JP6105690B2 - ガドリニウムオキシサルファイドセラミックシンチレータの製造方法 - Google Patents
ガドリニウムオキシサルファイドセラミックシンチレータの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6105690B2 JP6105690B2 JP2015159730A JP2015159730A JP6105690B2 JP 6105690 B2 JP6105690 B2 JP 6105690B2 JP 2015159730 A JP2015159730 A JP 2015159730A JP 2015159730 A JP2015159730 A JP 2015159730A JP 6105690 B2 JP6105690 B2 JP 6105690B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gos
- sintering
- ceramic scintillator
- powder
- sintered body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 96
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] Chemical compound [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 32
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 117
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 claims description 32
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 19
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical group [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 14
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 9
- 238000003826 uniaxial pressing Methods 0.000 claims description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 6
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 5
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 claims description 4
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 17
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 15
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 13
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 5
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002591 computed tomography Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000002059 diagnostic imaging Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000462 isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- -1 rare earth ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7767—Chalcogenides
- C09K11/7769—Oxides
- C09K11/7771—Oxysulfides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/547—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on sulfides or selenides or tellurides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/6261—Milling
- C04B35/62615—High energy or reactive ball milling
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
- C04B35/6303—Inorganic additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
- C04B35/6455—Hot isostatic pressing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2921—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras
- G01T1/2935—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras using ionisation detectors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/44—Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
- C04B2235/444—Halide containing anions, e.g. bromide, iodate, chlorite
