JP7418255B2 - 電力変換装置 - Google Patents

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Description

本発明は、電力変換装置に関する。
近年、電力変換装置が変換する電力量が増大する傾向にあるが、自動車全体では小型化や軽量化が求められており、電力変換装置の大型化や重量の増加は抑えられている。また車載用の電力変換装置は産業用などと比較すると温度変化の大きい環境で使用されることが要求されており、高温の環境に置かれていながら高い信頼性を維持できる電力変換装置が要求されている。
電力変換を行うためにはインバータ回路の上下アームを構成する半導体モジュールが遮断状態と導通状態を繰り返すスイッチング動作が必要である。スイッチング動作時は、上下アームを貫通する過渡電流が流れ、これが配線の寄生インダクタンスの影響を受けてサージ電圧の原因となる。これにより、半導体モジュールの損失が増大し、半導体モジュールのチップ温度が上昇する。このため温度上昇を抑えるために、温度上昇の原因となるインダクタンスを低減することと、冷却性能を向上することが重要な課題となる。
特許文献1には、インバータ回路を構成する上アーム回路及び下アーム回路の直列回路を内蔵した半導体モジュールと、前記半導体モジュールに供給する直流電圧を平滑化するための平滑コンデンサと、を備え、前記半導体モジュールは複数個設けられ、かつそれぞれの半導体モジュールは、前記上アーム回路を構成する第1パワー半導体素子と、前記下アーム回路を構成する第2パワー半導体素子と、前記第1パワー半導体素子の一方の側に配置されるとともに当該第1パワー半導体素子の一方の電極とはんだを介して接続される第1導体板と、前記第1パワー半導体素子の他方の側に配置されるとともに当該第1パワー半導体素子の他方の電極とはんだを介して接続される第2導体板と、前記第2パワー半導体素子の一方の側に配置されるとともに当該第2パワー半導体素子の一方の電極とはんだを介して接続される第3導体板と、前記第2パワー半導体素子の他方の側に配置されるとともに当該第2パワー半導体素子の他方の電極とはんだを介して接続される第4導体板と、第1絶縁部材を介して前記第1導体板及び前記第3導体板と対向する位置に配置される金属製の第1放熱板と、第2絶縁部材を介して前記第2導体板及び前記第4導体板と対向する位置に配置される金属製の第2放熱板と、前記直列回路に電流を供給する正極端子及び負極端子と、を備え、前記第1パワー半導体素子と前記第2パワー半導体素子と前記第1導体板と前記第2導体板と前記第3導体板と前記第4導体板は、前記リカバリ電流が当該第1導体板、当該第1パワー半導体素子、当該第2導体板、当該第3導体板、当該第2パワー半導体素子、当該第4導体板の順に流れた時に、ループ形状のリカバリ電流経路を形成するように配置され、前記第1放熱板と前記第2放熱板には、前記ループ形状のリカバリ電流によって渦電流が誘起される電力変換装置が開示されている。
特開2015-43690号公報
特許文献1に記載されている発明では、冷却およびインダクタンスの低減の両立に改善の余地がある。
本発明の第1の態様による電力変換装置は、直流電力を交流電力に変換するパワーモジュールと、前記パワーモジュールが配され、前記パワーモジュールに直流電力を伝達する直流経路が含まれ、第1面および前記第1面と正対する第2面を有し、前記第1面から前記第2面に貫通する複数の主流路孔を有する基板と、前記複数の主流路孔を覆うように前記基板の前記第1面および前記第2面の少なくとも一部を覆い、前記パワーモジュールを冷却する冷媒の流路を形成する流路形成体と、を備え、前記複数の主流路孔は、前記直流経路を横切る位置に配され、前記冷媒は、前記主流路孔を通過して前記第1面から前記第2面に移動する。
本発明によれば、冷却およびインダクタンスの低減を両立できる。
第1の実施の形態における電力変換装置の平面図 図1から流路形成体を消去した電力変換装置の平面図 図2からモールド樹脂を消去した電力変換装置の平面図 図1~図3におけるIV-IV断面を示す電力変換装置の断面図 第1の実施の形態における電力変換装置の電気回路図 パワーモジュールの平面図 パワーモジュールの斜視図 パワーモジュールの正面図 第2の実施の形態にかかる電力変換装置の平面図 図9におけるX-X断面を示す断面図 第3の実施の形態における電力変換装置の平面図 第3の実施の形態における電力変換装置の電気回路図
―第1の実施の形態―
