JP5957396B2 - 両面冷却型電力変換装置 - Google Patents

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Description

本発明は、直流電流を交流電流に変換するための電力変換装置に関し、特にハイブリッド自動車や電気自動車の駆動用モータに交流電流を供給する電力変換装置に関する。
近年、電力変換装置では、大電流を出力することができるものが求められている一方、小型化も要求されている。電力変換装置が大電流を出力しようとすると、パワー半導体モジュールに内蔵されるパワー半導体素子で発生する熱が大きくなり、パワー半導体モジュールや電力変換装置の熱容量を大きくしなければパワー半導体素子の耐熱温度に達してしまい、電力変換装置の小型化の妨げとなる。そこでパワー半導体素子を両面から冷却することにより冷却効率を向上させる両面冷却型パワー半導体モジュールとそれを用いた両面冷却型電力変換装置が開発されている。両面冷却型パワー半導体モジュールはパワー半導体素子の両主面を板状導体で挟み込み、パワー半導体素子の主面と対向する面と反対側の板状導体の面が冷却媒体と熱的に接続され、冷却される。
特許文献1には、インバータ回路のアームを構成するパワー半導体素子の両主面を板状の絶縁基板で挟み込んでパワーモジュールを構成し、パワーモジュールを挿入する挿入孔と冷却水路を一体で形成した筐体に、パワーモジュールを挿入し、挿入孔とパワーモジュールの隙間に樹脂を流し込んで硬化して筐体にパワーモジュールを組みつけ、インバータ回路の直流正極バスバーと直流負極バスバーと交流バスバーを、絶縁樹脂を介して筐体に接触させて高い冷却性能と組み立て性を両立したインバータ装置の発明が開示されている。
特許文献2には、インバータ回路のアームを構成するパワーモジュールを、パワーモジュールの収納空間を冷却水路内に形成し、この冷却水路を筐体に一体で形成し、筐体の開口からパワーモジュールの端子を筐体の外部に出力し、板状に形成した直流正極バスバーと直流負極バスバーと交流バスバーの構造体と接続する発熱部品冷却構造の発明が開示されている。
特開2005−237141号公報 特開2010−087002号公報
しかしながら、特許文献1では、パワーモジュールを樹脂で筐体に組み付けるため、樹脂の硬化時に、接着界面の剥離・ボイド・フィラー分散の不均一によってパワーモジュールの冷却性・絶縁性が1個でも未達になると、筐体とパワーモジュール6個を全て破棄しなくてはいけないため、生産の歩留まりが低下するという課題がある。また、特許文献2においては、筐体が樹脂で成形され、バスバーの構造体を筐体と接触させないで組み付けているため、バスバーの発熱を冷却する経路が無く、バスバーの体格が大型化するという課題がある。
電力変換装置の大電流化と小型化の両立は、パワー半導体素子の冷却だけでなく、周辺部品も冷却する必要がある。その中でもバスバーは、冷却水路と冷却性能を向上することでバスバー配線材料の量を低減して小型化することができるが、電力変換装置の小型化に伴って冷却面積を広く確保することが困難となり、小型でかつ高冷却性能が求められる。
本発明の課題は、電力変換装置の小型化とバスバーの熱抵抗の低減を図ることである。
上記課題を解決するために、本発明に係る電力変換装置は、直流電流を交流電流に変換するパワー半導体モジュールと、冷却冷媒を流す流路を形成し、上面及び下面を有する流路形成体と、前記直流電流又は前記交流電流を伝達するパワーボードと、を備え、前記パワー半導体モジュールは、パワー半導体素子と、当該パワー半導体素子を収納するケースと、前記直流電流又は前記交流電流を伝達する端子と、により構成され、前記流路形成体には、前記ケースを収納するとともに前記冷却冷媒を流す流路空間と、当該流路形成体の前記上面から前記流路空間側まで貫通する第1開口部と、が形成され、前記端子は、前記第1開口部を通って前記流路空間の外に突出し、前記流路形成体の前記上面の法線方向から斜影した場合、前記パワーボードは、前記流路形成体の前記上面に熱伝導可能に載置され、前記パワーボードは、前記端子と接続される。
本発明により、電力変換装置の小型化とバスバーの熱抵抗の低減を図ることができる。
ハイブリッド自動車の制御ブロックを示す図である。 インバータ装置の回路図である。 電力変換装置299の外観斜視図である。 電力変換装置299の組み立てる工程を示す分解斜視図である。 流路形成体400にパワー半導体モジュール300とキャパシタセル500を組み立てる工程を示す分解斜視図である。 図3(b)の断面Aを矢印の方向から見たときの断面図である。 パワー半導体モジュール300の外観斜視図である。 ケース304に封止体302等を組み立てる工程を示す分解斜視図である。 パワー半導体モジュール300の上下アームの直列回路を構成する回路部品の分解斜視図である。 図5(c)に対応する回路構成図である。 パワーボード700の外観斜視図である。 パワーボード700の上視斜視図である。 パワーボード700の断面Bにおける断面図である。 パワーボード700の断面Cにおける断面図である。 パワーボード700の断面Dにおける断面図である。 流路形成体400の外観斜視図である。 図6(a)と異なる視点から見た流路形成体400の外観斜視図である。 図6(a)の視点Aから見た流路形成体400の外観上視図である。 図6(b)の視点Bから見た流路形成体400の外観下視図である。 図6(a)の視点Aから見て、開口403と凹部406と開口705を重ねて表記した流路形成体400の外観上視図である。 流路形成体400にパワーボード700を組み立てる工程を示す分解斜視図である。 