- C04B2235/445—Fluoride containing anions, e.g. fluosilicate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5463—Particle size distributions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
- C04B2235/604—Pressing at temperatures other than sintering temperatures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6565—Cooling rate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
- C04B2235/661—Multi-step sintering
- C04B2235/662—Annealing after sintering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
1)GOSセラミックシンチレータ粉体に焼結助剤を添加し、均一に混合するステップと、
2)焼結助剤が添加されたGOSセラミックシンチレータ粉体を焼結鋳型内に入れ、一軸加圧による一次焼結を行い、GOS焼結体を得るステップと、
3) GOS焼結体を焼鈍処理するステップと、
4)焼鈍されたGOS焼結体に対して熱間等方圧加圧による二次焼結を行うステップと、
5)熱間等方圧加圧による二次焼結で得られたGOS焼結体を二次焼鈍して、GOSセラミックシンチレータを得るステップと、を含む。
GOSセラミックシンチレータ粉体に焼結助剤を添加し、均一に混合するステップS1001と、
焼結助剤が添加されたGOSセラミックシンチレータ粉体を焼結鋳型内に入れ、一軸加圧による一次焼結を行い、GOS焼結体を得るステップS1002と、
GOS焼結体を焼鈍するステップS1003と、
焼鈍されたGOS焼結体に対して熱間等方圧加圧による二次焼結を行うステップS1004と、
熱間等方圧加圧焼結で得られたGOS焼結体を二次焼鈍して、GOSセラミックシンチレータを得るステップS1005と、を含む。
2種のプロセスを組み合わせることによって、既存の熱間等方圧加圧技術の複雑な粉末シール工程に対する要求や、真空熱間加圧技術の高反応性粉末に対する要求を回避するため、コストを大幅に低減させる。そして、本発明の方法によって製造されたセラミックシンチレータは高い相対密度を有し、内部結晶粒子が微細であり、加工性が良好である。
以下、本発明におけるGOSセラミックシンチレータの製造方法1000をより詳しく説明する。方法1000は以下のステップを含む。
1) メジアン径が5〜9μmであるGd2O2S:Pr,Ceセラミックシンチレータ粉体に焼結助剤を添加する。好ましくは、前記粉体は市販のもので、その純度は99.995%以上で、好ましくは99.999%以上で、さらに好ましくは、Prイオンのドーピング量は質量含有量で500〜800ppmであり、Ceイオンのドーピング量は質量含有量で10〜50ppmである。また、好ましくは、前記焼結助剤はLiF及び/又はLi2GeF6であり、焼結助剤の添加量は0.02〜1質量%であり、好ましくはセラミックシンチレータ粉体の0.1〜1質量%である。混合粉末をボールミルで粉砕して、均一に混合し、任意選択的に微細化し、焼結助剤を含有する粉体を得る。好ましくは、遊星ボールミルに前記ボールミル粉砕を行う。さらに好ましくは、ボールミル粉砕過程に粉体をMOS純粋な無水エタノール及び/又は不活性ガス(アルゴンガスが好ましい)保護雰囲気に浸入し、ボールミル粉砕過程にGOS粉末の表面が酸化されないようにする。好ましくは、短時間(0.5〜3時間)にボールミル粉砕で混合が行われた、メジアン径が4〜9μmである第1粉体、及び長時間(4〜12時間)にボールミル粉砕で微細化された、メジアン径が0.2〜4μmであり、好ましくは1〜3μmである第2粉体という2種の焼結助剤を含有する粉体のうちのいずれか一方を取得することができる。
純度が99.999%で、メジアン径が5〜9μmである市販Gd2O2S:Pr,Ceシンチレータ粉体を用いて、0.02〜1%の質量比でLiF又はLi2GeF6焼結助剤を添加して、徹底的に洗浄されたポリウレタン研削ボールタンクの中に置き、研磨された高密度イットリアを加えてジルコニア研削ボールを安定させ、直径が10mm、6mm、3mmである大・中・小のボールを1:3:10の質量比率で調製し、ボール:粉末材料の質量比は(3〜10):1であり、ボールミル粉砕過程において粉体をMOS純粋な無水エタノール及び/又は不活性ガス(アルゴンガスが好ましい)の保護雰囲気の中に浸入し、ボールミル粉砕過程にGOS粉体の表面が酸化されないようにする。短時間(0.5〜3時間)にボールミル粉砕による混合が行われた、メジアン径が4〜9μmである第1粉体、及び長時間(4〜36時間)にボールミル粉砕による微細化が行われた、メジアン径が0.2〜4μmで、好ましくは1〜3μmである第2粉体という2種の粒径分布がある、焼結助剤が添加された粉体を得る。焼結助剤の含有量はシンチレータ粉体の0.02〜質量1%であり、好ましくは0.1〜1%質量比であり、焼結助剤の含有量が少なく過ぎると、セラミックを緻密化させる役割を十分に果たせず、含有量が多く過ぎると、第二相を形成して、光散乱中心を形成し、セラミックの光透過率の向上に不利である。
図2は本発明の一実施例にかかる熱間加圧による一次焼結の装置を示す模式図である。図2に示しているように、混合後の焼結助剤が添加された粉体100を焼結鋳型101〜103に投入し、次に熱間加圧炉内に入れ、熱間加圧炉を20〜40MPaまで予め加圧し、熱間加圧炉発熱体110により徐々に1000℃〜1100℃に昇温し、0.5〜1h保温し、続いて1250℃〜1600℃に昇温する同時に、上圧子111、下圧子112により軸方向圧力(圧力が40〜200MPaである)を印加し、2〜5h保温し、熱間加圧による一次焼結を行って、2〜10℃/minの速度で降温して冷却した後に、GOS焼結体を得る。
