JP6133985B2 - フレキシブル基板処理装置 - Google Patents

フレキシブル基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6133985B2
JP6133985B2 JP2015523367A JP2015523367A JP6133985B2 JP 6133985 B2 JP6133985 B2 JP 6133985B2 JP 2015523367 A JP2015523367 A JP 2015523367A JP 2015523367 A JP2015523367 A JP 2015523367A JP 6133985 B2 JP6133985 B2 JP 6133985B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flexible substrate
tank
liquid
radius
substrate processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2015523367A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015531165A (ja
Inventor
▲偉▼峰 周
▲偉▼峰 周
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Publication of JP2015531165A publication Critical patent/JP2015531165A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6133985B2 publication Critical patent/JP6133985B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/041Cleaning travelling work
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23GCLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G3/00Apparatus for cleaning or pickling metallic material
    • C23G3/02Apparatus for cleaning or pickling metallic material for cleaning wires, strips, filaments continuously
    • C23G3/021Apparatus for cleaning or pickling metallic material for cleaning wires, strips, filaments continuously by dipping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0393Flexible materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Infusion, Injection, And Reservoir Apparatuses (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

本発明は、フレキシブル基板処理装置に関する。
フレキシブルディスプレー製品の不断の開発に伴って、ロールツーロール(Roll to Roll)プロセスは、その低コスト及び高効率生産の特性でだんだん現在の非フレキシブルディスプレー製品の製造に使われる一枚ずつの生産模式の替わりに、未来のディスプレー製品生産の主流になっている。
図1は、従来の技術で使われるロールツーロールエッチング装置の概略図であり、エッチング液11を収容するエッチング槽12と、主動ローラ13と従動ローラ14を含み、エッチング槽の上方にある巻きローラと、エッチング液11の中にある位置決めローラ15と、を備え、フレキシブル基板16は、その運動方向に沿って順次に従動ローラ14、位置決めローラ15および主動ローラ13を通る。