以下、図1~図8を参照して、電力変換装置の第1の実施の形態を説明する。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。ただし、本発明は下記の実施形態に限定解釈されるものではなく、公知の他の構成要素を組み合わせて本発明の技術思想を実現してもよい。なお、各図において同一要素については同一の符号を記し、重複する説明は省略する。
図1は電力変換装置100の平面図、図2は図1から流路形成体25を消去した図、図3は図2からモールド樹脂23を消去した図である。電力変換装置100は、バッテリなどから得た直流電力を電動機などに供給する交流電力に変換する電力変換装置であり、1相分の上アーム回路および下アーム回路を構成する。ただし図1ではパワーモジュールはモールド樹脂23に隠れているので図示されていない。
図1に示すように、電力変換装置100は、正極導体層31と、負極導体層32と、交流出力端子導体33と、コンデンサ40と、制御信号を生成する制御回路50と、流路形成体25とを備える。流路形成体25は、図示手前側に延びる冷媒入口251を備える。正極導体層31、負極導体層32、および交流出力端子導体33は、平板状の多層基板である基板30のいずれかの層に含まれる。なお図1~図3では、後に示す断面図との対応を明示するためにハッチングを施している。
前述のように図2は図1から流路形成体25を消去した図であり、図1では流路形成体25の内側に存在していた構成が明示されている。図2に示すように、基板30はさらに、第1パワーモジュール201と、第2パワーモジュール202とを備える。第1パワーモジュール201および第2パワーモジュール202のそれぞれは放熱フィン24を備え、図2および図3の視点では奥行き方向に第1パワーモジュール201および第2パワーモジュール202と重なっている。
第1パワーモジュール201および第2パワーモジュール202はモールド樹脂23で密閉され、放熱フィン24の一面はモールド樹脂23の外部に露出している。モールド樹脂23は周囲を流路形成体25により囲まれているので、放熱フィン24の表面は冷媒により冷却される。なお第1パワーモジュール201および第2パワーモジュール202は、モールド樹脂23により冷媒とは電気的に絶縁される。以下では、第1パワーモジュール201および第2パワーモジュール202をまとめて、パワーモジュール20と呼ぶ。
図2に示すように、基板30は4種類の孔を有する。4種類とは、主流路孔301と、副流路孔302と、直流側樹脂充填孔304と、交流側樹脂充填孔305とである。以下では、基板30の図示手前側の面を第1面S1、図示奥側の面を第2面S2と呼ぶ。また以下では、直流側樹脂充填孔304と交流側樹脂充填孔305とをあわせて樹脂充填孔303と呼ぶ。主流路孔301、副流路孔302、および樹脂充填孔303はいずれも、基板30の第1面S1から第2面S2までを貫通する孔である。主流路孔301と、副流路孔302の形状は略同一である。樹脂充填孔303の直径は、主流路孔301および副流路孔302の直径よりも小さい。
主流路孔301および副流路孔302は、冷媒が第1面S1から第2面S2に移動するための流路としての役割を有する。ただし主流路孔301は後述する別の役割も有する。主流路孔301、副流路孔302、および樹脂充填孔303はいずれも内壁に導体を有するので、多層基板である基板30の各層を接続する機能も有する。基板30は複数の層を備え、基板30と様々な電子装置が接続されるので、複雑な形状のバスバーが不要となり、生産性が向上する。
第1パワーモジュール201は、正極電源端子311を有する正極導体層31と、交流出力端子331を有する交流出力端子導体33と、に接続される。第2パワーモジュール202は、負極電源端子321を有する負極導体層32と、交流出力端子導体33と、に接続される。これにより、バッテリから電気エネルギーが第1パワーモジュール201および第2パワーモジュール202に供給される。また第1パワーモジュール201および第2パワーモジュール202は、交流出力端子導体33に設けられた交流出力端子331から交流電力を出力する。
基板30は、銅材などにより構成される複数の導体層、およびガラスエポキシ樹脂などの絶縁部材で構成される。本実施の形態では基板30は導体層を4層有する。正極電源端子311が設けられた正極導体層31は、基板30の下面と第2内層が主な電流経路となるが、基板30の上面に接続される第1パワーモジュール201との接続部付近では、樹脂充填孔303を介して第1パワーモジュール201に接続される。一方で、負極電源端子321が設けられた負極導体層32は、基板30の上面と第3内層が主な電流経路となる。このように、正極導体層31と負極導体層32の積層構造によりそれぞれの導体を流れる電流が対向し、磁束打ち消し効果によりインダクタンスを低減できる。