純度が99.999%で、粒径がd(0.1):4.0μm、d(0.5):6.8μm、d(0.9):10.1μmである市販Gd2O2S:Pr,Ceセラミックシンチレータ粉体100gを量り、0.2gのLi2GeF6焼結助剤を添加して、アルゴンガスタンクの中に内径100mm、高さ100mmのポリウレタンボールミル粉砕タンクを入れ、500gの所定の粒度分布がある高密度イットリア強化ジルコニア研削ボールを加え、300mLのMOS純粋な無水エタノールを加え、遊星ボールミルに置いて、500回転/分の速度で、1時間にボールミルによる混合を行い、正/逆方向に0.5時間の間隔で動作する。
実施例1〜5と同様な方法でセラミックシンチレータ粉体と焼結助剤のボールミル粉砕混合を行い、粒径分布が同様な粉体原料を取得する。粉体原料を内径50mmの炭素繊維複合材鋳型内に入れ、真空の熱間加圧による一次焼結を行う。焼結温度がそれぞれ1500と1550℃であり、圧力が200MPaで、真空度が5×10―2Paである状態、2時間に保温と保圧する。保温が終わった後に、降温プロセスが実行されており、降温速度は5℃/分のであり、室温にまで完全に冷却された後に、焼結体であるGOS一次焼結体が取り出される。実施例6、7のサンプルに対して実施例1〜5と同様な焼鈍及び熱間等方圧加圧の方法で二次焼結及び後処理が行われ、GOS:Pr,Ce,Fセラミックシンチレータが得られる。
純度が99.999%で、粒径がd(0.1):4.0μm, d(0.5):6.8μm、d(0.9):11.8μmである市販Gd2O2S:Pr,Ceセラミックシンチレータ粉体100gを量り、0.2gのLiF焼結助剤を添加して、実施例1〜5と同様な操作方法で遊星ボールミルに置いて、500回転/分の速度で、7時間ボールミル粉砕混合により微細化し、正/逆方向に0.5時間の間隔で動作する。混合して得られた粉末の粒径分布はd(0.1):1.1μm、d(0.5):2.1μm、d(0.9):3.8μmである。
実施例8〜11と同様な方法でセラミックシンチレータ粉体と焼結助剤のボールミル粉砕混合を行い、同様な粒径分布の粉体原料を得る。粉体原料を内径50mmの炭素繊維複合材の鋳型内に入れ、真空熱間加圧による一次焼結を行う。温度が1300℃で、圧力が200MPaで、真空度が5×10-2Paである状態、2時間に保温と保圧する。保温が終わった後、降温プロセスが実行され、降温速度が5℃/分であり、室温にまで完全に冷却された後に、焼結体であるGOS一次焼結体を取り出す。実施例12に対して実施例1〜5と同様な焼鈍及び熱間等方圧加圧の方法を用いて二次焼結及び後処理を行い、GOS:Pr,Ce,Fセラミックシンチレータを取得する。
Claims (20)
- ガドリニウムオキシサルファイド(GOS)セラミックシンチレータの製造方法であって、
GOSセラミックシンチレータ粉体に焼結助剤を添加し、均一に混合し、保護雰囲気でボールミルによって前記混合を行い、焼結助剤が添加された、メジアン径が4〜9μmである第1セラミックシンチレータ粉体を得ることと、
焼結助剤が添加されたGOSセラミックシンチレータ粉体を焼結鋳型内に入れ、一軸加圧による一次焼結を行い、GOS焼結体を取得することと、
前記GOS焼結体を焼鈍することと、
焼鈍されたGOS焼結体に対して熱間等方圧加圧による二次焼結を行うことと、
熱間等方圧加圧による二次焼結で得られたGOS焼結体に対して二次焼鈍を行い、GOSセラミックシンチレータを得ることと、
を含み、
前記第1セラミックシンチレータ粉体について、一次焼結の温度は1500℃〜1600℃で、一次焼結の圧力は150〜200MPaである、
製造方法。 - 前記第1セラミックシンチレータ粉体について、一次焼結の温度は1520〜1580℃で、一次焼結の圧力は200MPaである
請求項1に記載の製造方法。 - 前記第1セラミックシンチレータ粉体について、一次焼結の温度は1550℃で、一次焼結の圧力は200MPaである
請求項1に記載の製造方法。 - ガドリニウムオキシサルファイド(GOS)セラミックシンチレータの製造方法であって、
GOSセラミックシンチレータ粉体に焼結助剤を添加し、均一に混合し、保護雰囲気でボールミルによって前記混合を行い、ボールミルで混合粉体を更に微細化することで、焼結助剤が添加された、メジアン径が0.2〜4μmである第2セラミックシンチレータ粉体を得ることと、
焼結助剤が添加されたGOSセラミックシンチレータ粉体を焼結鋳型内に入れ、一軸加圧による一次焼結を行い、GOS焼結体を取得することと、
前記GOS焼結体を焼鈍することと、
焼鈍されたGOS焼結体に対して熱間等方圧加圧による二次焼結を行うことと、
熱間等方圧加圧による二次焼結で得られたGOS焼結体に対して二次焼鈍を行い、GOSセラミックシンチレータを得ることと、
を含み、
前記第2セラミックシンチレータ粉体について、一次焼結の温度は1250〜1400℃で、一次焼結の圧力は50〜150MPaである、
製造方法。 - 前記第2セラミックシンチレータ粉体のメジアン径は1〜3μmである
請求項4に記載の製造方法。 - 前記第2セラミックシンチレータ粉体について、一次焼結の温度は1300℃であり、一次焼結の圧力は60MPaである、
請求項4または5に記載の製造方法。 - 前記焼結助剤は、添加量が前記GOSセラミックシンチレータ粉体の0.02〜1質量%であるLiF又はLi2GeF6である、
請求項1〜6のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記焼結助剤の添加量は、前記GOSセラミックシンチレータ粉体の0.1〜1質量%である
請求項7に記載の製造方法。 - 前記一軸加圧による一次焼結は、
20〜40MPaにまで予め加圧して、1000℃〜1100℃に徐々に昇温し、且つ0.5〜1時間保温することと、
続けて1250℃〜1600℃に昇温すると同時に、40〜200MPaに昇圧し、2〜5時間保温して、熱間加圧による一次焼結を行って、GOS焼結体を取得することと、を含む、
請求項1〜8のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記焼鈍は、GOS焼結体を1000℃〜1200℃の温度範囲で焼鈍処理することを含む、
請求項1〜9のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記熱間等方圧加圧による二次焼結では、焼鈍されたGOS焼結体に対して、1300℃〜1500℃で、150〜250MPaの不活性ガス雰囲気において、熱間等方圧加圧による二次焼結を行うことを含む、
