1放熱フィン群、及び筒部の外周の一方面とは反対側の他方面に設けられた第2放熱フィン群を有するパワーモジュールと冷却媒体を第1放熱フィン群へと導く第1流路制御部材、筒部を挟んで第1流路制御部材と対向して配置されかつ冷却媒体を第2放熱フィン群へと導く第2流路制御部材、及び第1流路制御部材と第2流路制御部材とを連結するリング部を有するシール部材と、を備え、シール部材は、筒部に装着されることを特徴とする。
本発明によれば、パワーモジュールの冷却性能の向上を図ることができる。
ハイブリッド自動車の制御ブロックを示す図。 インバータ回路140の電気回路の構成を説明する図。 電力変換装置200の斜視図。 電力変換装置200の分解斜視図。 図3のA−A断面図。 冷却ベース5の分解斜視図。 冷却ベース5の一部を示す拡大断面図。 パワーモジュール1の断面図。 パワーモジュール1の外観を示す斜視図。 シール材16の形状を示す斜視図。 冷却ベース5の開口部50を示す平面図 流路制御部16bの作用を説明する図。 比較例を示す図。 流路制御部20bが形成されたシール部材20を示す図。 流路制御部20bの作用を説明する図。 流路制御部21bが形成されたシール部材21を示す図。 別体構造のシール部材22および流路制御部材23を示す図。 押さえ板24を用いる構成を示す図。 押さえ板25を用いる構成を示す図。
以下、図を参照して本発明を実施するための形態について説明する。図1は、ハイブリッド自動車(以下「HEV」と記述する)の制御ブロックを示す図である。エンジンEGNおよびモータジェネレータMG1、モータジェネレータMG2は車両の走行用トルクを発生する。また、モータジェネレータMG1およびモータジェネレータMG2は回転トルクを発生するだけでなく、モータジェネレータMG1あるいはモータジェネレータMG2に外部から加えられる機械エネルギーを電力に変換する機能を有する。
モータジェネレータMG1,MG2は、例えば同期機あるいは誘導機であり、上述のごとく、運転方法によりモータとしても発電機としても動作する。モータジェネレータMG1,MG2を自動車に搭載する場合には、小型で高出力を得ることが望ましく、ネオジウムなどの磁石を使用した永久磁石型の同期電動機が適している。また、永久磁石型の同期電動機は誘導電動機に比べて回転子の発熱が少なく、この観点でも自動車用として優れている。
エンジンEGNの出力側及びモータジェネレータMG2の出力トルクは動力分配機構TSMを介してモータジェネレータMG1に伝達され、動力分配機構TSMからの回転トルクあるいはモータジェネレータMG1が発生する回転トルクは、トランスミッションTMおよびデファレンシャルギアDIFを介して車輪に伝達される。一方、回生制動の運転時には、車輪から回転トルクがモータジェネレータMG1に伝達され、供給されてきた回転トルクに基づいて交流電力を発生する。
発生した交流電力は後述するように電力変換装置200により直流電力に変換され、高電圧用のバッテリ136を充電し、充電された電力は再び走行エネルギーとして使用される。また高電圧用のバッテリ136の蓄電している電力が少なくなった場合に、エンジンEGNが発生する回転エネルギーをモータジェネレータMG2により交流電力に変換し、次に交流電力を電力変換装置200により直流電力に変換し、バッテリ136を充電することができる。エンジンEGNからモータジェネレータMG2への機械エネルギーの伝達は動力分配機構TSMによって行われる。
次に電力変換装置200について説明する。インバータ回路140,142は、バッテリ136と直流コネクタ138を介して電気的に接続されており、バッテリ136とインバータ回路140,142との相互において電力の授受が行われる。モータジェネレータMG1をモータとして動作させる場合には、インバータ回路140は直流コネクタ138を介してバッテリ136から供給された直流電力に基づき交流電力を発生し、交流端子188を介してモータジェネレータMG1に供給する。モータジェネレータMG1とインバータ回路140からなる構成は第1電動発電ユニットとして動作する。
同様にモータジェネレータMG2をモータとして動作させる場合には、インバータ回路142は直流コネクタ138を介してバッテリ136から供給された直流電力に基づき交流電力を発生し、交流端子159を介してモータジェネレータMG2に供給する。モータジェネレータMG2とインバータ回路142からなる構成は第2電動発電ユニットとして動作する。
第1電動発電ユニットと第2電動発電ユニットは、運転状態に応じて両方をモータとしてあるいは発電機として運転する場合、あるいはこれらを使い分けて運転する場合がある。また片方を運転しないで、停止することも可能である。なお、本実施形態では、バッテリ136の電力によって第1電動発電ユニットを電動ユニットとして作動させることにより、モータジェネレータMG1の動力のみによって車両の駆動ができる。さらに、本実施形態では、第1電動発電ユニット又は第2電動発電ユニットを発電ユニットとしてエンジン120の動力或いは車輪からの動力によって作動させて発電させることにより、バッテリ136の充電ができる。
また、図1では省略したが、バッテリ136はさらに補機用のモータを駆動するための電源としても使用される。補機用のモータとしては例えば、エアコンディショナーのコンプレッサを駆動するモータ、あるいは制御用の油圧ポンプを駆動するモータである。バッテリ136から直流電力が補機用パワーモジュールに供給され、補機用パワーモジュールは交流電力を発生して補機用のモータに供給する。補機用パワーモジュールはインバータ回路140と基本的には同様の回路構成および機能を持ち、補機用のモータに供給する交流の位相や周波数、電力を制御する。なお、電力変換装置200は、インバータ回路140に供給される直流電力を平滑化するためのコンデンサモジュール500を備えている。