交流出力端子導体33は、樹脂充填孔303を介して各層に形成され、電動機に交流電力を出力する交流出力端子331を有する。これにより、導体の断面積が拡大され、インダクタンスを低減できる。
コンデンサ40は、フィルムコンデンサなどで構成される。コンデンサ40は、物理的および電気的に、第1パワーモジュール201および第2パワーモジュール202と、正極電源端子311および負極電源端子321と、の間に搭載される。コンデンサ40は、正極端子401および負極端子402を有し、第1パワーモジュール201および第2パワーモジュール202に対して、正極端子401および負極端子402が並列に配置される。これにより、コンデンサ40から第1パワーモジュール201に流入する電流経路と、第2パワーモジュール202からコンデンサ40に流出する電流経路と、を均一にできインダクタンスを低減できる。
制御回路50は、ワイヤボンディングなどの制御信号配線51を介して第1パワーモジュール201および第2パワーモジュール202に接続され、それぞれ隣接して配置される。これにより、制御信号配線51のインダクタンスを低減し、素子駆動性能の低下を防ぐことで損失増加を防止する。制御信号配線51は、基板30に設けられた流路内基板配線52を介して制御回路50に接続される。
前述の主流路孔301は、物理的に第1パワーモジュール201および第2パワーモジュール202と、コンデンサ40との間に設けられる。前述の副流路孔302は、物理的に第1パワーモジュール201および第2パワーモジュール202と、交流出力端子331との間に設けられる。
主流路孔301は、基板30に設けられた全ての導体層を連通し、第1パワーモジュール201および第2パワーモジュール202に対して並列に複数設けられる。基板30は、4層全ての導体が正極導体層31および負極導体層32のどちらか一方の導体で構成され、隣り合う主流路孔301がそれぞれ交互に導体層を形成する。これにより、正極導体層31および負極導体層32を流れる電流経路が広範囲になり、磁束の打ち消し効果が強まることでインダクタンスを低減できる。
図4は、図1~図3に示すIV-IV断面を示す断面図である。図示上部が基板30の第1面S1、図示下部が基板30の第2面S2である。図4の中央にはモールド樹脂23に封止された第1パワーモジュール201が示されており、モールド樹脂23の周囲を流路形成体25が囲っている。そのためモールド樹脂23と流路形成体25との間に冷媒の流路が形成されている。また図4では、説明のために冷媒の流路を符号259で示す一点鎖線で表している。冷媒は、図4の右上に示す冷媒入口251から左下に示す冷媒出口252に流れる。冷媒は、時計回りと反時計回りに分かれて流れる。
ここで、反時計回りの上部の流路の断面積をA1、時計回りの上部の流路の断面積をA3とする。たとえば断面積A1は、流路が矩形の場合は図示高さ方向の寸法L1と、奥行き方向の寸法との積として求められる。この断面積A1は、主流路孔301の断面積の和と等しいことが望ましい。たとえば主流路孔301の内径を「r1」、主流路孔301の総数を「N1」とおく場合に、次の数式1が成り立つことが望ましい。なおN1は、図2~図3に示す例では「6」である。この等式が成り立てば、反時計回りの流路において主流路孔301の面積が小さいことによる冷媒の流れの阻害を防止できる。
A1=r1・r1・π×N1 ・・・(数式1)
また副流路孔302の内径を「r2」、副流路孔302の総数を「N2」とおく場合に、次の数式2が成り立つことが望ましい。なおN2は、図2~図3に示す例では「6」である。この等式が成り立てば、時計回りの流路において副流路孔302の面積が小さいことによる冷媒の流れの阻害を防止できる。
A3=r2・r2・π×N2 ・・・(数式2)
第1パワーモジュール201および第2パワーモジュール202は、基板30内にあるパワーモジュール組込孔308に組み込まれ、モールド樹脂23により密閉される。第1パワーモジュール201および第2パワーモジュール202は、図4に示すように上下面にハンダを介して放熱フィン24と接する。放熱フィン24の表面が露出するモールド樹脂23の外周を流路形成体25が覆うので、放熱フィン24の表面は冷媒に接触する。そのため、第1パワーモジュール201および第2パワーモジュール202の半導体素子から放熱フィン24まで絶縁部材を介さない放熱経路が形成され、油などの冷媒により放熱フィン24が直接冷却される。これにより熱抵抗の増加を抑制し、電力変換装置の出力増大を図ることが可能となる。また、主流路孔301および副流路孔302をモールド樹脂23に近接して設けることで、冷媒の流路を短縮でき、圧力損失が低減することで冷却効率が向上する。