請求項1〜10のいずれか一項に記載の製造方法。 - 二次焼鈍は、熱間等方圧加圧による焼結で得られたGOS焼結体を1000℃〜1200℃の温度範囲で焼鈍処理することを含む、
請求項1〜11のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記焼結鋳型は、アイソスタティックグラファイト材鋳型又は炭素繊維複合材鋳型である、
請求項1〜12のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記一軸加圧鋳型内にBNセラミックライナーを嵌め、圧縮軸方向におけるGOSセラミックシンチレータ粉体に接触する一面にBNセラミック板を敷いた後にグラファイト紙を敷く、
請求項1〜13のいずれか一項に記載の製造方法。 - 一軸加圧による一次焼結で得られたGOS焼結体の相対的理論密度は93%以上に達する、
請求項1〜14のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記GOSセラミックシンチレータ粉体は純度が99.999%で、メジアン径が5〜9μmのGd2O2S:Pr,Ceセラミックシンチレータ粉体である、
請求項1〜15のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記保護雰囲気は無水エタノール及び/または不活性ガスの保護である
請求項1〜16のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記保護雰囲気はアルゴンガスの保護である
請求項1〜16のいずれか一項に記載の製造方法。 - 2mm厚さのGOSセラミックシンチレータのサンプルの511nmの波長における積分の透過率は、30%に達するGOSセラミックシンチレータ。
- 請求項1〜18のいずれか一項に記載の製造方法でGOSセラミックシンチレータを製造する工程を含む
電離放射線検出器の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410399125.6 | 2014-08-14 | ||
CN201410399125.6A CN105439561A (zh) | 2014-08-14 | 2014-08-14 | 一种硫氧化钆闪烁陶瓷制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016041648A JP2016041648A (ja) | 2016-03-31 |
JP6105690B2 true JP6105690B2 (ja) | 2017-03-29 |
Family
ID=55235158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015159730A Active JP6105690B2 (ja) | 2014-08-14 | 2015-08-12 | ガドリニウムオキシサルファイドセラミックシンチレータの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9771515B2 (ja) |
JP (1) | JP6105690B2 (ja) |
CN (2) | CN105439561A (ja) |
DE (1) | DE102015215493B4 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3200194B1 (en) * | 2014-09-25 | 2019-10-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Scintillator, scintillator array, radiation detector and radiation examination device |
US9650569B1 (en) * | 2015-11-25 | 2017-05-16 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Method of manufacturing garnet interfaces and articles containing the garnets obtained therefrom |
CN107285745B (zh) * | 2016-04-12 | 2020-11-17 | 深圳光峰科技股份有限公司 | 一种氧化铝基质的荧光陶瓷的制备方法及相关荧光陶瓷 |
CN106738210A (zh) | 2016-12-26 | 2017-05-31 | 同方威视技术股份有限公司 | 一种模具及利用该模具制造gos闪烁陶瓷的方法 |
WO2018143217A1 (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | 三菱ケミカル株式会社 | ガドリニウム酸硫化物焼結体、並びにガドリニウム酸硫化物焼結体を含むシンチレータ、シンチレータアレイ、放射線検出器、及び放射線検査装置 |
CN107686349A (zh) * | 2017-08-03 | 2018-02-13 | 上海烁璞新材料有限公司 | 一种硫氧化物陶瓷闪烁体的制备方法 |
US11197643B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-12-14 | Mobius Imaging, Llc | Medical x-ray imaging systems and methods |
WO2021124532A1 (ja) * | 2019-12-19 | 2021-06-24 | 株式会社 東芝 | 蛍光板、x線検出器、およびx線検査装置 |
CN113340925B (zh) * | 2021-04-02 | 2023-03-14 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种应用于高分辨中子成像探测器的GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏及其制备方法 |
