JP6134652B2 - ハイブリッドピッチ分割パターン分割リソグラフィプロセス - Google Patents
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Claims (17)
- 集積回路を形成するプロセスであって、
基板の上に誘電体層を形成するステップと、
前記誘電体層に或るピッチ距離を有する複数の平行ルートトラックを画定するステップと、
前記複数の平行ルートトラックの第1のルートトラックに位置する第1のリードパターンを含む、第1の相互接続パターンを前記複数の平行ルートトラックに形成するステップと、
前記第1のルートトラックに直接隣接する前記複数の平行ルートトラックの第2のルートトラックに位置する第2のリードパターンを含む、第2の相互接続パターンを前記複数の平行ルートトラックに形成するステップと、
前記第1のルートトラックに位置する第3のリードパターンを含む、第3の相互接続パターンを前記複数の平行ルートトラックに形成するステップであって、前記第3のリードパターンが、前記第1のリードパターンと前記第2のリードパターンとの間のスペースの1と1/2倍未満の距離だけ第1のルートトラックの前記第1のリードパターンから離れている、前記ステップと、
前記第1の相互接続パターンと前記第2の相互接続パターンと前記第3の相互接続パターンとにより画定されるように前記誘電体層に金属相互接続ラインを形成するステップと、
を含み、
前記第1の相互接続パターンと前記第2の相互接続パターンと前記第3の相互接続パターンとが、前記複数の平行ルートトラックの1つおきのルートトラックにおいてパターンを分解することができ、前記複数の平行ルートトラックの直接隣接するルートトラックにおいてパターンを分解することができない、ダイポール照明源を有する3つの別個のフォトリソグラフィプロセスを用いて形成される、プロセス。 - 請求項1に記載のプロセスであって、
前記ダイポール照明源が193ナノメートルの放射を提供し、前記複数の平行ルートトラックの前記ピッチ距離が40〜42ナノメートルである、プロセス。 - 請求項1に記載のプロセスであって、
前記第1のリードパターンが、前記第3のリードパターンから前記距離である、前記第1のルートトラックのポイントで終端する、プロセス。 - 請求項1に記載のプロセスであって、
前記第1のリードパターンが、前記第3のリードパターンから前記距離である、前記第1のルートトラックのポイントで分岐してクロスオーバー部を形成する、プロセス。 - 請求項4に記載のプロセスであって、
前記クロスオーバー部が前記第1のルートトラックから前記第2のルートトラックの反対側の第3のルートトラックまで延びる、プロセス。 - 請求項4に記載のプロセスであって、
前記クロスオーバー部の前記第1のルートトラックに平行な最小幅が前記ピッチ距離をより大きい、プロセス。 - 請求項4に記載のプロセスであって、
前記クロスオーバー部の前記第1のルートトラックに平行な最小幅が前記ピッチ距離の2/3未満である、プロセス。 - 集積回路を形成するプロセスであって、
基板の上に誘電体層を形成するステップと、
前記誘電体層に第1のルートトラックと第2のルートトラックと第3のルートトラックとを含む複数の平行ルートトラックを画定するステップであって、前記第2のルートトラックが前記第1のルートトラックと前記第3のルートトラックとに直接隣接し、前記複数の平行ルートトラックが或るピッチ距離を有する、前記ステップと、
第1のリードパターンを含む複数の第1の露光エリアを生成する第1の相互接続パターンを形成するステップであって、前記第1のリードパターンが前記第2のルートトラックの第1の部分に位置する、前記ステップと、
前記複数の第1の露光エリアに複数の第1の相互接続トレンチを形成するように第1のトレンチエッチプロセスを実行するステップと、
第2のリードパターンを含む複数の第2の露光エリアを生成する第2の相互接続パターンを形成するステップであって、前記第2のリードパターンが、前記第1のルートトラックの前記第1の部分に隣接する前記第3のルートトラックの第1の部分に位置する、前記ステップと、
前記複数の第2の露光エリアに複数の第2の相互接続トレンチを形成するように第2のトレンチエッチプロセスを実行するステップと、
前記第2のルートトラックに位置する第3のリードパターンを含む複数の第3の露光エリアを生成する第3の相互接続パターンを形成するステップであって、前記第3のリードパターンが、前記第1のリードパターンと前記第2のリードパターンとの間のスペースの1と1/2倍未満の距離だけ前記第1のリードパターンから離れている、前記ステップと、
