JP6158869B2 - 蓄電装置 - Google Patents

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Description

本明細書に開示される発明は、蓄電デバイスに関する。
近年、電池材料に炭素やリチウム金属酸化物を用い、キャリアイオンであるリチウムイ
オンが正極と負極の間を移動することによって充放電を行う方式の蓄電デバイスである、
リチウムイオン二次電池、及び、電気化学キャパシタ等の蓄電デバイスの開発が盛んに進
められている（特許文献１、特許文献２、特許文献３参照）。
また前述のリチウムイオン二次電池において、液体の電解液を用いず固体の電解質を用
いる、全固体リチウムイオン二次電池の開発も進められている（特許文献４、特許文献５
、特許文献６、非特許文献１参照）。
特開２００８−２９４３１４号公報 特開２００２−２８９１７４号公報 特開２００７−２９９５８０号公報 特開２００４−１５８２２２号公報 特開２００６−１８５９１３号公報 特開２００７−１３４３０５号公報
畑陽一郎、"厚さ５０μｍの全固体Ｌｉイオン電池、一貫製造装置を開発"［ｏｎｌｉｎｅ］、２００９年１月２１日、ＥＥ Ｔｉｍｅｓ Ｊａｐａｎ、インターネット＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｅｅｔｉｍｅｓ．ｊｐ／ａｒｔｉｃｌｅ／２２６９３＞
全固体蓄電デバイスを作製する場合、ガラス基板やシリコン基板等厚みのある基板上に
作製しなければならない。そのような基板は、基板自体の厚みがあるため、基板上に作製
した蓄電デバイスの厚さも厚くなってしまう。そのため、開示される発明の一様態では、
蓄電デバイスの薄型化を課題の１つとする。
また開示される発明の一様態では、該蓄電デバイスを組み込んだ電気装置を、小型化、
薄型化、軽量化することを課題の１つとする。
ガラス基板やシリコン基板等の厚みのある基板上に蓄電デバイスを作製した後、基板か
ら蓄電デバイスを分離し、分離した蓄電デバイスをフレキシブル基板に貼り合わせること
により、厚さの薄い蓄電デバイスを作製する。
フレキシブル基板上に、正極集電層、及び、前記正極集電層上に形成された正極活物質
層を有する正極、並びに、負極集電層、及び、前記負極集電層上に形成された負極活物質
層を有する負極とを有する蓄電デバイスにおいて、前記基板、正極活物質層、負極活物質
層上に、固体電解質層と、前記正極活物質層、負極活物質層、固体電解質層を覆って、封
止層とを有することを特徴とする。
第１の基板上に、互いに密着性の弱い第１の層及び第２の層を形成し、前記第２の層上
に第１の絶縁層を形成し、前記第１の絶縁層上に、正極集電層及び負極集電層を形成し、
前記正極集電層上に正極活物質層、前記負極集電層上に負極活物質層を形成し、前記正極
集電層及び前記正極活物質層を正極とし、前記負極集電層及び前記負極活物質層を負極と
する。前記第１の絶縁層、前記正極、前記負極上に、固体電解質層を形成し、前記固体電
解質層を覆って、封止層を形成し、前記封止層上に、平坦化膜及び支持体を形成し、前記
第１の層と第２の層を分離することにより、前記第１の基板から、前記第２の層、前記正
極、前記負極、前記固体電解質層、前記封止層、前記平坦化膜、前記支持体を分離する。
前記分離された第２の層、正極、負極、固体電解質層、封止層、平坦化膜、支持体を、第
２のフレキシブル基板に貼り合わせ、前記支持体を前記平坦化膜上から除去することを特
徴とする蓄電デバイスの作製方法に関する。
本明細書に開示された発明により、厚さの薄い蓄電デバイスを作製することができる。
また、このような厚さの薄い蓄電デバイスを組み込んだ電気装置を小型化することが可能
である。
蓄電デバイスの作製工程を示す断面図。 蓄電デバイスの作製工程を示す断面図。 蓄電デバイスの作製工程を示す上面図。
以下、本明細書に開示された発明の実施の態様について、図面を参照して説明する。但
し、本明細書に開示された発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本明細
書に開示された発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に
変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に
限定して解釈されるものではない。なお、以下に示す図面において、同一部分又は同様な
機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
［実施の形態１］
本実施の形態を、図１（Ａ）〜図１（Ｅ）、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）、図３を用いて説
明する。
まず基板１０１上に、互いに密着性の弱い第１の層１０２及び第２の層１０３を形成す
る（図１（Ａ）参照）。
基板１０１には、絶縁表面を有するガラス基板、石英基板、プラスチック基板等を用い
ることができる。その他、金属等の導電性基板や、シリコン等の半導体性基板上に絶縁膜
を形成した基板を用いることもできる。
互いに密着性の弱い第１の層１０２及び第２の層１０３の界面が分離できることで、基
板１０１及び第１の層１０２、並びに、第２の層１０３より上に設けられている積層構造
を分離させることができる。
互いに密着性の弱い第１の層１０２及び第２の層１０３として、例えば金属膜とシリコ
ン酸化膜などが挙げられる。具体的には、第１の層１０２としてタングステン膜を形成し
、第１の層１０２上に、スパッタリング法により酸化珪素膜等の第２の層１０３を形成す
