JP6083163B2 - 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
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Description
超高真空(UHV)DC/RFマグネトロンスパッタ装置(ANELVA,E8001)を用いて以下のように試料を作成した。成膜を始める前の到達真空度は7.0×10−7Pa以下であった。プロセスガスには、不純物濃度が2〜3ppbの超高純度Arガスを用いた。
実施例1のうち、Ta上に付与したMgO層の膜厚を1nmとした場合(実施例1−1)の条件中、ガス不純物純度はppbオーダーで変化させずに成膜を始める前の到達真空度のみを7.0×10−5Pa程度に劣化させた以外は実施例1と同様の条件で、FePt垂直磁気記録媒体を形成した。
非磁性シード層としてCrを0〜50nmで変化させ、磁性層形成時の基板温度を350℃とした以外は実施例1−1と同様の条件で、FePt垂直磁気記録媒体を形成した。
非磁性シード層としてTaを20nm付与し、磁性層形成時の基板温度を350℃とした以外は実施例1−1と同様の条件で、FePt垂直磁気記録媒体を形成した。
下地層材料をTiNとし、FePt形成時の基板温度を200℃とした。TiNの形成にはTiとNを1:1で含む材料から成るターゲットを用いた。成膜時のプロセスガスはArのみを用い、窒素ガスの添加は行っていない。成膜時のArガス圧は0.3Paとした。XRD回折ピークの位置およびEDXによる組成分析の結果から、形成した薄膜の組成がTiとNを1:1で含む材料であることを確認している。上記以外は実施例1−1と同様の条件で、FePt垂直磁気記録媒体を形成した。
下地層材料をCrNとし、FePt形成時の基板温度を200℃とした。CrNの形成にはCrとNを1:1で含む材料から成るターゲットを用いた。成膜時のプロセスガスはArのみを用い、窒素ガスの添加は行っていない。成膜時のArガス圧は0.3Paとした。XRD回折ピークの位置およびEDXによる組成分析の結果から、形成した薄膜の組成がCrとNを1:1で含む材料であることを確認している。上記以外は実施例1−1と同様の条件で、FePt垂直磁気記録媒体を形成した。
磁性層としてFePdを用いた。FePd層の組成はEDXの結果から、Feが50at.%であり,Pdが50at.%であることがわかった。本実施例において得られる効果については、FePdにおいてL10相が発現する限りにおいて普遍的に現れると考えられる。磁性層形成時の基板温度を350℃とした。上記以外は実施例1−1と同様の条件で、FePd垂直磁気記録媒体を形成した。
磁性層としてCoPtを用いた。CoPt層の組成はEDXの結果から、Coが50at.%であり,Ptが50at.%であることがわかった。本実施例において得られる効果については、CoPtにおいてL10相が発現する限りにおいて普遍的に現れると考えられる。磁性層形成時の基板温度を350℃とした。上記以外は実施例1−1と同様の条件で、CoPt垂直磁気記録媒体を形成した。
不純物濃度が2〜3ppmの低純度ガスをプロセスガスとして用い、MgO層の膜厚を0〜10nmまで変化させた以外は実施例1と同様の条件で、FePt垂直磁気記録媒体を形成した。
成膜前の真空度を7.0×10−5Pa程度に劣化させ、さらに不純物濃度が2〜3ppmの低純度ガスをプロセスガスとして用いた以外は実施例1−1と同様の条件で、FePt垂直磁気記録媒体を形成した。
ガラス基板上に薄膜の付着強度を強めるためにTaを5nm付与し、その上にArガス圧0.3PaでPtを10nm付与し、磁性層形成時の基板温度を350℃とした以外は実施例1と同様な条件で、FePt薄膜を形成した。
ガラス基板上に薄膜の付着強度を強めるためにTaを5nm付与し、その上にArガス圧0.3PaでRuを20nm付与し、磁性層形成時の基板温度を350℃とした以外は実施例1と同様な条件で、FePt薄膜を形成した。
10 非磁性基体
12 軟磁性裏打ち層
14 非磁性シード層
14a MgO層(第1シード層)
14b 金属層(第2シード層)
16 非磁性下地層
18 磁性層
20 保護層
22 液体潤滑層
Claims (5)
- 非磁性基体上に、少なくとも非磁性シード層、非磁性下地層、および磁性層がこの順に形成されている垂直磁気記録媒体において、
前記非磁性シード層が、MgO層およびその上の体心立方(bcc)構造を有する金属層を含んでいて前記金属層が前記非磁性下地層に直接接触しており、
前記非磁性下地層が、MgO、NiO、TiO、CrN、Tiの炭化物、およびTiの窒化物からなる群から選択された1つからなるNaCl型構造を有し、
前記磁性層が、L10型規則構造のFePt、FePd、およびCoPtから選択された1つを主体とする合金からなり、
前記非磁性下地層の膜厚が、前記非磁性シード層の前記MgO層の膜厚よりも厚いことにより、前記金属層の(001)結晶格子面、前記非磁性下地層のNaCl型構造の(001)結晶格子面、および前記磁性層中のL1 0 型規則構造の(001)結晶格子面が、いずれも膜面と平行になっていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 前記金属層において、(002)面および(110)面の表面エネルギー差が300erg/cm2以下であることを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記金属層の膜厚が、1nm以上50nm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記金属層の下に配置された前記MgO層の厚みが、1原子層(0.2nm)以上3nm以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体。
- 非磁性基体上に、少なくとも非磁性シード層、非磁性下地層、および磁性層をこの順に形成する工程を含み、
前記非磁性シード層が、MgO層およびその上の体心立方(bcc)構造を有する金属層を含んでいて前記金属層が前記非磁性下地層に直接接触しており、
前記非磁性下地層が、MgO、NiO、TiO、CrN、Tiの炭化物、およびTiの窒化物からなる群から選択された1つからなるNaCl型構造を有し、
前記磁性層が、L10型規則構造のFePt、FePd、およびCoPtから選択された1つを主体とする合金からなり、
前記非磁性下地層の膜厚が、前記非磁性シード層の前記MgO層の膜厚よりも厚く、
前記磁性層形成時において、前記非磁性基体の基体温度を200℃〜350℃とし、かつ、プロセスガスの不純物濃度を5ppb以下としたことにより、前記金属層の(001)結晶格子面、前記非磁性下地層のNaCl型構造の(001)結晶格子面、および前記磁性層中のL1 0 型規則構造の(001)結晶格子面を、いずれも膜面と平行にすることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US11551737B2 (en) * | 2017-04-03 | 2023-01-10 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Magnetic storage element and electronic apparatus |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014103815A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
US10276192B2 (en) * | 2013-07-11 | 2019-04-30 | Western Digital Technologies, Inc. | Perpendicular magnetic recording medium |
JP6317896B2 (ja) * | 2013-07-26 | 2018-04-25 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
KR101661275B1 (ko) * | 2014-04-18 | 2016-09-29 | 한양대학교 산학협력단 | 메모리 소자 |
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JP2018106774A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
CN109643556B (zh) * | 2017-03-10 | 2021-03-12 | 富士电机株式会社 | 磁记录介质 |
JP7204549B2 (ja) * | 2019-03-18 | 2023-01-16 | キオクシア株式会社 | 磁気装置 |
US20230005503A1 (en) * | 2021-07-01 | 2023-01-05 | Western Digital Technologies, Inc. | Heat-assisted magnetic recording (hamr) media with magnesium trapping layer |
WO2023204237A1 (ja) * | 2022-04-22 | 2023-10-26 | 株式会社レゾナック | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 |
US11900978B1 (en) | 2022-08-11 | 2024-02-13 | Western Digital Technologies, Inc. | Magnetic recording medium with underlayer configured to reduce diffusion of titanium into a magnetic recording layer |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002541671A (ja) * | 1999-03-30 | 2002-12-03 | ドイッチェ テレコム アーゲー | 制御キャビネット |
JP3423907B2 (ja) * | 1999-05-28 | 2003-07-07 | 高橋 研 | 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録装置 |
JP3434476B2 (ja) * | 1999-09-29 | 2003-08-11 | 秋田県 | 高密度情報記録媒体及びその媒体の製造方法 |
JP4091228B2 (ja) | 1999-12-28 | 2008-05-28 | 株式会社東芝 | 垂直磁気記録媒体 |
JP2002208129A (ja) | 2000-11-09 | 2002-07-26 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録装置 |
JP4391010B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2009-12-24 | 高橋 研 | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置 |
JP3730518B2 (ja) | 2001-01-19 | 2006-01-05 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体 |
JP3730906B2 (ja) * | 2001-12-03 | 2006-01-05 | 日立マクセル株式会社 | 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録装置 |
WO2004034385A1 (ja) | 2002-10-10 | 2004-04-22 | Fujitsu Limited | 多結晶構造膜およびその製造方法 |
JP2004311607A (ja) | 2003-04-04 | 2004-11-04 | Canon Inc | 磁性体、磁気記録媒体、磁気記録再生装置、情報処理装置及びその製造方法 |
JP5067739B2 (ja) | 2008-07-28 | 2012-11-07 | 国立大学法人東北大学 | 磁性薄膜とその成膜方法並びに磁性薄膜の応用デバイス |
JP5550007B2 (ja) | 2008-12-05 | 2014-07-16 | 国立大学法人東北大学 | 磁性薄膜及びその製造方法、並びにこのような磁性薄膜を用いた各種応用デバイス |
WO2011021652A1 (ja) * | 2009-08-20 | 2011-02-24 | 昭和電工株式会社 | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
JP5412216B2 (ja) * | 2009-09-07 | 2014-02-12 | 昭和電工株式会社 | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
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Cited By (1)
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US11551737B2 (en) * | 2017-04-03 | 2023-01-10 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Magnetic storage element and electronic apparatus |
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