図1に示す装置の稼動時、フレキシブル基板16に対してロールツーロールエッチングプロセスを行い、主動ローラ13が回転してフレキシブル基板16を連れて動かせ、エッチング液11の中の位置決めローラ15を介してフレキシブル基板16を従動ローラ14から主動ローラ13まで引いて、フレキシブル基板16は、エッチング液11の中に浸る間にエッチングされる。
前記従来のロールツーロールエッチングプロセスにおいて、主動ローラ13と従動ローラ14との直径がフレキシブル基板16の巻き層の数の変化につれて変化するため、等速で回転する主動ローラ13と従動ローラ14の上のフレキシブル基板16の移動線速度が変化し続ける。このため、フレキシブル基板16のエッチング時間が、主動ローラ13と従動ローラ14との直径の変化につれて変化し、さらにフレキシブル基板の上のデバイスの寸法が不均一になってしまい、フレキシブルディスプレー製品の品質を影響する。
本発明は、フレキシブル基板処理装置を提供し、従来のロールツーロールエッチング装置のフレキシブル基板処理時における処理時間が巻きローラの直径の変化のつれて変化する問題を解決する。
本発明で提供するフレキシブル基板処理装置は、処理液を収容する少なくとも一つの槽と、主動ローラと従動ローラとを含み、前記処理液の上方にある巻きローラと、前記槽毎の処理液の中にある位置決めローラと、前記少なくとも一つの巻きローラの半径または直径を検出するように構成された検出ユニットと、前記処理液を排出する移動排液口および排液口位置制御機構を含み、前記槽毎の側壁の上に固定された移動排液部品と、を備え、その中で、前記位置制御機構は、前記検出ユニットの検出結果に基づいて、対応する前記移動排液口を前記槽の底壁に対して垂直する方向で移動させるように制御して構成される。
本発明で提供するフレキシブル基板処理装置において、検出ユニットが巻きローラの半径又は直径の変化を検出した後、排液口位置制御機構および補液部品に通知して、移動排液口位置を高位置へ調整して処理液を補足したり、或は、一部の処理液を排出するように移動排液口位置を低位置へ調整したりするため、処理液の液面の昇降によって、処理液に浸るフレキシブル基板の長さを一定の比例で巻きローラの半径又は直径の変化につれて変化させることができ、これによって、フレキシブル基板が処理液の中で処理される時間を一定に保持し、さらに、フレキシブル基板の上のデバイス寸法の均一性を確保し、フレキシブルディスプレー製品の品質が向上できる。
本発明の実施形態の技術案をより明確に説明するために、以下、実施形態の図面に対して簡単に説明する。明らかに、以下の記載中の図面は、ただ本発明の部分的実施形態に係わり、本発明に対する制限ではない。
図1は従来の技術で使われるロールツーロールエッチング装置の概略図である。 図2は本発明の実施形態で提供する単槽を備えるフレキシブル基板処理装置の概略図である。 図3は本発明の実施形態で提供する双槽を備えるフレキシブル基板処理装置の概略図である。 図4は本発明の実施形態で提供する排液口位置制御機構の概略図である。
本発明の実施形態の目的、技術案及びメリットをより明確に説明するために、以下、本発明の実施形態の図面を参照しながら、本発明の実施形態の技術案を明確、且つ、完全に説明する。明らかに、記載される実施形態は、本発明の部分的実施形態であり、すべての実施形態ではない。記載される本発明の実施形態に基づいて、当業者が創造的な労働なく得られるすべての他の実施形態も全部本発明の保護範囲内に含まれる。
本発明の実施形態で提供するフレキシブル基板処理装置は、図2に示すように(図2は、ただ一つの槽を有する場合を示す)、処理液21を収容する少なくとも一つの槽22と、主動ローラ23と従動ローラ24とを含み、前記処理液21の上方にある巻きローラと、前記処理液21毎の中にある位置決めローラ25と、前記少なくとも一つの巻きローラの半径または直径を検出するための検出ユニット26と、前記処理液21を排出する移動排液口271および排液口位置制御機構272を含み、前記槽22毎の側壁上に固定された移動排液部品27と、を備え、その中で、移動排液口271は前記槽22の底壁に対して垂直する方向Xで移動でき、前記位置制御機構272は、前記検出ユニット26の検出結果に基づいて、対応する前期移動排液口271を前記槽22の底壁に対して垂直する方向Xで移動するように制御するため用いられる。例えば、高位置H、低位置Lまで移動し、或は、前記高位置Hと前記低位置Lとの間の中間位置まで移動する。図2における移動排液口271が低位置Lにある。