ればよい。
また第１の層１０２及び第２の層１０３として、成膜時にはそれぞれ密着性が低くなく
ても、成膜後に処理を加えることにより密着性が低下する膜の組み合わせを用いてもよい
。例えば、第１の層１０２として非晶質珪素膜、及び、第２の層１０３として酸化珪素膜
を積層し、成膜後に加熱または基板１０１の裏面からレーザビームを照射すると、非晶質
珪素膜が結晶化され、第１の層１０２と第２の層１０３との密着性が低下する。
第２の層１０３上に、絶縁層１１４を形成する。絶縁層１１４上に、正極集電層１０４
及び負極集電層１０６を形成する（図１（Ｂ）参照）。
本実施の形態では、正極集電層１０４及び負極集電層１０６として、それぞれ、白金（
Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）などの金属膜
を、スパッタ法により形成する。
正極集電層１０４上に正極活物質層１０５、負極集電層１０６上に負極活物質層１０７
を形成する（図１（Ｃ）参照）。正極集電層１０４及び正極活物質層１０５を正極１２１
、負極集電層１０６及び負極活物質層１０７を負極１２２と呼ぶこととする。本実施の形
態では、正極活物質層１０５及び負極活物質層１０７として、それぞれ、炭素（Ｃ）をス
パッタ法により形成する。このような炭素（Ｃ）として、例えば黒鉛が挙げられる。
なお、正極活物質層１０５としては、ＬｉＣｏＯ２、ＬｉＮｉＯ２等の化学式ＬｉｘＭ
ｙＯ２（ただし、ＭはＣｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｖ、Ｆｅ、またはＴｉを示し、ｘは０．２以上
２．５以下、ｙは０．８以上１．２５以下の範囲である）で示されるリチウム含有複合酸
化物を用いてもよい。ただし、リチウムイオン二次電池の場合、正極活物質層１０５とし
て上記の化学式ＬｉｘＭｙＯ２で示されるリチウム含有複合酸化物を用いる場合、Ｍは１
つの元素でなく、２つ以上の元素を含んでいていても良い。すなわち、リチウムイオン二
次電池の場合、正極活物質層１０５として、多元系のリチウム含有複合酸化物を用いても
よい。
また、正極活物質層１０５として、層状構造をとる金属化合物（酸化物、硫化物、窒化
物）を用いることが可能である。
正極活物質層１０５として、ＬｉｘＭｙＯ２で示されるリチウム含有複合酸化物、ある
いは、層状構造をとる金属化合物を用いる場合は、本実施の形態の蓄電装置は、二次電池
として機能する。
次いで、蓄電装置としてキャパシタを作製する場合は、正極活物質層１０５として形成
した炭素を、水蒸気賦活、または、アルカリ賦活し、炭素を活性炭にする。
また、蓄電装置としてキャパシタを作製する場合は、負極活物質層１０７上にリチウム
膜１１５を形成し、リチウム膜１１５のリチウムイオンを負極活物質層１０７中にドープ
する。リチウムイオンを負極活物質層１０７中にドープすることにより、あらかじめキャ
リアとなるイオンとなるリチウムイオンを導入しておくことができ、より多くのキャリア
となるイオンを利用することができる。
また、キャリアとなるイオンとしては、リチウムイオンに限定されず、他のアルカリ金
属イオン、あるいはアルカリ土類金属イオンを用いることが可能である。前記他のアルカ
リ金属イオンは、ナトリウム（Ｎａ）イオンを用いることができ、前記アルカリ金属イオ
ンは、マグネシウム（Ｍｇ）イオン、または、カルシウム（Ｃａ）イオンを用いることが
できる。
このようにキャリアとなるイオンとして、他のアルカリ金属イオン、あるいはアルカリ
土類金属イオンを、負極活物質層１０７中に導入するには、リチウムイオンと同様に、そ
れぞれのキャリアとなるイオンに対応する膜を負極活物質層１０７上に形成し、形成した
膜中のイオンを負極活物質層１０７中にドープすればよい。
次いで、正極１２１及び負極１２２の間に固体電解質層１０８を形成する（図１（Ｄ）
参照）。
本実施の形態では、固体電解質層１０８として、リン酸リチウム（Ｌｉ３ＰＯ４）を窒
素雰囲気中でスパッタリングすることで、厚さ１．０μｍ程度のリン酸リチウムオキシナ
イトライド（ＬｉＰＯＮ）を形成する。また、リン酸リチウム以外にも六フッ化リン酸リ
チウム（ＬｉＰＦ６）、ホウフッ化リチウム（ＬｉＢＦ４）などを用いてもよい。
固体電解質層１０８では、固体電解質層１０８はスパッタリングによる成膜時のプラズ
マによって損傷されないようにする必要がある。
固体電解質層１０８は非晶質であっても、結晶性であってもよい。また、固体電解質層
として、ポリマー電解質やゲル電解質を用いてもよい。
正極１２１、負極１２２、固体電解質層１０８を覆って、封止層１０９を形成する（図
１（Ｅ）参照）。封止層１０９は、酸素を含まない材料で形成することが好ましい。また
封止層１０９は、内部に水分や酸素が混入することを防ぐ必要がある。封止層１０９とし
て、例えばポリ尿素樹脂膜を用いればよい。
次いで、封止層１０９上に平坦化膜１１１、平坦化膜１１１上に支持体１１２を設ける
（図２（Ａ）参照）。本実施の形態では、平坦化膜１１１として、エポキシ樹脂等の有機
樹脂、あるいは、繊維体に有機樹脂を含浸させた構造体（「プリプレグ」ともいう）を用
いる。
支持体１１２は、熱可塑性樹脂や光可塑性樹脂を粘着剤として塗布した基板を用いるこ
とができる。また、この支持体１１２自体も柔軟性のあるフレキシブルな基板であったほ
うが、基板から蓄電デバイス等を分離するときに蓄電デバイス等を傷つけることがない。
次いで、正極１２１、負極１２２、固体電解質層１０８、封止層１０９、平坦化膜１１
１、支持体１１２を、基板１０１から分離させる（図２（Ａ）参照）。なおこの分離工程
は、互いに密着性の弱い第１の層１０２と第２の層１０３の界面を分離することにより行