電力変換装置200は、上位の制御装置から指令を受けたりあるいは上位の制御装置に状態を表すデータを送信したりするための通信用のコネクタ31を備えている。電力変換装置200は、コネクタ31からの指令に基づいて制御回路172でモータジェネレータMG1やモータジェネレータMG2、補機用のモータ195の制御量を演算し、さらにモータとして運転するか発電機として運転するかを演算し、演算結果に基づいて制御パルスを発生し、その制御パルスをドライバ回路174や補機用モジュール350のドライバ回路350Bへ供給する。ドライバ回路174は、供給された制御パルスに基づいて、インバータ回路140やインバータ回路142を制御するための駆動パルスを発生する。
次に、図2を用いてインバータ回路140やインバータ回路142の電気回路の構成を説明する。なお、インバータ回路140やインバータ回路142は回路構成も動作も極めて類似しているので、以下ではインバータ回路140で代表して説明する。また、以下で半導体素子として絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを使用しており、以下略してIGBTと記す。
上アームとして動作するIGBT328及びダイオード156と、下アームとして動作するIGBT330及びダイオード166とで、上下アーム直列回路150が構成される。インバータ回路140は、この上下アーム直列回路150を、出力しようとする交流電力のU相、V相、W相の3相に対応して備えている。
これらの3相は、この実施の形態ではモータジェネレータMG1の電機子巻線の3相の各相巻線に対応している。3相のそれぞれの上下アーム直列回路150は、直列回路の中点部分である中間電極169から交流電流を出力する。この中間電極169は、交流端子159及び交流端子188を通して、モータジェネレータMG1への交流電力線である以下に説明の交流バスバー802や804と接続される。
上アームのIGBT328のコレクタ電極153は、正極端子157を介してコンデンサモジュール500の正極側のコンデンサ端子506に電気的に接続されている。また、下アームのIGBT330のエミッタ電極は、負極端子158を介してコンデンサモジュール500の負極側のコンデンサ端子504に電気的に接続されている。
上述のように、制御回路172は上位の制御装置からコネクタ31を介して制御指令を受け、これに基づいてインバータ回路140を構成する各相の上下アーム直列回路150の上アームあるいは下アームを構成するIGBT328やIGBT330を制御するための制御信号である制御パルスを発生し、ドライバ回路174に供給する。
ドライバ回路174は、上記制御パルスに基づき、各相の上下アーム直列回路150の上アームあるいは下アームを構成するIGBT328やIGBT330を制御するための駆動パルスを各相のIGBT328やIGBT330に供給する。IGBT328やIGBT330は、ドライバ回路174からの駆動パルスに基づき、導通あるいは遮断動作を行い、バッテリ136から供給された直流電力を三相交流電力に変換し、この変換された電力はモータジェネレータMG1に供給される。
IGBT328は、コレクタ電極153と、信号用エミッタ電極155と、ゲート電極154を備えている。また、IGBT330は、コレクタ電極163と、信号用のエミッタ電極165と、ゲート電極164を備えている。ダイオード156が、コレクタ電極153とエミッタ電極155との間に電気的に接続されている。また、ダイオード166が、コレクタ電極163とエミッタ電極165との間に電気的に接続されている。
スイッチング用パワー半導体素子としては金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ(以下略してMOSFETと記す)を用いてもよい、この場合はダイオード156やダイオード166は不要となる。スイッチング用パワー半導体素子としては、IGBTは直流電圧が比較的高い場合に適していて、MOSFETは直流電圧が比較的低い場合に適している。
コンデンサモジュール500は、複数の正極側のコンデンサ端子506と複数の負極側のコンデンサ端子504と正極側の電源端子509と負極側の電源端子508とを備えている。バッテリ136からの高電圧の直流電力は、直流コネクタ138を介して、正極側の電源端子509や負極側の電源端子508に供給され、コンデンサモジュール500の正極側のコンデンサ端子506および負極側のコンデンサ端子504から、インバータ回路140へ供給される。
一方、交流電力からインバータ回路140やインバータ回路142によって変換された直流電力は、正極側のコンデンサ端子506や負極側のコンデンサ端子504からコンデンサモジュール500に供給され、正極側の電源端子509や負極側の電源端子508から直流コネクタ138を介してバッテリ136に供給され、バッテリ136に蓄積される。
制御回路172は、IGBT328及びIGBT330のスイッチングタイミングを演算処理するためのマイクロコンピュータ(以下、「マイコン」と記述する)を備えている。マイコンへの入力情報としては、モータジェネレータMG1に対して要求される目標トルク値、上下アーム直列回路150からモータジェネレータMG1に供給される電流値、及びモータジェネレータMG1の回転子の磁極位置がある。
目標トルク値は、不図示の上位の制御装置から出力された指令信号に基づくものである。電流値は、電流センサ180による検出信号に基づいて検出されたものである。磁極位置は、モータジェネレータMG1に設けられたレゾルバなどの回転磁極センサ(不図示)から出力された検出信号に基づいて検出されたものである。本実施形態では、電流センサ180は3相の電流値を検出する場合を例に挙げているが、2相分の電流値を検出するようにし、演算により3相分の電流を求めても良い。
制御回路172内のマイコンは、目標トルク値に基づいてモータジェネレータMG1のd軸,q軸の電流指令値を演算し、この演算されたd軸,q軸の電流指令値と、検出されたd軸,q軸の電流値との差分に基づいてd軸,q軸の電圧指令値を演算し、この演算されたd軸,q軸の電圧指令値を、検出された磁極位置に基づいてU相、V相、W相の電圧指令値に変換する。そして、マイコンは、U相、V相、W相の電圧指令値に基づく基本波(正弦波)と搬送波(三角波)との比較に基づいてパルス状の変調波を生成し、この生成された変調波をPWM(パルス幅変調)信号としてドライバ回路174に出力する。