また、当該フレキシブル基板処理装置は、図2に示すように、前記槽22内へ処理液21を注入する補液部品28を含んでもよい。
図2に示すフレキシブル基板処理装置の稼動時、フレキシブル基板29に対して処理を行い、主動ローラ23が回転してフレキシブル基板29を連れて動かせ、処理液21の中の位置決めローラ25を介してフレキシブル基板29を従動ローラ24から主動ローラ23まで引いて、フレキシブル基板29は、エッチング液21の中に浸る間に処理される。
検出ユニット26は、図2に示すように主動ローラ23の半径方向に沿って設けられ、主動ローラ23の半径又は直径を検出するため用いられる。主動ローラ23の半径又は直径は巻かれたフレキシブル基板29の量につれて変化し、検出ユニット26が半径又は直径の変化を検出した後、排液口位置制御機構272および補液部品28に通知して、当該排液口位置制御機構272が検出ユニット26の検出結果の基づいて、槽22の底壁に対して垂直する方向Xで移動するように移動排液口271を制御して、移動排液口271が槽22の底壁に対して垂直する方向Xでの高位置H、低位置L及び高位置Hと低位置Lとの間の中間位置にあるようにされる。補液部品28は、槽22へ処理液を補足することができる。
公式v=w*r(その中で、vは線速度、wは角速度、rは半径である)からわかるように、主動ローラ23が等速で回転する時、角速度wが固定値であるので、線速度vは、主動ローラ23の半径が増加する場合、その上に巻かれたフレキシブル基板29の転送速度が増加するように、半径rに正比例することで、従来の技術を採用すると、フレキシブル基板29の処理液の中での処理時間が減少してしまう。
しかし、本発明の実施形態では、この時排液口位置制御機構272によって移動排液口271を高位置Hへ調整して、且つ、補液部品28によって槽22へ処理液を補充しており、移動排液口が、処理液が移動排液口から流れ出さないような位置に調整される。従って、この間で処理液の液面高度が増加される。
槽22の中の処理液の量が増加することによって、処理液に浸るフレキシブル基板29の長さが増加されるので、公式s=v*t(sは変移、vは線速度、tは時間である)によると、処理液に浸るフレキシブル基板29の長さがフレキシブル基板29の転送速度により除算された数値が固定値である場合、フレキシブル基板29が処理液の中で処理される時間が一定に保持でき、フレキシブル基板29の転送速度の変化につれて変化しないようになる。
主動ローラ23の半径が減少する時、その上に巻かれたフレキシブル基板29の転送速度が減少し、従来の技術を採用すると、フレキシブル基板29の処理液の中での処理時間が増加してしまう。
しかし、本発明の実施形態では、この時排液口位置制御機構272によって移動排液口271を低位置Lへ調整して、槽22の中の処理液が排出されるようにする。この間で、処理液の液面高度は低減する。
槽22の中の処理液の量が減少することによって、処理液に浸るフレキシブル基板29の長さが減少されるので、公式s=v*tによると、処理液に浸るフレキシブル基板29の長さがフレキシブル基板29の転送速度により除算された数値が固定値である場合、フレキシブル基板29が処理液の中で処理される時間が一定に保持でき、フレキシブル基板29の転送速度の変化につれて変化しないようになる。
一つの実施形態では、検出ユニット26は、主動ローラ23の半径又は直径を検出するように構成され、主動ローラ23の半径又は直径の減少を検出した場合、排液口位置制御機構272が処理液21の液面高度を低減させるために移動排液口271を下方に向かって移動させるように制御する。そして、主動ローラ23の半径又は直径の増加を検出した場合、排液口位置制御機構272が移動排液口271を上方に向かって移動させるように制御し、且つ、補液部品28が槽内へ処理液を注入して処理液の液面高度を増加させる。
一つの実施形態では、排液口位置制御機構272は、移動排液口271の高度を制御するように構成され、フレキシブル基板の処理液に浸る部分の前記フレキシブル基板の転送方向に沿う長さが、主動ローラ23の半径又は直径に正比例する。