流路形成体400とパワーボード700を組み立てた外観斜視図である。 断面Eの矢印の方向から見た、流路形成体400にパワー半導体モジュール300とパワーボード700を組み立てる工程を示す断面分解図である。 断面Eの矢印の方向から拡大して見た、流路形成体400にパワー半導体モジュール300とパワーボード700を組み立てる工程を示す拡大断面分解図である。 断面Eの矢印の方向から見た、パワーボード700の冷却効果を説明する断面図である。 パワー半導体モジュールとキャパシタセルとの実施例1の配置構造を示す上視図である。 パワー半導体モジュールとキャパシタセルとの他の構成例を示す上視図である。 パワー半導体モジュールとキャパシタセルとの他の構成例を示す上視図である。 パワー半導体モジュールとキャパシタセルとの他の構成例を示す上視図である。 2インバータ回路を内蔵する電力変換装置における構成例を示す上視図である。 2インバータ回路を内蔵する電力変換装置における構成例を示す上視図である。 DC/DCコンバータ回路とインバータ回路を内蔵する電力変換装置における構成例を示す上視図である。 本実施形態に関する他の構成例を示す断面図である。
本実施形態に係る電力変換装置について、図面を参照しながら以下詳細に説明する。本実施形態に係る電力変換装置は、ハイブリッド用の自動車や純粋な電気自動車に適用可能であるが、代表例として、ハイブリッド自動車に適用した場合における制御構成と回路構成について、図1と図2を用いて説明する。
本実施形態に係る電力変換装置では、車両駆動用電機システムに用いられ、搭載環境や動作的環境などが大変厳しい車両駆動用インバータ装置を例に挙げて説明する。
車両駆動用インバータ装置は、車載電源を構成する車載バッテリ或いは車載発電装置から供給された直流電力を所定の交流電力に変換し、得られた交流電力を車両駆動用電動機に供給して車両駆動用電動機の駆動を制御する。また、車両駆動用電動機は発電機としての機能も有しているので、車両駆動用インバータ装置は運転モードに応じ、車両駆動用電動機が発生する交流電力を直流電力に変換する機能も有している。
なお、本実施形態の構成は、自動車やトラックなどの車両駆動用電力変換装置として最適であるが、これら以外の電力変換装置、例えば電車や船舶、航空機などの電力変換装置、さらに工場の設備を駆動する電動機の制御装置として用いられる産業用電力変換装置、或いは家庭の太陽光発電システムや家庭の電化製品を駆動する電動機の制御装置に用いられたりする家庭用電力変換装置に対しても適用可能である。
図1は、ハイブリッド自動車の制御ブロックを示す図である。図1において、ハイブリッド電気自動車110は1つの電動車両であり、2つの車両駆動用システムを備えている。その1つは、内燃機関であるエンジン120を動力源としたエンジンシステムである。エンジンシステムは、主としてハイブリッド自動車(以下、「HEV」と記述する)の駆動源として用いられる。もう1つは、モータジェネレータ192、194を動力源とした車載電機システムである。車載電機システムは、主としてHEVの駆動源及びHEVの電力発生源として用いられる。モータジェネレータ192、194は例えば同期機あるいは誘導機であり、運転方法によりモータとしても発電機としても動作するので、ここではモータジェネレータと記す。
車体のフロント部には前輪車軸114が回転可能に軸支され、前輪車軸114の両端には1対の前輪112が設けられている。車体のリア部には後輪車軸が回転可能に軸支され、後輪車軸の両端には1対の後輪が設けられている(図示省略)。本実施形態のHEVでは、いわゆる前輪駆動方式を採用しているが、この逆、すなわち後輪駆動方式を採用しても構わない。
前輪車軸114の中央部には前輪側デファレンシャルギア(以下、「前輪側DEF」と記述する)116が設けられている。前輪側DEF116の入力側には変速機118の出力軸が機械的に接続されている。変速機118の入力側にはモータジェネレータ192の出力側が機械的に接続されている。モータジェネレータ192の入力側には動力分配機構122を介してエンジン120の出力側及びモータジェネレータ194の出力側が機械的に接続されている。尚、モータジェネレータ192、194及び動力分配機構122は、変速機118の筐体の内部に収納されている。
インバータ装置140、142にはバッテリ136が電気的に接続されており、バッテリ136とインバータ装置140、142との相互において電力の授受が可能である。バッテリ136とインバータ装置140、142との間には直流電流を平滑化するキャパシタ500が設置される。
本実施形態では、モータジェネレータ192及びインバータ装置140からなる第1電動発電ユニットと、モータジェネレータ194及びインバータ装置142からなる第2電動発電ユニットとの2つを備え、運転状態に応じてそれらを使い分けている。すなわち、エンジン120からの動力によって車両を駆動している場合において、車両の駆動トルクをアシストする場合には第2電動発電ユニットを発電ユニットとしてエンジン120の動力によって作動させて発電させ、その発電によって得られた電力によって第1電動発電ユニットを電動ユニットとして作動させる。また、同様の場合において、車両の車速をアシストする場合には第1電動発電ユニットを発電ユニットとしてエンジン120の動力によって作動させて発電させ、その発電によって得られた電力によって第2電動発電ユニットを電動ユニットとして作動させる。
また、本実施形態では、バッテリ136の電力によって第1電動発電ユニットを電動ユニットとして作動させることにより、モータジェネレータ192の動力のみによって車両の駆動ができる。さらに、本実施形態では、第1電動発電ユニット又は第2電動発電ユニットを発電ユニットとしてエンジン120の動力或いは車輪からの動力によって作動させて発電させることにより、バッテリ136の充電ができる。