前記複数の第3の露光エリアに複数の第3の相互接続トレンチを形成するように第3のトレンチエッチプロセスを実行するステップと、
前記第1の相互接続トレンチと前記第2の相互接続トレンチと前記第3の相互接続トレンチとに金属相互接続ラインを形成するステップと、
を含み、
前記第1の相互接続パターンと前記第2の相互接続パターンと前記第3の相互接続パターンとが、前記複数の平行ルートトラックの1つおきのルートトラックにおいてパターンを分解することができ、前記複数の平行ルートトラックの直接隣接するルートトラックjにおいてパターンを分解することができない、ダイポール照明源を有する3つの別個のフォトリソグラフィプロセスを用いて形成される、プロセス。 - 請求項8に記載のプロセスであって、
前記第1のルートトラックの隣接する第1の部分に第1の露光領域が形成されない、プロセス。 - 請求項9に記載のプロセスであって、
前記複数の第2の露光エリアが、前記第1のルートトラックの前記隣接する第1の部分に位置する第4のリードパターンを含む、プロセス。 - 請求項8に記載のプロセスであって、
前記第1のリードパターンが第1のポイントで終端する、プロセス。 - 請求項8に記載のプロセスであって、
前記第1のリードパターンが第1のポイントで分岐する、プロセス。 - 請求項12に記載のプロセスであって、
前記第1のリードパターンが分岐してクロスオーバー部を形成する、プロセス。 - 請求項8に記載のプロセスであって、
前記ダイポール照明源が193ナノメートルの放射を提供し、前記ピッチ距離が40〜42ナノメートルである、プロセス。 - 集積回路を形成するプロセスであって、
基板の上に誘電体層を形成するステップと、
前記誘電体層に或るピッチ距離を有する複数の平行ルートトラックを画定するステップと、
前記複数の平行ルートトラックに複数の第1の露光エリアを生成する第1の相互接続パターンを形成するステップであって、前記第1の露光エリアの各々が、前記ピッチ距離より大きい距離だけ前記複数の第1の露光エリアの全ての他の露光エリアから物理的に離れている、前記ステップと、
前記複数の第1の露光エリアに第1の複数のトレンチを形成するように第1のトレンチエッチプロセスを実行するステップと、
前記複数の平行ルートトラックに複数の第2の露光エリアを生成する第2の相互接続パターンを形成するステップであって、前記第2の露光エリアの各々が前記ピッチ距離より大きい距離だけ前記複数の第2の露光エリアの全ての他の露光エリアから物理的に離れている、前記ステップと、
前記複数の第2の露光エリアに第2の複数のトレンチを形成するように第2のトレンチエッチプロセスを実行するステップと、
前記複数の平行ルートトラックに複数の第3の露光エリアを生成する第3の相互接続パターンを形成するステップであって、前記複数の第3の露光エリアのサブセットの各々が、前記平行ルートトラックにおける隣接する相互接続パターンの間のスペースの1と1/2倍未満の横方向距離だけ対応する第1の露光エリアから離れ、前記第3の露光エリアの各々が、前記ピッチ距離より大きい距離だけ前記複数の第3の露光エリアの他の全ての露光エリアから物理的に離れている、前記ステップと、
前記複数の第3の露光エリアに第3の複数のトレンチを形成するように第3のトレンチエッチプロセスを実行するステップと、
前記第1の複数の相互接続トレンチと前記第2の複数の相互接続トレンチと前記第3の複数の相互接続トレンチとに金属相互接続ラインを形成するステップと、
を含み、
前記第1の相互接続パターンと前記第2の相互接続パターンと前記第3の相互接続パターンとが、前記複数の平行ルートトラックの1つおきのルートトラックにおいてパターンを分解することができ、前記複数の平行ルートトラックの直接隣接するルートトラックにおいてパターンを分解することができない、ダイポール照明源を有する3つの別個のフォトリソグラフィプロセスを用いて形成される、プロセス。 - 請求項15に記載のプロセスであって、
前記複数の第2の露光エリアのサブセットが、対応する第1の露光領域に直接隣接する前記複数の平行ルートトラックの1つのルートトラックにそれぞれ位置する、プロセス。 - 請求項15に記載のプロセスであって、
前記照明源が193ナノメートルの放射を提供し、前記平行ルートトラックの前記ピッチ距離が40〜42ナノメートルである、プロセス。
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