本発明で提供するフレキシブル基板処理装置において、検出ユニットが巻きローラの半径又は直径の変化を検出した後、排液口位置制御機構および補液部品に通知して、移動排液口位置を高位置へ調整して処理液を補足したり、又は、一部の処理液を排出するように移動排液口位置を低位置へ調整したりするため、処理液の液面の昇降によって、処理液に浸るフレキシブル基板の長さを一定の比例で巻きローラの半径又は直径の変化につれて変化させることができ、これによって、フレキシブル基板が処理液の中で処理される時間を一定に保持し、さらに、フレキシブル基板の上のデバイス寸法の均一性を確保し、フレキシブルディスプレー製品の品質が向上できる。
前記実施形態では、フレキシブル基板処理装置は、さらに前記検出ユニット26の検出結果を前記排液口位置制御機構272へ転送するためのコントロールユニット(図2では示されていない)を備えてもよい。
図2で示すフレキシブル基板処理装置において、検出ユニット26は、主動ローラ23に近づいて設置され、主動ローラ23の半径に対する測量を行う。また、検出ユニットは、従動ローラの半径に対する測量を行うように従動ローラに近づいて設置されてもよく、従動ローラの半径に基づいて排液口位置制御機構および補液部品を制御し、その制御方式は前記記載と同じなので、ここでその説明を省略する。
当該フレキシブル基板処理装置が複数の槽(槽31’および槽31”)を有する場合、図3に示すように、検出ユニットは二つ(32’および32”)であってもよく、それぞれ主動ローラ33の半径および従動ローラ34の半径を検出するために、それぞれ主動ローラ33および従動ローラ34に近づいて設置される。二つの検出ユニット(32’および32”)が発生する検出信号は、異なる槽(槽31’と槽31”)内の処理液(35’および35”)の液面高度をそれぞれ制御する。例えば、検出ユニット32’が主動ローラ33の半径の変化を検出した場合、槽31’に対応する排液口位置制御機構36’および補液部品37’に通知して、槽31’内の処理液35’の液面高度に対する調整を行い、検出ユニット32”が従動ローラ34の半径の変化を検出した場合、槽31”に対応する排液口位置制御機構36”および補液部品37”に通知して、槽31”内の処理液35”の液面高度に対する調整を行う。勿論、検出ユニット32’が発生する信号は、槽31”内の処理液35”の液面高度を制御してもよい。そして、検出ユニット32”が発生する信号は、槽31’内の処理液35’の液面高度を制御してもよい。
図3において、槽31’の移動排液口38’は高位置Hに位置し、槽31” の移動排液口38”は低位置Lに位置しているが、実際の応用において、移動排液口の位置は図3に限らない。位置制限ローラDは、隣接した二つの槽(31’および31”)の間で転送されるフレキシブル基板39の位置を制限するものである。
前記処理液は、エッチング液、洗浄液、又は剥離液でもよく、それぞれフレキシブル基板に対してエッチング、洗浄、又は剥離処理を行う。
前記排液口位置制御機構は、図4に示すようにステッピングモータ41およびネジ42を含み、移動排液口43がネジ42の上で上下に移動するように、ステッピングモータ41がネジ42を駆動する。勿論、排液口位置制御機構は、移動排液口と組み合わせる時、移動排液口が槽の底壁に対して垂直する方向で移動できれば、当業者が知っている他の機械機構であってもよい。
また、前記フレキシブル基板処理装置において、補液部品は当業者が知っているいかなる形態の処理液を提供できる構造であればよく、図2、図3に示す形態に限らない。当該補液部品は、その一部が対応する槽の内に位置し、別の一部が対応する槽の外に位置してもよく、或は、補液部品の全体がすべて対応する槽の外に位置してもよい。
前記検出ユニットは、距離センサーでもよく、或は、巻きローラの半径または直径を得ることができる当業者が知っている他の装置でもよい。また、検出ユニットと位置制御機構との通信手段は、この分野におけるいかなる適当な通信手段を使ってもよく、本発明の実施形態によって詳しく制限されないので、ここでその説明を省略する。
以上で記載されたのは、ただ本発明の例としての実施形態に過ぎないし、本発明の保護範囲を制限するものではない。本発明の保護範囲は特許請求の範囲によって決められる。
21 処理液
22 槽
23 主動ローラ
24 従動ローラ
25 位置決めローラ
26 検出ユニット
27 移動排液部品
271 移動排液口
272 排液口位置制御機構