われる。
分離した正極１２１、負極１２２、固体電解質層１０８、封止層１０９、平坦化膜１１
１、支持体１１２を、フレキシブル基板１１３に貼り合わせる。次いで、支持体１１２を
平坦化膜１１１から除去する（図２（Ｃ）参照）。以上の作製工程により、フレキシブル
基板１１３上に蓄電デバイスを作製する。
図３に、フレキシブル基板１１３上の蓄電デバイスの上面図を示す。正極集電層１０４
及び負極集電層１０６は、封止層１０９の外に延在している。正極集電層１０４及び負極
集電層１０６の延在した領域をそれぞれ、外部の端子と電気的に接続すればよい。なお図
３において、Ａ−Ａ’の断面図が図２（Ｃ）である。
以上説明したように、開示された発明の一様態では、厚みのある基板上に蓄電デバイス
を作製した後、該基板から蓄電デバイスを分離する。分離した蓄電デバイスを厚さの薄い
基板に貼り合わせることにより、厚さの薄い蓄電デバイスを作製することができる。
１０１ 基板
１０２ 層
１０３ 層
１０４ 正極集電層
１０５ 正極活物質層
１０６ 負極集電層
１０７ 負極活物質層
１０８ 固体電解質層
１０９ 封止層
１１１ 平坦化膜
１１２ 支持体
１１３ フレキシブル基板
１１４ 絶縁層
１１５ リチウム膜
１２１ 正極
１２２ 負極

Claims (4)

  1. フレキシブル基板と、
    前記フレキシブル基板上の酸化珪素を含む層と、
    前記酸化珪素を含む層上の絶縁層と、
    前記絶縁層上面に接して設けられた正極と、
    前記絶縁層上面に接して設けられた負極と、
    前記絶縁層上、前記正極上、及び前記負極上の固体電解質層と、
    前記固体電解質層上の封止層と、
    前記封止層上の平坦化膜と、を有し、
    前記正極は、正極集電層と、正極活物質層と、を有し、
    前記負極は、負極集電層と、負極活物質層と、を有し、
    前記固体電解質層は、前記正極の上面及び側面に接する第１の領域と、前記負極の上面及び側面に接する第２の領域と、前記正極と前記負極との間において前記絶縁層の上面に接する第３の領域と、を有し、
    前記封止層は、前記正極、前記負極、及び前記固体電解質層を取り囲むように設けられ、且つ前記固体電解質層の上面及び側面に接する第４の領域と、前記絶縁層の上面に接する第５の領域と、を有し、
    前記平坦化膜は、前記第４の領域及び前記第５の領域にわたって設けられていることを特徴とする蓄電装置。
  2. 請求項１において、
    前記正極集電層は、白金、チタン、アルミニウム、銅、又は金を有することを特徴とする蓄電装置。
  3. 請求項１又は２において、
    前記負極集電層は、白金、チタン、アルミニウム、銅、又は金を有することを特徴とする蓄電装置。
  4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
    前記平坦化膜は、繊維体に有機樹脂を含浸させた構造を有することを特徴とする蓄電装置。
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010245031A (ja) 2009-03-20 2010-10-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 蓄電デバイス及びその作製方法
KR101837103B1 (ko) * 2009-09-30 2018-03-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전기화학 커패시터
KR20120075946A (ko) * 2010-12-29 2012-07-09 서울반도체 주식회사 전원공급소자 통합형 웨이퍼를 갖는 발광모듈
FR2983356B1 (fr) * 2011-11-24 2014-01-24 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une batterie tout solide
KR101883005B1 (ko) * 2012-01-10 2018-07-27 삼성전기주식회사 전극, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 슈퍼 캐패시터
US20130224551A1 (en) * 2012-02-29 2013-08-29 Nokia Corporation Apparatus and Associated Methods
US9070950B2 (en) * 2012-03-26 2015-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage element, manufacturing method thereof, and power storage device
US9646771B2 (en) 2012-03-26 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage element including positive electrode and negative electrode in the same plane over substrate and power storage device
JP5978718B2 (ja) 2012-03-30 2016-08-24 三菱マテリアル株式会社 温度調節機能付き電池
WO2014011722A2 (en) * 2012-07-11 2014-01-16 Jme, Inc. Conductive material with charge-storage material in voids
KR20230137493A (ko) 2013-04-19 2023-10-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 이차 전지 및 그 제작 방법
KR102264578B1 (ko) 2013-07-16 2021-06-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기
TWI723271B (zh) 2013-09-18 2021-04-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置、顯示裝置的驅動方法、程式以及儲存介質
US9818325B2 (en) 2013-11-01 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processor and method for displaying data thereby
US20150138699A1 (en) 2013-11-15 2015-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
JP6851131B2 (ja) 2013-12-04 2021-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 可撓性を有する二次電池
CN106104410B (zh) 2014-03-13 2020-02-14 株式会社半导体能源研究所 电子设备
WO2015173686A1 (en) 2014-05-16 2015-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device with secondary battery
CN106463777B (zh) 2014-05-16 2019-06-14 株式会社半导体能源研究所 具有二次电池的电子设备
JP6699994B2 (ja) 2014-05-23 2020-05-27 株式会社半導体エネルギー研究所 二次電池
JP2016057617A (ja) 2014-09-05 2016-04-21 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
US10185363B2 (en) 2014-11-28 2019-01-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US11108105B2 (en) 2015-01-22 2021-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Secondary battery and electronic device
US10263224B2 (en) 2015-04-23 2019-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage device and electronic device
FR3038128B1 (fr) * 2015-06-26 2018-09-07 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'un dispositif electronique
CN105551827B (zh) * 2016-02-29 2018-03-16 西南大学 结合丝网印刷的层层组装柔性全固态超级电容器的制备方法
KR102283684B1 (ko) 2017-07-31 2021-08-02 주식회사 엘지에너지솔루션 이차전지용 음극의 제조방법 및 이차전지용 음극
GB2571759B (en) * 2018-03-08 2021-08-04 Power Roll Ltd Energy storage device
CN109193017B (zh) 2018-08-27 2020-04-14 京东方科技集团股份有限公司 电池
JP7478986B2 (ja) * 2018-12-28 2024-05-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 電池及び電池の製造方法
KR20220028942A (ko) 2020-08-31 2022-03-08 삼성에스디아이 주식회사 전고체 이차전지용 황화물계 고체 전해질, 그 제조방법 및 이를 포함하는 전고체 이차전지

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3425318A1 (de) * 1984-07-10 1986-01-16 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Verzweigte, thermoplastisch verarbeitbare, schlagzaehe polyamide
JPH0384041A (ja) * 1989-08-29 1991-04-09 Dainippon Ink & Chem Inc プリプレグおよび積層板の製法
US5650243A (en) * 1996-01-16 1997-07-22 Ferment; George R. Battery packaging construction using flexible plastic barrier structures
JP3116857B2 (ja) * 1997-04-04 2000-12-11 日本電気株式会社 半導体基板搭載型二次電池
JP4273545B2 (ja) 1998-07-31 2009-06-03 パナソニック株式会社 基板実装用電池の取り付け装置
US6376109B1 (en) * 1997-12-22 2002-04-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and device for mounting cell
JP4189457B2 (ja) 1998-09-09 2008-12-03 勉 小槻 リチウムイオン二次電池
JP2000251852A (ja) 1999-02-25 2000-09-14 Mitsubishi Chemicals Corp 非水系二次電池及びその製造方法
US7235330B1 (en) * 1999-10-22 2007-06-26 Sanyo Electric Co., Ltd. Electrode for use in lithium battery and rechargeable lithium battery
JP3531866B2 (ja) 2000-07-28 2004-05-31 独立行政法人 科学技術振興機構 薄膜固体リチウムイオン二次電池
JP4099637B2 (ja) 2001-01-17 2008-06-11 日清紡績株式会社 分極性電極組成物及びその製造方法、分極性電極、並びに電気二重層キャパシタ
US20020122985A1 (en) * 2001-01-17 2002-09-05 Takaya Sato Battery active material powder mixture, electrode composition for batteries, secondary cell electrode, secondary cell, carbonaceous material powder mixture for electrical double-layer capacitors, polarizable electrode composition, polarizable electrode, and electrical double-layer capacitor
JP2002231221A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Mitsubishi Heavy Ind Ltd リチウム二次電池用電極又はセパレータ及びこれらの製造方法並びにこれらを用いたリチウム二次電池
US6887623B2 (en) * 2001-04-09 2005-05-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Electrode for rechargeable lithium battery and rechargeable lithium battery
TW564471B (en) * 2001-07-16 2003-12-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP4027740B2 (ja) * 2001-07-16 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6989982B2 (en) * 2002-06-18 2006-01-24 Tdk Corporation Solid electrolytic capacitor, circuit board having built-in solid electrolytic capacitor and methods for manufacturing them
US6994933B1 (en) * 2002-09-16 2006-02-07 Oak Ridge Micro-Energy, Inc. Long life thin film battery and method therefor
JP2004158222A (ja) 2002-11-01 2004-06-03 Mamoru Baba 多層積層電池
US20040096745A1 (en) * 2002-11-12 2004-05-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lithium ion conductor and all-solid lithium ion rechargeable battery
JP2004183078A (ja) 2002-12-05 2004-07-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層薄膜とその製造方法ならびにそれを用いた全固体リチウムイオン二次電池
JP2005025978A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Sanyo Electric Co Ltd リチウム二次電池用電極及びリチウム二次電池
WO2005004567A1 (ja) 2003-07-04 2005-01-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. 部品内蔵基板の製造方法
JP2005093239A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Sony Corp 電池
KR100570677B1 (ko) * 2003-09-26 2006-04-12 삼성에스디아이 주식회사 리튬 이차 전지
JP2005108638A (ja) 2003-09-30 2005-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd リチウムイオン導電体
JP5135664B2 (ja) * 2003-12-05 2013-02-06 日産自動車株式会社 非水電解質リチウムイオン電池用正極材料およびこれを用いた電池
JP2005340078A (ja) 2004-05-28 2005-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd リチウムイオン二次電池用活物質、その製造方法およびリチウムイオン二次電池
JP4901189B2 (ja) 2004-11-19 2012-03-21 株式会社フコク 蓄電性ゴム及びそれを用いたリチウム電池
JP2006156284A (ja) 2004-12-01 2006-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd リチウムイオン導電体およびそれを用いた二次電池
JP5197918B2 (ja) 2004-12-02 2013-05-15 株式会社オハラ 全固体リチウムイオン二次電池および固体電解質
WO2006059794A2 (en) * 2004-12-02 2006-06-08 Kabushiki Kaisha Ohara All solid lithium ion secondary battery and a solid electrolyte therefor
DE202005001163U1 (de) * 2005-01-24 2005-03-31 Juma Leiterplattentechologie M Leiterplatte oder Platine mit Heizdraht
JP5181413B2 (ja) * 2005-09-13 2013-04-10 日立電線株式会社 電気化学装置用電極、固体電解質／電極接合体及びその製造方法
US9580320B2 (en) * 2005-10-13 2017-02-28 Ohara Inc. Lithium ion conductive solid electrolyte and method for manufacturing the same
JP2007134305A (ja) 2005-10-13 2007-05-31 Ohara Inc リチウムイオン伝導性固体電解質およびその製造方法
JP4873925B2 (ja) 2005-10-28 2012-02-08 株式会社オハラ リチウムイオン二次電池およびその製造方法
JP2007220377A (ja) 2006-02-15 2007-08-30 Ohara Inc 固体電解質及び固体電解質の製造方法
JP5151188B2 (ja) 2006-03-09 2013-02-27 パナソニック株式会社 転写用フィルム、およびそれを用いて形成された電気化学素子用の極板ならびにリチウム二次電池
US20070231704A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-04 Ohara Inc. Lithium ion conductive solid electrolyte and production process thereof
JP2007299580A (ja) 2006-04-28 2007-11-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 非水電解質角型二次電池
JP5286516B2 (ja) 2006-06-05 2013-09-11 国立大学法人三重大学 全固体リチウム電池用正極材
CA2658092A1 (en) * 2006-07-18 2008-01-24 Cymbet Corporation Method and apparatus for solid-state microbattery photolithographic manufacture, singulation and passivation
JP2008171599A (ja) * 2007-01-09 2008-07-24 Sumitomo Electric Ind Ltd リチウム電池
JP5122154B2 (ja) 2007-02-13 2013-01-16 ナミックス株式会社 全固体二次電池
JP5211526B2 (ja) * 2007-03-29 2013-06-12 Ｔｄｋ株式会社 全固体リチウムイオン二次電池及びその製造方法
JP5211527B2 (ja) * 2007-03-29 2013-06-12 Ｔｄｋ株式会社 全固体リチウムイオン二次電池及びその製造方法
JP2008294314A (ja) 2007-05-28 2008-12-04 Sanyo Electric Co Ltd キャパシタ
JP5829024B2 (ja) * 2008-02-25 2015-12-09 アライアンス フォー サステイナブル エナジー リミテッド ライアビリティ カンパニー 可撓性固体薄膜リチウムイオン電池
JP2009301727A (ja) 2008-06-10 2009-12-24 Kazu Tomoyose リチウム電池の製法
JP2010245031A (ja) * 2009-03-20 2010-10-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 蓄電デバイス及びその作製方法

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