図5は、電力変換装置100の電気回路図である。これまで説明したように、コンデンサ40は、第1パワーモジュール201および第2パワーモジュール202と並列に接続される。コンデンサ40と第1パワーモジュール201との間の経路を「P1」、コンデンサ40と第2パワーモジュール202との間の経路を「P2」と呼ぶ。また、第1パワーモジュール201および第2パワーモジュール202と交流出力端子331との間の経路を「P3」と呼ぶ。P1およびP2は、直流が流れるので「直流経路」と呼ぶことができ、P3は交流が流れるので「交流経路」と呼ぶことができる。
これらの経路と前述の4種類の孔との位置関係は次のとおりである。正流路孔301の列および直流側樹脂充填孔304の列は、直流経路P1およびP2を横切る位置に配される。副流路孔302の列および交流側樹脂充填孔305の列は、交流経路P3を横切る位置に配される。
直流経路P1および直流経路P2では、次に説明する理由により主流路孔301および樹脂充填孔303が存在するためにインダクタンスが低減される。基板30に主流路孔301や樹脂充填孔303が存在しない場合には、基板30上の電流の経路は端子間を直線で結んだ経路のみとなり、1つの経路に電流が集中する。しかし本実施の形態では、前述の直線経路上に主流路孔301や樹脂充填孔303が存在するので、電流はその孔を迂回する経路をとる。たとえばこの電流は、進行方向右側に迂回する経路と進行方向左側に迂回する経路をとるので、主流路孔301および樹脂充填孔303が存在するために電流の経路が分散する。これは、実質的に電流の経路が広がること、すなわちインダクタンスが低減されることに等しい。
なお、経路の分散は孔の径が小さいほど効果が高いが、次の理由により主流路孔301よりも樹脂充填孔303の方が経路の分散の効果が高い。すなわち主流路孔301は、径が小さいと冷媒が流れる際の抵抗が大きくなるので径を小さくする点では限界がある。その一方で樹脂充填孔303は、製造工程で樹脂が通過できればよいので主流路孔301に比べて径を小さくすることができる。
図6~図8は、パワーモジュール2の概略を示す図である。図6はパワーモジュール20の平面図、図7はパワーモジュール20の斜視図、図8はパワーモジュール20の正面図である。ただし図6では、構成を明示するために陰になっている構成を破線で示している。
パワーモジュール20は、直流電力を交流電力に変換する電力変換装置における1相分の上アーム回路または下アーム回路を構成する。パワーモジュール20は、IGBT10と、ダイオード11と、コレクタ導体板21と、エミッタ導体板22とを備える。板形状を有するIGBT10は、主電極101と、当該主電極101に流れる主電流を制御する制御電極102とを有する。コレクタ導体板21およびエミッタ導体板22は、銅材で構成される。IGBT10およびダイオード11は、コレクタ導体板21とエミッタ導体板22により両面からそれぞれ挟まれている。IGBT10及びダイオード11は、はんだなどの金属接合材12を介してコレクタ導体板21及びエミッタ導体板22に接続される。
上述した第1の実施の形態によれば、次の作用効果が得られる。
(1)電力変換装置100は、直流電力を交流電力に変換するパワーモジュール20と、パワーモジュール20が配され、パワーモジュール20に直流電力を伝達する直流経路が含まれ、第1面S1および第1面S1と正対する第2面S2を有し、第1面S1から第2面S2に貫通する複数の主流路孔301を有する基板30と、複数の主流路孔301を覆うように基板の第1面S1および第2面S2の少なくとも一部を覆い、パワーモジュール20を冷却する冷媒の流路を形成する流路形成体25と、を備える。複数の主流路孔301は、直流経路P1およびP2を横切る位置に配される。冷媒は、主流路孔301を通過して第1面S1から第2面S2に移動する。そのため、パワーモジュール20を冷媒により冷却でき、なおかつ主流路孔301の存在により直流経路が分散するので広範囲化され、磁束の打ち消し効果が強まることでインダクタンスを低減できる。すなわち電力変換装置100は、冷却およびインダクタンスの低減を両立できる。
(2)パワーモジュール20は、第1面S1に沿って流れる冷媒、および第2面S2に沿って流れる冷媒によって冷却される。そのため電力変換装置100は、パワーモジュール20を両面から冷却できる。
(3)基板30は、パワーモジュール20に交流電力を伝達する交流経路P3を横切り、第1面S1から第2面S2に貫通する複数の副流路孔302を有する。そのため、パワーモジュール20を冷却する冷媒を上面冷却用と下面冷却用の2つの経路に分けることができ、流路を短くすることで圧力損失を低減できる。換言すると、同一の圧力差を有する場合に経路を2つに分けることで流量を増やすことができ、冷却能力を強化できる。
(4)基板30は、パワーモジュール20に流入する電流が流れる正極導体層31と、パワーモジュールから流出する電流が流れる負極導体層32とが積層して構成される。そのため、磁束の打消しによりインダクタンスが低減される。
(5)直流経路P1およびP2には、流路形成体25に覆われない位置にコンデンサ40が配される。コンデンサ40は、パワーモジュール20と電気的に並列に接続される。そのため、コンデンサ40から第1パワーモジュール201に流入する電流経路と、第2パワーモジュール202からコンデンサ40に流出する電流経路と、を均一にできインダクタンスを低減できる。
(6)パワーモジュール20は、上アームを構成する第1パワーモジュール201と、下アームを構成する第2パワーモジュール202とを含む。
(7)パワーモジュール20はモールド樹脂23により封止される。流路形成体25はモールド樹脂23の外周を覆う。基板30は、モールド樹脂23が充填され、第1面S1から第2面S2に貫通する複数の直流側樹脂充填孔304を有する。直流側樹脂充填孔304は、直流経路P1およびP2を横切る位置に配される。そのため、直流側樹脂充填孔304も直流経路を分散させる効果を有し、インダクタンスを低減できる。
(8)樹脂充填孔303の直径は、主流路孔301の直径よりも小さい。そのため、直流経路をより分散させることができ、インダクタンスをより低減することができる。
(変形例)
電力変換装置100は、パワーモジュールを1つのみ備えてもよい。電力変換装置100は、直流側樹脂充填孔304および交流側樹脂充填孔305の少なくとも一方を備えなくてもよい。パワーモジュール20は、片面のみに放熱フィン24を備えてもよい。すなわち基板30の第1面S1および第2面S2の片面のみからパワーモジュール20を冷却する構成でもよい。主流路孔301および副流路孔302の形状は異なっていてもよく、たとえば両者の直径の大きさが異なってもよい。
―第2の実施の形態―
図9~図10を参照して、電力変換装置の第2の実施の形態を説明する。以下の説明では、第1の実施の形態と同じ構成要素には同じ符号を付して相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第1の実施の形態と同じである。本実施の形態では、主に、副流路孔を備えない点で、第1の実施の形態と異なる。
図9は、第2の実施の形態にかかる電力変換装置100Aの平面図である。ただし図9では流路形成体25を消去して示している。すなわち図9は、第1の実施の形態の図2に相当する。図9に示す電力変換装置100Aは、図2には存在していた副流路孔302を備えない点が第1の実施の形態の電力変換装置100とは異なる。また図9の視点では基板30の背後にあり図示されていないが、冷媒出口252の位置が第1の実施の形態とは異なる。構成の違いによる動作の違いを次の図10を参照して説明する。
図10は、図9におけるX-X断面を示す断面図である。図10は、第1の実施の形態における図4に相当する。第1の実施の形態では図4において図示左下に存在していた冷媒出口252が、図10では図示右下に移動している。第2の実施の形態にかかる電力変換装置100Aは、前述のとおり副流路孔302を備えないので、図10では反時計周りの流路のみが存在する。第1の実施の形態では、図示下部の放熱フィン24は時計回りの流路を流れる冷媒により冷却されたが、本実施の形態では全ての放熱フィン24が反時計回りの流路を流れる冷媒により冷却される。
上述した第2の実施の形態によれば、第1の実施の形態に比べて基板30の加工時に副流路孔302の形成が不要なので、工数が減少し生産性が向上する。
―第3の実施の形態―
図11~図12を参照して、電力変換装置の第3の実施の形態を説明する。以下の説明では、第1の実施の形態と同じ構成要素には同じ符号を付して相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第1の実施の形態と同じである。本実施の形態では、主に、コンデンサを複数備える点で、第1の実施の形態と異なる。
図11は、第3の実施の形態における電力変換装置100Bの平面図である。図11は、第1の実施の形態における図1に相当する。電力変換装置100Bは、セラミックコンデンサなどの端子間隔の狭いコンデンサ40を複数搭載する。これらのコンデンサ40は、第1パワーモジュール201及び第2パワーモジュール202に対して並列に形成する。
