JP7176653B1 - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、本発明の実施形態を説明する。先ず、図1を参照しながら、第1実施形態に係る電力変換装置10の概要の一例について説明する。
図1は、第1実施形態に係る電力変換装置10の要部を模式的に示す斜視図である。
次に、図5を参照しながら、比較例としての電力変換装置10Aの構成を、第1実施形態に係る電力変換装置10の構成と比較しながら説明する。
本実施形態に係る半導体装置としての電力変換装置10は、内部に冷媒RFが流通する長尺状の冷却器100と、1以上の半導体素子を含む複数の半導体モジュール200と、複数の半導体モジュール200の駆動に利用されるコンデンサ300とを備える。冷却器100は、第1冷却面としての外面OFaと、第1冷却面とは反対側の第2冷却面としての外面OFdを含む。複数の半導体モジュール200は、冷却器100の長手方向に配列され、かつ、第1冷却面に接合し、コンデンサ300は、第2冷却面に接合する。
以下、図6を参照しながら、第2実施形態に係る電力変換装置10Bの概要の一例について説明する。なお以下では、説明の簡略化のため、第2実施形態に係る電力変換装置10Bに備わる構成要素のうち、第1実施形態に係る電力変換装置10と同一の構成要素については、同一の符号を用いると共にその機能の説明を省略することがある。また、以下では主として、第2実施形態に係る電力変換装置10Bが、第1実施形態に係る電力変換装置10と相違する点について説明する。
図6は、第2実施形態に係る電力変換装置10Bの要部を模式的に示す斜視図である。電力変換装置10Bは、第1実施形態に係る電力変換装置10に備わる冷却器100の代わりに冷却器100Aを備える。冷却器100Aは、本体部120、供給管160、及び排出管162に加えて、第1ヘッダ部130及び第2ヘッダ部132を備える。
本実施形態に係る半導体装置としての電力変換装置10Bにおいて、コンデンサ300は、第2冷却面としての外面OFdに接合する、第1素子面としての外面OEaと、冷却器100Aの長手方向におけるコンデンサ300の一方の端面である、第2素子面としての外面OEbとを備える。冷却器100Aは、第1冷却面としての外面OFa及び第2冷却面としての外面OFdを含む本体部120を備える。また、冷却器100Aは、本体部120における第1端部に連続し、本体部120の内部の第2流路FP2に連通する第1流路FP1が形成された第1ヘッダ部130を備える。第1ヘッダ部130は、第2素子面としての外面OEbに対向する平面である、第3冷却面としての外面OHaを含む。第3冷却面としての外面OHaは、第2素子面としての外面OEbに接合する。
以下、図9を参照しながら、第3実施形態に係る電力変換装置10Cの概要の一例について説明する。なお以下では、説明の簡略化のため、第3実施形態に係る電力変換装置10Cに備わる構成要素のうち、第1実施形態に係る電力変換装置10と同一の構成要素については、同一の符号を用いると共にその機能の説明を省略することがある。また、以下では主として、第3実施形態に係る電力変換装置10Cが、第1実施形態に係る電力変換装置10と相違する点について説明する。
図9は、第3実施形態に係る電力変換装置10Cの要部を模式的に示す斜視図である。電力変換装置10Cは、第1実施形態に係る電力変換装置10と異なり、冷却器100の代わりに冷却器100Bを備える。また、第1実施形態に係る電力変換装置10では、冷却器100に含まれる外面OFdにおいて、コンデンサ300が接していない両端部のうち、-Y方向の端部に供給管160が接合されていた。また、第1実施形態に係る電力変換装置10では、当該両端部のうち、+Y方向の端部に排出管162が接合されていた。一方、第3実施形態に係る電力変換装置10Cでは、冷却器100Bに含まれる外面OFdにおいて、-Y方向の端部に供給管160と排出管162の双方が接合される。なお、供給管160と排出管162の双方は、外面OFdにおいて、-Y方向の端部ではなく、+Y方向の端部に接合されてもよい。また、図9には図示しないが、冷却器100Bは、第1実施形態に係る冷却器100と異なり、後述のように、当該冷却器100Bの長手方向に延伸する第1流路FP4と、当該冷却器の長手方向に延伸する第2流路FP5とを備える。供給管160は、第1流路FP4と連通する。一方で、排出管162は、第2流路FP5と連通する。
本実施形態に係る半導体装置としての電力変換装置10Cにおいて、冷却器100Bは、当該冷却器100Bの長手方向に延伸する第1流路FP4と、当該冷却器100Bの長手方向に延伸する第2流路FP5とを備える。第1流路FP4は、第2流路FP5よりも半導体モジュール200側に位置する。また、第1流路FP4を通過した冷媒RFが第2流路FP5を通過する。
以下、図13を参照しながら、第4実施形態に係る電力変換装置10Dの概要の一例について説明する。なお以下では、説明の簡略化のため、第4実施形態に係る電力変換装置10Dに備わる構成要素のうち、第1実施形態に係る電力変換装置10と同一の構成要素については、同一の符号を用いると共にその機能の説明を省略することがある。また、以下では主として、第4実施形態に係る電力変換装置10Dが、第1実施形態に係る電力変換装置10と相違する点について説明する。
図13は、第4実施形態に係る電力変換装置10Dの要部を模式的に示す斜視図である。電力変換装置10Dは、第1実施形態に係る電力変換装置10と異なり、冷却器100の代わりに冷却器100Cを備える。また、第1実施形態に係る電力変換装置10では、冷却器100に含まれる外面OFdにおいて、コンデンサ300が接していない両端部のうち、-Y方向の端部に供給管160が接合されていた。また、当該両端部のうち、+Y方向の端部に排出管162が接合されていた。一方、第4実施形態に係る電力変換装置10Dでは、外面OFdにおいて、-Y方向の端部に供給管160と排出管162の双方が接合される。なお、供給管160と排出管162の双方は、冷却器100Cに含まれる外面OFdにおいて、-Y方向の端部ではなく、+Y方向の端部に接合されてもよい。また、図13には図示しないが、冷却器100Bは、第1実施形態に係る冷却器100と異なり、後述のように、当該冷却器100Bの長手方向に延伸する第1流路FP6と、当該冷却器100Bの長手方向に延伸する第2流路FP7と、第1流路FP6と第2流路FP7とを連通する第3流路FP8とを備える。供給管160は、第1流路FP6と連通する。一方で、排出管162は、第2流路FP7と連通する。
本実施形態に係る半導体装置としての電力変換装置10Dにおいて、冷却器100Cは、当該冷却器100Cの長手方向に延伸する第1流路FP6と、当該冷却器100Cの長手方向に延伸する第2流路FP7と、第1流路FP6と第2流路FP7とを連通する複数の第3流路FP8とを備える。複数の第3流路FP8は、冷却器100Cの長手方向に配列され、かつ、当該長手方向に直交する方向に延在する。また、複数の第3流路FP8は、第1流路FP6及び第2流路FP7よりも半導体モジュール200側に位置する。
本開示は、以上に例示した実施形態に限定されない。具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された2以上の態様を併合してもよい。
第4実施形態に係る電力変換装置10Dにおいて、第1流路FP6と第2流路FP7とを連通する複数の第3流路FP8は、第1流路FP6及び第2流路FP7よりも半導体モジュール200側に位置していた。しかし、第1流路FP6が、第2流路FP7よりも半導体モジュール200側に位置し、複数の第3流路FP8が、第1流路FP6と第2流路FP7から+Z方向に位置してもよい。
第1実施形態に係る電力変換装置10において、コンデンサ300は半導体モジュール200に対して電気的に接続されるが、コンデンサ300の電気的な接続先は、半導体モジュール200に限定されない。例えば、コンデンサ300は、図示しない制御基板に対して、電気的に接続されてもよい。第2実施形態に係る電力変換装置10B~第4実施形態に係る電力変換装置10Dにおいても同様である。
第1実施形態に係る電力変換装置10において、冷却器100は、コンデンサ300を冷却していた。しかし、冷却器100による冷却の対象はコンデンサ300に限定されない。例えば、冷却器100は、コンデンサ300の代わりに、リアクトルを冷却してもよい。冷却器100による冷却の対象は「受動素子」として包括される。コンデンサ300及びリアクトルは、「受動素子」の一例である。第2実施形態に係る電力変換装置10B~第4実施形態に係る電力変換装置10Dにおいても同様である。
第1実施形態に係る電力変換装置10において、冷却器100と半導体モジュール200とはTIM210を介在させることにより接合する。同様に、電力変換装置10において、冷却器100とコンデンサ300とはTIM310を介在させることにより接合する。しかし、冷却器100と半導体モジュール200とは、TIMを介在させずに接触してもよい。冷却器100とコンデンサ300についても同様に、TIMを介在させずに接触してもよい。第2実施形態に係る電力変換装置10B~第4実施形態に係る電力変換装置10Dにおいても同様である。
第1実施形態に係る電力変換装置10において、外壁122a~122fの厚さは互いに等しい。しかし、外壁122a~122fの厚さは異なっていてもよい。例えば、外壁122aの厚さは、外壁122dの厚さよりも薄くてもよい。通常、半導体モジュール200で発生する熱量は、コンデンサ300で発生する熱量よりも高いため、半導体モジュール200を優先的に冷却する必要がある。冷却器100に備わる外壁122のうち、半導体モジュール200側の外壁122aを、コンデンサ300側の外壁122dより薄くすることにより、半導体モジュール200を優先的に冷却できる。第2実施形態に係る電力変換装置10B~第4実施形態に係る電力変換装置10Dにおいても同様である。
第1実施形態に係る電力変換装置10において、本体部120は、6つの外壁122a~122fによって構成される中空の構造体であるが、本体部120の構成は、これに限定されない。例えば、本体部120は、複数の冷却流路を有する多穴管であってもよい。第2実施形態に係る電力変換装置10B~第4実施形態に係る電力変換装置10Dにおいても同様である。また、第2実施形態に係る電力変換装置10Bにおいて、第1ヘッダ部130及び第2ヘッダ部132は、複数の冷却流路を有する多穴管であってもよい。第2実施形態に係る電力変換装置10B~第4実施形態に係る電力変換装置10Dにおいても同様である。
第1実施形態に係る電力変換装置10において、4つの外壁122a、122b、122c及び122dの中の少なくとも1つに、例えばY方向に延在する突起部が設置されてもよい。図17は、本変形例に係る電力変換装置10Eに含まれる冷却器100Dの内部構造の説明図である。具体的には、電力変換装置10Eは、第1実施形態に係る電力変換装置10の変形例である。図17に示されるように、本変形例においては、外壁122aに含まれる内面IFaに、Y方向に延在する突起部126が設置される。この結果、冷却器100Dに対する冷媒の入り口から見て、半導体モジュール200及びコンデンサ300の奥まで効率的に冷却するために、冷却器100の奥まで冷媒を流通させる度合いを高めることができる。第2実施形態に係る電力変換装置10B~第4実施形態に係る電力変換装置10Dにおいても同様である。
Claims (6)
- 内部に冷媒が流通する長尺状の冷却器と、
1以上の半導体素子を含む複数の半導体モジュールと、
前記複数の半導体モジュールの駆動に利用される受動素子とを備え、
前記冷却器は、第1冷却面と、前記第1冷却面とは反対側の第2冷却面とを含み、
前記複数の半導体モジュールは、前記冷却器の長手方向に配列され、かつ、前記第1冷却面に接合又は接触し、
前記受動素子は、前記第2冷却面に接合又は接触し、
前記冷却器は、
当該冷却器の長手方向に延伸する第1流路と、
当該冷却器の長手方向に延伸する第2流路とを備え、
前記第1流路は、前記第2流路よりも前記半導体モジュール側に位置し、
前記第1流路を通過した冷媒が前記第2流路を通過する、
半導体装置。 - 内部に冷媒が流通する長尺状の冷却器と、
1以上の半導体素子を含む複数の半導体モジュールと、
前記複数の半導体モジュールの駆動に利用される受動素子とを備え、
前記冷却器は、第1冷却面と、前記第1冷却面とは反対側の第2冷却面とを含み、
前記複数の半導体モジュールは、前記冷却器の長手方向に配列され、かつ、前記第1冷却面に接合又は接触し、
前記受動素子は、前記第2冷却面に接合又は接触し、
前記冷却器は、
当該冷却器の長手方向に延伸する第1流路と、
当該冷却器の長手方向に延伸する第2流路と、
前記第1流路と前記第2流路とを連通する複数の第3流路とを備え、
前記複数の第3流路は、前記冷却器の長手方向に配列され、かつ、当該長手方向に直交する方向に延在し、
前記複数の第3流路は、前記第1流路及び前記第2流路よりも前記半導体モジュール側に位置する、
半導体装置。 - 前記受動素子、前記冷却器、及び前記複数の半導体モジュールを収容する筐体を更に備え、
前記筐体は、前記受動素子が載置される載置面を備え、
前記受動素子、前記冷却器、及び前記半導体モジュールの積層方向は、前記載置面に対して平行である、請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記複数の半導体モジュールと前記載置面との間、及び前記冷却器と前記載置面との間には、空間が設けられ、
前記複数の半導体モジュールと前記受動素子とを電気的に接続するための導電体が前記空間に設置される
請求項3の半導体装置。 - 前記受動素子は、
前記第2冷却面に接合又は接触する第1素子面と、
前記冷却器の長手方向における前記受動素子の一方の端面である第2素子面とを備え、
前記冷却器は、
前記第1冷却面及び前記第2冷却面を含む本体部と、
前記本体部における第1端部に連続し、前記本体部の内部の流路に連通する流路が形成された第1ヘッダ部とを備え、
前記第1ヘッダ部は、前記第2素子面に対向する平面である第3冷却面を含み、
前記第3冷却面は、前記第2素子面に接合又は接触する
請求項3又は請求項4の半導体装置。 - 前記受動素子は、
前記第2素子面とは反対側の第3素子面を更に備え、
前記冷却器は、
前記本体部における前記第1端部とは反対側の第2端部に連続し、前記本体部の内部の流路に連通する流路が形成された第2ヘッダ部を更に備え、
前記第2ヘッダ部は、前記第3素子面に対向する平面である第4冷却面を含み、
前記第4冷却面は、前記第3素子面に接合又は接触する
請求項5の半導体装置。
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