Claims (10)

  1. 処理液を収容する少なくとも一つの槽と、
    主動ローラと従動ローラとを含み、前記処理液の上方にある巻きローラと、
    前記槽毎の処理液の中にある位置決めローラと、
    前記少なくとも一つの巻きローラの半径または直径を検出するように構成された検出ユニットと、
    前記処理液を排出する移動排液口および排液口位置制御機構を含み、前記槽毎の側壁に固定された移動排液部品と、を備え、
    前記排液口位置制御機構は、前記検出ユニットの検出結果に基づいて、対応する前記移動排液口を前記槽の底壁に対して垂直する方向で移動させるように制御して構成されており、
    前記槽内へ処理液を注入する補液部品をさらに含み、
    前記検出ユニットは、前記主動ローラの半径又は直径を検出するように構成され、前記主動ローラの半径又は直径の減少を検出した場合、前記排液口位置制御機構が前記処理液の液面高度を低減させるように前記移動排液口を下方に向かって移動させるように制御し、前記主動ローラの半径又は直径の増加を検出した場合、前記排液口位置制御機構が前記移動排液口を上方に向かって移動させるように制御し、且つ、前記補液部品が槽内へ前記処理液を注入して前記処理液の液面高度を増加させることを特徴とするフレキシブル基板処理装置。
  2. 前記処理液が、エッチング液、洗浄液、又は剥離液であることを特徴とする請求項に記載のフレキシブル基板処理装置。
  3. 前記排液口位置制御機構が、ステッピングモータおよびネジを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のフレキシブル基板処理装置。
  4. 前記補液部品は、その一部が対応する前記槽の内に位置し、別の一部が対応する前記槽の外に位置することを特徴とする請求項に記載のフレキシブル基板処理装置。
  5. 前記検出ユニットが、距離センサーであることを特徴とする請求項1から請求項のいずれか一項に記載のフレキシブル基板処理装置。
  6. 前記検出ユニットの検出結果を前記排液口位置制御機構へ転送するように構成されたコントロールユニットをさらに備えることを特徴とする請求項1から請求項のいずれか一項に記載のフレキシブル基板処理装置。
  7. 前記検出ユニットは二つであり、それぞれ前記主動ローラの半径又は直径と、前記従動ローラの半径又は直径とを検出するため用いられることを特徴とする請求項1から請求項のいずれか一項に記載のフレキシブル基板処理装置。
  8. 隣接した二つの前記槽の間で転送されるフレキシブル基板の位置を制限するように構成された位置制限ローラをさらに含むことを特徴とする請求項1から請求項のいずれか一項に記載のフレキシブル基板処理装置。
  9. 前記排液口位置制御機構は、前記移動排液口の高度を制御するように構成され、フレキシブル基板の処理液に浸る部分の前記フレキシブル基板の転送方向に沿う長さが、前記主動ローラの半径又は直径に正比例することを特徴とする請求項1から請求項のいずれか一項に記載のフレキシブル基板処理装置。
  10. 前記主動ローラが一定の角速度で回転することを特徴とする請求項1から請求項のいずれか一項に記載のフレキシブル基板処理装置。
JP2015523367A 2012-07-27 2012-12-03 フレキシブル基板処理装置 Expired - Fee Related JP6133985B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210265514.0 2012-07-27
CN201210265514.0A CN102790002B (zh) 2012-07-27 2012-07-27 柔性基板处理装置
PCT/CN2012/085771 WO2014015610A1 (zh) 2012-07-27 2012-12-03 柔性基板处理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015531165A JP2015531165A (ja) 2015-10-29
JP6133985B2 true JP6133985B2 (ja) 2017-05-24