ドライバ回路174は、下アームを駆動する場合、PWM信号を増幅したドライブ信号を、対応する下アームのIGBT330のゲート電極に出力する。また、ドライバ回路174は、上アームを駆動する場合、PWM信号の基準電位のレベルを上アームの基準電位のレベルにシフトしてからPWM信号を増幅し、これをドライブ信号として、対応する上アームのIGBT328のゲート電極にそれぞれ出力する。
また、制御回路172内のマイコンは、異常検知(過電流、過電圧、過温度など)を行い、上下アーム直列回路150を保護している。このため、制御回路172にはセンシング情報が入力されている。例えば、各アームの信号用のエミッタ電極155及び信号用のエミッタ電極165からは各IGBT328とIGBT330のエミッタ電極に流れる電流の情報が、対応する駆動部(IC)に入力されている。これにより、各駆動部(IC)は過電流検知を行い、過電流が検知された場合には対応するIGBT328,IGBT330のスイッチング動作を停止させ、対応するIGBT328,IGBT330を過電流から保護する。
上下アーム直列回路150に設けられた温度センサ(不図示)からは上下アーム直列回路150の温度の情報がマイコンに入力されている。また、マイコンには上下アーム直列回路150の直流正極側の電圧の情報が入力されている。マイコンは、それらの情報に基づいて過温度検知及び過電圧検知を行い、過温度或いは過電圧が検知された場合には全てのIGBT328,IGBT330のスイッチング動作を停止させる。
図3〜5は本実施形態における電力変換装置200の概略構成を示す図であり、図3は斜視図、図4は分解斜視図、図5は図3のA−A断面図である。本実施の形態の電力変換装置200では、平面視の形状を略長方形としたことで、車両への取り付けが容易となり、また生産し易いという効果がある。なお、電力変換装置200は、トランスミッションTMに固定された電力変換装置200の回路部品を収納するためのアルミニウム製のハウジングと蓋とを有しているが、内部構成を説明するために図3〜5では図示を省略した。
電力変換装置200は、コンデンサモジュール500およびパワーモジュール1が収納される冷却ベース5、冷却ベース5の上方に配置された駆動回路基板2および制御回路基板3等を備えている。上述した制御回路172は制御回路基板3に実装されている。冷却ベース5には、冷却媒体が流れる流路51と、流路51に囲まれるように形成されたコンデンサ収容部54とが形成されている。コンデンサモジュール500はコンデンサ収容部54に収納され、流路51の壁面を通して冷却される。
冷却ベース5には、流路51上に沿って開口部50が複数形成されている。パワーモジュール1は、上述した上下アーム直列回路150を金属ケース内に収納したものであり、電子部品の中でも最も発熱量が大きい。そのため、複数のパワーモジュール1は、開口部50を介して流路51内に挿入され、冷却媒体により直接冷却される。冷却ベース5の底部には、導入口13および排出口14が設けられている。冷却媒体(例えば、冷却水)は導入口13から流路51内に流入し、流路51を循環した後に排出口14から流出する。
制御回路基板3は、冷却ベース5の支柱に固定されたアルミニウム製の基板ベース7の上部に配置され、駆動回路基板2は基板ベース7の下側に配置される。駆動回路基板2および制御回路基板3はアルミニウム製の基板ベース7に熱的に接続されており、駆動回路基板2および制御回路基板3で発生した熱は基板ベース7から支柱55を通して流路51内の冷却媒体へ逃がされる。また、基板ベース7は、駆動回路基板2および制御回路基板3に搭載される回路群の電磁シールドとしての機能も有している。
制御回路基板3にはコネクタ31が設けられている。コネクタ31は外部の制御装置と接続され、制御回路基板2に設けられた制御回路172と上位の制御装置などの外部の制御装置との間で信号伝送を行う。電力変換装置200内の制御回路を動作させる低電圧の直流電力は、コネクタ31から供給される。コネクタ31等の端子の嵌合面の向きは、車種により種々の方向となるが、特に小型車両に搭載しようとした場合、エンジンルーム内の大きさの制約や組立性の観点から嵌合面を上向きにして出すことが好ましい。特に、電力変換装置200が、トランスミッションTMの上方に配置される場合には、トランスミッションTMの配置側とは反対側に向かって突出させることにより、作業性が向上する。
図6は冷却ベース5の分解斜視図であり、冷却ベースを底面側から見た図である。流路51は、コンデンサ収容部54を囲むように形成されており、流路51の一端は下カバー420に形成された導入開口13に連通しており、流路51の他端は下カバー420に形成された排出口14に連通している。下カバー420には、流路51の開口50と対向する位置に、下カバー部材が下方に窪んだ凸部406がそれぞれ形成されている。この凸部406の窪み内には、流路51内に挿入されたパワーモジュール1の先端部分が挿入される。409は、下カバー420および冷却ベース5間の隙間を封止するシール材である。
図7は、図4に示した断面図のパワーモジュール1が収納された流路部分を拡大して示した図である。冷却ベース5に形成された流路51のベース裏面側開口は下カバー420によって密閉されている。パワーモジュール1は、放熱フィン14が形成された筒部が開口部50(図5参照)を介して流路51内に挿入され、フランジ部13bが冷却ベース5の上面に固定される。パワーモジュール1の筒部13aの先端部分(図示下端部)は下カバー420の凸部406に形成された窪みに挿入されている。フランジ部13bと冷却ベース5とのシール部にはシール部材16が設けられており、開口部50はフランジ部13bによって密閉される。フランジ部13bと放熱フィン14との間の隙間には、シール部材16の一部が挿入されている。
図8はパワーモジュール1の断面図であり、図9はパワーモジュール1の外観斜視図である。パワーモジュール1は、アルミニウム製の缶形ケーシング13に、上述した上下アーム直列回路150を構成するパワー半導体素子(IGBT9およびダイオード10)を内蔵したものである。IGBT9は図2のIGBT154,164が対応し、ダイオード10は、図2のダイオード156,166が対応する。ケーシング13は、トランスファーモールド体が収納される筒部13aと、パワーモジュール1を冷却ベース5へ固定するためのフランジ部13bとを備えている。フランジ部13bには、図9に示すようにボルト孔13cが形成されている。筒部13aに内蔵されたIGBT9およびダイオード10は表裏両面を電極としての銅リード11で挟まれており、それらは樹脂12でトランスファーモールドされ一体となっている。銅リード11の端子部11bはフランジ部13bからケーシング13の外部に突出している。
ケーシング13は、パワー半導体素子で発生した熱を放熱する放熱器の役目をするものであって、筒部13aの厚肉部130の外周面、すなわち放熱面には複数の放熱フィン(ピンフィン)14が立設されている。厚肉部130の周囲は薄肉部131となっている。パワーモジュール1を製造する際には、トランスファーモールド体を密着性の絶縁シートで挟んだ状態でケーシング13内に挿入する。トランスファーモールド体の表裏両面には、銅リード11の裏面側が露出しており、その露出面が上述の絶縁シートを挟んでケーシング13の内周面と密着するように、厚肉部130をケーシング内側へ向けてプレスする。プレスした際に薄肉部131が塑性変形し、厚肉部130の内周面がトランスファーモールド体の表裏両面に密着固定される。
ケーシング13は低コスト化のため、缶形の成形、放熱フィン14の作成、フランジ部13bの成形を鍛造で行い、一体型の容器となっている。このとき、鍛造型の制約により、フランジ部13bと放熱フィン14との間に5〜10mm程度の隙間が形成される。また、ケーシング13の作製方法としては、例えば切削加工で放熱フィン14とフランジ部13bを作ることも考えられる。この場合にも、フランジ部13bのシール面を切削する際に工具が入る隙間が必要となることから、フランジ部13bと放熱フィン14との間に隙間が生じることになる。
図10はシール部材16の形状を示す斜視図である。シール部材16は、略矩形の環状構造を成すOリング部16aと、Oリング部16aの内側に一体に形成された一対の流路制御部16bとを備えている。一対の流路制御部16bはOリング部16aの長辺側に沿って形成されており、流路制御部16bの互いに対向する面には突起16cがそれぞれ形成されている。シール部材16を図8に示すケーシング13に装着すると、突起16cがフランジ部13bと厚肉部130との間の薄肉部131に接触する。
図11は、冷却ベース5の開口部50を示す平面図である。略矩形状の開口部50の周囲にはシール溝52が形成されている。このシール溝52の上面に二点差線で示すようにシール材16のOリング部16aが載置される。このシール部材16の下面側(紙面の裏面側)に形成された流路制御部16bは、流路51内に配置されることになる。53は、パワーモジュール1のフランジ部13bを冷却ベース5の開口部50にボルト固定するためのネジ穴である。破線51aは、開口部50間の流路を示している。
図9に示すパワーモジュール1を図11の開口部50に取り付ける場合には、まず、シール部材16を矢印で示すように筒部13aの下端から装着して、フランジ部13bの裏面側(シール面側)に配置する。その後、パワーモジュール1の筒部13aを開口部50内に挿入し、シール部材16がシール溝52に配置されるようにフランジ部13bを冷却ベース5上に載置する。次いで、外周形状がフランジ部13bとほぼ同様の押さえ板17をフランジ部13b上に配置し、ボルト18により、押さえ板17とフランジ部13bとを共締めする。押さえ板17を用いることで、ボルト締めした際にアルミ製のフランジ部13bが変形するのを防止し、均一なシールを得ることができる。
図12、図13は流路制御部16bの作用を説明する図であり、図12は流路制御部16bを設けた場合を示し、図13は流路制御部16bを設けない場合を示す。図12および図13のいずれの場合も、(a)は冷却媒体の流れに対して直交する断面図で、(b)は冷却媒体の流れに沿って断面した図である。図12,13の二点差線144で囲まれた領域は、複数の放熱フィン14が形成された領域、すなわち放熱フィン群を示している。なお、流路51の底面を構成する下カバー420にはパワーモジュール1の底面に合わせる形でくぼみが設けられており、底面側にも冷却媒体が迂回するスペースを作らないように構成されている。
まず、図13を参照して、流路制御部16bを設けなかった場合の冷却媒体の流れについて説明する。図13(a)の断面図に示すように、パワーモジュール1のフランジ部13bと放熱フィン群144との間には所定間隔Dの隙間が形成されている。これは、上述したように製造上の制約から避けられない隙間であり、ケーシング13を鍛造で作る場合には、この所定間隔Dは5mm〜10mm程度となる。
図13(b)に示すように、矢印で示すように図示右側からパワーモジュール1が挿入された流路51に流れ込む。流れ込んだ冷却媒体の大部分は放熱フィン14の隙間を通り抜けるように図示左側に流れるが、冷却媒体の一部は流線511のように、放熱フィン14の無い領域51cに迂回するように流れる。その結果、放熱フィン14の部分の冷却媒体の流量が減って冷却能力の低下を招くことになる。
一方、図12に示す本実施の形態のように、フランジ部13bと放熱フィン群144との間の隙間、すなわち図13の領域51cに流路制御部16bを配置した場合には、冷却媒体が領域51cに迂回するのを防止できるとともに、流線510のように冷却媒体が流路制御部16bによって放熱フィン群144へと導かれる。その結果、放熱フィン群144を通過する冷却媒体の量が増えて流速を上昇させることができ、パワーモジュール1の冷却能力の向上を図ることができる。
なお、冷却媒体が隙間領域51cに入り込むのを防止するために、遮蔽部材を隙間領域51cの入口付近に設けた場合、冷却媒体が遮蔽部材の下流側において領域51cに回り込む。さらに、遮蔽部材の後側において渦ができるなどして、圧力損失が増大する。そのため、放熱フィン群144の幅に相当する長さを有する隙間領域51cに対して、流路制御部16bを、図12(b)に示すように、領域51c内の冷却媒体の流れ方法に沿って連続的に配置するのが好ましい。
上述した実施形態では、流路制御部16bを、フランジ部13bのOリング部16aと一体に形成したので、組み立て作業の工数低減を図ることができると共に、流路制御部16bの組み付け忘れの防止にも役立つ。
流路制御部16bは、必ずしもフランジ部13bと放熱フィン群144との間の空間全体に充填されている必要はないが、冷却媒体が放熱フィン群144を迂回しないように機能するためには、図12(a)に示すように放熱フィン14の間隔をd1とした場合、流路制御部16bと放熱フィン群144との間隔d2がd1よりも小さく設定されるのが好ましい。例えば、放熱フィン14をピンフィンとした場合、ピン間の間隔は2〜3mm程度となる。
図14は、上述したシール部材16の変形例を示す図である。図14に示すシール部材20の場合もOリング部20aと流路制御部20bとからなる。Oリング部20aは、図10に示すOリング16aと同一形状となっている。一方、流路制御部20bの形状は流路制御部16bと異なっており、流路制御部20bの高さHが図示左側方向に行くに従って増加するような形状となっている。
このシール部材20をパワーモジュール1に装着する場合には、図15に示すように、流路制御部20bの高さHが高い方が冷却媒体の下流側となるように装着する。流路制御部20bと補熱フィン群144との間隔は冷却媒体の流れに沿って徐々に減少するようになっているため、流線で示すように冷却媒体は流路制御部20bの傾斜した底面に沿って放熱フィン群144の方に流れる。このように、流路制御部20bの形状を流路面積が流れ方向に沿って滑らかに変化する形状とすることにより、冷却媒体に対して整流効果が発生し、圧力損失を小さくすることができる。
なお、上述した流路制御部20bの形状を、図16に示すような流路制御部21bのような形状に変形してもよい。図16に示す流路制御部21bでは、冷却媒体の流れの上流側お跳び下流側の両方に傾斜した底面を形成した。すなわち、流路制御部21bの形状を、流路制御部21bと放熱フィン群144との間隔が放熱フィン群144の流れ方向中央において最小となるとともに、その中央から離れるに従って間隔が増加するような形状とした。このように、流路制御部21bの形状を左右対称としたことにより、冷却媒体の流れ方向が図15の左右方向のいずれである場合も同様の効果を奏する。すなわち、シール部材20を組み付けの間違いの発生を防止することができる。
上述した図10,14および16に記載の流路制御部のいずれを採用しても、放熱フィン14の部分を通らない冷却媒体の量を減らし、放熱フィン14に当る冷却媒体の流速を上げることができるため、パワーモジュール1の冷却能力を向上させることができる。そして、冷却能力の向上は、冷却装置とパワーモジュールの小型化に貢献する。また、パワーモジュール1からの大きい発熱量を許容することができるため、電力用パワー半導体のサイズを小さくでき、低コスト化に貢献する。
なお、圧力損失をより低くしたい場合には、図14,16に示す形状の流路制御部20b,21bがより望ましい。一方、冷却性能の向上をより重視する場合には、冷却媒体がフランジ部13bと放熱フィン群144との間に回り込まない構造である、図10に示す流路制御部16bが好ましい。このように、同一のパワーモジュール1を用いて、要求仕様の異なる複数の車両に対応することができるので、同じ型の電力変換装置を複数の車両に対応させることができ、開発および製造のコストを下げることができる。
上述した実施形態では、フランジ部13bのシール機能を有するOリング部と、冷却媒体の流れを遮蔽する流路制御部とを一体に形成したが、図17に示すように、別体としても良い。図17に示す例では、フランジ部13bのシール部材22には、標準的なシール材を使用している。そして、独立した2つの流路制御部材23を、フランジ部13bと放熱フィン14との間に配置するようにした。図17に示す流路制御部材23の形状は、図10に示した流路制御部16bと同様の向上を有しているが、図14に示した流路制御部20bや図16に示した流路制御部21bのような形状であっても良い。この構成の場合、シール部材22には標準的形状のシール材を使用しているので、特別に専用の型を起こす必要がなく、シール部材の製造コストを抑えることができる。
(パワーモジュール1の固定構造)
なお、上述した実施の形態では、パワーモジュール1の固定のために押さえ板17を使用している。これは、ケーシング13を鍛造で作製するため純アルミ系の非常に軟らかい材料を使用しているため、押さえ板17を用いないでフランジ部13bをボルト固定すると、シール部材16の反発力でフランジ部13bが変形してしまうためである。したがって、押さえ板17は鋼などの材料で作製するが、押さえ板17に発生する応力を下げるためにケーシング13のフランジ部13bにもボルトを通すボルト孔13cを設け、共締めする形態を採っている。また、図9,17に示すように、フランジ部13bにおけるボルト孔13cの位置をずらすことで、図5に示すようにパワーモジュール1を一直線に複数並べた際に、ボルトが互い違いに配置されることによって、実装時の全長を短くすることを狙ったものである。
ところで、パワーモジュール1の配置は電力変換装置全体の形状の制約条件によって変化し得るので、押さえ板を使用する構成の場合、パワーモジュール1にボルト固定用のボルト孔を設けないで、パワーモジュール1の配置が変わった場合でも押さえ板のみの変更で対応できるようにすることが望ましい。
図18は、フランジ部13bにボルト孔を形成しない構成の一例を示す図である。パワーモジュールのフランジ部13bには、ボルト固定用のボルト孔が形成されていないので、押さえ板24はフランジ部13bと共締めする構成ではなく、冷却ベース5に直接ボルト固定される。したがって、フランジ部13bおよびシール部材の厚さの製造公差を吸収するために押さえ板をばね形状とした。このような構成では、パワーモジュール1のフランジ部13bボルト孔を形成する必要がないので、同一形状のパワーモジュール1により種々の配列が可能となるとともに、パワーモジュール1の配列が変更になった場合に容易に対応することができる。
図18に示す例では、パワーモジュール毎に押さえ板24が一つ必要であったが、図19に示す押さえ板25の場合には、3個のパワーモジュール1を一つの押さえ板25で固定する構成としているので、ボルトの本数を減らすことができ、組立時の工数を減らすことが可能となる。
上述した実施の形態では、放熱フィン14をピンフィンとしたが、他の形状、例えばストレートフィンであっても良い。また、上述したケーシング13は鍛造で一体成形されたが、他の製造方法で形成される筒状のケーシングであっても、パワーモジュール1を冷却ベース5に固定するフランジ部13bと放熱フィン群144との間に、隙間が形成されるのは製造上避けられないので、流路制御部を配置することにより同様の効果を奏することができる。特に、図8に示すケーシングの場合には、フランジ部13bと放熱フィン群144との間に塑性変形のための薄肉部131が設けられるので、フランジ部13bと放熱フィン群144との隙間がより大きくならざるを得ず、流路制御部を設けることによる効果はより大きい。また、上述した実施の形態では、電気自動車やハイブリッド自動車に搭載される車載用の電力変換装置を例に説明したが、パワーモジュールを冷却媒体中に浸す冷却構造の電力変換装置であれば、本発明を同様に適用することができる。
上述した各実施形態はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施形態での効果を単独あるいは相乗して奏することができるからである。また、本発明の特徴を損なわない限り、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではない。
1:パワーモジュール、5:冷却ベース、13:ケーシング、13a:筒部、13b:フランジ部、13c:ボルト孔、14:放熱フィン、16,20,22:シール部材、16a,20a:Oリング部、16b,20b,21b,23:流路制御部、17,24,25:押さえ板、50:開口部、51:流路、51c:領域、130:厚肉部、131:薄肉部、140,142:インバータ回路、144:放熱フィン群、150:上下アーム直列回路、200:電力変換装置、420:下カバー、500:コンデンサモジュール、510,511:流線

Claims (6)

  1. パワー半導体素子のスイッチング動作によって電力を直流から交流に、交流から直流に変換する電力変換装置であって、
    冷却媒体が流れる流路が形成され、前記流路と連通する開口部が形成された流路筐体と、
    パワー半導体素子を収納するとともに前記開口部から前記流路内に挿入される筒部前記筒部の外周の一方面に設けられた第1放熱フィン群、及び前記筒部の外周の一方面とは反対側の他方面に設けられた第2放熱フィン群を有するパワーモジュールと、
    前記冷却媒体を前記第1放熱フィン群へと導く第1流路制御部材、前記筒部を挟んで前記第1流路制御部材と対向して配置されかつ前記冷却媒体を前記第2放熱フィン群へと導く第2流路制御部材、及び前記第1流路制御部材と前記第2流路制御部材とを連結するリング部を有するシール部材と、を備え
    前記シール部材は、前記筒部に装着されることを特徴とする電力変換装置。
  2. 請求項1に記載の電力変換装置において、
    前記筒部は、前記開口部を塞ぐように前記流路筐体に固定されるフランジ部を備え、
    前記リング部は前記流路筐体と前記フランジ部との間に設けられ、
    前記第1流路部材および前記第2流路制御部材は、前記フランジ部と前記放熱フィン群との間の隙間に配置されることを特徴とする電力変換装置。
  3. 請求項に記載の電力変換装置において、
    前記第1流路制御部材は、該第1流路制御部材と前記第1放熱フィン群との最小間隔が、前記第1放熱フィン群のフィン間隔以下となるように配置され
    前記第2流路制御部材は、該第2流路制御部材と前記第2放熱フィン群との最小間隔が、前記第2放熱フィン群のフィン間隔以下となるように配置されていることを特徴とする電力変換装置。
  4. 請求項2または3に記載の電力変換装置において、
    前記第1及び第2流路制御部材は、それぞれ、前記隙間内において、前記冷却媒体の流れ方向に沿って連続的に分布していることを特徴とする電力変換装置。
  5. 請求項に記載の電力変換装置において、
    前記第1流路制御部材の形状を、該第1流路制御部材と前記第1放熱フィン群との間隔が前記冷却媒体の流れ方向に沿って減少するような形状とし
    前記第2流路制御部材の形状を、該第2流路制御部材と前記第2放熱フィン群との間隔が前記冷却媒体の流れ方向に沿って減少するような形状としたことを特徴とする電力変換装置。
  6. 請求項に記載の電力変換装置において、
    前記第1流路制御部材の形状を、該第1流路制御部材と前記第1放熱フィン群との間隔が前記第1放熱フィン群の流れ方向中央において最小となり、かつ、前記流れ方向中央から離れるに従って増加するような形状とし
    前記第2流路制御部材の形状を、該第2流路制御部材と前記第2放熱フィン群との間隔が前記第2放熱フィン群の流れ方向中央において最小となり、かつ、前記流れ方向中央から離れるに従って増加するような形状としたことを特徴とする電力変換装置。
JP2010168813A 2010-07-28 2010-07-28 電力変換装置 Active JP5439309B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010168813A JP5439309B2 (ja) 2010-07-28 2010-07-28 電力変換装置
EP11812431.2A EP2600516B1 (en) 2010-07-28 2011-07-25 Power converter
PCT/JP2011/066853 WO2012014842A1 (ja) 2010-07-28 2011-07-25 電力変換装置
US13/811,497 US9078376B2 (en) 2010-07-28 2011-07-25 Power conversion device
CN201180036876.6A CN103026605B (zh) 2010-07-28 2011-07-25 电力转换装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010168813A JP5439309B2 (ja) 2010-07-28 2010-07-28 電力変換装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012029539A JP2012029539A (ja) 2012-02-09
JP5439309B2 true JP5439309B2 (ja) 2014-03-12

Family

ID=45530050

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010168813A Active JP5439309B2 (ja) 2010-07-28 2010-07-28 電力変換装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9078376B2 (ja)
EP (1) EP2600516B1 (ja)
JP (1) JP5439309B2 (ja)
CN (1) CN103026605B (ja)
WO (1) WO2012014842A1 (ja)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5370448B2 (ja) * 2011-09-19 2013-12-18 株式会社デンソー 電力変換装置
JP5949286B2 (ja) * 2012-07-31 2016-07-06 株式会社デンソー 電力変換装置
JP2014072395A (ja) 2012-09-28 2014-04-21 Toyota Industries Corp 冷却装置
JP6262422B2 (ja) 2012-10-02 2018-01-17 昭和電工株式会社 冷却装置および半導体装置
EP2802198B1 (en) * 2013-05-08 2017-07-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Power conversion apparatus
JP6101609B2 (ja) * 2013-09-20 2017-03-22 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワー半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置
WO2015053140A1 (ja) * 2013-10-07 2015-04-16 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
US20150138734A1 (en) * 2013-11-18 2015-05-21 Magna Electronics Inc. 360 degree direct cooled power module
JP6193173B2 (ja) * 2014-04-17 2017-09-06 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
JP6286543B2 (ja) * 2014-06-25 2018-02-28 株式会社日立製作所 パワーモジュール装置、電力変換装置およびパワーモジュール装置の製造方法
JP6286039B2 (ja) * 2014-06-26 2018-02-28 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワー半導体モジュールおよびパワー半導体モジュールの製造方法
JP6302803B2 (ja) * 2014-09-09 2018-03-28 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワー半導体モジュール及びその製造方法、電力変換装置
US9978692B2 (en) * 2015-02-10 2018-05-22 Mediatek Inc. Integrated circuit, electronic device and method for transmitting data in electronic device
US10037952B2 (en) * 2015-02-10 2018-07-31 Mediatek Inc. Integrated circuit, electronic device and method for transmitting data in electronic device
US10818573B2 (en) * 2015-08-26 2020-10-27 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Power semiconductor module with heat dissipation plate
WO2017149801A1 (ja) * 2016-03-02 2017-09-08 三菱電機株式会社 電力変換装置
US20190123659A1 (en) * 2016-04-28 2019-04-25 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Power Converter
CN112005483A (zh) * 2018-04-06 2020-11-27 日本电产株式会社 电力转换装置
JP7159620B2 (ja) * 2018-05-30 2022-10-25 富士電機株式会社 半導体装置、冷却モジュール、電力変換装置及び電動車両
JP7208757B2 (ja) * 2018-10-03 2023-01-19 川崎重工業株式会社 制御装置
JP7233014B2 (ja) * 2018-12-26 2023-03-06 パナソニックIpマネジメント株式会社 電力変換装置
JP6777203B2 (ja) * 2019-08-09 2020-10-28 株式会社デンソー 電力変換装置
JP2022188312A (ja) * 2019-11-27 2022-12-21 日立Astemo株式会社 パワーモジュールおよびパワーモジュールの製造方法
JP7419050B2 (ja) 2019-12-16 2024-01-22 日立Astemo株式会社 パワーモジュール、電力変換装置、およびパワーモジュールの製造方法
CN112053999B (zh) * 2020-08-10 2022-05-13 浙江艾罗网络能源技术股份有限公司 一种用于固定逆变器晶体管的高强度绝缘压块

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02210899A (ja) * 1989-02-09 1990-08-22 Fujitsu Ltd 印刷配線板ユニットの冷却構造
DE19643717A1 (de) * 1996-10-23 1998-04-30 Asea Brown Boveri Flüssigkeits-Kühlvorrichtung für ein Hochleistungshalbleitermodul
JP4168825B2 (ja) 2003-05-07 2008-10-22 トヨタ自動車株式会社 半導体モジュールおよび半導体モジュールを搭載した半導体モジュールユニット
US6992382B2 (en) * 2003-12-29 2006-01-31 Intel Corporation Integrated micro channels and manifold/plenum using separate silicon or low-cost polycrystalline silicon
JP2005348533A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd インバータ装置
JP5120605B2 (ja) * 2007-05-22 2013-01-16 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 半導体モジュール及びインバータ装置
TWI423403B (zh) * 2007-09-17 2014-01-11 Ibm 積體電路疊層
JP5557441B2 (ja) * 2008-10-31 2014-07-23 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置および電動車両
US8064198B2 (en) * 2009-06-29 2011-11-22 Honda Motor Co., Ltd. Cooling device for semiconductor element module and magnetic part

Also Published As

Publication number Publication date
EP2600516B1 (en) 2020-09-30
JP2012029539A (ja) 2012-02-09
EP2600516A1 (en) 2013-06-05
US20130128646A1 (en) 2013-05-23
US9078376B2 (en) 2015-07-07
WO2012014842A1 (ja) 2012-02-02
CN103026605A (zh) 2013-04-03
CN103026605B (zh) 2015-09-09
EP2600516A4 (en) 2018-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5439309B2 (ja) 電力変換装置
JP5508357B2 (ja) 電力変換装置
JP5961714B2 (ja) 電力変換装置
JP5851372B2 (ja) 電力変換装置
JP5481148B2 (ja) 半導体装置、およびパワー半導体モジュール、およびパワー半導体モジュールを備えた電力変換装置
JP4644275B2 (ja) 電力変換装置および電動車両
JP5647633B2 (ja) 電力変換装置
JP5250442B2 (ja) 電力変換装置
JP5815063B2 (ja) 電力変換装置
JP6039356B2 (ja) 電力変換装置
JP5802629B2 (ja) 電力変換装置
JP2010183763A (ja) 電力変換装置
JP2010245910A (ja) 電力変換装置及びそれを用いた車載用電機システム
JP2010011671A (ja) 電力変換装置
JP6219442B2 (ja) 電力変換装置
JP5315073B2 (ja) 電力変換装置
JP5623985B2 (ja) 電力変換装置
WO2021225072A1 (ja) 電力変換装置
JP2015027259A (ja) 電力変換装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120802

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130827

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131023

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131119

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131216

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5439309

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250