CN113651628B (zh) * | 2021-06-23 | 2023-06-02 | 重庆科技学院 | 采用热压与热等静压制备硼酸铝晶须增强非金属基复合材料的方法 |
CN113405995A (zh) * | 2021-06-24 | 2021-09-17 | 上海洞舟实业有限公司 | 一种光转换紫外光束分析仪的制备方法 |
CN114031403A (zh) * | 2021-12-09 | 2022-02-11 | 安徽光智科技有限公司 | 一种硫氧化钆闪烁陶瓷的制备方法及其硫氧化钆闪烁陶瓷的应用 |
CN114773084A (zh) * | 2022-03-21 | 2022-07-22 | 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 | 一种制备硫氧化钆陶瓷空心微球的方法 |
CN115194919A (zh) * | 2022-08-02 | 2022-10-18 | 北京理工大学唐山研究院 | SPS制备AlON透明陶瓷用模具及制备方法与所得透明陶瓷 |
CN115502391B (zh) * | 2022-09-15 | 2024-01-09 | 浙江省冶金研究院有限公司 | 一种表面陶瓷硬化粉末高速钢的制备方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4747973A (en) | 1982-06-18 | 1988-05-31 | General Electric Company | Rare-earth-doped yttria-gadolina ceramic scintillators |
IL68676A (en) * | 1982-06-18 | 1986-07-31 | Gen Electric | Rare-earth-doped yttria gadolinia ceramic scintillators and methods for making |
JPH07121832B2 (ja) * | 1986-01-30 | 1995-12-25 | 株式会社東芝 | 希土類オキシ硫化物セラミックスの製造方法 |
US4752424A (en) | 1986-01-30 | 1988-06-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a rare earth oxysulfide ceramic |
DE4224931C2 (de) * | 1992-07-28 | 1995-11-23 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Szintillatorkeramik und deren Verwendung |
JP3246781B2 (ja) * | 1992-12-28 | 2002-01-15 | 株式会社東芝 | セラミックシンチレータおよびその製造方法 |
US6384417B1 (en) | 1998-09-30 | 2002-05-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ceramic scintillator, method for producing same, and x-ray detector and x-ray CT imaging equipment using same |
JP3122438B2 (ja) * | 1998-09-30 | 2001-01-09 | 株式会社東芝 | セラミックシンチレータの製造方法、セラミックシンチレータ、シンチレータブロック、x線検出器およびx線ct撮像装置 |
US6504156B1 (en) | 1999-07-16 | 2003-01-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ceramic scintillator material and manufacturing method thereof, and radiation detector therewith and radiation inspection apparatus therewith |
JP5241979B2 (ja) * | 1999-07-16 | 2013-07-17 | 株式会社東芝 | セラミックシンチレータ材料とその製造方法、およびそれを用いた放射線検出器と放射線検査装置 |
JP2002302672A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Kasei Optonix Co Ltd | 希土類酸硫化物蛍光体及びその評価方法 |
EP1912916A1 (en) * | 2005-07-25 | 2008-04-23 | Saint-Gobain Ceramics and Plastics, Inc. | Rare earth oxysulfide scintillator and methods for producing same |
CN101269964A (zh) * | 2008-04-29 | 2008-09-24 | 烁光特晶科技有限公司 | 氧化钇透明陶瓷的制备方法 |
JP4348396B1 (ja) * | 2008-12-26 | 2009-10-21 | 田中貴金属工業株式会社 | 再生ターゲットの製造方法 |
CN101697367B (zh) * | 2009-09-30 | 2014-04-02 | 烁光特晶科技有限公司 | 一种利用透明陶瓷制备led的方法 |
ES2362229B1 (es) * | 2009-12-16 | 2012-05-09 | Consejo Superior De Investigaciones Cientificas (Csic) (50%) | Material compuesto electroconductor con coeficiente de expansión térmica controlado. |
CN102320840A (zh) * | 2011-06-08 | 2012-01-18 | 徐晓峰 | 一种荧光粉和透明陶瓷掺杂共烧的工艺方法 |
CN103396121B (zh) * | 2013-08-13 | 2015-07-01 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种具有石榴石结构的新型透明闪烁陶瓷及其制备方法 |
-
2014
- 2014-08-14 CN CN201410399125.6A patent/CN105439561A/zh active Pending
- 2014-08-14 CN CN202011347167.7A patent/CN112358296A/zh active Pending
-
2015
- 2015-08-12 JP JP2015159730A patent/JP6105690B2/ja active Active
- 2015-08-13 DE DE102015215493.9A patent/DE102015215493B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2015-08-14 US US14/827,248 patent/US9771515B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112358296A (zh) | 2021-02-12 |
US9771515B2 (en) | 2017-09-26 |
DE102015215493B4 (de) | 2017-08-03 |
CN105439561A (zh) | 2016-03-30 |
DE102015215493A1 (de) | 2016-02-18 |
JP2016041648A (ja) | 2016-03-31 |
US20160046860A1 (en) | 2016-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6105690B2 (ja) | ガドリニウムオキシサルファイドセラミックシンチレータの製造方法 | |
JP6199932B2 (ja) | ガドリニウムオキシサルファイド(Gd2O2S)セラミックシンチレータ製造方法 | |
CN103396121B (zh) | 一种具有石榴石结构的新型透明闪烁陶瓷及其制备方法 | |
CN110776311B (zh) | 一种热压烧结制备钙钛矿型复合氧化物高熵陶瓷的方法 | |
Chen et al. | Highly transparent ZrO2-doped (Ce, Gd) 3Al3Ga2O12 ceramics prepared via oxygen sintering | |
US10315957B2 (en) | Method for producing transparent alumina sintered body | |
JP6015780B2 (ja) | 透光性金属酸化物焼結体の製造方法 | |
US7303699B2 (en) | Method for producing a scintillator ceramic | |
CN105016776B (zh) | 一种氮氧化铝透明陶瓷及其制备方法 | |
CN114031403A (zh) | 一种硫氧化钆闪烁陶瓷的制备方法及其硫氧化钆闪烁陶瓷的应用 | |
Kanai et al. | Hot‐Pressing Method to Consolidate Gd 3 (Al, Ga) 5 O 12: Ce Garnet Scintillator Powder for use in an X‐ray CT Detector | |
Chen et al. | Sintering and characterisation of Gd3Al3Ga2O12/Y3Al5O12 layered composite scintillation ceramic | |
Gan et al. | Fabrication of submicron-grained IR-transparent Y2O3 ceramics from commercial nano-raw powders | |
US8080175B2 (en) | Scintillator having a MgAI2O4 host lattice | |
CN115010503A (zh) | 一种氧化物透明陶瓷材料烧结助剂的使用方法 | |
US9523033B2 (en) | Method for large scale synthesis of optically stimulated luminescence grade polycrystalline ceramic material | |
CN105800663B (zh) | 硫氧化钆闪烁陶瓷的热压反应烧结方法 | |
CN104961454A (zh) | 铪钛酸镥透明陶瓷材料及其制备方法 | |
JP6502595B1 (ja) | 多結晶yag焼結体及びその製造方法 | |
Seeley et al. | Transparent Lu2O3: Eu Ceramics | |
JP2020158329A (ja) | Yagセラミックス及びその製造方法 | |
Goto et al. | Transparent High-Density Oxide Ceramics Prepared by Spark Plasma Sintering | |
Singh et al. | Effect of compaction on transparency and microstructure of (Y0. 985Nd0. 015) 2O3 ceramic: A laser-host material |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160829 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170207 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170302 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6105690 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |