JP2015076932A - 電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】冷却性能、信頼性に優れ、性能の向上、小型化を図ることが可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、電力変換装置は、第1冷却面56aと、第1冷却面よりも熱伝導率が低い材料により形成され、第1冷却面と対向する第2冷却面と、第1および第2冷却面の間に設けられた冷媒流路と、第2冷却面上に立設された枠状の支持壁106と、を有する両面冷却器52と、第1冷却面に実装された複数の半導体モジュール120と、支持壁による枠内に支持され第2冷却面に当接するリアクトル107と、両面冷却器の第2冷却面側を支持するケース111と、を備える。
【選択図】図2
【解決手段】実施形態によれば、電力変換装置は、第1冷却面56aと、第1冷却面よりも熱伝導率が低い材料により形成され、第1冷却面と対向する第2冷却面と、第1および第2冷却面の間に設けられた冷媒流路と、第2冷却面上に立設された枠状の支持壁106と、を有する両面冷却器52と、第1冷却面に実装された複数の半導体モジュール120と、支持壁による枠内に支持され第2冷却面に当接するリアクトル107と、両面冷却器の第2冷却面側を支持するケース111と、を備える。
【選択図】図2
Description
この発明の実施形態は、ハイブリッド自動車または電気自動車用の電力変換装置に関する。
近年、自動車の燃費向上を目的とし、内燃機関とモータを併用したハイブリッド車の普及が急速に進んでいる。また一方で、モータだけで走行可能な電気自動車の製品化も進んでいる。これら自動車を実現するためには、電池とモータ間に、直流電力から交流電力への変換および交流電力から直流電力への変換を行なう電力変換装置が必要となる。
ハイブリッド自動車用の電力変換装置としては、駆動モータと発電機を駆動するための2つのインバータと、電源電圧を昇圧するためのDC−DCコンバータとを有する電力変換装置が良く知られている。これらのインバータ等では、スイッチング素子としてIGBT(insulated gate bipolar transistor)素子を用いた半導体モジュールが使用されている。半導体モジュールは、構成部品の中で特に発熱量が大きく、この半導体モジュールを冷却する冷却器には高い性能が要求されている。また、DC−DCコンバータを構成する昇圧用リアクトルも発熱量が大きく、半導体モジュールと同様に冷却する必要がある。電力変換器全体の性能を向上させ、また、電力変換装置を小型化する為に、半導体モジュールやリアクトル等の発熱量が大きい部品の効率的な冷却が求められている。
例えば、インバータ装置全体の小型化を目的として、インバータの構成部品を冷却プレートの両面に配置する構成が提案されている。上記提案では、比較的容積が小さく、高さが低いパワーモジュールと入力コンデンサを冷却プレートの一方側に配置し、比較的容積が大きく、高さのあるリアクトル及び平滑コンデンサを冷却プレートの他方側に配置することで、電力変換装置の小型化を図っている。
また、リアクトルの底部に冷却水を接触させることで、リアクトルの放熱性能を高める構成が提案されている。
上記従来の構成では、各部品を効率的に配置する構造を提案しているが、発熱量の大きい部品を効率的に冷却する手法については考慮されていない。また、リアクトル底面に冷却水を接触させる構造では、リアクトルをヒートシンクに取り付ける為に、Oリングを用いてシールする必要があり、水漏れ等の信頼性に問題が生じる可能性がある。
本発明では以上の点に鑑みなされたもので、その課題は、冷却性能、信頼性に優れ、性能の向上、小型化を図ることが可能な電力変換装置を提供することにある。
実施形態によれば、電力変換装置は、第1冷却面と、前記第1冷却面よりも熱伝導率が低い材料により形成され、前記第1冷却面と対向する第2冷却面と、前記第1および第2冷却面の間に設けられた冷媒流路と、前記第2冷却面上に立設された枠状の支持壁と、を有する両面冷却器と、前記第1冷却面に実装された複数の半導体モジュールと、前記支持壁による枠内に支持され前記第2冷却面に当接するリアクトルと、前記両面冷却器の前記第2冷却面側を支持するケースと、を備えている。
以下に、図面を参照しながら、実施形態に係る半導体電力変換装置ついて詳細に説明する。なお、各図は実施形態とその理解を促すための模式図であり、その形状や寸法、比などは実際の装置と異なる個所があるが、これらは以下の説明と公知の技術を参酌して適宜、設計変更することができる。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る電力変換装置の等価回路図である。図1に示すように、電力変換装置100は、直流電力を交流電力に変換して第1モータ21を駆動する第1インバータ12と、直流電力を交流電力に変換して第2モータ28を駆動する第2インバータ22と、直流電源1から入力コンデンサ3およびリアクトル4を介して供給される電圧を昇圧して平滑コンデンサ10に印加するDC−DCコンバータ2と、電流情報や平滑コンデンサ10に印加される電圧等に基づき、第1および第2インバータ12、22の動作を制御する制御装置20と、DC−DCコンバータ2の動作を制御する制御装置11と、を備えている。第1および第2インバータ12、22は、それぞれ例えば、U相、V相、W相の3相インバータとして構成されている。
図1は、第1の実施形態に係る電力変換装置の等価回路図である。図1に示すように、電力変換装置100は、直流電力を交流電力に変換して第1モータ21を駆動する第1インバータ12と、直流電力を交流電力に変換して第2モータ28を駆動する第2インバータ22と、直流電源1から入力コンデンサ3およびリアクトル4を介して供給される電圧を昇圧して平滑コンデンサ10に印加するDC−DCコンバータ2と、電流情報や平滑コンデンサ10に印加される電圧等に基づき、第1および第2インバータ12、22の動作を制御する制御装置20と、DC−DCコンバータ2の動作を制御する制御装置11と、を備えている。第1および第2インバータ12、22は、それぞれ例えば、U相、V相、W相の3相インバータとして構成されている。
第1モータ21の出力は第2モータ28の出力よりも大きく、これに応じて、第1インバータ12の出力(第1出力)は第2インバータ22の出力(第2出力)よりも大きく構成されている。第1インバータ12の出力は、第2インバータ22の出力の複数倍、例えば、2倍に設定されている。したがって、第1インバータ12は、第2インバータ22よりも高い冷却性能が要求される。
本実施形態において、電力変換装置100は、IGBT素子とFWD(Free Wheeling Diode)素子を並列接続した回路を1つのパッケージとする1in1構造の半導体モジュール(半導体装置)を複数個、直並列接続して構成されている。これら複数の半導体モジュールは、互いに同一構造、同一寸法に構成されている。第1インバータ12は、例えば、計12個の第1半導体モジュール29〜40で構成され、第2インバータ22は、例えば、6個の第2半導体モジュール41〜46で構成されている。DC−DCコンバータ2用の半導体モジュール群5は計4個の第3半導体モジュール47〜50で構成される。なお、本実施形態において、第1半導体モジュール29〜40、第2半導体モジュール41〜46、および第3半導体モジュール47〜50の電気的仕様、構成および外形寸法は同一である。
第1インバータ12において、4つの第1半導体モジュール29〜32はU相上下アーム13を構成し、4つの第1半導体モジュール33〜36はV相上下アーム14を構成し、4つの第1半導体モジュール37〜40はW相上下アーム15を構成している。
U相において、第1半導体モジュール29のIGBT素子16aおよびFWD素子17aと、第1半導体モジュール30のIGBT素子18aおよびFWD素子19aとを2並列接続して上アームを構成し、第1半導体モジュール31のIGBT素子16bおよびFWD素子17bと、第1半導体素子32のIGBT素子18bおよびFWD素子19bとを2並列接続して下アームを構成し、これら上アーム、下アームを直列接続して1相分のスイッチング回路を構成している。
第1インバータ12のV相上下アーム14およびW相上下アーム15についても、上記U相上下アーム13と同様に構成されている。
第1インバータ12のV相上下アーム14およびW相上下アーム15についても、上記U相上下アーム13と同様に構成されている。
第2インバータ22において、2つの第2半導体ジュール41、42はU相上下アーム23を構成し、2つの第2半導体モジュール43、44はV相上下アーム24を構成し、2つの第2半導体モジュール45、46はW相上下アーム25を構成している。
U相において、並列接続された第2半導体モジュール41のIGBT素子26aおよびFWD素子27aは上アームを構成し、並列接続された第2半導体モジュール42のIGBT素子26bおよびFWD素子27bは下アームを構成し、これらの上下アームは直列に接続して1相分のスイッチング回路を構成している。
第2インバータ22のV相上下アーム24およびW相上下アーム25についても上記のU相上下アーム23と同様に構成されている。
上記のように、要求出力の大きい第1インバータ12を構成する複数の第1半導体モジュール29〜40は、複数のスイッチング素子を多並列化し、スイッチング状態が同一となるように制御することで、電流を分散させ、1つの半導体モジュールあたりの発熱を低減している。同様に、要求出力の小さい第2インバータ22を構成する複数の第2半導体モジュール41〜46は、スイッチング状態が同一となるように制御される複数のスイッチング素子を多並列化することで、すなわち、第1インバータ12よりも並列数の少ないスイッチング素子を多並列化し、スイッチング状態が同一となるように制御することで、電流を分散させ、1つの半導体モジュールあたりの発熱を低減している。
なお、第2インバータの各相における半導体モジュール数、すなわち、第1インバータの1相分のスイッチング回路の並列数より少ない半導体装置は、複数に限らず、1つでもよい。
第2インバータ22のV相上下アーム24およびW相上下アーム25についても上記のU相上下アーム23と同様に構成されている。
上記のように、要求出力の大きい第1インバータ12を構成する複数の第1半導体モジュール29〜40は、複数のスイッチング素子を多並列化し、スイッチング状態が同一となるように制御することで、電流を分散させ、1つの半導体モジュールあたりの発熱を低減している。同様に、要求出力の小さい第2インバータ22を構成する複数の第2半導体モジュール41〜46は、スイッチング状態が同一となるように制御される複数のスイッチング素子を多並列化することで、すなわち、第1インバータ12よりも並列数の少ないスイッチング素子を多並列化し、スイッチング状態が同一となるように制御することで、電流を分散させ、1つの半導体モジュールあたりの発熱を低減している。
なお、第2インバータの各相における半導体モジュール数、すなわち、第1インバータの1相分のスイッチング回路の並列数より少ない半導体装置は、複数に限らず、1つでもよい。
また、DC−DCコンバータ2の半導体モジュール群5において、並列接続された第3半導体モジュール6のIGBT素子8aおよびFWD素子9aは上アームを構成し、並列接続された第3半導体モジュール6のIGBT素子8bおよびFWD素子9bは下アームを構成し、これら上アームおよび下アームを直列接続して上下アーム6を構成している。上下アーム6と同様の構成を有する上下アーム7と、上下アーム6とを並列接続している。
図2は、半導体電力変換装置100の外観を示す分解斜視図、図3は、図2の線A−Aに沿った半導体電力変換装置の断面図、図4は、図2の線B−Bに沿った半導体電力変換装置の断面図、図5および図6は、半導体電力変換装置の両面冷却器を示す分解斜視図である。
図2ないし図4に示すように、電力変換装置100は、矩形枠状のインバータケース111、両面冷却器52、両面冷却器上に固定された支持フレーム101、両面冷却器52の第1冷却面56aに載置され、支持フレーム101により支持された複数の半導体モジュール29〜50(半導体モジュール群120と称する)、両面冷却器52の第2冷却面115上に取り付けられるリアクトル107、両面冷却器52に取付けられリアクトル107に接続されたバスバーモジュール109、およびインバータケース111に固定される一体型コンデンサ112を備えている。
図2ないし図6に示すように、両面冷却器52は、平坦な矩形状の第1冷却面56aおよび第2冷却面115を有する扁平な直方体形状の冷却ブロック56を有している。冷却ブロック56内には、冷却水等の冷却媒体を流す冷媒流路57が形成されている。
冷却ブロック56は、扁平な矩形状の本体58と本体58の開口を覆う矩形板状のカバー60とを有している。本体58は、矩形状の底壁58aと底壁の周囲に立設された側壁58b、58c、58d、58eとを一体に有している。底壁58aの外面は、平坦な第2冷却面115を構成している。
また、本体58の底壁58a上に隔壁59が立設されている。隔壁59は、本体58の長手方向に沿って、本体58の長手方向一端側の側壁58bから他端側の側壁58cの近傍まで直線状に延びている。これにより、本体58内には、冷却媒体を流すUターン構造の冷媒流路57が形成されている。すなわち、冷媒流路57は、隔壁59により、往路(第1流路)57aと復路(第2流路)57bに仕切られている。本体58の側壁58bには、往路57aに連通する流入口61aと復路57bに連通する流出口61bとが形成され、これらの流入口61aおよび流出口61bは、ほぼ同一平面に配置されている。そして、流入口61aには流入管63aが嵌合され、流出口61bには流出管63bが嵌合されている。
往路57aは、本体58の長手方向の一方の側壁58dと隔壁59との間に規定され、本体の流入口61a側の端から反対側の端まで、一定の幅で本体の長手方向に沿って延びている。同様に、復路57bは、本体58の長手方向の他方の側壁と隔壁59との間に規定され、本体の長手方向一端から反対側の端まで、一定の幅で本体の長手方向に沿って延びている。隔壁59は、流入口61aと反対側の端において、本体58の側壁58cから僅かに離間し、この隙間を通して往路57aと復路57bとが連通している。
矩形板状のカバー60は、本体58に固定され、冷媒流路57を覆っているとともに、冷媒流路の往路57aおよび復路57bに対向している。カバー60の外面は、平坦な第1冷却面56aを構成している。また、カバー60の内面には複数の冷却フィン54が突設されている。冷却フィン54は、細長いリブ状に形成され、カバー60の長手方向に沿って延び、また、カバーの幅方向に所定の間隔を置いて、互いに平行に設けられている。カバー60を本体58に取り付けた状態において、冷却フィン54は、往路57a内および復路57b内にそれぞれ位置し、隔壁59とほぼ平行に位置する。また、各冷却フィン54は、本体58の底壁58aに隙間を置いて対向している。
流入管63aおよび流入口61aを通して両面冷却器52に送られた冷却媒体は、往路57a内をその一端から他端に向かって流れた後、隔壁59と側壁58cとの隙間を通って復路57b内に流入し、この復路57bに沿って一端から他端まで流れる。そして、冷却媒体は、流入口61aと同一の側壁58bに設けられた流出口61bおよび流出管63bを通して排出される。冷却媒体は、往路57aを流れる間、冷却フィン54およびカバー60を介して、冷却面56aの往路57aと対向する領域を冷却する。更に、冷却媒体は、復路57bを流れる間、冷却フィン54およびカバー60を介して、冷却面56aの復路57bと対向する領域を冷却する。
カバー60の周縁部は、例えば、摩擦攪拌接合により本体58に接合され、接合部122を形成している。そして、カバー60および本体58を互いに接合することにより、冷媒流路57を有する中空の冷却器を構成している。カバー60は、例えば、高熱伝導材料で知られるアルミニウムA6063材(熱伝導度(25℃):0.20〜0.22kW/(m・℃))を用いて、押出し成形により形成されている。カバー60は、これに限らず、鋳造あるいは削り出しにより形成してもよい。また、本体58は、カバーよりも熱伝導率の低い材料、例えば、アルミニウムADC12材(熱伝導度(25℃):0.092kW/(m・℃))で形成される。本体58は、例えば、鋳造により形成される。
図2ないし図4に示すように、半導体モジュール群120を構成する各半導体モジュール29〜50は、いわゆる両面放熱型および垂直実装型の半導体装置として構成されている。半導体モジュール29〜50は、両面冷却器52の第1冷却面56a上に設置される。両面冷却器52上に固定された支持フレーム101は、第1冷却面56aに対応する大きさの矩形状の外枠と、外枠間を延びる互いに平行な複数の連結梁とを一体に有している。また、支持フレーム101には、半導体モジュールに電気的に接続される複数の接続端子を有する複数の主回路バスバー(主回路導体)、DC入力正極端子102a、DC入力負極端子102b、リアクトル入力端子103a、リアクトル出力端子103b、入力コンデンサ接続端子104a、104b、平滑コンデンサ接続端子105a、105b、および2組の3相の出力端子70が設けられている。支持フレーム101は、例えば、インサートモールドにより、主回路バスバーおよび複数の端子と一体に樹脂により成形されている。また、支持フレーム101は、例えば、複数のねじにより冷却ブロック56の第1冷却面56a上に固定されている。
半導体モジュール群120は、例えば、6個ずつ、それぞれ第1冷却面56aの幅方向に延びる4列に並んで支持フレーム101に設置されている。各半導体モジュールの底面は、高熱伝導材(絶縁材料)121を介して両面冷却器52の第1冷却面56a上に設置されている。これにより、半導体モジュール群120は、両面冷却器52に熱的に接続され、IGBT素子およびFWD素子で発生した熱を両面冷却器52に放熱することができる。
次に、リアクトル107について説明する。図2ないし図6に示すように、両面冷却器52は、本体58と一体に形成された支持枠106を有している。支持枠106は、第2冷却面115にほぼ垂直に立設された4つの側壁(支持壁)により、矩形枠状に形成されている。支持枠106は、冷却流路57の往路57aと復路57bに跨って形成され、また、第1冷却面56aにおいて、流入口61aおよび流出口61bと反対側の端部に設けられている。前述したように、両面冷却器52の本体58は、例えば、成型性の良いアルミニウム材料であるADC12で形成され、容易に支持枠106を形成することができる。
リアクトル107は、支持枠106内に装着され、両面冷却器52の第2冷却面115上に取り付けられる。この際、リアクトル107は、熱伝導率の高い、又は、振動吸収性の高い充填材、例えば、シリコン樹脂を介して、支持枠106内に装着される。バスバーモジュール109は接合部108を介してリアクトル107に接合されている。また、リアクトル107の図示しないリアクトルコイルは、バスバーモジュール109の端子に、例えば、TIG溶接することにより接続される。バスバーモジュール109は、例えば、樹脂により、金属バスバーをインサートモールド成形される。
バスバーモジュール109のリアクトル入力接続端子110aおよびリアクトル出力接続端子110bは、支持フレーム101のリアクトル入力端子103a、リアクトル出力端子103bにそれぞれ接続される。これにより、リアクトル107は、DC−DCコンバータ2を構成する各電気部品と電気的に接続される。
図2および図4に示すように、上記のように構成された両面冷却器52は、インバータケース111の上面部に取り付けられる。支持枠106およびリアクトル107は、インバータケース111の上面部に形成された開口を通して、インバータケース111内に突出している。
次に、一体型コンデンサについて説明する。図2および図4に示すように、一体型コンデンサ112は、入力コンデンサと平滑コンデンサを、同一の樹脂ケースに内蔵して樹脂を注入することで1つのパッケージに2つの機能を持つコンデンサを構成している。一体型コンデンサ112は、入力コンデンサ用の正極端子113aおよび負極端子113b、平滑コンデンサ用の正極端子114aおよび負極端子114bを備えている。一体型コンデンサ112は、インバータケース111に上面部内面に設置されたコンデンサ取付用ボス123にボルト124を用いて取り付けられ、第2冷却面115の下方、かつ、リアクトル107に隣接した位置に配置される。一体型コンデンサ112の正極端子113a、負極端子113b、正極端子114aおよび負極端子114bは、両面冷却器52の側面を通り、支持フレーム101に設けられた接続端子104a、104b、105a、105bに、例えば、TIG溶接によりそれぞれ接合され、電気的に接続される。
以上のように構成された両面冷却器52およびこれを備えた半導体電力変換装置100によれば、両面冷却器のカバーと本体とを、摩擦攪拌接合を用いて接合することにより、従来使用されているOリングやボルト固定等を使用することなく冷却器をシールすることが可能となる。これにより、冷却器の冷却面を拡大し冷却性能向上を図ることができるとともに、水漏れ等を防止し冷却器の信頼性を向上させることができる。また、冷却器の両側に第1および第2冷却面を形成することにより、発熱部品を冷却媒体に対して鏡面配置することができ、発熱部品を隣接配置する構成よりも、より効率的に冷却することができるだけでなく、冷却器を小型化することができる。すなわち、電力変換装置を小型化することができる。
両面冷却器の高熱伝導材で形成された第1冷却面56a上に、第1インバータ12を構成する第1半導体モジュール29〜40、第2インバータ22を構成する第2半導体モジュール41〜46、及びDC−DCコンバータ2用の半導体モジュール群47〜50を載置することにより、発熱部品である半導体モジュールの放熱性能を向上させることができる。すなわち、電力変換器の性能向上を図ることができる。
両面冷却器52の第2冷却面上に支持枠106を設け、この支持枠106により両面冷却器52にリアクトル107を直接組付けることが可能となる。これにより、リアクトル107から冷却媒体までの熱抵抗を低減することができ、放熱性を向上させることができる。すなわち、電力変換装置の性能を向上させることができる。また、リアクトルの放熱性の向上により、板厚の薄いコイルを使用可能となり、リアクトルの小型化を図ることができる。すなわち、電力変換装置を小型化することができる。さらに、リアクトル専用の独立したケース、放熱グリス塗布工程、冷却面へのリアクトルケース固定工程、及び冷却器のリアクトル取り付け面の切削が不要となり、製造コストを低減することができる。
なお、第1の実施形態において、両面冷却器52の隔壁59は、冷却器本体に限らず、カバー60側に設けても良い。また、冷却フィン54は、カバー60に限らず、本体58の底壁上に設けても良い。
次に、他の実施形態に係る電力変換装置について説明する。以下に述べる他の実施形態において、上述した第1の実施形態と同一の部分には、同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略し、異なる部分を中心に詳細に説明する。
(第2の実施形態)
図7は、第2の実施形態に係る電力変換装置の断面図である。
第2の実施形態に係る電力変換装置100によれば、両面冷却器52の本体58の内面にリアクトル用の冷却フィン125が突設されている。これらの冷却フィン125は、第2冷却面115に設置されたリアクトル取付け用の支持枠106と対向する領域に設けられている。リアクトル用の冷却フィン125は、カバー60側の冷却フィン54に対して交互に配置されている。リアクトル用の冷却フィン125は、本体58に一体で形成される。
電力変換装置100の他の構成は、前述した第1の実施形態に係る電力変換装置と同様である。
図7は、第2の実施形態に係る電力変換装置の断面図である。
第2の実施形態に係る電力変換装置100によれば、両面冷却器52の本体58の内面にリアクトル用の冷却フィン125が突設されている。これらの冷却フィン125は、第2冷却面115に設置されたリアクトル取付け用の支持枠106と対向する領域に設けられている。リアクトル用の冷却フィン125は、カバー60側の冷却フィン54に対して交互に配置されている。リアクトル用の冷却フィン125は、本体58に一体で形成される。
電力変換装置100の他の構成は、前述した第1の実施形態に係る電力変換装置と同様である。
第2の実施形態によれば、両面冷却器52において、第2冷却面115の冷媒流路57側にリアクトル用の冷却フィン125を形成することで、リアクトル107の放熱性能を向上させることができる。すなわち、電力変換装置を小型化することができる。
また、両面冷却器52の本体58は、成形性に優れる、例えば、アルミニウムADC12材を用いて形成され、リアクトル用の冷却フィン125を成形型のみの変更で安価に形成することができる。冷却フィンを本体と一体成形することで、Oリング等のシール材が不要となり、電力変換装置の信頼性、製造性を向上させることができる。リアクトル107の仕様に応じて、冷却フィン125の数あるいはサイズを調整することで、放熱性能を変更することができ、様々な仕様の電力変換装置を提供することができる。
この発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化可能である。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
例えば、半導体装置の構成部材の寸法、形状、材質等は、前述した実施形態に限定されることなく、設計に応じて種々変更可能である。半導体モジュールの設置数は、実施形態に限定されることなく、必要に応じて変更可能である。
例えば、半導体装置の構成部材の寸法、形状、材質等は、前述した実施形態に限定されることなく、設計に応じて種々変更可能である。半導体モジュールの設置数は、実施形態に限定されることなく、必要に応じて変更可能である。
100…電力変換装置、2…DC−DCコンバータ、12…第1インバータ、
22…第2インバータ、29〜40…第1半導体モジュール、
8a、16a、26a…IGBT素子、8b、16b、26b…FWD素子、
41〜46…第2半導体モジュール、
47〜50、81、82…第3半導体モジュール、
52…両面冷却器、54…冷却フィン、55…支持フレーム、56…冷却ブロック、
56a…第1冷却面、57…冷媒流路、57a…往路、57b…復路、
58…本体、59…隔壁、60…カバー、64…接続端子、
106…支持枠、107…リアクトル、111…インバータケース、
112…一体型コンデンサ、115…第2冷却面
22…第2インバータ、29〜40…第1半導体モジュール、
8a、16a、26a…IGBT素子、8b、16b、26b…FWD素子、
41〜46…第2半導体モジュール、
47〜50、81、82…第3半導体モジュール、
52…両面冷却器、54…冷却フィン、55…支持フレーム、56…冷却ブロック、
56a…第1冷却面、57…冷媒流路、57a…往路、57b…復路、
58…本体、59…隔壁、60…カバー、64…接続端子、
106…支持枠、107…リアクトル、111…インバータケース、
112…一体型コンデンサ、115…第2冷却面
Claims (7)
- 第1冷却面と、前記第1冷却面よりも熱伝導率が低い材料により形成され、前記第1冷却面と対向する第2冷却面と、前記第1および第2冷却面の間に設けられた冷媒流路と、前記第2冷却面上に立設された枠状の支持壁と、を有する両面冷却器と、
前記第1冷却面に実装された複数の半導体モジュールと、
前記支持壁による枠内に支持され前記第2冷却面に当接するリアクトルと、
前記両面冷却器の前記第2冷却面側を支持するケースと、
を備える電力変換装置。 - 前記両面冷却器は、前記第1冷却面及び第2冷却面と直交する一側壁と、この一側壁と対向する他側壁と、前記一側壁に形成され、それぞれ前記冷媒流路に連通する流入口および流出口と、前記冷媒流路内に設けられ、前記一側壁から他側壁の近傍まで直線状に延び、前記冷媒流路を、前記流入口に連通する第1流路と前記排出口に連通する第2流路とに仕切る隔壁と、を備えている請求項1に記載の電力変換装置。
- 前記支持壁は、前記他側壁の近傍に設けられ、前記往路および復路に跨る領域に対向して位置している請求項2に記載の電力変換装置。
- 前記両面冷却器は、前記第1冷却面を有する板状のカバーと、前記第2冷却面を有する本体と、を備え、前記カバーの周縁部は前記本体に摩擦攪拌接合により接合され、前記カバーと本体との間に前記冷媒流路を規定している請求項1ないし3のいずれか1項に記載の電力変換装置。
- 前記カバーは、前記冷媒流路内に突出する複数の冷却フィンを有する請求項4に記載の電力変換装置。
- 前記本体は、前記支持壁と対向する領域で、前記冷媒流路内に突出する複数の冷却フィンを有する請求項4又は5に記載の電力変換装置。
- 前記ケースに取付けられ、前記リアクトルと並んで、前記第2冷却面側に配置されたコンデンサを更に備える請求項1ないし6のいずれか1項に記載の電力変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013210594A JP2015076932A (ja) | 2013-10-07 | 2013-10-07 | 電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013210594A JP2015076932A (ja) | 2013-10-07 | 2013-10-07 | 電力変換装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015076932A true JP2015076932A (ja) | 2015-04-20 |
Family
ID=53001410
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013210594A Pending JP2015076932A (ja) | 2013-10-07 | 2013-10-07 | 電力変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015076932A (ja) |
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