バッテリ136はさらに補機用のモータ195を駆動するための電源としても使用される。補機としては例えば、エアコンディショナーのコンプレッサを駆動するモータ、あるいは制御用の油圧ポンプを駆動するモータであり、バッテリ136からインバータ装置43に直流電力が供給され、インバータ装置43で交流の電力に変換されてモータ195に供給される。前記インバータ装置43はインバータ装置140や142と同様の機能を持ち、モータ195に供給する交流の位相や周波数、電力を制御する。例えばモータ195の回転子の回転に対し進み位相の交流電力を供給することにより、モータ195はトルクを発生する。一方、遅れ位相の交流電力を発生することで、モータ195は発電機として作用し、モータ195は回生制動状態の運転となる。このようなインバータ装置43の制御機能はインバータ装置140や142の制御機能と同様である。モータ195の容量がモータジェネレータ192や194の容量より小さいので、インバータ装置43の最大変換電力がインバータ装置140や142より小さいが、インバータ装置43の回路構成は基本的にインバータ装置140や142の回路構成と同じである。
図2を用いてインバータ装置140やインバータ装置142あるいはインバータ装置43の電気回路構成を説明する。なお、図2では、代表例としてインバータ装置140の説明を行う。
インバータ回路144は、上アームとして動作するIGBT328及びダイオード156と、下アームとして動作するIGBT330及びダイオード166と、からなる上下アーム直列回路150をモータジェネレータ192の電機子巻線の各相巻線に対応して3相(U相、V相、W相)分を設けている。ここで、IGBTとは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの略である。それぞれの上下アーム直列回路150は、その中点部分(中間電極169)から交流端子159及び交流コネクタ188を通してモータジェネレータ192への交流電力線(交流バスバー)186と接続する。
上アームのIGBT328のコレクタ電極153は正極端子157を介してキャパシタ500の正極側のコンデンサの電極に、下アームのIGBT330のエミッタ電極は負極端子158を介してキャパシタ500の負極側にコンデンサ電極にそれぞれ電気的に接続されている。
制御部170は、インバータ回路144を駆動制御するドライバ回路174と、ドライバ回路174へ信号線176を介して制御信号を供給する制御回路172と、を有している。IGBT328やIGBT330は、制御部170から出力された駆動信号を受けて動作し、バッテリ136から供給された直流電力を三相交流電力に変換する。この変換された電力は、モータジェネレータ192の電機子巻線に供給される。
IGBT328は、コレクタ電極153と、ゲート電極154と、信号用エミッタ電極155を備えている。また、IGBT330は、コレクタ電極163と、信号用のエミッタ電極165と、ゲート電極164を備えている。ダイオード156が、IGBT328と電気的に並列に接続されている。また、ダイオード166が、IGBT330と電気的に並列に接続されている。スイッチング用パワー半導体素子としてはMOSFET(金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ)を用いてもよいが、この場合はダイオード156やダイオード166は不要となる。
キャパシタ500は、正極側コンデンサ端子506と負極側コンデンサ端子504を有する。キャパシタ500は、直流コネクタ138を介してバッテリ136と電気的に接続されている。なお、インバータ装置140は、直流正極端子314を介して正極側コンデンサ端子506と接続され、かつ直流負極端子316を介して負極側コンデンサ端子504と接続される。
制御回路172は、IGBT328、330のスイッチングタイミングを演算処理するためのマイクロコンピュータ(以下、「マイコン」と記述する)を備えている。マイコンには入力情報として、モータジェネレータ192に対して要求される目標トルク値、上下アーム直列回路150からモータジェネレータ192の電機子巻線に供給される電流値、及びモータジェネレータ192の回転子の磁極位置が入力されている。目標トルク値は、不図示の上位の制御装置から出力された指令信号に基づくものである。電流値は、電流センサ180から信号線182を介して出力された検出信号に基づいて検出されたものである。磁極位置は、モータジェネレータ192に設けられた回転磁極センサ(不図示)から出力された検出信号に基づいて検出されたものである。本実施形態では3相の電流値を検出する場合を例に挙げて説明するが、2相分の電流値を検出するようにしても構わない。
なお、図2におけるゲート電極154および信号用エミッタ電極155は、後述する図5の信号接続端子327Uに対応し、ゲート電極164およびエミッタ電極165は図5の信号接続端子327Lに対応する。また、正極端子157は図5の正極端子315Dと同一のものであり、負極端子158は図5の直流負極端子319Dと同一のものである。また、交流端子159は、図5の交流端子320Dと同じものである。
図3乃至図4を用いて本実施形態に係る電力変換装置299の実施形態を説明する。
図3(a)は、電力変換装置299の外観を示す斜視図である。電力変換装置299は、前記バッテリ136と電気的に接続するための直流コネクタ138と、前記モータジェネレータ192と電気的に接続する交流コネクタ188と、流路形成体400と、を有している。
図3(b)は、電力変換装置299を組み立てる工程を示す分解斜視図である。電力変換装置299は、冷却流路が一体で形成された筐体である流路形成体400と、流路形成体400を気密する流路蓋401と、各部バスバーが絶縁樹脂で被覆して板状に一体化したパワーボード700と、制御回路172とドライバ回路174から成る制御基板200と、当該制御基板200を搭載する制御基板ベース800と、全体を密閉する筐体蓋900と、を有する。電力装置299は、図3(b)に図示される様に、これらを積み重ねて組みたてられる階層構造である。
流路蓋401には、電力変換装置299内部へ冷媒を流す配管と接続する冷媒入出力口402が形成される。当該流路蓋401は、後述するように、流路形成体400の下面に配置される。
制御基板ベース800は、パワーボード700を挟んで流路形成体400と対向して配置される。制御基板200は、制御基板ベース800の上方に搭載される。
図4(a)は、後述するパワー半導体モジュール300とキャパシタセル500を流路形成体400に組み立てる工程を示す分解斜視図である。
前記流路形成体400には、それぞれパワー半導体モジュール300とキャパシタセル500を収納する空間が設けられる。パワー半導体モジュール300は、流路形成体400の底面側に形成された開口より、流路形成体400に形成された収納空間に収納される。キャパシタセル500は、流路形成体400の上面側に形成された開口より、流路形成体400に形成されたキャパシタセル収納空間490に収納される。
キャパシタセル500には、キャパシタセル端子502が接続される。キャパシタセル端子502は、キャパシタセル500が流路形成体400に収納された際に、パワーボード700が配置される方向に向かって突出する。
図4(b)は、図3(b)の断面Aを矢印の方向から見たときの断面図である。キャパシタセル500は、流路形成体400のキャパシタセル収納空間490内において、キャパシタ封止樹脂501によって封止される。キャパシタセル端子502は、キャパシタ封止樹脂501から突出して形成される。
流路形成体400に流路蓋401が組みつけられた状態で、冷媒は、冷媒流499に示すように流れる。冷媒入出力口402の一方より導入された冷媒は、パワー半導体モジュール300に直接接触し、パワー半導体モジュール300を冷却する。また、冷媒流路がキャパシタセル収納空間490の下部及び側部にも形成されているため、キャパシタセル500も同時に冷却される構造となっている。
(パワー半導体モジュール300)
図5(a)は、パワー半導体モジュール300の外観斜視図である。パワー半導体モジュール300は、パワー半導体素子を収納するケース304と、絶縁モールド端子600と、を有する。
ケース304は、側壁及び底面を形成する枠体304Dと、側壁・底面と直交する最も広い長手の面に形成されかつパワー半導体素子を冷却するフィン305と、流路形成体と組み付ける際に位置決めを行う位置決め部311と、Oリングを取り付けるOリング溝312と、により構成される。フィン305は、対向する反対の面にも同様の形状で形成されている。
絶縁モールド端子600は、正極側端子315Dと、負極側端子319Dと、交流端子320と、信号接続端子327Lと、信号接続端子327Uと、補助モールド体601と、で構成される。補助モールド体601には、正極側端子315D、交流端子320、信号接続端子327L及び信号接続端子327Uを貫通させるための複数の貫通孔が形成される。補助モールド体601は、正極側端子315D、負極側端子319D、交流端子320、信号接続端子327L、信号接続端子327U端子のお互いを電気的に絶縁する。また、別体の絶縁板材を端子間に組み付けて絶縁距離を長くすることができる。
図5(b)は、ケース304に封止体302を組み立てる工程を示す分解斜視図である。図5(b)に図示されるように、ケース304は、パワー半導体素子の端子を出力する挿入口306以外は全閉な構造となっている。ケース304に収納されるパワー半導体素子は、封止体302により冷媒から保護される。パワー半導体素子の各端子は、絶縁モールド端子600を介してケース304の外部に接続される。また、ケース304に形成される位置決め部311及びOリング溝312は、挿入口306の外周を囲むように形成されている。
パワー半導体素子を封止して内蔵する封止体302は、枠体304Dの挿入口306から絶縁材333を積層して挿入される。当該封止体302の内部には、インバータ回路の上下アーム直列回路150を構成する回路部品が封止されている。
図5(c)は、パワー半導体モジュール300の上下アーム直列回路150を構成する回路部品の分解斜視図である。図5(c)に示す様に、上アーム回路を構成するIGBT328とダイオード156が、導体板315と導体板318に平行に挟まれる様にして金属接合されている。同様に、下アーム回路を構成するIGBT330とダイオード166が、導体板319と導体板320に平行に挟まれる様にして金属接合されている。導体板318に形成された中間電極329Aは、導体板320に形成された中間電極329Bと金属接合されている。
導体板318及び導体板319は、同一平面上に配置される。また導体板318及び導体板319は、IGBT328及び330とダイオード156及び166と接合する面と反対の面で露出面321A(図5(b)参照)を形成し、封止体302から露出している。
同様に、導体板315及び導体板320は、同一平面上に配置される。また導体板315及び導体板320は、IGBT328及び330とダイオード156及び166と接合する面と反対の面で露出面321B(図5(b)参照)を形成し、封止体302から露出している。図5(b)に図示されるように、露出面321A、321Bは、ケース304のフィン305が形成された面と重なる位置に形成される。
図5(d)は、図5(c)に対応する回路構成図である。前記絶縁モールド端子600は、前記封止体302とそれぞれ対応する端子を有しており、それぞれ電気的に接合されている。
上述のパワー半導体モジュール300のケース304は、電気伝導性を有する部材、例えばCu、Cu合金、Cu−C、Cu−CuOなどの複合材、あるいはAl、Al合金、AlSiC、Al−Cなどの複合材などから形成されている。また、ケース304は、溶接など防水性の高い接合法で、あるいは鍛造、鋳造法などにより成形されている。
封止体302を構成する封止樹脂としては、例えばノボラック系、多官能系、ビフェニル系のエポキシ樹脂系を基とした樹脂を用いることができ、SiO2、Al2O3、AlN、BNなどのセラミックスやゲル、ゴムなどを含有させ、熱膨張係数を導体部315、320、318、319に近づける。これにより、部材間の熱膨張係数差を低減でき、使用環境時の温度上昇にともない発生する熱応力が大幅に低下するため、パワー半導体モジュールの寿命をのばすことが可能となる。また、補助モールド体600の成型材には、PPS(ポリフェニルサルファイド)やPBT(ポリブチレンテレフタレート)といった高耐熱な熱可塑性樹脂が適している。
金属接合剤は、例えばSn合金系の軟ろう材(はんだ)や、Al合金・Cu合金等の硬ろう材や金属のナノ粒子・マイクロ粒子を用いた金属焼結材を用いることができる。
(パワーボード700)
図6(a)は、パワーボード700の外観斜視図である。パワーボード700は、正極側バスバー703と、負極側バスバー704と、交流バスバー709と、これらを被覆してお互いを電気的に絶縁する絶縁被覆部材708と、により構成されている。図中では、各バスバーの内部配置を説明するために、正極側バスバー703と交流バスバー709を点線で示した。
パワーボード700には、表面から裏面にかけて貫通する開口705A、705Bが設けられている。正極側バスバー703と負極側バスバー704と交流バスバー709とには、それぞれ端子701が設けられており、開口705Aの縁より突出している。図8及び図11で後述するように、パワー半導体モジュール300の絶縁モールド端子600の端子部は、開口705Aを貫通して端子701と電気的に接続される。
また、パワーボード700には、表面から裏面にかけて貫通する開口705Cが設けられている。正極側バスバー703と負極側バスバー704とには、それぞれ端子702が設けられており、開口705Cの縁及びパワーボード700の縁より突出している。図8で後述するように、キャパシタセル500のキャパシタセル端子502は、開口705Cを貫通して端子702と電気的に接続される。
図6(b)は、パワーボード700の上視図である。パワーボード700の正極側バスバー703と負極側バスバー704は、絶縁被覆部材708を介して対向して積層配置される。これにより、インバータ主回路の配線インダクタンスを低減することができる。
図6(c)は、図6(b)の断面Bにおけるパワーボード700の断面図である。図6(d)は、図6(b)の断面Cにおけるパワーボード700の断面図である。図6(e)は、図6(b)の断面Dにおけるパワーボード700の断面図である。
図6(d)に示されるように、正極側バスバー703及び負極側バスバー704は、互いに対向して平行に配置される。図6(e)に示されるように、交流バスバー709は、当該交流バスバー709の主面が正極側バスバー703の主面及び負極側バスバー704の主面と重ならないように配置される。また、交流バスバー709は、正極側バスバー703や負極側バスバー704よりも厚い導体で構成される。交流バスバー709を正極側バスバー703及び負極側バスバー704よりも厚く形成することで、モータジェネレータを駆動するために大電流が流れる交流バスバー709の発熱を抑えることができる。
また、図6(c)及び図6(e)に示されるように、交流バスバー709は、端子701が突出する側とは反対側、すなわち流路形成体400側の面に近くなるように形成する。交流バスバー709に対する流路形成体400側の絶縁被覆部材708の厚さは、負極側バスバー704に対する流路形成体400側の絶縁被覆部材708の厚さと略同一とする。このように、同一面側の絶縁被覆部材708の厚さを揃えることで、冷媒が流れる流路形成体400への熱抵抗を低減し、さらに生産性も向上することができる。
絶縁被覆部材708には、例えばノボラック系、多官能系、ビフェニル系のエポキシ樹脂系を基とした樹脂を用いることができる。また、SiO2、Al23、AlN、BNなどのセラミックスやゲル、ゴムなどを含有させ、熱膨張係数を導体部315、320、318、319に近づけた材料を用いることができる。他には、PPS(ポリフェニルサルファイド)やPBT(ポリブチレンテレフタレート)といった高耐熱な熱可塑性樹脂でも良い。また、ガラスクロスを含浸したガラスエポキシ等のプリント基板材料でも良い。絶縁被覆部材とバスバーは、接着材で接着されていても良い。また、
バスバーは、例えば、Cu合金やAl合金といった熱伝導率が高く、電気抵抗が低い材料が適しており、絶縁被覆部材との接着強度を向上するために、表面に酸化処理や粗化処理が施されていても良い。
(流路形成体400)
図7(a)は、流路形成体400の外観斜視図である。また、図7(b)は、図7(a)と異なる視点から見た流路形成体400の外観斜視図である。前述の通り、流路形成体400には、パワー半導体モジュール300を収納するモジュール収納空間405と、キャパシタセル500を収納するキャパシタ収納空間490が形成される。パワー半導体モジュール300は、流路形成体400の底面に形成された開口から、モジュール収納空間405に収納される。キャパシタセル500は、流路形成体400の上面に形成された開口から、キャパシタ収納空間490に収納される。
流路形成体400の上面、すなわちパワーボード700と対向する面には、パワーボード700を搭載する平坦面404が形成されている。
流路形成体400の平坦面404には、開口403が形成される。開口403は、平坦面404からモジュール収納空間405へ連通する開口である。モジュール収納空間405に収納されたパワー半導体モジュール300は、当該パワー半導体モジュール300の絶縁モールド端子600が開口403に挿通されるように配置される。
また、流路形成体400には、開口403を囲んで凹部406が形成される。凹部406は、モジュール収納空間405を形成する面のうち開口403が形成された面に形成される。すなわち、開口403は、凹部406の底面部に形成される。パワー半導体モジュール300のケース304に設けられた位置決め部311は、凹部406に組み付けられる。
図7(c)は、図7(a)の視点Aから見た流路形成体400の上視図である。図7(d)は、図7(b)の視点Bから見た流路形成体400の下視図である。図7(e)は、図7(a)の視点Aから見て、開口403と、凹部406の射影部と、パワーボード700及びその開口705の射影部を重ねて表記した流路形成体400の上視図である。
本実施例では、U相、V相、W相の3相に対応して3つのパワー半導体モジュール300が用いられる。パワー半導体モジュール300の主面がそれぞれ対向するように3つのパワー半導体モジュール300が平行に配置される。キャパシタセル500を収納するキャパシタ収納空間490は、3つのパワー半導体モジュール300の側壁と対向した位置に形成される。
図7(e)に図示されるように、流路形成体400の平坦面404の法線方向に投影した場合に、パワーボード700は、当該パワーボード700の射影部が凹部406の射影部と重なるように、配置される。また、パワーボード700に形成された開口705A及び705Bは、当該開口705A及び705Bの射影部が開口403の射影部に重なるように、形成される。
(流路形成体400とパワーボード700の組立工程)
図8(a)は、流路形成体400にパワーボード700を組み立てる工程を示す分解斜視図である。図8(b)は、流路形成体400とパワーボード700を組み立てた外観斜視図である。
パワーボード700は、流路形成体400の平坦面404上に搭載される。パワーボード700と流路形成体400は互いに接触して配置されるが、パワーボード700の表面は絶縁被覆部材708で覆われているため、電気的に絶縁されている。
図8(c)は、図8(a)の断面Eの矢印の方向から見た、流路形成体400にパワー半導体モジュール300とパワーボード700を組み立てる工程を示す断面図であり、図8(d)は図8(c)に示す状態から、パワー半導体モジュール300を流路形成体400に組み付けた状態を示す拡大断面図である。
前述のように、パワー半導体モジュール300は、流路形成体400の底面側からモジュール収納空間405に収納される。パワー半導体モジュール300のケース304に形成された位置決め部311は、流路形成体400の凹部406に組み付けられる。この際、Oリング溝312には気密性を確保するためにOリング(不図示)が取り付けられる。
パワー半導体モジュール300の絶縁モールド端子600は、流路形成体400の開口403を貫通して配置される。絶縁モールド端子600の補助モールド体601は、当該補助モールド体601の一面が流路形成体400の平坦面404と同一面になるように配置される。
流路形成体400の平坦面404から突出した端子部は、パワーボード700の開口705Aを貫通し、パワーボードの端子701と電気的に接続され、図8(b)に示す端子接続部711を形成する。
図8(e)は、図8(b)の断面Fの矢印の方向から見た、流路形成体400及びパワーボード700の断面図である。図8(e)を用いて、パワーボード700の冷却効果を説明する。
パワーボード700の各部バスバー及び端子は、モータジェネレータを駆動する際に数百Aの大電流を流すため、バスバー配線抵抗による多大な損失を発生して発熱する。本実施構造により、この発熱は、図8(e)に図示の矢印のように流路形成体400に伝熱される。これにより、各バスバー及び端子を構成する配線材の厚みを薄くしても、バスバーの温度を下げることができ電力変換装置299全体を小型化して軽量化することができる。
また、パワーボード700を構成する正極側バスバー703と負極側バスバー704は、絶縁被覆部材708を介して対向して積層配置される。そして、当該積層部分は、流路形成体400の平坦面404の法線方向から射影した場合、流路形成体400の凹部406の射影部と重なるように配置される。このような構成により、パワーボードを流れるインバータ主回路の配線インダクタンスを低減するとともに、パワーボードで発生する熱を流路形成体400へ伝えることができる。
さらに、補助モールド体601の一面が流路形成体400の平坦面404と同一面になるように配置されることで、補助モールド体601によりパワーボード700が流路形成体400に接触できなくなることを防ぎ、パワーボード700が補助モールド体601及び流路形成体400に接触することができる。したがって、図8(e)に図示の矢印のような伝熱を阻害することなく、バスバーの熱を放熱することができる。そして、パワーボード700がより広い接触面積を形成するため、バスバーの放熱面積が増大し、放熱性能が向上する。
また、フィン305の側部には、冷媒阻止部材407が配置される。積極的に冷却が必要であるのはフィン305が形成された領域であり、それ以外の領域を流れる冷媒を、冷媒阻止部材407が配置されることにより阻止することができる。これにより、フィン305が形成された領域における冷媒の流速を上げ、パワー半導体素子の冷却効率を上げることができる。冷媒阻止部材407は、ゴムやプラスチックなどで形成される。
図9(a)〜(d)に本実施形態に関するその他の実施例を示す。
図9(a)は、図3乃至8で説明した実施例1を表す上視図である。前述のように、図9(a)の実施例では、U相、V相、W相の3相に対応する3つのパワー半導体モジュール300の主面がそれぞれ対向するように、3つのパワー半導体モジュール300が平行に配置される。キャパシタセル500を収納するキャパシタ収納空間490は、3つのパワー半導体モジュール300の側壁と対向した位置に形成される。本実施例では、4つのキャパシタセル500を用いており、それぞれのキャパシタセル500の電極面が、パワー半導体モジュール300の主面と平行になるように配置されている。
図9(b)は、パワー半導体モジュール300を長手方向に一列に配置し、パワー半導体モジュール300の配置方向とキャパシタセル500の配置方向とを平行にした電力変換装置の構造である。パワーボード700に形成される開口705は、パワー半導体モジュール300の配置に合わせて、図示のような配置とすれば良い。本構造は、電力変換装置を車両に搭載する空間が細長い長方形形状である場合に、適用することができる構造である。
図9(c)は、パワー半導体モジュール300を、キャパシタセル500を収納するキャパシタ収納空間490の3辺それぞれと対向するように配置した電力変換装置の構造である。すなわち、3つのパワー半導体モジュール300のうち、いずれか2つのパワー半導体モジュールは、キャパシタ収納空間490を挟んで対向して配置される。本構造は、電力変換装置を車両に搭載する空間が比較的正方形に近い長方形形状である場合に、適用することができる構造である。
図9(d)は、パワー半導体モジュール300を、キャパシタセル500を収納するキャパシタ収納空間490を挟んで一方側にパワー半導体モジュールを1つ、他方側にパワー半導体モジュールを2つ配置した電力変換装置の構造である。本構造は、電力変換装置を車両に搭載する空間が長方形形状である場合に、適用することができる構造である。
図10(a)〜(b)に、2インバータ回路を内蔵する電力変換装置、あるいはDC/DCコンバータ回路とインバータ回路を内蔵する電力変換装置に応用した実施例を示す。
図10(a)は、図9(a)を左右対称に2個配置した構造である。すなわち、図9(a)では3つのパワー半導体モジュール300の主面がそれぞれ対向するように平行に配置されていたが、図10(a)では、6つのパワー半導体モジュール300の主面がそれぞれ対向するように平行に配置される。本構造は、電力変換装置を車両に搭載する空間が比較的正方形に近い長方形形状である場合に、適用することができる構造である。
図10(b)は、図9(b)のパワー半導体モジュール300を2列配置した構造である。本構造は、電力変換装置を車両に搭載する空間が長方形形状である場合に、適用することができる構造である。
図10(c)は、DC/DCコンバータ回路とインバータ回路が内蔵された場合の電力変換装置の構造である。DC/DCコンバータに用いるパワー半導体モジュール1000と、DC/DCコンバータに用いるリアクトル1001と当該リアクトル1001を収納するリアクトル収納空間1002が設けられた構造である。
図11に本実施形態に関するその他の実施例を示す。
図11は、流路形成体400とパワーボード700との間に低弾性シート1003を設ける構造である。低弾性シート1003には、パワーボード700の開口705にと重なる位置に開口が形成される。低弾性シート1003の弾性率は、絶縁被覆部材708と流路形成体400の弾性率よりも低くなっている。これにより、振動や衝撃が加えられる車載環境にて、パワーボード700と流路形成体400が直接接触して荷重が加わることで絶縁被覆部材708に傷やクラックを発生させることを防止し、信頼性を向上することができる。
43 インバータ装置
110 ハイブリッド自動車
112 前輪
114 前輪車軸
116 前輪側デファレンシャルギア
118 変速機
120 エンジン
122 動力分配機構
136 バッテリ
138 直流コネクタ
140 インバータ装置
142 インバータ装置
143 電力変換装置
144 インバータ回路
150 上下アーム直列回路
153 コレクタ電極
154 ゲート電極
155 信号用エミッタ電極
156 ダイオード
157 正極端子
158 負極端子
159 交流端子
163 コレクタ電極
164 ゲート電極
165 信号用のエミッタ電極
166 ダイオード
169 中間電極
170 制御部
172 制御回路
174 ドライバ回路
176 信号線
180 電流センサ
182 信号線
186 交流バスバー
188 交流コネクタ
192 モータジェネレータ
194 モータジェネレータ
195 補機用のモータ
200 制御基板
299 電力変換装置
300 パワー半導体モジュール
302 封止体
304 ケース
304D 枠体
305 フィン
306 挿入口
311 位置決め部
312 Oリング溝
314 直流正極端子
316 直流負極端子
315 導体部
318 導体部
319 導体部
320 導体部
315D 正極側端子
319D 負極側端子
320D 交流端子
321A 露出面A
321B 露出面B
327U 上アーム用信号接続端子
327L 下アーム用信号接続端子
328 IGBT
329A 中間電極A
329B 中間電極B
330 IGBT
333 絶縁材料
400 流路形成体
401 流路蓋
402 冷媒入出力口
403 開口
404 平坦面
405 モジュール収納空間
406 凹部
407 冷媒阻止部材
490 キャパシタ収納空間
499 冷媒流
500 キャパシタセル
501 キャパシタ封止樹脂
502 キャパシタセル端子
504 負極側コンデンサ端子
506 正極側コンデンサ端子
600 絶縁モールド端子
601 補助モールド体
700 パワーボード
701 端子
702 端子
703 正極側バスバー
704 負極側バスバー
705 開口
705A 開口A
705B 開口B
705C 開口C
708 絶縁被覆部材
709 交流バスバー
711 端子接続部
800 制御基板ベース
900 筐体蓋
1000 両面冷却型パワーモジュール
1001 リアクトル
1002 リアクトル収納空間
1003 低弾性シート

Claims (8)

  1. 直流電流を交流電流に変換するパワー半導体モジュールと、
    冷却冷媒を流す流路を形成し、上面及び下面を有する流路形成体と、
    前記直流電流又は前記交流電流を伝達するパワーボードと、を備え、
    前記パワー半導体モジュールは、パワー半導体素子と、当該パワー半導体素子を収納するケースと、前記直流電流又は前記交流電流を伝達する端子と、により構成され、
    前記流路形成体には、前記ケースを収納するとともに前記冷却冷媒を流す流路空間と、当該流路形成体の前記上面から前記流路空間側まで貫通する第1開口部と、が形成され
    記端子は、前記第1開口部を通って前記流路空間の外に突出し、
    前記流路形成体の前記上面の法線方向から斜影した場合、
    前記パワーボードは、当該パワーボードの幅広面が前記流路形成体の前記上面に熱伝導可能に載置され、
    前記パワーボードは、前記端子と接続される電力変換装置。
  2. 請求項1に記載の電力変換装置であって、
    前記流路形成体は、当該流路形成体の下面と対向しかつ前記流路空間に面する側に形成される凹部を有し、
    前記第1開口部は、前記凹部の底面部から前記流路形成体の前記上面まで貫通し、
    前記ケースは、当該ケースの一部が前記凹部内に配置され、
    前記パワーボードは、当該パワーボードの射影部が前記凹部の射影部と重なるように、前記流路形成体の上面に載置される電力変換装置。
  3. 請求項1又は2に記載の電力変換装置であって、
    前記パワー半導体モジュールは、樹脂モールド部を有し、
    前記樹脂モールド部は、前記第1開口部内に配置され、
    前記端子は、前記樹脂モールド部の一面から突出して形成され、
    前記パワー半導体モジュールは、前記樹脂モールド部の前記一面が前記流路形成体の前記上面と同一面になるように配置される電力変換装置。
  4. 請求項に記載の電力変換装置であって、
    前記端子は、前記直流電力を伝達する直流正極端子と直流負極端子と、前記交流電流を伝達する交流端子と、制御信号を伝達する信号端子と、を有し、
    前記端子は、前記樹脂モールド部で外周を被覆されている電力変換装置。
  5. 請求項1ないしのいずれかに記載の電力変換装置であって、
    前記パワーボードは、前記直流電流を伝達する第1直流バスバー及び第2直流バスバーと、絶縁部材と、を備え、
    前記第1直流バスバーは、前記第2直流バスバーに流れる電流とは異なる極の電流が流れ、
    前記第1直流バスバーは、前記第2直流バスバーと対向して配置され、
    前記絶縁部材は、前記第1直流バスバーと前記第2直流バスバーが所定の間隔を有するように封止され、
    前記流路形成体の前記上面の法線方向から射影した場合、
    前記第1直流バスバー及び前記第2直流バスバーは、前記流路形成体の上面に熱伝導可能に載置される電力変換装置。
  6. 請求項に記載の電力変換装置であって、
    前記パワーボードは、さらに前記交流電流を伝達する交流バスバーを備え、
    前記第1直流バスバーは、前記第2直流バスバーと前記流路形成体の間に配置され、
    前記第2直流バスバーが配置される側とは反対側の前記第1直流バスバーの面を第1仮想面と定義し、
    前記第1直流バスバーが配置される側とは反対側の前記第2直流バスバーの面を第2仮想面と定義し、
    前記交流バスバーは、前記第1仮想面と前記第2仮想面との間であって、前記第1直流バスバー及び前記第2直流バスバーの配置領域とは異なる領域に配置され、
    前記交流バスバーは、当該交流バスバーの一方の面が前記第1仮想面と重なるように配置される電力変換装置。
  7. 請求項6に記載の電力変換装置であって、
    前記交流バスバーは、当該交流バスバーの厚さが前記第1直流バスバーの厚さ及び前記第2直流バスバーの厚さよりも厚く形成される電力変換装置。
  8. 請求項1ないしのいずれかに記載の電力変換装置であって、
    前記パワーボードは、当該パワーボードと前記流路形成体の前記上面との間に低弾性シートを挟んだ状態で前記流路形成体の前記上面に載置され、
    前記低弾性シートは、当該低弾性シートの弾性率が前記パワーボードを構成する前記絶縁部材の弾性率及び前記流路形成体の弾性率よりも小さくなるように形成される電力変換装置。
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