Family

ID=47155372

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015523367A Expired - Fee Related JP6133985B2 (ja) 2012-07-27 2012-12-03 フレキシブル基板処理装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10315233B2 (ja)
EP (1) EP2879170B1 (ja)
JP (1) JP6133985B2 (ja)
KR (1) KR101621629B1 (ja)
CN (1) CN102790002B (ja)
WO (1) WO2014015610A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102790002B (zh) * 2012-07-27 2015-02-11 京东方科技集团股份有限公司 柔性基板处理装置
CN103456689B (zh) * 2013-08-13 2015-02-25 京东方科技集团股份有限公司 用于将柔性基板与玻璃基板分离的装置及生产设备
KR20160073415A (ko) * 2013-10-22 2016-06-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 능동 정렬을 이용하는 롤 투 롤 마스크-없는 리소그래피
JP6558624B2 (ja) * 2015-02-13 2019-08-14 大日本印刷株式会社 洗浄装置
JP6536173B2 (ja) * 2015-05-26 2019-07-03 株式会社ニコン 湿式処理装置および湿式処理方法
CN107442503A (zh) * 2017-09-11 2017-12-08 东莞市观卓新能源科技有限公司 一种应用在清洗设备上的水箱

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3310062A (en) * 1965-05-27 1967-03-21 Ibm Web tensioning device
JPH0575219A (ja) 1991-07-25 1993-03-26 Sharp Corp フレキシブル回路基板及びフレキシブル回路基板の製造方法
JPH0734544U (ja) 1993-12-10 1995-06-23 株式会社富士通ゼネラル プラズマディスプレイ装置
JPH1177435A (ja) 1997-09-09 1999-03-23 Sodick Co Ltd 放電加工装置
US6864186B1 (en) * 1998-07-28 2005-03-08 Micron Technology, Inc. Method of reducing surface contamination in semiconductor wet-processing vessels
AU776667B2 (en) * 1999-11-29 2004-09-16 Canon Kabushiki Kaisha Process and apparatus for forming zinc oxide film, and process and apparatus for producing photovoltaic device
JP2001158986A (ja) 1999-12-01 2001-06-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 帯状金属薄板の処理装置および処理方法
JP3608469B2 (ja) 2000-03-24 2005-01-12 Jfeスチール株式会社 金属帯の脱脂装置
JP3738834B2 (ja) * 2001-12-28 2006-01-25 セイコーエプソン株式会社 配線基板の製造方法及び製造装置
SG144762A1 (en) * 2002-07-19 2008-08-28 Entegris Inc Fluid flow measuring and proportional fluid flow control device
JP4313284B2 (ja) 2004-11-15 2009-08-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR101204089B1 (ko) 2007-12-24 2012-11-22 삼성테크윈 주식회사 롤투롤 기판 이송 장치, 이를 포함하는 습식 식각 장치 및회로 기판 제조 장치
KR20100061035A (ko) 2008-11-28 2010-06-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
CN201372137Y (zh) * 2009-03-18 2009-12-30 北京中科远恒科技有限公司 一种卷绕装置以及具有该卷绕装置的纺织机
CN101871109B (zh) * 2009-04-21 2012-08-15 广州力加电子有限公司 一种双卷连续电沉积加厚装置
JP2011074416A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Toppan Printing Co Ltd 帯状被処理物の置換めっき処理装置、及び置換めっき処理方法
KR20110045701A (ko) 2009-10-27 2011-05-04 주식회사 케이씨텍 기판의 경사이송시스템
KR101141723B1 (ko) * 2010-01-13 2012-05-04 신양에너지 주식회사 구리금속판에 저방사율 및 고흡수율의 친환경 블랙황산크롬 도금 연속 자동 전착방법
JP5379709B2 (ja) * 2010-01-28 2013-12-25 旭化成イーマテリアルズ株式会社 ワイヤグリッド偏光子の製造方法
KR101816327B1 (ko) * 2010-02-12 2018-01-08 가부시키가이샤 니콘 기판 처리 장치
CN202090088U (zh) * 2011-03-29 2011-12-28 湖南师范大学 一种连续电镀液面高度自动控制装置
CN102790002B (zh) * 2012-07-27 2015-02-11 京东方科技集团股份有限公司 柔性基板处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140025578A (ko) 2014-03-04
EP2879170B1 (en) 2019-09-04
KR101621629B1 (ko) 2016-05-16
EP2879170A1 (en) 2015-06-03
JP2015531165A (ja) 2015-10-29
CN102790002B (zh) 2015-02-11
WO2014015610A1 (zh) 2014-01-30
CN102790002A (zh) 2012-11-21
EP2879170A4 (en) 2016-03-23
US10315233B2 (en) 2019-06-11
US20150000840A1 (en) 2015-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6133985B2 (ja) フレキシブル基板処理装置
KR102370517B1 (ko) 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체
CN105103268A (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
KR101987590B1 (ko) 탈산소 장치 및 기판 처리 장치
JP4863782B2 (ja) 処理液供給装置
KR20110102261A (ko) 현상장치
JP6487168B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
WO2011077959A1 (ja) 塗布システム
KR102627121B1 (ko) 노즐 대기 장치, 액 처리 장치 및 액 처리 장치의 운전 방법 및 기억 매체
CN203588979U (zh) 柔性基板处理装置
KR100635380B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN206250162U (zh) 硅片水膜去水装置
KR20130129731A (ko) 잉곳 절단장치
KR100973218B1 (ko) 기판에 균일한 워터폴을 제공할 수 있는 액체 블레이드
KR101607663B1 (ko) 유리 기판 식각 장치
JP2012101219A (ja) プライミング処理方法及びプライミング処理装置
KR20120011414A (ko) 유도전류형 스트립 속도 측정 장치
CN202881098U (zh) 一种光刻胶涂布头及涂布装置
JP5847681B2 (ja) 薬液吐出量計測用治具、薬液吐出量計測機構及び薬液吐出量計測方法
JPH10305253A (ja) 塗布装置
JP2015116543A (ja) 貯留装置および貯留方法、ならびに塗布装置および塗布方法
CN203688949U (zh) 一种液晶滴注设备
JP3259412B2 (ja) ウエハ洗浄方法
JP2019054104A (ja) 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP6370567B2 (ja) 現像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151201

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20161019

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161024

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170124

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170327

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170420

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6133985

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees