JP7176653B1 - 半導体装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】従来技術に比較して、積層方向に大型化することなく、受動素子の冷却効率を高めることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置10は、内部に冷媒RFが流通する長尺状の冷却器100と、1以上の半導体素子を含む複数の半導体モジュール200と、複数の半導体モジュール200の駆動に利用される受動素子300とを備え、冷却器100は、第1冷却面と、第1冷却面とは反対側の第2冷却面とを含み、複数の半導体モジュール200は、冷却器100の長手方向に配列され、かつ、第1冷却面に接合又は接触し、受動素子300は、第2冷却面に接合又は接触する。【選択図】図1

Description

本発明は、半導体装置に関する。
半導体装置は、例えば、コンデンサ、リアクトル等の受動素子を備えることが一般的である。半導体装置の寿命は、とりわけ受動素子の寿命に左右される。また、受動素子の寿命は、当該受動素子で発生する熱の影響を受ける。
受動素子の冷却に関し、例えば特許文献1は、冷却器が複数の冷却管を備え、当該複数の冷却管が、電力変換回路を構成する電子部品と共に積層された積層構造体を開示している。当該積層構造体においては、複数の冷却管の間に設けられた複数の隙間に、複数の半導体モジュール、及び受動素子としてのコンデンサが設置される。より具体的には、当該積層構造体においては、複数の冷却管の積層方向に、複数の半導体モジュール及びコンデンサが離間した状態で重なり合う。
特開2019-140911号公報
特許文献1に係る積層構造体においては、半導体モジュールの数が増加するに従って、当該半導体モジュールと冷却管との積層数が増加することとなる。このため、半導体モジュールの数が増加するほど、当該積層構造体の大きさが、積層方向に大型化してしまう。
本発明は、従来技術に比較して、積層方向に大型化することなく、受動素子の冷却効率を高めることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
本発明の好適な態様に係る半導体装置は、内部に冷媒が流通する長尺状の冷却器と、1以上の半導体素子を含む複数の半導体モジュールと、前記複数の半導体モジュールの駆動に利用される受動素子とを備え、前記冷却器は、第1冷却面と、前記第1冷却面とは反対側の第2冷却面とを含み、前記複数の半導体モジュールは、前記冷却器の長手方向に配列され、かつ、前記第1冷却面に接合又は接触し、前記受動素子は、前記第2冷却面に接合又は接触する半導体装置である。
第1実施形態に係る電力変換装置10の要部を模式的に示す斜視図である。 第1実施形態に係る電力変換装置10の構成の説明図である。 第1実施形態に係る電力変換装置10に含まれる冷却器100の内部構造の説明図である。 第1実施形態に係る電力変換装置10に含まれる冷却器100内の冷媒の流路の説明図である。 比較例としての電力変換装置10Aの構成と、第1実施形態に係る電力変換装置10の構成の説明図である。 第2実施形態に係る電力変換装置10Bの要部を模式的に示す斜視図である。 第2実施形態に係る電力変換装置10Bの構成の説明図である。 第2実施形態に係る電力変換装置10Bに含まれる冷却器100Aにおける冷媒の流路の説明図である。 第3実施形態に係る電力変換装置10Cの要部を模式的に示す斜視図である。 第3実施形態に係る電力変換装置10Cの構成の説明図である。 第3実施形態に係る電力変換装置10Cに含まれる冷却器100Bの内部構造の説明図である。 第3実施形態に係る電力変換装置10Cに含まれる冷却器100B内の冷媒の流路の説明図である。 第4実施形態に係る電力変換装置10Dの要部を模式的に示す斜視図である。 第4実施形態に係る電力変換装置10Dの構成の説明図である。 第4実施形態に係る電力変換装置10Dに含まれる冷却器100Cの内部構造の説明図である。 第4実施形態に係る電力変換装置10Dに含まれる冷却器100C内の冷媒の流路の説明図である。 第4実施形態に係る電力変換装置10Dに含まれる冷却器100C内の冷媒の流路の説明図である。 変形例に係る電力変換装置10Eに含まれる冷却器100Dの内部構造の説明図である。
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図において、各部の寸法及び縮尺は、実際のものと適宜に異ならせてある。また、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
1:第1実施形態
以下、本発明の実施形態を説明する。先ず、図1を参照しながら、第1実施形態に係る電力変換装置10の概要の一例について説明する。
1-1.第1実施形態の構成
図1は、第1実施形態に係る電力変換装置10の要部を模式的に示す斜視図である。
なお、以下では、説明の便宜上、互いに直交するX軸、Y軸及びZ軸を有する3軸の直交座標系を導入する。以下では、X軸の矢印の指す方向は+X方向と称され、+X方向の反対方向は-X方向と称される。Y軸の矢印の指す方向は+Y方向と称され、+Y方向の反対方向は-Y方向と称される。また、Z軸の矢印の指す方向は+Z方向と称され、+Z方向の反対方向は-Z方向と称される。以下では、+X方向及び-X方向を特に区別することなく、X方向と称し、+Y方向及び-Y方向を、特に区別することなく、Y方向と称する場合がある。また、+Z方向及び-Z方向を、特に区別することなく、Z方向と称する場合がある。
電力変換装置10としては、例えば、インバータ及びコンバータ等の任意のパワー半導体装置を採用することができる。なお、電力変換装置10は、「半導体装置」の一例である。本実施形態では、電力変換装置10として、電力変換装置10に入力される直流電力を、U相、V相及びW相の3相の交流電力に変換するパワー半導体装置を想定する。
例えば、電力変換装置10は、直流電力を交流電力に変換する3つの半導体モジュール200u、200v及び200wと、半導体モジュール200u、200v及び200wに直流電力を供給するコンデンサ300と、半導体モジュール200u、200v及び200w、並びにコンデンサ300を冷却する冷却器100とを有する。半導体モジュール200u、200v及び200w、並びにコンデンサ300は、「発熱体」の一例である。更に、電力変換装置10は、筐体400を備える。筐体400は、コンデンサ300と、冷却器100と、半導体モジュール200u、200v及び200wを収容する。また、筐体400は載置面BSを備える。載置面BSは、XY平面に平行である。
半導体モジュール200uは、少なくとも1つの半導体素子を含む。また、半導体モジュール200uは、例えば、後述の入力端子202u及び204uと、出力端子206uとを有する。例えば、半導体モジュール200uは、入力端子202u及び204uに入力される直流電力を3相の交流電力のうちのU相の交流電力に変換し、U相の交流電力を出力端子206uから出力する。例えば、入力端子202uの電位は、入力端子204uの電位よりも高い。具体的には、直流電力にはP相とN相とがあり、例えば、入力端子202uにP相の電力が入力され、入力端子204uにN相の電力が入力される。
半導体モジュール200v及び200wの各々は、3相の交流電力のうちのV相又はW相の交流電力を出力することを除いて、半導体モジュール200uと同様である。例えば、半導体モジュール200vは、入力端子202v及び204vと出力端子206vとを有し、V相の交流電力を出力端子206vから出力する。また、例えば、半導体モジュール200wは、入力端子202w及び204wと出力端子206wとを有し、W相の交流電力を出力端子206wから出力する。
以下では、半導体モジュール200u、200v及び200wを、半導体モジュール200と総称する場合がある。また、入力端子202u、202v及び202wを入力端子202と総称し、入力端子204u、204v及び204wを入力端子204と総称し、出力端子206u、206v及び206wを出力端子206と総称する場合がある。なお、電力変換装置10に備わる半導体モジュール200の数は3つに限定されず、任意の複数個であって良い。
コンデンサ300は、電力を蓄積、又は放出する素子であって、電力の増幅や電気エネルギーの変換などの能動的機能を持たない素子である。とりわけ本実施形態において、コンデンサ300は、半導体モジュール200u、200v及び200wの駆動に利用される。とりわけ、コンデンサ300は、後述の出力端子302及び304を備える。出力端子302は、半導体モジュール200に備わる入力端子202に対し、直流電力を供給する。同様に、出力端子304は、半導体モジュール200に備わる入力端子204に対し、直流電力を供給する。
図1に示される例において、コンデンサ300は、Y方向に延在する直方体に形成された構造体である。また、コンデンサ300は、筐体400に備わる載置面BSに載置される。
冷却器100は、Y方向に延在する本体部120と、本体部120に冷媒を供給する供給管160と、本体部120から冷媒を排出する排出管162とを有する。本実施形態では、冷媒が水等の液体である場合を想定する。
図1では、本体部120の概要を説明する。本体部120の詳細については、後述の図2~図4において説明される。
本体部120は、例えば、Y方向に延在する直方体に形成された中空の構造体である。また、本体部120は、半導体モジュール200が配置される外面OFaと、コンデンサ300が配置される外面OFdとを含む。外面OFaは、「第1冷却面」の一例である。外面OFdは、「第2冷却面」の一例である。図1に示される例において、外面OFaと外面OFdとは、直方体に形成された本体部120に含まれる互いに反対側の面である。外面OFaと外面OFdとは共にYZ平面に平行な面であり、外面OFaは外面OFdに対して、+X方向に位置する。
ここで、本体部120は、熱伝導性に優れる材料で形成される。本体部120の具体的な構成材料としては、例えば、銅、アルミニウム又はこれらのいずれかの合金等の金属が挙げられる。また、供給管160及び排出管162は、例えば、本体部120と同一材料で形成される。すなわち、供給管160及び排出管162の具体的な構成材料としては、例えば、銅、アルミニウム又はこれらのいずれかの合金等の金属が挙げられる。なお、供給管160及び排出管162の一部又は全部は、本体部120と異なる材料で形成されてもよい。
なお、本体部120の形状は、Y方向に延在する直方体に限定されない。例えば、-Y方向からの平面視における本体部120の形状は、曲線を有する形状でもよい。すなわち、外面OFa及び外面OFdは、湾曲していてもよい。
次に、図2を参照しながら、第1実施形態に係る電力変換装置10の構成の詳細について説明する。
図2は、第1実施形態に係る電力変換装置10の構成の説明図である。図2は、図1に示される電力変換装置10を+Z方向から平面視した平面図であるA図、当該電力変換装置10を-X方向から側面視した側面図であるB図、及び、当該電力変換装置10を-Y方向から側面視した側面図であるC図を含む。
図2のA図に顕著に示されるように、3つの半導体モジュール200u、200v及び200wは、冷却器100の長手方向であるY方向に、相互に間隔を開けて配列される。また、半導体モジュール200のXY平面に平行な底面は、冷却器100の第1冷却面である外面OFaに接合する。半導体モジュール200と外面OFaとの間には、熱伝導性のグリス、熱伝導性の接着剤、熱伝導性のシート及びはんだ等のTIM(Thermal Interface Material)210が介在する。より詳細には、半導体モジュール200uと外面OFaとの間には、TIM210uが介在する。同様に、半導体モジュール200vと外面OFaとの間には、TIM210vが介在する。また、半導体モジュール200wと外面OFaとの間には、TIM210wが介在する。
同様に、コンデンサ300は、冷却器100の第2冷却面である外面OFdに接合する。コンデンサ300と外面OFdとの間には、熱伝導性のグリス、熱伝導性の接着剤、熱伝導性のシート及びはんだ等のTIM310が介在する。
図2に示される例において、半導体モジュール200全体でのY方向の長さは、冷却器100に備わる本体部120のY方向の長さよりも小さい。また、半導体モジュール200全体でのY方向の辺は、本体部120のY方向の辺をはみ出ることがない。また、図2に示される例において、半導体モジュール200のZ方向の幅は、冷却器100に備わる本体部120のZ方向の幅と一致している。しかし、これはあくまで一例である。半導体モジュール200のZ方向の幅は、本体部120のZ方向の幅よりも小さいことが好適である。このため、半導体モジュール200の、YZ平面に平行な底面の全体が冷却器100により冷却される。
また、図2に示される例において、コンデンサ300のY方向の長さは、冷却器100に備わる本体部120のY方向の長さよりも小さい。また、コンデンサ300のY方向の辺は、本体部120のY方向の辺をはみ出ることがない。また、図2に示される例では、本体部120は、コンデンサ300のZ方向において略中央部に位置する。しかし、これはあくまで一例である。本体部120は、コンデンサ300のZ方向において任意の位置に設置されてもよい。また、図2に示される例において、コンデンサ300のZ方向の幅は、冷却器100に備わる本体部120のZ方向の幅よりも大きい。しかし、これはあくまで一例である。例えば、コンデンサ300のZ方向の幅は、本体部120のZ方向の幅と一致していてもよい。
図1に示される電力変換装置10において、複数の半導体モジュール200が冷却器100の長手方向に配列される。この構成により、半導体モジュール200と冷却器100との複数組がコンデンサ300の外面に対して積層される構成と比較して、X方向における電力変換装置10のサイズを低減できる。
コンデンサ300、冷却器100、及び半導体モジュール200の積層方向は、X方向である。すなわち、当該積層方向は、筐体400の載置面BSに対して平行である。
冷却器100の第2冷却面である外面OFdには、供給管160と、排出管162とが接合する。供給管160及び排出管162はX方向に延在する管路である。より詳細には、冷却器100に含まれる外面OFdにおいて、コンデンサ300が接していない両端部のうち、-Y方向の端部に供給管160が接合される。一方で、当該両端部のうち、+Y方向の端部に排出管162が接合される。
図2のB図に顕著に示されるように、コンデンサ300は、筐体400に備わる載置面BSに対し、取付部326、328、330及び332により固定される。取付部326、328、330及び332は、例えば穴部を有し、当該穴部に対してねじ又はボルトを挿入して締め付けることにより、コンデンサ300が筐体400に対して固定される。
なお、冷却器100は、一例として、当該冷却器100のY方向の両端部を、筐体400で挟むことにより、筐体400に対して固定される。
図2のC図に顕著に示されるように、半導体モジュール200と載置面BSとの間、及び冷却器100と載置面BSとの間には空間USが設けられている。コンデンサ300に備わる出力端子302及び304と、半導体モジュール200に備わる入力端子202及び204は、当該空間USに位置する。当該空間USにおいて、出力端子302と、入力端子202とは電気的に接続される。同様に、出力端子304と、入力端子204とは電気的に接続される。これらの出力端子302、入力端子202、出力端子304、及び入力端子204は、導電体の一例である。電気的な接続方法としては、例えば、出力端子302と入力端子202、及び出力端子304と入力端子204のそれぞれを互いに接触させた後、ねじ又はボルトで締め付ける方法を用いてもよい。これらの電気的な接続により、コンデンサ300から半導体モジュール200に対し、直流電力が供給される。各半導体モジュール200と載置面BSとの間、及び冷却器100と載置面BSとの間の空間USは、各半導体モジュール200とコンデンサ300とを電気的に接続するための導電体の設置スペースとして有効に利用される。
なお、図2のC図とは異なり、空間USを設けない構成としてもよい。具体的には、半導体モジュール200及び冷却器100を、載置面BSに接触させる構成としてもよい。この場合、例えば、冷却器100に対して、X方向に延在する穴を貫通させ、出力端子302、入力端子202、出力端子304、及び入力端子204を当該穴の内部に収容する構成としてもよい。
次に、図3を参照しながら、第1実施形態に係る電力変換装置10に含まれる冷却器100の内部構造について説明する。
図3は、第1実施形態に係る電力変換装置10に含まれる冷却器100の内部構造の説明図である。具体的には、図3は、図2に示される直線Aを通るXZ平面における、電力変換装置10の断面図である。
冷却器100に備わる本体部120は、外壁122a、122b、122c及び122dを備える。本体部120の断面として形成される長方形において、外壁122aは、外壁122dに対して+X方向に位置する。外壁122bは、外壁122cに対して+Z方向に位置する。外壁122cは、外壁122bに対して-Z方向に位置する。外壁122dは、外壁122aに対して-X方向に位置する。外壁122a~122dは、Y方向に延在する。なお、外壁122aは、「第1壁部」の一例である。また、外壁122dは、「第2壁部」の一例である。
なお、本体部120は、図3には示されないが、後述の外壁122e及び122fを更に備える。外壁122eは外壁122fに対して-Y方向に位置し、Z方向に延在する。外壁122fは外壁122eに対して+Y方向に位置し、Z方向に延在する。上記のように本体部120は、Y方向に延在する直方体である。外壁122eは、本体部120の-Y方向における端面を有する。一方、外壁122fは、本体部120の+Y方向における端面を有する。本実施形態において、外壁122a~122fの厚さは互いに等しい。
外壁122aには、半導体モジュール200が設置される。外壁122aは、半導体モジュール200が配置される外面OFa、及び、外面OFaとは反対側の内面IFaを含む。内面IFaは、「内壁面」の一例である。外壁122bは、外面OFb、及び外面OFbとは反対側の内面IFbを含む。外壁122cは、外面OFc、及び外面OFcとは反対側の内面IFcを含む。外壁122dは、コンデンサ300が配置される外面OFd、及び外面OFdとは反対側の内面IFdを含む。内面IFa、IFb、IFc及びIFdによって、冷媒の流路FPが画定される。冷媒の流路FPはY方向に延在する流路である。すなわち、冷媒が流動する方向に、複数の半導体モジュール200が配列する。
次に、図4を参照しながら、第1実施形態に係る電力変換装置10に含まれる冷却器100における冷媒の流路について説明する。
図4は、第1実施形態に係る電力変換装置10に含まれる冷却器100内の冷媒の流路の説明図である。具体的には、図4は、図2に示される直線Bを通るXY平面における、電力変換装置10の断面図である。
図4において、供給管160内には、冷媒RFを冷却器100の本体部120に供給するための供給路CPが形成される。供給路CPは、X方向に延在する流路である。また、供給路CPは、流路FPに連通する。一方で、排出管162内には、冷媒RFを本体部120から排出するための排出路EPが形成される。排出路EPは、X方向に延在する流路である。また、排出路EPは、流路FPに連通する。
冷却器100内を流通する冷媒RFは、最初に供給管160内の供給路CPを経由して、冷却器100の本体部120に供給される。次に、冷媒RFは、本体部120内の流路FPを+Y方向に流動する。+Y方向に流動する過程において、冷媒RFは、第1冷却面としての外面OFaを介して半導体モジュール200を冷却する。また、冷媒RFは、第2冷却面としての外面OFdを介してコンデンサ300を冷却する。最後に、冷媒RFは、排出管162内の排出路EPを経由して、冷却器100の本体部120から排出される。
1-2.比較例
次に、図5を参照しながら、比較例としての電力変換装置10Aの構成を、第1実施形態に係る電力変換装置10の構成と比較しながら説明する。
図5は、比較例としての電力変換装置10Aの構成と、第1実施形態に係る電力変換装置10の構成の説明図である。図5は、電力変換装置10Aを-Y方向から側面視した側面図であるA図、及び電力変換装置10を-Y方向から側面視した側面図であるB図を含む。図5のB図は、図2のC図と同一である。
図5のA図に示されるように、電力変換装置10Aにおいては、コンデンサ300とは別個に、冷却器100の本体部120、及び半導体モジュール200が載置面BSに載置される。より詳細には、本体部120と半導体モジュール200とを収容するヘッダ150が、取付部502及び504によって、載置面BSに固定される。ヘッダ150内においては、本体部120が-Z方向に、半導体モジュール200が+Z方向に積層される。ヘッダ150と、本体部120及び半導体モジュール200との間に、基本的には隙間は存在しない。
また、コンデンサ300と、本体部120及び半導体モジュール200を収容するヘッダ150との間には、空間ISが設けられる。コンデンサ300に備わる出力端子302、304、及び半導体モジュール200に備わる入力端子202、204は、当該空間IS内に位置する。当該空間ISにおいて、出力端子302と、入力端子202とは電気的に接続される。同様に、出力端子304と、入力端子204とは電気的に接続される。
比較例としての電力変換装置10Aと、第1実施形態に係る電力変換装置10とを比較すると、電力変換装置10AのX方向の幅D1は、電力変換装置10のX方向の幅D2よりも長い。これは上記のように、電力変換装置10Aにおいては、コンデンサ300から半導体モジュール200に対して直流電力を供給するために、出力端子302及び304、並びに入力端子202及び204を設置するための空間ISを、コンデンサ300とヘッダ150との間に設ける必要が発生するからである。
一方で、本実施形態においては、コンデンサ300、冷却器100、及び半導体モジュール200は、載置面BSに対して平行な方向に積層される。これにより、コンデンサ300と冷却器100とは隙間なく接合される。このため、冷却器100によりコンデンサ300を冷却できる。とりわけ、半導体モジュール200の冷却とコンデンサ300の冷却に冷却器100を兼用できる。これにより、電力変換装置10の構成が、電力変換装置10Aに比較して簡素化される。また、電力変換装置10の載置面BSに対して平行な方向、すなわちX方向のサイズが低減される。
1-3.第1実施形態が奏する効果
本実施形態に係る半導体装置としての電力変換装置10は、内部に冷媒RFが流通する長尺状の冷却器100と、1以上の半導体素子を含む複数の半導体モジュール200と、複数の半導体モジュール200の駆動に利用されるコンデンサ300とを備える。冷却器100は、第1冷却面としての外面OFaと、第1冷却面とは反対側の第2冷却面としての外面OFdを含む。複数の半導体モジュール200は、冷却器100の長手方向に配列され、かつ、第1冷却面に接合し、コンデンサ300は、第2冷却面に接合する。
以上の構成によれば、従来技術に比較して、積層方向に大型化することなく、コンデンサ300の冷却効率を高めることが可能となる。具体的には、複数の半導体モジュール200が冷却器100の長手方向に配列される。この構成により、半導体モジュール200と冷却器100との複数組がコンデンサ300の外面に対して積層される構成と比較して、第1冷却面又は第2冷却面に垂直な方向における半導体装置のサイズを低減できる。また、コンデンサ300と冷却器100とは隙間なく接合される。このため、冷却器100によりコンデンサ300を冷却できる。とりわけ、半導体モジュール200の冷却とコンデンサ300の冷却に冷却器100を兼用できる。このため、電力変換装置10の構成を簡素化できる。
また、半導体装置としての電力変換装置10は、筐体400を更に備える。筐体400は、コンデンサ300、冷却器100、及び複数の半導体モジュール200を収容する。筐体400は、コンデンサ300が載置される載置面BSを備える。コンデンサ300、冷却器100、及び半導体モジュール200の積層方向は、載置面BSに対して平行である。
コンデンサ300が筐体400の載置面BSに載置され、コンデンサ300とは別個に、冷却器100及び半導体モジュール200が、筐体400の載置面BSに対して垂直方向に載置される場合、コンデンサ300と半導体モジュール200との間に、端子を配置するための空間が必要となる。このため、コンデンサ300と冷却器100とは接合することができない。しかし、以上の構成によれば、コンデンサ300、冷却器100、及び半導体モジュール200を、載置面BSに対して平行に配置することにより、コンデンサ300と冷却器100とが接合することが可能となり、冷却効率が高まる。
また、半導体装置としての電力変換装置10において、複数の半導体モジュール200と載置面BSとの間、及び冷却器100と載置面BSとの間には、空間USが設けられる。複数の半導体モジュール200とコンデンサ300とを電気的に接続するための導電体が上記の空間USに設置される。
以上の構成によれば、各半導体モジュール200と載置面BSとの間及び冷却器100と載置面BSとの間の空間USを、各半導体モジュール200とコンデンサ300とを電気的に接続するための導電体の設置スペースとして有効に利用できる。
2:第2実施形態
以下、図6を参照しながら、第2実施形態に係る電力変換装置10Bの概要の一例について説明する。なお以下では、説明の簡略化のため、第2実施形態に係る電力変換装置10Bに備わる構成要素のうち、第1実施形態に係る電力変換装置10と同一の構成要素については、同一の符号を用いると共にその機能の説明を省略することがある。また、以下では主として、第2実施形態に係る電力変換装置10Bが、第1実施形態に係る電力変換装置10と相違する点について説明する。
2-1.第2実施形態の構成
図6は、第2実施形態に係る電力変換装置10Bの要部を模式的に示す斜視図である。電力変換装置10Bは、第1実施形態に係る電力変換装置10に備わる冷却器100の代わりに冷却器100Aを備える。冷却器100Aは、本体部120、供給管160、及び排出管162に加えて、第1ヘッダ部130及び第2ヘッダ部132を備える。
第1ヘッダ部130は、本体部120の-Y方向の端部に連続して設けられる。本体部120の-Y方向の端部は、「第1端部」の一例である。第1ヘッダ部130は、X方向に延在する直方体に形成された中空の構造体である。当該第1ヘッダ部130の一端は上記の第1端部に連続し、他端は供給管160に連続する。また、第1ヘッダ部130の+Y方向の面と、コンデンサ300の-Y方向の面とは接合する。更に、後述のように、第1ヘッダ部130の内部には、本体部120内の第2流路FP2に連通する第1流路FP1が形成される。
第2ヘッダ部132は、本体部120の+Y方向の端部に連続して設けられる。本体部120の+Y方向の端部は、「第2端部」の一例である。第2ヘッダ部132は、X方向に延在する直方体に形成された中空の構造体である。当該第2ヘッダ部132の一端は上記の第2端部に連続し、他端は排出管162に連続する。また、第2ヘッダ部132の-Y方向の面と、コンデンサ300の+Y方向の面とは接合する。更に、後述のように、第2ヘッダ部132の内部には、本体部120内の第2流路FP2に連通する第3流路FP3が形成される。
なお、第1ヘッダ部130及び第2ヘッダ部132は、本体部120と一体成型されていてもよい。
次に、図7を参照しながら、第2実施形態に係る電力変換装置10Bの構成の詳細について説明する。
図7は、第2実施形態に係る電力変換装置10Bの構成の説明図である。図7は、図6に示される電力変換装置10Bを+Z方向から平面視した平面図であるA図、当該電力変換装置10Bを-X方向から側面視した側面図であるB図、及び、当該電力変換装置10Bを-Y方向から側面視した側面図であるC図を含む。
図7のA図に示されるように、コンデンサ300は、外面OEaと、外面OEbと、外面OEcとを含む。外面OEaは、冷却器100Aに含まれる第2冷却面としての外面OFdに対向する。外面OEbは、第1ヘッダ部130に対向する。外面OEcは、第2ヘッダ部132に対向する。外面OEaは「第1素子面」の一例である。外面OEbは「第2素子面」の一例である。外面OEcは「第3素子面」の一例である。
第1ヘッダ部130は、外面OHaを含む。外面OHaは、コンデンサ300の外面OEbに対向する。外面OHaは、「第3冷却面」の一例である。第3冷却面としての外面OHaは、第2素子面としての外面OEbに接合する。外面OHaと外面OEbとの間には、熱伝導性のグリス、熱伝導性の接着剤、熱伝導性のシート及びはんだ等のTIM312が介在する。
以上の構成によれば、コンデンサ300の外面OEaに加えて、外面OEbも冷却器100Aにより冷却される。従って、外面OEaのみ冷却器100Aに接合する構成と比較して、コンデンサ300の冷却効率を高めることができる。
第2ヘッダ部132は、外面OHbを含む。外面OHbは、コンデンサ300の外面OEcに対向する。外面OHbは、「第4冷却面」の一例である。第4冷却面としての外面OHbは、第3素子面としての外面OEcに接合する。外面OHbと外面OEcとの間には、熱伝導性のグリス、熱伝導性の接着剤、熱伝導性のシート及びはんだ等のTIM314が介在する。
以上の構成によれば、コンデンサ300の外面OEa、及び外面OEbに加えて、外面OEcも冷却器100Aにより冷却される。すなわち、コンデンサ300が3方向から冷却器100により冷却される。従って、外面OEa、及び外面OEbのみ冷却器100Aに接合する構成と比較して、コンデンサ300の冷却効率を高めることができる。
なお、図7において、第1ヘッダ部130及び第2ヘッダ部132のZ方向の幅は、本体部120のZ方向の幅に一致するが、これはあくまで一例である。第1ヘッダ部130及び第2ヘッダ部132のZ方向の幅は、実用上問題がない限り、任意の幅であってよい。また、図7において、第1ヘッダ部130及び第2ヘッダ部132のX方向の幅は、コンデンサ300のX方向の幅に一致するが、これはあくまで一例である。第1ヘッダ部130及び第2ヘッダ部132のX方向の幅は、実用上問題がない限り、任意の幅であってよい。
次に、図8を参照しながら、第2実施形態に係る電力変換装置10Bに含まれる第1ヘッダ部130、冷却器100及び第2ヘッダ部132における冷媒の流路について説明する。
図8は、第2実施形態に係る電力変換装置10Bに含まれる冷却器100Aにおける冷媒の流路の説明図である。具体的には、図8は、図7に示される直線Cを通るXY平面における、電力変換装置10Bの断面図である。
冷却器100A内を流通する冷媒RFは、最初に供給管160内の供給路CPを経由して、第1ヘッダ部130に供給される。冷媒RFは、第1ヘッダ部130内の第1流路FP1を+X方向に流動する。+X方向への流動の過程において、冷媒RFは、第3冷却面である外面OHaを介してコンデンサ300を冷却する。次に、冷媒RFは、冷却器100Aの本体部120に供給され、本体部120内の第2流路FP2を+Y方向に流動する。+Y方向への流動の過程において、冷媒RFは、第1冷却面である外面OFaを介して半導体モジュール200を冷却する。また、冷媒RFは、第2冷却面である外面OFdを介してコンデンサ300を冷却する。次に、冷媒RFは、第2ヘッダ部132に供給され、第2ヘッダ部132内の第3流路FP3を-X方向に流動する。-X方向への流動の過程において、冷媒RFは、第4冷却面である外面OHbを介してコンデンサ300を冷却する。最後に、冷媒RFは、排出管162内の排出路EPを経由して、冷却器100の本体部120から排出される。
2-2.第2実施形態が奏する効果
本実施形態に係る半導体装置としての電力変換装置10Bにおいて、コンデンサ300は、第2冷却面としての外面OFdに接合する、第1素子面としての外面OEaと、冷却器100Aの長手方向におけるコンデンサ300の一方の端面である、第2素子面としての外面OEbとを備える。冷却器100Aは、第1冷却面としての外面OFa及び第2冷却面としての外面OFdを含む本体部120を備える。また、冷却器100Aは、本体部120における第1端部に連続し、本体部120の内部の第2流路FP2に連通する第1流路FP1が形成された第1ヘッダ部130を備える。第1ヘッダ部130は、第2素子面としての外面OEbに対向する平面である、第3冷却面としての外面OHaを含む。第3冷却面としての外面OHaは、第2素子面としての外面OEbに接合する。
以上の構成によれば、コンデンサ300の第1素子面に加えて第2素子面も冷却器100により冷却される。従って、第1素子面のみ冷却器100Aに接合する構成と比較して、コンデンサ300の冷却効率を高めることができる。
また、本実施形態に係る半導体装置としての電力変換装置10Bにおいて、コンデンサ300は、第2素子面としての外面OEbとは反対側の、第3素子面としての外面OEcを更に備える。冷却器100Aは、本体部120における第1端部とは反対側の第2端部に連続し、本体部120の内部の第2流路FP2に連通する第3流路FP3が形成された第2ヘッダ部132を更に備える。第2ヘッダ部132は、第3素子面としての外面OEcに対向する平面である第4冷却面としての外面OHbを含む。第4冷却面は、第3素子面としての外面OEcに接合する。
以上の構成によれば、コンデンサ300の第1素子面及び第2素子面に加えて第3素子面も冷却器100Aにより冷却される。すなわち、コンデンサ300が3方向から冷却器100Aにより冷却される。従って、第1素子面及び第2素子面のみ冷却器100Aに接合する構成と比較して、コンデンサ300の冷却効率を高めることができる。
3:第3実施形態
以下、図9を参照しながら、第3実施形態に係る電力変換装置10Cの概要の一例について説明する。なお以下では、説明の簡略化のため、第3実施形態に係る電力変換装置10Cに備わる構成要素のうち、第1実施形態に係る電力変換装置10と同一の構成要素については、同一の符号を用いると共にその機能の説明を省略することがある。また、以下では主として、第3実施形態に係る電力変換装置10Cが、第1実施形態に係る電力変換装置10と相違する点について説明する。
3-1.第3実施形態の構成
図9は、第3実施形態に係る電力変換装置10Cの要部を模式的に示す斜視図である。電力変換装置10Cは、第1実施形態に係る電力変換装置10と異なり、冷却器100の代わりに冷却器100Bを備える。また、第1実施形態に係る電力変換装置10では、冷却器100に含まれる外面OFdにおいて、コンデンサ300が接していない両端部のうち、-Y方向の端部に供給管160が接合されていた。また、第1実施形態に係る電力変換装置10では、当該両端部のうち、+Y方向の端部に排出管162が接合されていた。一方、第3実施形態に係る電力変換装置10Cでは、冷却器100Bに含まれる外面OFdにおいて、-Y方向の端部に供給管160と排出管162の双方が接合される。なお、供給管160と排出管162の双方は、外面OFdにおいて、-Y方向の端部ではなく、+Y方向の端部に接合されてもよい。また、図9には図示しないが、冷却器100Bは、第1実施形態に係る冷却器100と異なり、後述のように、当該冷却器100Bの長手方向に延伸する第1流路FP4と、当該冷却器の長手方向に延伸する第2流路FP5とを備える。供給管160は、第1流路FP4と連通する。一方で、排出管162は、第2流路FP5と連通する。
次に、図10を参照しながら、第3実施形態に係る電力変換装置10Cの構成の詳細について説明する。
図10は、第3実施形態に係る電力変換装置10Cの構成の説明図である。図10は、図9に示される電力変換装置10Cを+Z方向から平面視した平面図であるA図、当該電力変換装置10Cを-X方向から側面視した側面図であるB図、及び、当該電力変換装置10Cを-Y方向から側面視した側面図であるC図を含む。
図10に示されるように、供給管160は、排出管162に対して、-Y方向に位置する。しかしこれはあくまで一例であって、供給管160は、排出管162に対して、+Y方向に位置してもよい。また、供給管160と排出管162とは、外面OFdの-Y方向の端部に収まる範囲内において、任意の距離だけ離間してよい。
次に、図11を参照しながら、第3実施形態に係る電力変換装置10Cに含まれる冷却器100Bの内部構造について説明する。
図11は、第3実施形態に係る電力変換装置10Cに含まれる冷却器100Bの内部構造の説明図である。具体的には、図11は、図10に示される直線Dを通るXZ平面における、電力変換装置10Cの断面図である。
冷却器100Bに備わる本体部120Aは、第1実施形態に係る冷却器100に備わる本体部120と同様に、外壁122a、122b、122c及び122dを備える。
更に、本体部120Aは、隔壁124aを備える。隔壁124aは、外壁122bと外壁122cとに接合する。これにより、隔壁124aは、外壁122a、122b、122c及び122dによって画定される空間を2つに分割する。隔壁124aは、内面IFaに対向する面SFa1と、内面IFdに対向する面SFa2とを含む。内面IFa、IFb、及びIFc並びに面SFa1によって、第1流路FP4が画定される。面SFa2、並びに内面IFb、IFc及びIFdによって、第2流路FP5が画定される。すなわち、第1流路FP4は、第2流路FP5よりも半導体モジュール200側に位置する。
通常、半導体モジュール200で発生する熱量は、コンデンサ300で発生する熱量よりも高いため、半導体モジュール200を優先的に冷却する必要がある。より温度の低い冷媒RFが流通する第1流路FP4を、より温度の高い冷媒RFが流通する第2流路FP5よりも、半導体モジュール200側に設置することにより、半導体モジュール200を優先的に冷却できる。
次に、図12を参照しながら、第3実施形態に係る電力変換装置10Cに含まれる冷却器100Bにおける冷媒の流路について説明する。
図12は、第3実施形態に係る電力変換装置10Cに含まれる冷却器100B内の冷媒の流路の説明図である。具体的には、図12は、図10に示される直線Eを通るXY平面における、電力変換装置10Cの断面図である。
冷却器100B内を流通する冷媒RFは、最初に供給管160内の供給路CPを経由して、冷却器100Bの本体部120Aに供給される。次に、冷媒RFは、本体部120A内の第1流路FP4を+Y方向に流動する。+Y方向への流動の過程で、冷媒RFは、第1冷却面としての外面OFaを介して、半導体モジュール200を冷却する。次に、冷媒RFは、本体部120A内の+Y方向の端部で折り返した後、本体部120A内の第2流路FP5を-Y方向に流動する。この際、-Y方向への流動の過程で、冷媒RFは、第2冷却面としての外面OFdを介して、コンデンサ300を冷却する。最後に、冷媒RFは、排出管162内の排出路EPを経由して、冷却器100Bの本体部120Aから排出される。
3-2.第3実施形態が奏する効果
本実施形態に係る半導体装置としての電力変換装置10Cにおいて、冷却器100Bは、当該冷却器100Bの長手方向に延伸する第1流路FP4と、当該冷却器100Bの長手方向に延伸する第2流路FP5とを備える。第1流路FP4は、第2流路FP5よりも半導体モジュール200側に位置する。また、第1流路FP4を通過した冷媒RFが第2流路FP5を通過する。
通常、半導体モジュール200で発生する熱量は、コンデンサ300で発生する熱量よりも高いため、半導体モジュール200を優先的に冷却する必要がある。より温度の低い冷媒RFが流通する第1流路FP4を、より温度の高い冷媒RFが流通する第2流路FP5よりも、半導体モジュール200側に設置することにより、半導体モジュール200を優先的に冷却できる。
4:第4実施形態
以下、図13を参照しながら、第4実施形態に係る電力変換装置10Dの概要の一例について説明する。なお以下では、説明の簡略化のため、第4実施形態に係る電力変換装置10Dに備わる構成要素のうち、第1実施形態に係る電力変換装置10と同一の構成要素については、同一の符号を用いると共にその機能の説明を省略することがある。また、以下では主として、第4実施形態に係る電力変換装置10Dが、第1実施形態に係る電力変換装置10と相違する点について説明する。
4-1.第4実施形態の構成
図13は、第4実施形態に係る電力変換装置10Dの要部を模式的に示す斜視図である。電力変換装置10Dは、第1実施形態に係る電力変換装置10と異なり、冷却器100の代わりに冷却器100Cを備える。また、第1実施形態に係る電力変換装置10では、冷却器100に含まれる外面OFdにおいて、コンデンサ300が接していない両端部のうち、-Y方向の端部に供給管160が接合されていた。また、当該両端部のうち、+Y方向の端部に排出管162が接合されていた。一方、第4実施形態に係る電力変換装置10Dでは、外面OFdにおいて、-Y方向の端部に供給管160と排出管162の双方が接合される。なお、供給管160と排出管162の双方は、冷却器100Cに含まれる外面OFdにおいて、-Y方向の端部ではなく、+Y方向の端部に接合されてもよい。また、図13には図示しないが、冷却器100Bは、第1実施形態に係る冷却器100と異なり、後述のように、当該冷却器100Bの長手方向に延伸する第1流路FP6と、当該冷却器100Bの長手方向に延伸する第2流路FP7と、第1流路FP6と第2流路FP7とを連通する第3流路FP8とを備える。供給管160は、第1流路FP6と連通する。一方で、排出管162は、第2流路FP7と連通する。
次に、図14を参照しながら、第4実施形態に係る電力変換装置10Dの構成の詳細について説明する。
図14は、第4実施形態に係る電力変換装置10Dの構成の説明図である。図14は、図13に示される電力変換装置10Dを+Z方向から平面視した平面図であるA図、当該電力変換装置10Dを-X方向から側面視した側面図であるB図、及び、当該電力変換装置10Dを-Y方向から側面視した側面図であるC図を含む。
図14に示されるように、供給管160は、排出管162に対して、-Z方向に位置する。しかしこれはあくまで一例であって、供給管160は、排出管162に対して、+Z方向に位置してもよい。また、供給管160と排出管162とは、外面OFdの-Y方向の端部に収まる範囲内において、任意の距離だけ離間してよい。
次に、図15を参照しながら、第4実施形態に係る電力変換装置10Dに含まれる冷却器100Cの内部構造について説明する。
図15は、第4実施形態に係る電力変換装置10Dに含まれる冷却器100Cの内部構造の説明図である。具体的には、図15は、図14に示される直線Fを通るXZ平面における、電力変換装置10Dの断面図である。
冷却器100Cに備わる本体部120Bは、第1実施形態に係る冷却器100に備わる本体部120と同様に、外壁122a、122b、122c及び122dを備える。
本体部120Bは、外壁122a、122b、122c及び122dのほかに、Y方向に配列され、かつ、Z方向に延在する複数の隔壁124dを有する。後述のように、複数の第3流路FP8のうちの互いに隣接する2つの第3流路FP8は、当該2つの第3流路FP8の間に位置する隔壁124dにより、互いに仕切られる。すなわち、複数の第3流路FP8は、冷却器100Cの長手方向に配列され、かつ、当該長手方向に直交する方向に延在する。
また、本体部120Bは、隔壁124b及び124cを有する。隔壁124bは、外壁122a及び122d間に配置される。すなわち、隔壁124bは、外壁122aから-X方向に間隔を空けて配置される。本実施形態では、隔壁124bが、外壁122aと略平行である場合を想定する。例えば、隔壁124bの面のうち、外壁122aの内面IFaに対向する面SFa3は、外壁122aの内面IFaと略平行である。なお、隔壁124bの面SFa3は、外壁122aの内面IFaと平行でなくてもよい。例えば、隔壁124bの面SFa3は、面SFa3の+Z方向の縁部が外壁122aから遠ざかるように、傾斜していてもよい。
外壁122a及び122d間に配置された隔壁124bは、第1流路FP6と複数の第3流路FP8とを仕切り、かつ、第2流路FP7と複数の第3流路FP8とを仕切る。なお、隔壁124bの-Z方向の縁部と外壁122cの内面IFcとの間には、第1流路FP6と複数の第3流路FP8とを連通する空間が確保されている。同様に、隔壁124bの+Z方向の縁部と外壁122bの内面IFbとの間には、第2流路FP7と複数の第3流路FP8とを連通する空間が確保されている。すなわち、本実施形態では、複数の第3流路FP8の各々は、一端で第1流路FP6に連通し、他端で第2流路FP7に連通する。
隔壁124cは、外壁122b及び122c間に配置され、隔壁124b及び外壁122dに接続される。例えば、隔壁124cの面SFb1は、隔壁124cの面のうち、外壁122cの内面IFcに対向する面であり、外壁122cの内面IFcと略平行である。また、隔壁124cの面SFb2は、隔壁124cの面のうち、外壁122bの内面IFbに対向する面であり、外壁122bの内面IFbと略平行である。
外壁122b及び122c間に配置された隔壁124cは、第1流路FP6と第2流路FP7とを仕切る。例えば、隔壁124bの面SFa4、隔壁124cの面SFb1、外壁122dの内面IFd、及び外壁122cの内面IFcは、第1流路FP6の壁面の一部である。また、隔壁124bの面SFa5、隔壁124cの面SFb2、外壁122dの内面IFd、及び外壁122bの内面IFbは、第2流路FP7の壁面の一部である。なお、隔壁124bの面SFa4は、面SFa3の反対側の面のうち、隔壁124cよりも-Z方向の部分であり、隔壁124bの面SFa5は、面SFa3の反対側の面のうち、隔壁124cよりも+Z方向の部分である。
隔壁124dは、外壁122aに略垂直な壁であり、Z方向に延在する。例えば、隔壁124dは、隔壁124bと外壁122aとの間に配置され、外壁122a、122b及び122cと隔壁124bとに接続される。すなわち、本実施形態では、隔壁124dは、隔壁124bと外壁122aとの両方に接続されている。なお、隔壁124dは、隔壁124bと外壁122aとのうちの一方のみに接続されてもよい。複数の第3流路FP8の各々は、例えば、複数の隔壁124dのうちの互いに隣接する隔壁124d間に形成される。また、外壁122aの内面IFa及び隔壁124bの面SFa3は、複数の第3流路FP8の壁面の一部である。
すなわち、複数の第3流路FP8は、第1流路FP6及び第2流路FP7よりも半導体モジュール200側に位置する。
本実施形態では、複数の第3流路FP8の壁面の一部である内面IFaを含む外壁122aの外面OFaに半導体モジュール200が配置される。これにより、例えば、半導体モジュール200で発生した熱は、半導体モジュール200の表面のうちの外壁122aの外面OFaに対向する面から複数の第3流路FP8内の冷媒RFに伝達される。所謂、片面冷却により、半導体モジュール200が冷却される。また、半導体モジュール200を冷却した後の冷媒RFが澱むことなく、コンデンサ300側に流通するため、コンデンサ300を効率的に冷却できる。
次に、図16A及び図16Bを参照しながら、第4実施形態に係る電力変換装置10Dに含まれる冷却器100Cにおける冷媒の流路について説明する。
図16A及び図16Bは、第4実施形態に係る電力変換装置10Dに含まれる冷却器100C内の冷媒の流路の説明図である。具体的には、図16Aは、図14に示される直線Gを通るXY平面における、電力変換装置10Dの断面図である。また、図16Bは、図14に示される直線Hを通るXY平面における、電力変換装置10Dの断面図である。
冷却器100C内を流通する冷媒RFは、最初に供給管160内の供給路CPを経由して、冷却器100Cの本体部120Bに供給される。次に、冷媒RFは、本体部120B内の第1流路FP6を+Y方向に流動する。+Y方向への流動の過程で、冷媒RFは、第2冷却面としての外面OFdを介してコンデンサ300を冷却する。次に、冷媒RFは、本体部120B内の第3流路FP8をいったん+X方向に流動した後、外壁122aに含まれる内面IFaで折り返し、-X方向に流動する。第3流路FP8での流動の過程で、冷媒RFは、第1冷却面としての外面OFaを介して半導体モジュール200を冷却する。次に、冷媒RFは、本体部120A内の第2流路FP7を-Y方向に流動する。-Y方向への流動の過程で、冷媒RFは、第2冷却面としての外面OFdを介してコンデンサ300を冷却する。最後に、冷媒RFは、排出管162内の排出路EPを経由して、冷却器100Cの本体部120Bから排出される。
4-2.第4実施形態が奏する効果
本実施形態に係る半導体装置としての電力変換装置10Dにおいて、冷却器100Cは、当該冷却器100Cの長手方向に延伸する第1流路FP6と、当該冷却器100Cの長手方向に延伸する第2流路FP7と、第1流路FP6と第2流路FP7とを連通する複数の第3流路FP8とを備える。複数の第3流路FP8は、冷却器100Cの長手方向に配列され、かつ、当該長手方向に直交する方向に延在する。また、複数の第3流路FP8は、第1流路FP6及び第2流路FP7よりも半導体モジュール200側に位置する。
以上の構成によれば、半導体モジュール200を冷却した後の冷媒RFが澱むことなく、コンデンサ300側に流通するため、コンデンサ300を効率的に冷却できる。
5:変形例
本開示は、以上に例示した実施形態に限定されない。具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された2以上の態様を併合してもよい。
5-1.変形例1
第4実施形態に係る電力変換装置10Dにおいて、第1流路FP6と第2流路FP7とを連通する複数の第3流路FP8は、第1流路FP6及び第2流路FP7よりも半導体モジュール200側に位置していた。しかし、第1流路FP6が、第2流路FP7よりも半導体モジュール200側に位置し、複数の第3流路FP8が、第1流路FP6と第2流路FP7から+Z方向に位置してもよい。
以上の構成によれば、新鮮な冷媒RFが、半導体モジュール200を優先的に冷却できる。
5-2.変形例2
第1実施形態に係る電力変換装置10において、コンデンサ300は半導体モジュール200に対して電気的に接続されるが、コンデンサ300の電気的な接続先は、半導体モジュール200に限定されない。例えば、コンデンサ300は、図示しない制御基板に対して、電気的に接続されてもよい。第2実施形態に係る電力変換装置10B~第4実施形態に係る電力変換装置10Dにおいても同様である。
5-3.変形例3
第1実施形態に係る電力変換装置10において、冷却器100は、コンデンサ300を冷却していた。しかし、冷却器100による冷却の対象はコンデンサ300に限定されない。例えば、冷却器100は、コンデンサ300の代わりに、リアクトルを冷却してもよい。冷却器100による冷却の対象は「受動素子」として包括される。コンデンサ300及びリアクトルは、「受動素子」の一例である。第2実施形態に係る電力変換装置10B~第4実施形態に係る電力変換装置10Dにおいても同様である。
5-4.変形例4
第1実施形態に係る電力変換装置10において、冷却器100と半導体モジュール200とはTIM210を介在させることにより接合する。同様に、電力変換装置10において、冷却器100とコンデンサ300とはTIM310を介在させることにより接合する。しかし、冷却器100と半導体モジュール200とは、TIMを介在させずに接触してもよい。冷却器100とコンデンサ300についても同様に、TIMを介在させずに接触してもよい。第2実施形態に係る電力変換装置10B~第4実施形態に係る電力変換装置10Dにおいても同様である。
5-5.変形例5
第1実施形態に係る電力変換装置10において、外壁122a~122fの厚さは互いに等しい。しかし、外壁122a~122fの厚さは異なっていてもよい。例えば、外壁122aの厚さは、外壁122dの厚さよりも薄くてもよい。通常、半導体モジュール200で発生する熱量は、コンデンサ300で発生する熱量よりも高いため、半導体モジュール200を優先的に冷却する必要がある。冷却器100に備わる外壁122のうち、半導体モジュール200側の外壁122aを、コンデンサ300側の外壁122dより薄くすることにより、半導体モジュール200を優先的に冷却できる。第2実施形態に係る電力変換装置10B~第4実施形態に係る電力変換装置10Dにおいても同様である。
5-6.変形例6
第1実施形態に係る電力変換装置10において、本体部120は、6つの外壁122a~122fによって構成される中空の構造体であるが、本体部120の構成は、これに限定されない。例えば、本体部120は、複数の冷却流路を有する多穴管であってもよい。第2実施形態に係る電力変換装置10B~第4実施形態に係る電力変換装置10Dにおいても同様である。また、第2実施形態に係る電力変換装置10Bにおいて、第1ヘッダ部130及び第2ヘッダ部132は、複数の冷却流路を有する多穴管であってもよい。第2実施形態に係る電力変換装置10B~第4実施形態に係る電力変換装置10Dにおいても同様である。
5-7.変形例7
第1実施形態に係る電力変換装置10において、4つの外壁122a、122b、122c及び122dの中の少なくとも1つに、例えばY方向に延在する突起部が設置されてもよい。図17は、本変形例に係る電力変換装置10Eに含まれる冷却器100Dの内部構造の説明図である。具体的には、電力変換装置10Eは、第1実施形態に係る電力変換装置10の変形例である。図17に示されるように、本変形例においては、外壁122aに含まれる内面IFaに、Y方向に延在する突起部126が設置される。この結果、冷却器100Dに対する冷媒の入り口から見て、半導体モジュール200及びコンデンサ300の奥まで効率的に冷却するために、冷却器100の奥まで冷媒を流通させる度合いを高めることができる。第2実施形態に係る電力変換装置10B~第4実施形態に係る電力変換装置10Dにおいても同様である。
上記実施例は、言い換えると、1以上の半導体素子を含む半導体モジュールと、前記半導体モジュールを冷却する冷却器と、前記半導体モジュールと電気的に接続される受動素子と、前記半導体モジュール、前記冷却器及び前記受動素子を収納する筐体と、を備え、前記冷却器は、前記半導体モジュールが設置される第1冷却面と、前記受動素子が設置される第2冷却面と、前記筐体内壁と対向して固定される固定面と、を含む、半導体装置であってよい。このような形態とすることで、より小型な半導体装置が提供される。
また、前記第1冷却面は、前記第2冷却面と対向する面であってよい。さらに前記固定面は、前記第1冷却面と隣接する面であってよい。さらに、前記冷却器は、冷媒が流入出する冷媒管を含み、前記受動素子は、前記第2冷却面で冷却される面と隣接する面が前記冷媒管と接合又は接触していてもよい。このような形態とすることで、より小型な半導体装置が提供される。また、受動素子の冷却を行うことが可能となる。
10、10A、10B、10C、10D…電力変換装置、100、100A、100B、100C…冷却器、120、120A、120B…本体部、122、122a、122b、122c、122d、122e、122f…外壁、124a、124b、124c、124d…隔壁、126…突出部、130…第1ヘッダ部、132…第2ヘッダ部、150…ヘッダ、160…供給管、162…排出管、200、200u、200v、200w…半導体モジュール、202、202u、202v、202w…入力端子、204、204u…入力端子、206u、206v、206w…出力端子、300…コンデンサ、302、304…出力端子、306、308、310、312…治具、400…筐体、502、504…取付部、FP1…第1流路、FP2…第2流路、FP3…第3流路、FP4…第1流路、FP5…第2流路、FP6…第1流路、FP7…第2流路、FP8…第3流路



Claims (6)

  1. 内部に冷媒が流通する長尺状の冷却器と、
    1以上の半導体素子を含む複数の半導体モジュールと、
    前記複数の半導体モジュールの駆動に利用される受動素子とを備え、
    前記冷却器は、第1冷却面と、前記第1冷却面とは反対側の第2冷却面とを含み、
    前記複数の半導体モジュールは、前記冷却器の長手方向に配列され、かつ、前記第1冷却面に接合又は接触し、
    前記受動素子は、前記第2冷却面に接合又は接触し、
    前記冷却器は、
    当該冷却器の長手方向に延伸する第1流路と、
    当該冷却器の長手方向に延伸する第2流路とを備え、
    前記第1流路は、前記第2流路よりも前記半導体モジュール側に位置し、
    前記第1流路を通過した冷媒が前記第2流路を通過する、
    半導体装置。
  2. 内部に冷媒が流通する長尺状の冷却器と、
    1以上の半導体素子を含む複数の半導体モジュールと、
    前記複数の半導体モジュールの駆動に利用される受動素子とを備え、
    前記冷却器は、第1冷却面と、前記第1冷却面とは反対側の第2冷却面とを含み、
    前記複数の半導体モジュールは、前記冷却器の長手方向に配列され、かつ、前記第1冷却面に接合又は接触し、
    前記受動素子は、前記第2冷却面に接合又は接触し、
    前記冷却器は、
    当該冷却器の長手方向に延伸する第1流路と、
    当該冷却器の長手方向に延伸する第2流路と、
    前記第1流路と前記第2流路とを連通する複数の第3流路とを備え、
    前記複数の第3流路は、前記冷却器の長手方向に配列され、かつ、当該長手方向に直交する方向に延在し、
    前記複数の第3流路は、前記第1流路及び前記第2流路よりも前記半導体モジュール側に位置する、
    半導体装置。
  3. 前記受動素子、前記冷却器、及び前記複数の半導体モジュールを収容する筐体を更に備え、
    前記筐体は、前記受動素子が載置される載置面を備え、
    前記受動素子、前記冷却器、及び前記半導体モジュールの積層方向は、前記載置面に対して平行である、請求項1又は2に記載の半導体装置。
  4. 前記複数の半導体モジュールと前記載置面との間、及び前記冷却器と前記載置面との間には、空間が設けられ、
    前記複数の半導体モジュールと前記受動素子とを電気的に接続するための導電体が前記空間に設置される
    請求項の半導体装置。
  5. 前記受動素子は、
    前記第2冷却面に接合又は接触する第1素子面と、
    前記冷却器の長手方向における前記受動素子の一方の端面である第2素子面とを備え、
    前記冷却器は、
    前記第1冷却面及び前記第2冷却面を含む本体部と、
    前記本体部における第1端部に連続し、前記本体部の内部の流路に連通する流路が形成された第1ヘッダ部とを備え、
    前記第1ヘッダ部は、前記第2素子面に対向する平面である第3冷却面を含み、
    前記第3冷却面は、前記第2素子面に接合又は接触する
    請求項又は請求項の半導体装置。
  6. 前記受動素子は、
    前記第2素子面とは反対側の第3素子面を更に備え、
    前記冷却器は、
    前記本体部における前記第1端部とは反対側の第2端部に連続し、前記本体部の内部の流路に連通する流路が形成された第2ヘッダ部を更に備え、
    前記第2ヘッダ部は、前記第3素子面に対向する平面である第4冷却面を含み、
    前記第4冷却面は、前記第3素子面に接合又は接触する
    請求項の半導体装置。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010200478A (ja) 2009-02-25 2010-09-09 Denso Corp 電力変換装置
JP2015076932A (ja) 2013-10-07 2015-04-20 株式会社東芝 電力変換装置
JP2016139749A (ja) 2015-01-29 2016-08-04 株式会社デンソー 電力変換装置及びその製造方法
JP2018196205A (ja) 2017-05-15 2018-12-06 株式会社Soken 電力変換装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5471685B2 (ja) 2010-03-24 2014-04-16 株式会社デンソー 電力変換装置
JP2015186344A (ja) 2014-03-24 2015-10-22 トヨタ自動車株式会社 電力変換装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010200478A (ja) 2009-02-25 2010-09-09 Denso Corp 電力変換装置
JP2015076932A (ja) 2013-10-07 2015-04-20 株式会社東芝 電力変換装置
JP2016139749A (ja) 2015-01-29 2016-08-04 株式会社デンソー 電力変換装置及びその製造方法
JP2018196205A (ja) 2017-05-15 2018-12-06 株式会社Soken 電力変換装置

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