図12は、電力変換装置100Bの電気回路図である。電力変換装置100Bは、図12に示すように並列に接続されるコンデンサ40を複数備える。
上述した第3の実施の形態によれば、第1の実施の形態における作用効果に加えて次の作用効果が得られる。
(9)電力変換装置100Bの直流経路P1およびP2には、流路形成体25に覆われない位置に複数のコンデンサ40が配される。複数のコンデンサ40のそれぞれは、パワーモジュール20と電気的に並列に接続される。そのため、電流経路を複数確保でき、正極導体層31及び負極導体層32間の磁束打ち消し効果が強まりインダクタンスを低減できる。
上述した各実施の形態および変形例において、機能ブロックの構成は一例に過ぎない。別々の機能ブロックとして示したいくつかの機能構成を一体に構成してもよいし、1つの機能ブロック図で表した構成を2以上の機能に分割してもよい。また各機能ブロックが有する機能の一部を他の機能ブロックが備える構成としてもよい。
上述した各実施の形態および変形例は、それぞれ組み合わせてもよい。上記では、種々の実施の形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。
100、100A、100B…電力変換装置
20…パワーモジュール
201…第1パワーモジュール
202…第2パワーモジュール
23…モールド樹脂
25…流路形成体
30…基板
31…正極導体層
32…負極導体層
33…交流出力端子導体
301…正流路孔
302…副流路孔
303…樹脂充填孔
304…直流側樹脂充填孔
305…交流側樹脂充填孔
40…コンデンサ
50…制御回路
51…制御信号配線
52…流路内基板配線

Claims (9)

  1. 直流電力を交流電力に変換するパワーモジュールと、
    前記パワーモジュールが配され、前記パワーモジュールに直流電力を伝達する直流経路が含まれ、第1面および前記第1面と正対する第2面を有し、前記第1面から前記第2面に貫通する複数の主流路孔を有する基板と、
    前記複数の主流路孔を覆うように前記基板の前記第1面および前記第2面の少なくとも一部を覆い、前記パワーモジュールを冷却する冷媒の流路を形成する流路形成体と、を備え、
    前記複数の主流路孔は、前記直流経路を横切る位置に配され、
    前記冷媒は、前記主流路孔を通過して前記第1面から前記第2面に移動する、電力変換装置。
  2. 請求項1に記載の電力変換装置において、
    前記パワーモジュールは、前記第1面に沿って流れる前記冷媒、および前記第2面に沿って流れる前記冷媒によって冷却される、電力変換装置。
  3. 請求項2に記載の電力変換装置において、
    前記基板は、前記パワーモジュールに交流電力を伝達する交流経路を横切り、前記第1面から前記第2面に貫通する複数の副流路孔をさらに有する、電力変換装置。
  4. 請求項1に記載の電力変換装置において、
    前記基板は、前記パワーモジュールに流入する電流が流れる正極導体層と、前記パワーモジュールから流出する電流が流れる負極導体層とが積層して構成される、電力変換装置。
  5. 請求項1に記載の電力変換装置において、
    前記直流経路には、前記流路形成体に覆われない位置にコンデンサが配され、
    前記コンデンサは、前記パワーモジュールと電気的に並列に接続される、電力変換装置。
  6. 請求項1に記載の電力変換装置において、
    前記パワーモジュールは、上アームを構成する第1パワーモジュールと、下アームを構成する第2パワーモジュールとを含んで構成される、電力変換装置。
  7. 請求項1に記載の電力変換装置において、
    前記パワーモジュールは樹脂により封止され、
    前記流路形成体は前記樹脂の外周を覆い、
    前記基板は、前記樹脂が充填され、前記第1面から前記第2面に貫通する複数の樹脂充填孔をさらに有し、
    前記複数の樹脂充填孔は、前記直流経路を横切る位置に配される、電力変換装置。
  8. 請求項7に記載の電力変換装置において、
    前記樹脂充填孔の直径は、前記主流路孔の直径よりも小さい、電力変換装置。
  9. 請求項1に記載の電力変換装置において、
    前記直流経路には、前記流路形成体に覆われない位置に複数のコンデンサが配され、
    前記複数のコンデンサのそれぞれは、前記パワーモジュールと電気的に並列に接続される、電力変換装置。
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