JP6069420B2 - π共役高分子組成物 - Google Patents

Description

本発明は、π共役高分子組成物に関する。

導電性高分子は、電解コンデンサや有機ＥＬ素子、及び静帯電防止フィルム、タッチパネルなど幅広い産業分野で使用されている。

導電性高分子の一種であるポリアニリンは、その電気的な特性に加えて、安価なアニリンから比較的簡便に合成でき、且つ導電性を示す状態で酸素等に対して優れた安定性を示すという利点及び特性を有する。また、特許文献１に記載の方法によって簡便に且つ高導電のポリアニリンを得ることができる。ここで、特許文献１に記載のポリアニリン組成物は、ドープされたポリアニリンが溶媒に溶解している、溶解型のポリアニリン組成物である。

しかし、特許文献１に開示の導電性ポリアニリン組成物は、耐熱性が必ずしも高いとは言えず、例えば１０５℃の不活性ガス中に１０日間放置した場合、抵抗値は初期の１０倍程度に上昇する問題があった。

一方、ドープされたポリアニリンが溶解していない、分散型のポリアニリン組成物も知られている。さらに、スルホン酸をドーパントにすることによって耐熱性が向上することも知られている（特許文献２）。しかしながら、分散型のポリアニリン組成物は、固形分がポリアニリン微粒子のみでは得られた成形体が脆いという欠点がある。
この課題を解決するためにポリアニリン以外の固形分であるバインダー樹脂を添加することも知られているが、バインダー樹脂は絶縁体であるため、得られた成形体の導電性が低くなるという別の欠点がある。
また、分散型のポリアニリン組成物ではドープされたポリアニリン微粒子が凝集、沈殿するため、この分散型のポリアニリン組成物を用いて成形体を製造する場合には、製造時にこの組成物を混合しポリアニリン微粒子を組成物中に分散させないといけない欠点がある。

分散型のポリアニリン組成物に、スルホン酸を添加することによって耐熱性が向上することも知られている（特許文献３）。しかしながら、特許文献３に記載の発明も分散型であるので、上記と同じ欠点がある。さらに、特許文献３に記載の「分散型のポリアニリンにスルホン酸を添加した導電性組成物」を用いて製造された成形体では、「分散型のポリアニリンにスルホン酸を添加しない導電性組成物」を用いて製造された成形体と比較して、導電性が大幅に低下してしまうという欠点がある。

国際公開第２００５／０５２０５８号パンフレット 特開平７−２３８１４９号公報 特表２００５−５２６８７６号公報

本発明の目的は、高い導電性及び高い耐熱性を有し、かつπ共役高分子が溶剤に溶解している溶解性の高分子組成物を提供することである。

本発明によれば、以下のπ共役高分子組成物等が提供される。
本発明の第一のπ共役高分子組成物は、
（ａ）溶剤、
（ｂ）前記溶剤に溶解した、ドーパントによりドープされたπ共役高分子、
（ｃ）酸性物質及び酸性物質の塩の少なくとも１つ、並びに
（ｄ）フェノール性化合物を含むπ共役高分子組成物であって、
前記成分（ｃ）のうち、前記酸性物質のみを含む場合、前記酸性物質と前記フェノール性化合物が異なり、前記酸性物質の塩のみを含む場合、前記酸性物質の塩と前記フェノール性化合物が異なり、前記酸性物質及び前記酸性物質の塩の両方を含む場合、前記酸性物質及び前記酸性物質の塩の少なくとも１つとフェノール性化合物が異なる。

本発明の第二のπ共役高分子組成物は、
少なくとも下記（ａ）〜（ｄ）を原料として用いる。
（ａ）溶剤
（ｂ）前記溶剤に溶解する、ドーパントによりドープされたπ共役高分子
（ｃ）酸性物質及び酸性物質の塩の少なくとも１つ
（ｄ）フェノール性化合物
（前記成分（ｃ）のうち、前記酸性物質のみを含む場合、前記酸性物質と前記フェノール性化合物が異なり、前記酸性物質の塩のみを含む場合、前記酸性物質の塩と前記フェノール性化合物が異なり、前記酸性物質及び前記酸性物質の塩の両方を含む場合、前記酸性物質及び前記酸性物質の塩の少なくとも１つとフェノール性化合物が異なる。）

本発明の第一のπ共役高分子組成物及び本発明の第二のπ共役高分子組成物は、
前記成分（ｃ）のうち、前記酸性物質のみを含む場合、前記酸性物質は前記ドーパントと異なり、前記酸性物質の塩のみを含む場合、前記酸性物質の塩は前記ドーパントと異なり、前記酸性物質及び前記酸性物質の塩の両方を含む場合、前記酸性物質及び前記酸性物質の塩の少なくとも１つと前記ドーパントが異なることが好ましい。

本発明の第一のπ共役高分子組成物及び本発明の第二のπ共役高分子組成物は、前記成分（ｃ）のうち、前記酸性物質のみを含む場合、前記酸性物質の酸性度が５．０以下であり、前記酸性物質の塩のみを含む場合、酸性度が５．０以下である酸性物質の塩であり、前記酸性物質及び前記酸性物質の塩の両方を含む場合、前記酸性物質の酸性度が５．０以下であること及び前記酸性物質の塩が酸性度が５．０以下の酸性物質の塩であることのうち、少なくとも１つの条件を満たすことが好ましい。

本発明の第一のπ共役高分子組成物及び本発明の第二のπ共役高分子組成物は、
前記π共役高分子が窒素原子を含み、
前記ドーパントがスルホン酸であり、
前記成分（ｃ）のうち、前記酸性物質のみを含む場合、その酸性物質が前記ドーパントと同一又は異なるスルホン酸であり、
前記酸性物質の塩のみを含む場合、その酸性物質の塩が前記ドーパントと同一又は異なるスルホン酸の塩であり、
前記酸性物質及び前記酸性物質の塩を含む場合、前記酸性物質及び前記酸性物質の塩の少なくとも１つが前記ドーパントと同一又は異なるスルホン酸又はスルホン酸の塩であり、
式（１）を満たすことが好ましい。
０．２１≦Ｓ_１／Ｎ_１≦１．２…（１）
（式中、Ｓ_１は組成物に含まれる硫黄原子のモル数であり、Ｎ_１は組成物に含まれる窒素原子のモル数である。）

本発明の第一のπ共役高分子組成物及び本発明の第二のπ共役高分子組成物は、
前記π共役高分子が窒素原子を含み、
前記ドーパントがスルホン酸であり、
前記成分（ｃ）のうち、前記酸性物質のみを含む場合、その酸性物質が前記ドーパントと同一又は異なるスルホン酸であり、
前記酸性物質の塩のみを含む場合、その酸性物質の塩が前記ドーパントと同一又は異なるスルホン酸の塩であり、
前記酸性物質及び前記酸性物質の塩を含む場合、前記酸性物質及び前記酸性物質の塩の少なくとも１つが前記ドーパントと同一又は異なるスルホン酸又はスルホン酸の塩であり、
前記酸性物質のみを含む場合には、式（２）を満たし、
前記酸性物質の塩のみを含む場合には、式（３）を満たし、
前記酸性物質及び前記酸性物質の塩を含む場合、式（４）を満たすことが好ましい。
０．０１≦Ｓ_２／Ｎ_２≦０．５…（２）
０．０１≦Ｓ_３／Ｎ_３≦０．５…（３）
０．０１≦Ｓ_４／Ｎ_４≦０．５…（４）
（式中、Ｓ_２は組成物に含まれる全ての酸性物質の硫黄原子のモル数の合計であり、Ｓ_３は組成物に含まれている全ての酸性物質の塩の硫黄原子のモル数の合計であり、Ｓ_４は組成物に含まれている全ての酸性物質及び酸性物質の塩の硫黄原子のモル数の合計であり、Ｎ_２〜Ｎ_４は組成物に含まれる全てのドーパントによりドープされたπ共役高分子の窒素原子のモル数の合計である。）

本発明の第一のπ共役高分子組成物及び本発明の第二のπ共役高分子組成物は、
前記π共役高分子が窒素原子を含み、前記ドーパントがスルホン酸であり、式（５）を満たすことが好ましい。
０．２≦Ｓ_５／Ｎ_５≦０．７…（５）
（Ｓ_５は組成物に含まれる前記ドーパントによりドープされたπ共役高分子の硫黄原子のモル数の合計であり、Ｎ_５は組成物に含まれる前記ドーパントによりドープされたπ共役高分子の窒素原子のモル数の合計である。）

本発明の第一のπ共役高分子組成物及び本発明の第二のπ共役高分子組成物は、
前記ドーパントによりドープされたπ共役高分子の成形体の、４端子法により測定した導電度が０．０１Ｓ／ｃｍ以上であり、
前記成形体は、パターニングされたインジウム錫酸化物電極を形成したガラス基板上に、窒素雰囲気下で前記ドーパントによりドープされたπ共役高分子５００ｍｇをトルエン１０ｇに溶解した溶液１ｍｌを、５００ｒｐｍで１５秒間スピンコート法により塗布し、窒素雰囲気下８０℃で５分間乾燥して得られたものであることが好ましい。

本発明の第一のπ共役高分子組成物及び本発明の第二のπ共役高分子組成物は、
成形体の４端子法により測定した導電度が０．０１Ｓ／ｃｍ以上であり、
前記成形体は、パターニングされたインジウム錫酸化物電極を形成したガラス基板上に、窒素雰囲気下で前記π共役高分子組成物１ｍｌを５００ｒｐｍで１５秒間スピンコート法により塗布し、窒素雰囲気下８０℃で５分間乾燥して得られたものであることが好ましい。

本発明の第一のπ共役高分子組成物及び本発明の第二のπ共役高分子組成物は、
前記ドープされたπ共役高分子が、プロトネーションされた置換又は非置換ポリアニリンであることが好ましい。
本発明の第一のπ共役高分子組成物及び本発明の第二のπ共役高分子組成物は、
前記ドープされたπ共役高分子が、スルホン酸でプロトネーションされた置換又は非置換ポリアニリンであることが好ましい。

本発明の第一のπ共役高分子組成物及び本発明の第二のπ共役高分子組成物は、
前記スルホン酸が下記式（III）で示されるスルホコハク酸誘導体であることが好ましい。
Ｍ（Ｏ_３ＳＣＨ（ＣＨ_２ＣＯＯＲ^１２）ＣＯＯＲ^１３）_ｍ （III）
（式（III）において、
Ｍは、水素原子、有機遊離基又は無機遊離基であり、
ｍはＭの価数であり、
Ｒ^１２及びＲ^１３は、それぞれ独立して炭化水素基又は−（Ｒ^１４Ｏ）ｒ−Ｒ^１５で表される基であり、Ｒ^１４は炭化水素基又はシリレン基であり、Ｒ^１５は水素原子、炭化水素基又はＲ^１６ _３Ｓｉ−で表される基であり、Ｒ^１６は炭化水素基であり、３つのＲ^１６は同一又は異なっていてもよく、ｒは１以上の整数である。）
本発明の第一のπ共役高分子組成物及び本発明の第二のπ共役高分子組成物は、
前記酸性物質が有機酸であることが好ましい。

本発明の第一のπ共役高分子組成物及び本発明の第二のπ共役高分子組成物は、
前記酸性物質又は前記酸性物質の塩が、スルホン酸基、リン酸基、ホスホン酸基及びカルボキシ基から選択される１つ以上の酸性基を有する１つ以上の酸性物質又は酸性物質の塩であることが好ましい。
本発明の第一のπ共役高分子組成物及び本発明の第二のπ共役高分子組成物は、
前記酸性物質が、酸性基を１つ以上有する環状、鎖状又は分岐のアルキル酸であることが好ましい。

本発明の第一のπ共役高分子組成物及び本発明の第二のπ共役高分子組成物は、
前記酸性物質が、酸性基を１つ以上有する置換又は無置換の芳香族酸であることが好ましい。
本発明の第一のπ共役高分子組成物及び本発明の第二のπ共役高分子組成物は、
前記芳香族酸が、ナフタレン骨格を有する酸であることが好ましい。
本発明の第一のπ共役高分子組成物及び本発明の第二のπ共役高分子組成物は、
前記フェノール性化合物が下記式（１）で表されるフェノール性化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルキルチオ基、アリール基、アルキルアリール基又はアリールアルキル基である。）
本発明の第一のπ共役高分子組成物及び本発明の第二のπ共役高分子組成物は、
前記フェノール性化合物が下記式（２）で表されるフェノール性化合物であることが好ましい。

（式中、ｎは０〜６の整数である。
Ｒは、それぞれ炭素数２〜１０のアルキル基、アルケニル基、アルキルチオ基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、アルキルアリール基又はアリールアルキル基である。）

本発明の第一のπ共役高分子組成物及び本発明の第二のπ共役高分子組成物は、
前記フェノール性化合物が下記式（３）で表されるフェノール性化合物であることが好ましい。

（式中、ｎは１〜５の整数である。
Ｒは、それぞれ炭素数２〜１０のアルキル基、アルケニル基、アルキルチオ基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、アルキルアリール基又はアリールアルキル基である。）

本発明の第一のコンデンサは、本発明の第一のπ共役高分子組成物又は本発明の第二のπ共役高分子組成物を含む。
本発明の第二のコンデンサは、本発明の第一のπ共役高分子組成物又は本発明の第二のπ共役高分子組成物を用いて製造される。
本発明の導電性成形体は、本発明の第一のπ共役高分子組成物又は本発明の第二のπ共役高分子組成物を成形してなる。
本発明の導電性フィルムは、本発明の第一のπ共役高分子組成物又は本発明の第二のπ共役高分子組成物を成膜してなる。
本発明の表面導電性物品は、本発明の第一のπ共役高分子組成物又は本発明の第二のπ共役高分子組成物を、基材に塗布してなる。
本発明の表面導電性物品は、前記基材が樹脂フィルムであることが好ましい。
本発明の導電性物品は、本発明の第一のπ共役高分子組成物又は本発明の第二のπ共役高分子組成物と基材を混合してなる。

本発明の第三のπ共役高分子組成物は、ドープされたπ共役高分子、及び酸性物質又は酸性物質の塩を含み、
前記ドープされたπ共役高分子が、スルホコハク酸誘導体でプロトネーションされた置換又は非置換ポリアニリンであり、
前記酸性物質が、スルホン酸基を有し、ナフタレン骨格を有する酸であり、さらにフェノール性化合物を含む。

本発明によれば、高い導電性及び高い耐熱性を有し、かつπ共役高分子が溶剤に溶解している溶解性の高分子組成物を提供できる。

インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）電極が表面に形成されたガラス基板の上面を示す図である。 π共役高分子薄膜を削り、ＩＴＯ電極の端子を表面に露出させたガラス基板の上面を示す図である。 π共役高分子組成物薄膜を削り、ＩＴＯ電極の端子を表面に露出させたガラス基板の上面を示す図である。 導電性ポリアニリン薄膜を削り、ＩＴＯ電極の端子を表面に露出させたガラス基板の上面を示す図である。

本発明の第一のπ共役高分子組成物は、（ａ）溶剤、（ｂ）この溶剤に溶解したπ共役高分子、（ｃ）酸性物質及び酸性物質の塩の少なくとも１つ、並びに（ｄ）フェノール性化合物を含む。
π共役高分子は、ドーパントによりドープされたπ共役高分子である。詳細は後述する。

（ｃ）のうち酸性物質のみを含む場合には、酸性物質とフェノール性化合物が異なり、酸性物質の塩のみを含む場合には、酸性物質の塩とフェノール性化合物が異なり、酸性物質及び酸性物質の塩の両方を含む場合には、酸性物質及び酸性物質の塩の少なくとも１つとフェノール性化合物が異なる。
酸性物質、酸性物質の塩及びフェノール性化合物の詳細は後述する。
尚、本発明の第一のπ共役高分子組成物は、例えば溶剤とこの溶剤に溶解するπ共役高分子と、酸性物質及び酸性物質の塩の少なくとも１つと、フェノール性化合物を混合して得ることができる。

本発明の第二のπ共役高分子組成物は、（ａ）溶剤と（ｂ）この溶剤に溶解するπ共役高分子と、（ｃ）酸性物質及び酸性物質の塩少なくとも１つと、（ｄ）フェノール性化合物を原料に用いることにより製造されたπ共役高分子組成物である。

成分（ｃ）のうち、酸性物質のみを含む場合、酸性物質とフェノール性化合物が異なり、酸性物質の塩のみを含む場合、酸性物質の塩とフェノール性化合物が異なり、酸性物質及び酸性物質の塩の両方を含む場合、酸性物質及び酸性物質の塩の少なくとも１つとフェノール性化合物が異なる。

酸性物質、酸性物質の塩及びフェノール性化合物の詳細は後述する。
尚、本発明の第二のπ共役高分子組成物は、例えば、溶剤とこの溶剤に溶解するπ共役高分子と、酸性物質及び酸性物質の塩の少なくとも１つと、フェノール性化合物を混合して得ることができる。
尚、以下、本発明の組成物は、本発明の第一のπ共役高分子組成物及び本発明の第二のπ共役高分子組成物の両方を含む概念である。

本発明の第一のπ共役高分子組成物及び／又は本発明の第二のπ共役高分子組成物が、成分（ｃ）のうち、酸性物質のみを含む場合には、酸性物質はドーパントと異なり、酸性物質の塩のみを含む場合には、酸性物質の塩はドーパントと異なり、酸性物質及び酸性物質の塩の両方を含む場合には、酸性物質及び酸性物質の塩のうち、少なくとも１つとドーパントが異なることが好ましい。

本発明の第一のπ共役高分子組成物及び／又は本発明の第二のπ共役高分子組成物は、前記成分（ｃ）のうち、前記酸性物質のみを含む場合、前記酸性物質の酸性度が５．０以下であり、前記酸性物質の塩のみを含む場合、酸性度が５．０以下である酸性物質の塩であり、前記酸性物質及び前記酸性物質の塩の両方を含む場合、前記酸性物質の酸性度が５．０以下及び酸性度が５．０以下の酸性物質の塩のうち、少なくとも１つの条件を満たすことが好ましい。

本発明の第一のπ共役高分子組成物及び／又は本発明の第二のπ共役高分子組成物は、π共役高分子が窒素原子を含み、ドーパントがスルホン酸であり、成分（ｃ）のうち、酸性物質のみを含む場合には、その酸性物質がドーパントと同一又は異なるスルホン酸であり、酸性物質の塩のみを含む場合には、その酸性物質の塩がドーパントと同一又は異なるスルホン酸の塩であり、酸性物質及び酸性物質の塩を含む場合には、酸性物質及び酸性物質の塩がドーパントと同一又は異なるスルホン酸又はスルホン酸の塩であり、下記式（１）を満たすことが好ましい。
０．２１≦Ｓ_１／Ｎ_１≦１．２・・・（１）
（ここで、Ｓ_１は組成物に含まれる硫黄原子のモル数であり、Ｎ_１は組成物に含まれる窒素原子のモル数を意味する。）

本発明の第一のπ共役高分子組成物及び／又は本発明の第二のπ共役高分子組成物は、好ましくはπ共役高分子が窒素原子を含み、ドーパントがスルホン酸であり、成分（ｃ）のうち、酸性物質のみを含む場合には、その酸性物質がドーパントと同一又は異なるスルホン酸であり、酸性物質の塩のみを含む場合には、その酸性物質の塩がドーパントと同一又は異なるスルホン酸の塩であり、酸性物質及び前記酸性物質の塩を含む場合には、酸性物質及び酸性物質の塩がドーパントと同一又は異なるスルホン酸又はスルホン酸の塩である。

また、好ましくは酸性物質のみを含む場合には式（２）を満たし、酸性物質の塩のみを含む場合には式（３）を満たし、酸性物質及び酸性物質の塩を含む場合には式（４）を満たす。
０．０１≦Ｓ_２／Ｎ_２≦０．５…（２）
０．０１≦Ｓ_３／Ｎ_３≦０．５…（３）
０．０１≦Ｓ_４／Ｎ_４≦０．５…（４）

ここで、Ｓ_２は組成物に含まれている全ての酸性物質の硫黄原子のモル数の合計であり、Ｎ_２は組成物に含まれている全てのドーパントによりドープされたπ共役高分子の窒素原子のモル数の合計を意味し、Ｓ_３は組成物に含まれている全ての酸性物質の塩の硫黄原子のモル数の合計であり、Ｎ_３は組成物に含まれている全てのドーパントによりドープされたπ共役高分子の窒素原子のモル数の合計を意味し、Ｓ_４は組成物に含まれている全ての酸性物質及び酸性物質の塩の硫黄原子のモル数の合計であり、Ｎ_４は組成物に含まれている全てのドーパントによりドープされたπ共役高分子の窒素原子のモル数の合計を意味する。

本発明の第一のπ共役高分子組成物及び／又は本発明の第二のπ共役高分子組成物は、π共役高分子が窒素原子を含むπ共役高分子であり、ドーパントがスルホン酸であり、式（５）に従うことが好ましい。
０．２≦Ｓ_５／Ｎ_５≦０．７…（５）
ここで、Ｓ_５は組成物に含まれる前記ドーパントによりドープされたπ共役高分子の硫黄原子のモル数の合計であり、Ｎ_５は組成物に含まれる前記ドーパントによりドープされたπ共役高分子の窒素原子のモル数の合計である。
尚、窒素原子及び硫黄原子のモル数は有機元素分析法により測定した値である。

上記π共役高分子は、好ましくは重量平均分子量が１，０００以上であり、より好ましくは１，０００〜１，０００，０００である。

ここでπ共役高分子とは、２重結合と単結合が交互に並んだ構造であるπ共役の主鎖を持つ高分子である。
上記π共役高分子の具体例としては、置換又は無置換のポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、及びこれらの誘導体等が挙げられ、汎用性及び経済性の点から、好ましくは置換又は無置換のポリアニリン及び／又はポリアニリン誘導体である。

π共役高分子がポリアニリンである場合、ポリアニリンの重量平均分子量は、好ましくは２０，０００以上であり、より好ましくは１，０００，０００である。ポリアニリンの重量分子量が２０，０００未満であると、組成物から得られる導電性物品の強度や延伸性が低下するおそれがある。
また、分子量分布は、例えば１．５〜１０．０である。導電率の観点から、分子量分布は小さい方が好ましいが、溶剤への溶解性及び成形性の観点では、分子量分布が広い方が好ましい場合もある。
上記分子量及び分子量分布は、ゲルパーミエーションクロマトグラフ（ＧＰＣ）により測定できる。

本発明の組成物のドープされたπ共役高分子は、溶剤に溶解している。ここで溶解しているとは、π共役高分子が分子単位で均一に溶剤に解けていることを意味する。これにより、溶剤を乾燥した際に、明確な粒界がない、均一なπ共役高分子の被膜が得られる。

ドープされたπ共役高分子は、ドーパントによってドープされている。
ここでπ共役高分子がドーパントによってドープされるとは、ドーパントによってπ共役高分子に自由に動くことができる電荷移動体（キャリア）が注入されていることを意味する。
ドープされたπ共役高分子のドープ率ａは、好ましくは０＜ａ＜１であり、より好ましくは０．７以下であり、さらに好ましくは０．２＜ａ＜０．７であり、最も好ましくは０．４＜ａ＜０．７である。

尚、ドープ率とは、一般に（導電性高分子にドープしているドーパント分子のモル数）／（導電性高分子のモノマーユニット）で定義される。ドープされたπ共役高分子がポリアニリン複合体である場合に、好ましくは０＜ａ＜１であり、より好ましくは０．７以下であり、さらに好ましくは０．２＜ａ＜０．７であり、最も好ましくは０．４＜ａ＜０．７である。
尚、ドープ率が０．２以下であると導電性及びπ共役高分子の溶剤への溶解性が低下するおそれがある。また、ドープ率が０．７以上になると導電性が低下する。
ドーパントのドープ率ａが、０．５であることは、窒素原子２つに対して１分子のドーパントがドープすることを意味する。

また、ドーパントによりドープされたπ共役高分子の成形体の導電度が０．０１Ｓ／ｃｍ以上となることが好ましい。導電度は４端子法により測定する。

ここで、成形体は、以下のようにして得られる。「ドーパントによりドープされたπ共役高分子５００ｍｇ」をトルエン１０ｇに溶解し、導電度測定用溶液を作成する。図１に示す、パターニングによりインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）電極２が表面に形成されたガラス基板１の上面に、導電度測定用溶液１ｍｌを塗布する。具体的には、スピンコート法により塗布する。ここでスピンコート法による塗布は、窒素雰囲気下で行う。また、スピンコート法の、ガラス基板に導電度測定用溶液を滴下した後のガラス基板回転時間は、１５秒間である。また、スピンコート法のガラス基板回転速度は、５００ｒｐｍである。その後、ガラス基板を乾燥してπ共役高分子薄膜を形成する。ここで乾燥は、窒素雰囲気下で行う。また、乾燥時間は、５分間である。また、乾燥温度は、８０℃である。
ここでの成形体とは、ガラス基板上に形成されたπ共役高分子の成形体自体をいう。尚、導電率は、例えば、以下のようにして得られる。
π共役高分子薄膜を乾燥後、図２に示すように、π共役高分子薄膜３のＩＴＯ電極の端子を覆っている部分を、窒素雰囲気下で削り取り、ＩＴＯ電極の端子を表面に露出させる。表面に露出したＩＴＯ電極の端子を用いて、三菱化学社製の抵抗率計を用いて４端子法で導電度を測定する。

π共役高分子組成物の成形体の導電度が０．０１ｓ／ｃｍ以上となることが好ましい。導電度は４端子法により測定する。
ここで、成形体は、以下のようにして得られる。図１に示す、パターニングによりＩＴＯ電極２が表面に形成されたガラス基板１の上面に、π共役高分子組成物１ｍｌを塗布する。具体的には、スピンコート法により塗布する。ここでスピンコート法による塗布は、窒素雰囲気下で行う。また、スピンコート法の、ガラス基板にπ共役高分子組成物を滴下した後のガラス基板回転時間は、１５秒間である。また、スピンコート法のガラス基板回転速度は、５００ｒｐｍである。その後、ガラス基板を乾燥してπ共役高分子組成物薄膜を形成する。ここで乾燥は、窒素雰囲気下で行う。また、乾燥時間は、５分間である。また、乾燥温度は、８０℃である。
ここでの成形体とは、ガラス基板上に形成されたπ共役高分子組成物の成形体自体をいう。尚、導電率は、例えば、以下のようにして得られる。π共役高分子組成物薄膜を乾燥後、図３に示すように、π共役高分子組成物薄膜４のＩＴＯ電極の端子を覆っている部分を、窒素雰囲気下で削り取り、ＩＴＯ電極の端子を表面に露出させる。表面に露出したＩＴＯ電極の端子を用いて、三菱化学社製の抵抗率計を用いて４端子法で導電度を測定する。

ドーパントによりドープされたπ共役高分子は、好ましくはプロトネーションされた置換又は非置換ポリアニリンである。
ドーパントとしては、例えば、有機プロトン酸又はその塩が挙げられる。
置換ポリアニリンの置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、ヘキシル基、オクチル基等の直鎖又は分岐の炭化水素基；メトキシ基、フェノキシ基等のアルコキシル基；アリーロキシ基；ＣＦ_３基等の含ハロゲン炭化水素基等が挙げられる。

上記プロトネーションされた置換又は非置換ポリアニリンは、好ましくは下記式（Ｉ）で表される有機プロトン酸又はその塩によってプロトネーションされた置換又は非置換ポリアニリンである。
Ｍ（ＸＡＲ_ｎ）_ｍ （Ｉ）

上記式（Ｉ）において、Ｍは、水素原子、有機遊離基又は無機遊離基である。
上記有機遊離基としては、例えば、ピリジニウム基、イミダゾリウム基、アニリニウム基等が挙げられる。上記無機遊離基としては、例えばナトリウム、リチウム、カリウム、セシウム、アンモニウム等が挙げられる。

Ｘは、酸性基であり、例えば−ＳＯ_３ ⁻、−ＰＯ_３ ^２−、−ＰＯ_４（ＯＨ）⁻、−ＯＰＯ_３ ^２−、−ＯＰＯ_２（ＯＨ）⁻、−ＣＯＯ⁻で表される基等が挙げられ、−ＳＯ_３ ⁻で表される基が好ましい。

Ａは、置換基を含んでもよい炭化水素基である。
当該炭化水素基としては、例えば炭素数１〜２４の直鎖若しくは分岐状のアルキル基；アルケニル基；シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、メンチル等の置換基を含んでいてもよいシクロアルキル基；ビシクロヘキシル、ノルボルニル、アダマンチル等の縮合してもよいジシクロアルキル基若しくはポリシクロアルキル基；フェニル、トシル、チオフェニル、ピローリニル、ピリジニル、フラニル等の置換基を含んでいてもよい芳香環を含むアリール基；ナフチル、アントラセニル、フルオレニル、１，２，３，４−テトラヒドロナフチル、インダニル、キノリニル、インドニル等の縮合していてもよいジアリール基若しくはポリアリール基；アルキルアリール基等であって、対応する（ｎ＋１）価の基が挙げられる。

Ｒは、それぞれ独立して、−Ｒ^１、−ＯＲ^１、−ＣＯＲ^１、−ＣＯＯＲ^１、−ＣＯ（ＣＯＲ^１）、又は―ＣＯ（ＣＯＯＲ^１）で表される置換基ある。
ここで、Ｒ^１は炭素数が４以上の置換基を含んでもよい炭化水素基、シリル基、アルキルシリル基、−（Ｒ^２Ｏ）_ｘ−Ｒ^３で表される基、又は−（ＯＳｉＲ^３ _２）_ｘ−ＯＲ^３（Ｒ^２はアルキレン基、Ｒ^３はそれぞれ同一でも異なっていてもよい炭化水素基であり、ｘは１以上の整数である）で表される基である。
Ｒ^１の炭化水素基の例としては、直鎖若しくは分岐のブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、エイコサニル基等が挙げられる。

ｎは２以上の整数である。ｍはＭの価数である。

式（Ｉ）で示される有機プロトン酸又はその塩は、好ましくは、ジアルキルベンゼンスルフォン酸、ジアルキルナフタレンスルフォン酸、スルホフタール酸エステル、又は下記式（II）で表される有機プロトン酸又はその塩である。
Ｍ（ＸＣＲ^４（ＣＲ^５ _２ＣＯＯＲ^６）ＣＯＯＲ^７）_ｐ （II）

上記式（II）において、Ｍ及びＸは、式（Ｉ）と同様である。
ｐはＭの価数である。

Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立して水素原子、炭化水素基又はＲ^８ _３Ｓｉ−で表される基（ここで、Ｒ^８は、炭化水素基であり、３つのＲ^８は同一又は異なっていてもよい）である。
Ｒ^４及びＲ^５の炭化水素基としては、炭素数１〜２４の直鎖若しくは分岐状のアルキル基；芳香環を含むアリール基；アルキルアリール基等が挙げられる。
Ｒ^８の炭化水素基は、Ｒ^４及びＲ^５の炭化水素基と同様である。

Ｒ^６及びＲ^７は、それぞれ独立して炭化水素基又は−（Ｒ^９Ｏ）_ｑ−Ｒ^１０で表される基［ここで、Ｒ^９は炭化水素基又はシリレン基であり、Ｒ^１０は水素原子、炭化水素基又はＲ^１１ _３Ｓｉ−で表される基（Ｒ^１１は、炭化水素基であり、３つのＲ^１１は同一又は異なっていてもよい）であり、ｑは１以上の整数である］である。
Ｒ^６及びＲ^７の炭化水素基としては、炭素数１〜２４、好ましくは炭素数４以上の直鎖若しくは分岐状のアルキル基；芳香環を含むアリール基；アルキルアリール基等が挙げられる。
Ｒ^６及びＲ^７の炭化水素基の具体例としては、直鎖又は分岐状のブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基等が挙げられる。

Ｒ^９の炭化水素基としては、炭素数１〜２４の直鎖若しくは分岐状のアルキレン基；芳香環を含むアリーレン基；アルキルアリーレン基；アリールアルキレン基等である。
また、Ｒ^１０及びＲ^１１の炭化水素基としては、Ｒ^４及びＲ^５の場合と同様である。ｑは、１〜１０の整数であることが好ましい。

Ｒ^６及びＲ^７が−（Ｒ^９Ｏ）_ｎ−Ｒ^１０で表される基である場合の式（II）で表される有機プロトン酸又はその塩の具体例としては、下記式で表される酸が挙げられる。

（式中、Ｘは、−ＳＯ_３で表される基等である。）

下記式（II）で表される化合物（有機プロトン酸（II）又はその塩）は、好ましくは下記式（III）で示されるスルホコハク酸誘導体（以下、単にスルホコハク酸誘導体（III）という場合がある）である。
Ｍ（Ｏ_３ＳＣＨ（ＣＨ_２ＣＯＯＲ^１２）ＣＯＯＲ^１３）_ｍ （III）

上記式（III）において、Ｍ及びｍは、上記式（Ｉ）と同様である。

Ｒ^１２及びＲ^１３は、それぞれ独立して炭化水素基又は−（Ｒ^１４Ｏ）_ｒ−Ｒ^１５で表される基［ここで、Ｒ^１４は炭化水素基又はシリレン基であり、Ｒ^１５は水素原子、炭化水素基又はＲ^１６ _３Ｓｉ−で表される基（ここで、Ｒ^１６は炭化水素基であり、３つのＲ^１６は同一又は異なっていてもよい）であり、ｒは１以上の整数である］である。

Ｒ^１２及びＲ^１３の炭化水素基は、Ｒ^６及びＲ^７の炭化水素基と同様である。
Ｒ^１４の炭化水素基は、Ｒ^９の炭化水素基と同様である。また、Ｒ^１５及びＲ^１６の炭化水素基は、Ｒ^４及びＲ^５の炭化水素基と同様である。
ｒは、好ましくは１〜１０の整数である。

Ｒ^１２及びＲ^１３が、−（Ｒ^１４Ｏ）_ｒ−Ｒ^１５で表される基である場合の式（III）
で表される有機プロトン酸又はその塩の具体例は、Ｒ^６及びＲ^７が−（Ｒ^９Ｏ）_ｎ−Ｒ^１０で表される基である場合の式（II）で表される有機プロトン酸又はその塩と同様である。
Ｒ^１２及びＲ^１３の炭化水素基は、Ｒ^６及びＲ^７の炭化水素基と同様であり、ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、デシル基等が好ましい。

酸性物質は、有機化合物の酸である有機酸、無機化合物の酸である無機酸のいずれでもよく、好ましくは有機酸である。
本発明の組成物が含む酸性物質としては、好ましくはスルホン酸基、リン酸基、ホスホン酸基、カルボキシ基等、酸性の基である酸性基を１つ以上含む有機酸である。

上記スルホン酸基を有する有機酸は、好ましくはスルホン酸基を１つ以上有する、環状、鎖状又は分岐のアルキルスルホン酸、置換又は無置換の芳香族スルホン酸、又はポリスルホン酸である。
上記アルキルスルホン酸としては、例えば、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ジ２−エチルヘキシルスルホコハク酸が挙げられる。
上記芳香族スルホン酸としては、例えば、ベンゼン環を有するスルホン酸、ナフタレン骨格を有するスルホン酸、アントラセン骨格を有するスルホン酸が挙げられる。また、上記芳香族スルホン酸としては、置換又は無置換のベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸及びアントラセンスルホン酸が挙げられる。ここで置換基は、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アシル基からなる群から選択される置換基であり、１以上置換していてもよい。例えば、ナフタレンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、アントラキノンスルホン酸が挙げられる。上記芳香族スルホン酸としては、置換又は無置換のナフタレンスルホン酸が好ましい。
上記ポリスルホン酸は、高分子鎖の主鎖、又は側鎖に複数のスルホン酸基が置換したスルホン酸である。例えば、ポリスチレンスルホン酸が挙げられる。
ここでアルキル基は好ましくは炭素数が１〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基である。

上記カルボキシ基を有する有機酸は、好ましくはカルボキシ基を１つ以上有する環状、鎖状又は分岐のアルキルカルボン酸、置換又は無置換の芳香族カルボン酸である。
上記アルキルカルボン酸としては、例えば、ウンデシレン酸、シクロヘキサンカルボン酸、２−エチルヘキサン酸等が挙げられる。
上記芳香族カルボン酸としては、置換又は無置換のベンゼンカルボン酸及びナフタレンカルボン酸等が挙げられる。ここで置換基は、例えば、スルホン酸基、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アシル基からなる群から選択される置換基であり、１以上置換していてもよい。例えば、サリチル酸、安息香酸、ナフトエ酸、トリメシン酸等が挙げられる。
ここでアルキル基は好ましくは炭素数が１〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基である。

上記リン酸基又はホスホン酸基を有する有機酸は、好ましくはリン酸基又はホスホン酸基を１つ以上有する環状、鎖状又は分岐のアルキルリン酸又はホスホン酸、置換又は無置換の芳香族リン酸又はホスホン酸である。
上記アルキルリン酸又はホスホン酸としては、例えば、ドデシルリン酸、リン酸水素ビス（２−エチルヘキシル）等が挙げられる。
上記芳香族リン酸又はホスホン酸としては、置換又は無置換のベンゼンスルホン酸又はホスホン酸、及びナフタレンスルホン酸又はホスホン酸等が挙げられる。ここで置換基は、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アシル基からなる群から選択される置換基であり、１以上置換していてもよい。例えば、フェニルホスホン酸等が挙げられる。
ここでアルキル基は好ましくは炭素数が１〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基である。

本発明の組成物が含む酸性物質の塩としては、上記酸性物質の塩が挙げられる。
また、本発明の組成物は、上記酸性物質又はその塩を１以上含んでもよい。さらに、本発明の組成物は、異なる複数の酸性物質を含んでいてもよい。また、本発明の組成物は、異なる複数の酸性物質を含んでいてもよい。また、本発明の組成物は、異なる複数の酸性物質及び酸性物質の塩を含んでいてもよい。

前記酸性物質は、酸性度（ｐＫａ）が５．０以下であることが好ましい。尚、酸性度（ｐＫａ）の下限は特に制限されないが、例えば、酸性度が−４．０以下の酸性物質を添加した場合では、π共役高分子の劣化を招く可能性がある。

酸性度（ｐＫａ）は計算化学法によって定義される。即ちＡ．Ｋｌａｍｔらが開発した量子化学計算により分子表面の電荷密度を計算し、異種分子間の相互作用を活量係数として算出するＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙの１９９５年、第９９巻、ｐ．２２２４に記載された方法を用いる。
具体的には、「ＴＵＲＢＯＭＯＬＥ Ｖｅｒｓｉｏｎ ６．１」（ＣＯＳＭＯ ｌｏｇｉｃ社製）を用いて、基底関数にＴＺＶＰを用いて構造を最適化し、この構造を用いてＣＯＳＭＯ−ＲＳ法計算を「ＣＯＳＭＯ ｔｈｅｒｍ Ｖｅｒｓｉｏｎ Ｃ２．１ Ｒｅｌｅａｓｅ ０１．１０」（ＣＯＳＭＯ ｌｏｇｉｃ社製）により行う。
ここで、「ＣＯＳＭＯ ｔｈｅｒｍ Ｖｅｒｓｉｏｎ Ｃ２．１ Ｒｅｌｅａｓｅ ０１．１０」に２５℃の水溶媒中との条件と、分子の化学式と、脱プロトンした分子の化学式と、を入力してｐＫａを算出する。

本発明の組成物において、酸性物質及び酸性物質の塩の少なくとも１つの含有量は、好ましくはドープされたπ共役高分子１００質量部に対して１〜１０００質量部であり、より好ましくは１０〜１００質量部である。

本発明の組成物に含まれる溶剤は好ましくは有機溶剤である。
前記溶剤は、実質的に水に混和しない有機溶剤（水不混和性有機溶剤）でも、水溶性有機溶剤でもよい。

水不混和性有機溶剤としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、テトラリン等の炭化水素系溶剤；塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン、テトラクロロエタン等の含ハロゲン系溶剤；酢酸エチル等のエステル系溶剤等が挙げられる。これらの中では、ドープされたポリアニリンの溶解性に優れる点でトルエン、キシレン、クロロホルム、トリクロロエタン及び酢酸エチルが好ましい。

水溶性有機溶剤としては、アルコール類；アセトン、メチルエチルケトンのようなケトン類；テトラヒドロフラン、ジオキサン等の極性エーテル類；Ｎメチルピロリドン等の非プロトン性極性溶剤等が挙げられる。

本発明の組成物が含むドープされたポリアニリン及び後述するフェノール性化合物は、２−ブタノール、２−ペンタノール、ベンジルアルコール等のアルコールに溶解する。アルコールは、トルエン等と異なり環境負荷低減の観点から好ましい。

また、有機溶剤を用いるに当たり、水不混和性有機溶剤と水溶性有機溶剤との混合有機溶剤を９９〜５０：１〜５０の質量比で用いることにより、本発明の組成物を保存する際に、ゲル等の発生を防止でき、長期保存する上から好ましい。

混合有機溶剤の水不混和性有機溶剤としては、低極性有機溶剤が使用できる。例えば、トルエンやクロロホルムが好ましい。また、混合有機溶剤の水溶性有機溶剤としては、高極性有機溶剤が使用できる。例えば、メタノール，エタノール，イソプロピルアルコール，２−メトキシエタノール，２−エトキシエタノール，アセトン，メチルエチルケトン，メチルイソブチルケトン，テトラヒドロフラン又はジエチルエーテルが好ましい。

有機溶剤中のドープされたπ共役高分子の割合は、有機溶剤の種類によるが、通常、９００ｇ／Ｌ以下であり、好ましくは０．０１〜３００ｇ／Ｌ以下の範囲である。ドープされたπ共役高分子の含有量が多すぎると、溶液状態が保持できなくなり、成形体を成形する際の取り扱いが困難になり、成形体の均一性が損なわれ、ひいては成形体の電気特性や機械的強度、透明性の低下を生じる。一方、ドープされたπ共役高分子の含有量が少なすぎると、後述する方法により成膜したとき、非常に薄い膜しか製造できず、均一な導電性膜の製造が難しくなるおそれがある。

本発明の組成物は、さらにフェノール性化合物を含む。フェノール性化合物は上記酸性物質又は酸性物質の塩とは異なる。
本発明の組成物が含むフェノール性化合物は特に限定されず、ＡｒＯＨ（ここで、Ａｒはアリール基又は置換アリール基である）で示される化合物である。具体的には、フェノール、ｏ−，ｍ−若しくはｐ−クレゾール、ｏ−，ｍ−若しくはｐ−エチルフェノール、ｏ−，ｍ−若しくはｐ−プロピルフェノール、ｏ−，ｍ−若しくはｐ−ブチルフェノール、ｏ−，ｍ−若しくはｐ−クロロフェノール、サリチル酸、ヒドロキシ安息香酸、ヒドロキシナフタレン等の置換フェノール類；カテコール、レゾルシノール等の多価フェノール性化合物；及びフェノール樹脂、ポリフェノール、ポリ（ヒドロキシスチレン）等の高分子化合物等を例示することができる。

フェノール性化合物のドープされたπ共役高分子１ｇに対するモル濃度は、１ｍｍｏｌ／ｇ〜５０ｍｍｏｌ／ｇの範囲であることが好ましい。フェノール性化合物の添加量が少なすぎると、電気伝導率の改善効果が得られないおそれがある。また、多すぎる場合にも、組成物の均一性が損なわれたり、揮発除去する際に多大な熱や時間等の労力を必要とし、結果として、透明性や電気特性が損なわれた材料となるおそれがある。特に、２ｍｍｏｌ／ｇ〜２０ｍｍｏｌ／ｇの範囲であることが好ましい。

フェノール性化合物を含む本発明の組成物は、好ましくはフェノール性化合物が下記式（１）で表されるフェノール性化合物であり、さらに好ましくは、式（１）で表されるフェノール性化合物及びドープされたπ共役高分子の重量比（フェノール性化合物／π共役高分子）が０．０１〜１０．０である。

（式中、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルキルチオ基、アリール基、アルキルアリール基又はアリールアルキル基である。）

式（１）で表されるフェノール性化合物において、−ＯＲの置換位置はフェノール性水酸基に対し、メタ位、又はパラ位であることが好ましい。−ＯＲの置換位置をメタ位又はパラ位とすることにより、フェノール性水酸基の立体障害が低減され、組成物の導電性をより高めることができる。

上記式（１）で表されるフェノール性化合物の代わりに下記式（２）で表されるフェノール性化合物を用いることができる。
フェノール性化合物を含む本発明の組成物は、好ましくはフェノール性化合物が下記式（２）で表されるフェノール性化合物であり、さらに好ましくは、式（２）で表されるフェノール性化合物及びドープされたπ共役高分子の重量比（フェノール性化合物／π共役高分子）が０．０１〜５．０である。

（式中、ｎは０〜６の整数である。
Ｒは、それぞれ炭素数２〜１０のアルキル基、アルケニル基、アルキルチオ基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、アルキルアリール基又はアリールアルキル基である。）

また、上記式（１）で表されるフェノール性化合物の代わりに式（３）で表されるフェノール性化合物を用いることができる。
フェノール性化合物を含む本発明の組成物は、好ましくはフェノール性化合物が下記式（３）で表されるフェノール性化合物であり、さらに好ましくは、式（３）で表されるフェノール性化合物及びドープされたπ共役高分子の重量比（フェノール性化合物／π共役高分子）が０．０１〜１０．０である。

（式中、ｎは１〜５の整数である。
Ｒは、それぞれ炭素数２〜１０のアルキル基、アルケニル基、アルキルチオ基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、アルキルアリール基又はアリールアルキル基である。）

上記式（１）、（２）及び（３）のＲについて、
アルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ターシャルブチル等が挙げられる。
アルケニル基としては、上述したアルキル基の分子内に不飽和結合を有する置換基が挙げられる。
シクロアルキル基としては、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
アルキルチオ基としては、メチルチオ、エチルチオ等が挙げられる。
アリール基としては、フェニル、ナフチル等が挙げられる。
アルキルアリール基、及びアリールアルキル基としては、上述したアルキル基とアリール基を組み合わせて得られる置換基等が挙げられる。
これらの基のうち、Ｒとしては、メチル又はエチル基が好ましい。

本発明の組成物は、例えば１５％重量以上、５０重量％以上、７０重量％以上、１００重量％がπ共役高分子、酸性物質及び／又は酸性物質の塩、溶剤及びフェノール性化合物からなってもよい。
これら必須成分の他に、本発明の組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、他の樹脂、無機材料、硬化剤、可塑剤等を含んでもよい。

他の樹脂は、例えば、バインダー基材や可塑剤、マトリックス基材等として添加され、その具体例としては、例えば、ポリエチレンやポリプロピレン等のポリオレフィン、塩素化ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリエステル、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサイド、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、ポリビニルアルコール等が挙げられる。
また樹脂の代わりに、また樹脂と共に、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂を形成し得る前駆体を用いてもよい。

無機材料は、例えば、強度、表面硬度、寸法安定性その他の機械的物性の向上等の目的で添加され、その具体例としては、例えば、シリカ（二酸化ケイ素）、チタニア（酸化チタン）、アルミナ（酸化アルミニウム）等が挙げられる。

硬化剤は、例えば、強度、表面硬度、寸法安定性その他の機械的物性の向上等の目的で添加され、その具体例としては、例えば、フェノール樹脂等の熱硬化剤、アクリレート系モノマーと光重合性開始剤による光硬化剤等が挙げられる。

可塑剤は、例えば、引張強度や曲げ強度等の機械的特性の向上等の目的で添加され、その具体例としては、例えば、フタル酸エステル類やリン酸エステル類等が挙げられる。

本発明の組成物は、公知の方法で調製することができ、例えばＷＯ０５／０５２０５８に開示の方法により調製することができる。

本発明の組成物から導電性成形体が得られる。
例えば、有機溶剤に溶解しているポリアニリンとプロトン酸の複合体に，少量のフェノール性水酸基を有する化合物を添加した組成物を、ガラス等に塗布することで導電性ポリアニリン組成物の成形体である膜を得ることが出来る。ここで塗布前にさらに酸性物質又はその塩を添加することで、塗布後に得られる導電性ポリアニリン組成物の成形体は、耐熱性の優れた導電性物品とすることができる。

製造例１
［プロトネーションされたポリアニリンの製造］
エーロゾルＯＴ（ジ−２−エチルヘキシルスルホコハク酸ナトリウム、純度７５％以上、和光純薬工業製）１４４ｇをトルエン４Ｌに攪拌溶解して調製した溶液を、窒素気流下に置いた３０Ｌのガラス反応器（機械式攪拌器、ジャケット、温度計及び滴下ロート付）に入れ、さらにこの溶液に、１５０ｇの原料アニリンを加え、攪拌溶解した。冷媒によるフラスコの攪拌冷却を開始し、１Ｎ塩酸１２Ｌを溶液に添加した。次に、溶液温度が−３℃に冷却した状態で、２１４ｇの過硫酸アンモニウムを１Ｎ塩酸４Ｌに溶解した溶液を滴下ロートで滴下し、３時間１０分で完了した。滴下開始から１８時間３０分の間、溶液内温を０℃±１℃に保ったまま攪拌を行った。その後、トルエン８Ｌを加え、溶液温度を１９℃に上昇させ静置した。静置により二相に分離した水相（下相）を反応器下部から抜き出し、粗ポリアニリン複合体トルエン溶液を得た。

得られた複合体溶液にイオン交換水４Ｌを加え攪拌した後、静置して水相を分離した。この操作を再度行った後、１Ｎ塩酸水溶液４Ｌで同様に複合体溶液を洗浄し、静置後、酸性水溶液を分離して、ポリアニリン複合体のトルエン溶液を回収した。この複合体溶液に含まれる若干の不溶物を＃５Ｃの濾紙により除去し、トルエンに可溶なポリアニリン複合体のトルエン溶液を回収した。この溶液をエバポレーターに移し、６０℃の湯浴で加温し、減圧することにより、揮発分を蒸発留去し、２０８ｇのポリアニリン複合体（プロトネーションされたポリアニリン）を得た。

得られたポリアニリン複合体について、揮発分を実質的に取り除いた場合の元素分析結果を以下に示す。アニリン原料に基づく窒素重量％とスルホコハク酸エステルに基づく硫黄重量％の比率から、本複合体中のアニリンモノマーユニット／スルホコハク酸エステルのモル分率は、０．６２である。
炭素６１．７重量％、水素：８．２重量％、窒素：３．９重量％、硫黄：５．５重量％

また、このポリアニリン複合体中のポリアニリン骨格の重量平均分子量をＧＰＣにより測定したところ、１５０，０００ｇ／ｍｏｌであった。

製造例２
［プロトン化されたジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の製造］
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸ナトリウム（東京化成工業製）４ｇを酢酸エチル１００ｍｌに攪拌溶解し、完全溶解したところに１Ｎ塩酸水溶液５０ｍｌを加え、３０分攪拌を行った。攪拌後、反応液を分液ロートに移して有機相を取り出し、ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸溶液を得た。得られた溶液をエバポレートし、溶媒を除去することで、ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸を得た。

製造例３
［ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸アニリン塩の製造］
製造例２で調製したジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸１ｇ（２．４ｍｍｏｌ）に対してアニリン０．２２ｇ（２．４ｍｍｏｌ）を添加し、１０分攪拌することでジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸アニリン塩を得た。

製造例４
［プロトネーションされたモノイソプロピルナフタレンスルホン酸の製造］
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸ナトリウムの代わりにモノイソプロピルナフタレンスルホン酸Ｎａ（竹本油脂社製）を用いた他は製造例２と同様にして、プロトネーションされたモノイソプロピルナフタレンスルホン酸を調製した。

製造例５
［プロトネーションされたジイソプロピルナフタレンスルホン酸の製造］ ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸ナトリウムの代わりにジイソプロピルナフタレンスルホン酸Ｎａ（竹本油脂社製）を用いた他は製造例２と同様にして、プロトネーションされたジイソプロピルナフタレンスルホン酸を調製した。

製造例６
［プロトネーションされたトリイソプロピルナフタレンスルホン酸の製造］
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸ナトリウムの代わりにトリイソプロピルナフタレンスルホン酸Ｎａ(竹本油脂社製)を用いた他は製造例２と同様にして、プロトネーションされたトリイソプロピルナフタレンスルホン酸を調製した。

参考例１
［導電性ポリアニリン組成物の調製］
製造例１で得た導電性ポリアニリン複合体５００ｍｇをトルエン１０ｇに再度溶解し、均一な導電性ポリアニリン複合体溶液を調製した。この溶液に製造例２で得たジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸を０．０１ｇ（０．０２４ｍｍｏｌ）及びｍ−クレゾール１ｇ（９．２ｍｍｏｌ）を添加し、均一な導電性ポリアニリン組成物を得た。
尚、下記の方法によると、ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の酸性度（ｐＫａ）は−２．５であった。
「ＴＵＲＢＯＭＯＬＥ Ｖｅｒｓｉｏｎ ６．１」（ＣＯＳＭＯ ｌｏｇｉｃ社製）を用いて、基底関数にＴＺＶＰを用いて構造を最適化し、この構造を用いてＣＯＳＭＯ−ＲＳ法計算を「ＣＯＳＭＯ ｔｈｅｒｍ Ｖｅｒｓｉｏｎ Ｃ２．１ Ｒｅｌｅａｓｅ ０１．１０」（ＣＯＳＭＯ ｌｏｇｉｃ社製）により行った。ここで、「ＣＯＳＭＯ ｔｈｅｒｍ Ｖｅｒｓｉｏｎ Ｃ２．１ Ｒｅｌｅａｓｅ ０１．１０」に２５℃の水溶媒中との条件と、分子の化学式と、脱プロトンした分子の化学式と、を入力してｐＫａを算出した。

［導電性ポリアニリン薄膜の製造］
得られた導電性ポリアニリン組成物約１ｍｌを、図１に示す、パターニングによりＩＴＯ電極２が表面に形成されたガラス基板１の上面に塗布した。具体的には、スピンコート法により塗布した。ここでスピンコート法による塗布は、窒素雰囲気下で行った。また、スピンコート法の、ガラス基板に導電性ポリアニリン組成物を滴下した後のガラス基板回転時間は、１５秒間であった。また、スピンコート法のガラス基板回転速度は、５００ｒｐｍとした。その後、ガラス基板を乾燥して導電性ポリアニリン薄膜を形成した。ここで乾燥は、窒素雰囲気下で行った。また、乾燥時間は、５分間とした。また、乾燥温度は、８０℃とした。導電性ポリアニリン薄膜を乾燥後、図４に示すように、導電性ポリアニリン薄膜５のＩＴＯ電極の端子を覆っている部分を、窒素雰囲気下で削り取り、ＩＴＯ電極の端子を表面に露出させた。表面に露出したＩＴＯ電極の端子を用いて、ロレスターＧＰ（三菱化学社製；四端子法による抵抗率計）を用いて薄膜の抵抗を測定し、成膜直後の抵抗値を初期値Ｒ_０とした。

［導電性ポリアニリン薄膜の１０５℃耐熱試験］
得られた導電性ポリアニリン組成物の薄膜をガラス基板のまま、窒素雰囲気下、１０５℃の条件下で所定時間放置した。所定時間経過後に薄膜の温度を室温に戻してから初期値Ｒ_０の場合同様にして抵抗の測定を行った。所定時間経過後の抵抗値Ｒと初期値Ｒ_０との比Ｒ／Ｒ_０を算出し、薄膜の経時劣化（抵抗の上昇率）を評価した。結果を表１，２に示す。
尚、表中の値は、所定時間経過後の抵抗値Ｒと初期値Ｒ_０との比Ｒ／Ｒ_０を示す。

参考例２
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の添加量を０．０５ｇ（０．１２ｍｍｏｌ）に変更した以外は参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。

参考例３
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の添加量を０．２ｇ（０．４７ｍｍｏｌ）に変更した以外は参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。

参考例４
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の添加量を０．５ｇ（１．１８ｍｍｏｌ）に変更した以外は参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。

参考例５
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに製造例３で得たジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸アニリン塩を０．０１ｇ（０．０２ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。

参考例６
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに製造例３で得たジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸アニリン塩を０．０５ｇ（０．１０ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。

参考例７
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに製造例３で得たジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸アニリン塩を０．１ｇ（０．２０ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。

参考例８
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに製造例３で得たジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸アニリン塩を０．２ｇ（０．３９ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。

参考例９
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに製造例３で得たジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸アニリン塩を０．５ｇ（０．９８ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。

参考例１０
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸ナトリウム（東京化成工業製）０．１ｇ（０．２３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。

参考例１１
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸ナトリウム（東京化成工業（株）製）０．２ｇ（０．４５ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。

参考例１２
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸ナトリウム（東京化成工業製）０．３ｇ（０．６８ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。

参考例１３
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにメタンスルホン酸（和光純薬工業製）０．０２ｇ（０．１ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。
尚、参考例１と同様の方法によると、メタンスルホン酸の酸性度（ｐＫａ）は−１．５であった。

参考例１４
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにメタンスルホン酸（和光純薬工業製）０．０４ｇ（０．２ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。

参考例１５
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにメタンスルホン酸（和光純薬工業製）０．０８ｇ（０．４ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。

実施例１６
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに下記式で表されるドデシルリン酸（フォスファノールＭＬ２００、第一工業製薬製）０．０５８ｇ（０．２１ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。
尚、参考例１と同様の方法によると、ドデシルリン酸の酸性度（ｐＫａ）は０．８４であった。

実施例１７
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにドデシルリン酸（フォスファノールＭＬ２００、第一工業製薬製）０．１１ｇ（０．４３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。

参考例１８
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに２−ナフタレンスルホン酸水和物（東京化成工業株式会社製）０．０９４ｇ（０．４２ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。
尚、参考例１と同様の方法によると、２−ナフタレンスルホン酸の酸性度（ｐＫａ）は−２．４であった。

参考例１９
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに２−ナフタレンスルホン酸水和物（東京化成工業株式会社製）０．１８７ｇ（０．８３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。

参考例２０
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにｐ−キシレンスルホン酸（東京化成工業株式会社製）０．０８ｇ（０．４３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。
尚、参考例１と同様の方法によると、ｐ−キシレンスルホン酸の酸性度（ｐＫａ）は−１．８であった。

参考例２１
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにｐ−キシレンスルホン酸（東京化成工業株式会社製）０．１６ｇ（０．８６ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。

実施例２２
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに安息香酸（東京化成工業株式会社製）０．０５ｇ（０．４１ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。
尚、参考例１と同様の方法によると、安息香酸の酸性度（ｐＫａ）は４．３であった。

実施例２３
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに安息香酸（東京化成工業株式会社製）０．１ｇ（０．８２ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。

実施例２４
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにシクロヘキサンカルボン酸（東京化成工業株式会社製）０．０５ｇ（０．３９ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。
尚、参考例１と同様の方法によると、シクロヘキサンカルボン酸の酸性度（ｐＫａ）は４．６であった。

実施例２５
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにシクロヘキサンカルボン酸（東京化成工業株式会社製）０．１ｇ（０．７８ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。

参考例２６
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにｐ−トルエンスルホン酸（東京化成工業株式会社製）０．０８ｇ（０．４２ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。
尚、参考例１と同様の方法によると、ｐ−トルエンスルホン酸の酸性度（ｐＫａ）は−２．２であった。

参考例２７
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにｐ−トルエンスルホン酸（東京化成工業株式会社製）０．１６ｇ（０．８４ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。

実施例２８
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにフェニルホスホン酸（東京化成工業株式会社製）０．０６５ｇ（０．４１ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。
尚、参考例１と同様の方法によると、フェニルホスホン酸の酸性度（ｐＫａ）は２．２であった。

実施例２９
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにフェニルホスホン酸（東京化成工業株式会社製）０．１３ｇ（０．８２ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。

参考例３０
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにｍ−キシレンスルホン酸（東京化成工業株式会社製）０．０８ｇ（０．４３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表１，２に示す。
尚、参考例１と同様の方法によると、ｍ−キシレンスルホン酸の酸性度（ｐＫａ）は−２．０であった。

参考例３１
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにｍ−キシレンスルホン酸（東京化成工業株式会社製）０．１６ｇ（０．８６ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。

参考例３２
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにエタンスルホン酸（東京化成工業株式会社製）０．０４６ｇ（０．４２ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。
尚、参考例１と同様の方法によると、エタンスルホン酸の酸性度（ｐＫａ）は−２．６であった。

参考例３３
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにエタンスルホン酸（東京化成工業株式会社製）０．０９１ｇ（０．８３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。

参考例３４
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにドデシルベンゼンスルホン酸（東京化成工業株式会社製）０．１３５ｇ（０．４１ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。
尚、参考例１と同様の方法によると、ドデシルベンゼンスルホン酸の酸性度（ｐＫａ）は−２．８であった。

参考例３５
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにドデシルベンゼンスルホン酸（東京化成工業株式会社製）０．２７ｇ（０．８３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。

実施例３６
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにリン酸水素ビス（２−エチルヘキシル）（東京化成工業株式会社製）０．１３ｇ（０．４０ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。
尚、参考例１と同様の方法によると、リン酸水素ビス（２−エチルヘキシル）の酸性度（ｐＫａ）は１．２であった。

実施例３７
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにリン酸水素ビス（２−エチルヘキシル）（東京化成工業株式会社製）０．２７ｇ（０．８４ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。

参考例３８
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに８−エトキシキノリン−５−スルホン酸水和物（東京化成工業株式会社製）０．１０ｇ（０．４０ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。
尚、参考例１と同様の方法によると、８−エトキシキノリン−５−スルホン酸の酸性度（ｐＫａ）は−２．１であった。

参考例３９
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに８−エトキシキノリン−５−スルホン酸水和物（東京化成工業株式会社製）０．２１ｇ（０．８３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。

実施例４０
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに２−エチルヘキサン酸（東京化成工業株式会社製）０．０６ｇ（０．４２ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。
尚、参考例１と同様の方法によると、２−エチルヘキサン酸の酸性度（ｐＫａ）は４．５であった。

実施例４１
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに２−エチルヘキサン酸（東京化成工業株式会社製）０．１２ｇ（０．８３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。

実施例４２
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにサリチル酸（東京化成工業株式会社製）０．０６ｇ（０．４３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。
尚、参考例１と同様の方法によると、サリチル酸の酸性度（ｐＫａ）は３．５であった。

実施例４３
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにサリチル酸（東京化成工業株式会社製）０．１２ｇ（０．８７ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。

実施例４４
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにウンデシレン酸（東京化成工業株式会社製）０．０７５ｇ（０．４１ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。
尚、参考例１と同様の方法によると、ウンデシレン酸の酸性度（ｐＫａ）は４．６であった。

実施例４５
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにウンデシレン酸（東京化成工業株式会社製）０．１５ｇ（０．８１ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。

参考例４６
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにｐ−フェノールスルホン酸（東京化成工業株式会社製）０．０７２ｇ（０．４１ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。
尚、参考例１と同様の方法によると、ｐ−フェノールスルホン酸の酸性度（ｐＫａ）は−２．２であった。

参考例４７
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにｐ−フェノールスルホン酸（東京化成工業株式会社製）０．１４４ｇ（０．８３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。

参考例４８
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにアントラキノンスルホン酸Ｎａ（東京化成工業株式会社製）０．１２９ｇ（０．４１ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。
尚、参考例１と同様の方法によると、アントラキノンスルホン酸の酸性度（ｐＫａ）は−０．８９であった。

参考例４９
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりにアントラキノンスルホン酸Ｎａ（東京化成工業株式会社製）０．２５９ｇ（０．８３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。

参考例５０
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに製造例４で得たモノイソプロピルナフタレンスルホン酸０．１０４ｇ（０．４１ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。
尚、参考例１と同様の方法によると、モノイソプロピルナフタレンスルホン酸の酸性度（ｐＫａ）は−２．３であった。

参考例５１
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに製造例４で得たモノイソプロピルナフタレンスルホン酸０.２０７ｇ（０．８３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。

参考例５２
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに製造例５で得たジイソプロピルナフタレンスルホン酸０.１２１ｇ（０．４１ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。
尚、参考例１と同様の方法によると、ジイソプロピルナフタレンスルホン酸の酸性度（ｐＫａ）は−２．２であった。

参考例５３
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに製造例５で得たジイソプロピルナフタレンスルホン酸０.２４２ｇ（０．８３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。

参考例５４
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに製造例６で得たトリイソプロピルナフタレンスルホン酸０.１３９ｇ（０．４１ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。
尚、参考例１と同様の方法によると、トリイソプロピルナフタレンスルホン酸の酸性度（ｐＫａ）は−２．１であった。

参考例５５
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに製造例６で得たトリイソプロピルナフタレンスルホン酸０.２７７ｇ（０．８３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。

参考例５６
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに３−ニトロベンゼンスルホン酸（東京化成工業株式会社製）０.０８４ｇ（０．４１ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。
尚、参考例１と同様の方法によると、３−ニトロベンゼンスルホン酸の酸性度（ｐＫａ）は−２．８であった。

参考例５７
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに３−ニトロベンゼンスルホン酸（東京化成工業株式会社製）０.１６８ｇ（０．８３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。

参考例５８
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに２−ヒドロキシ−４−ベンゾフェノン−５−スルホン酸（東京化成工業株式会社製）０．１２８ｇ（０．４１ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。
尚、参考例１と同様の方法によると、２−ヒドロキシ−４−ベンゾフェノン−５−スルホン酸の酸性度（ｐＫａ）は−２．８であった。

参考例５９
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸の代わりに２−ヒドロキシ−４−ベンゾフェノン−５−スルホン酸（東京化成工業株式会社製）０．２５５ｇ（０．８３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。

比較例１
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸を添加しなかった他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。

比較例２
ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸及びｍ−クレゾールを添加しなかった他は、参考例１と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例１と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表３，４に示す。

参考例６０
［導電性ポリアニリン組成物の調製］
製造例１で得た導電性ポリアニリン複合体５００ｍｇをトルエン１０ｇに再度溶解し、均一な導電性ポリアニリン複合体溶液を調製した。この溶液に２−ナフタレンスルホン酸水和物（東京化成工業株式会社製）を０．０２３ｇ（０．１１ｍｍｏｌ）及びｍ−クレゾール１ｇ（９．２ｍｍｏｌ）を添加し、均一な導電性ポリアニリン組成物を得た。

［導電性ポリアニリン薄膜の製造］
得られた導電性ポリアニリン組成物約１ｍｌを、図１に示す、パターニングによりＩＴＯ電極２が表面に形成されたガラス基板１の上面に塗布した。具体的には、スピンコート法により塗布した。ここでスピンコート法による塗布は、窒素雰囲気下で行った。また、スピンコート法の、ガラス基板に導電性ポリアニリン組成物を滴下した後のガラス基板回転時間は、１５秒間とした。また、スピンコート法のガラス基板回転速度は、５００ｒｐｍとした。その後、ガラス基板を乾燥して導電性ポリアニリン薄膜を形成した。ここで乾燥は、窒素雰囲気下で行った。また、乾燥時間は、５分間とした。また、乾燥温度は、８０℃とした。導電性ポリアニリン薄膜を乾燥後、図４に示すように、導電性ポリアニリン薄膜５のＩＴＯ電極の端子を覆っている部分を、窒素雰囲気下で削り取り、ＩＴＯ電極の端子を表面に露出させた。表面に露出したＩＴＯ電極の端子を用いて、ロレスターＧＰ（三菱化学社製；四端子法による抵抗率計）を用いて薄膜の抵抗を測定し、成膜直後の抵抗値を初期値Ｒ_０とした。

［導電性ポリアニリン薄膜の１２５℃耐熱試験］
得られた導電性ポリアニリン組成物の薄膜をガラス基板のまま、窒素雰囲気下、１２５℃の条件下で所定時間放置した。所定時間経過後に薄膜の温度を室温に戻してから初期値Ｒ_０の場合同様にして抵抗の測定を行った。所定時間経過後の抵抗値Ｒと初期値Ｒ_０との比Ｒ／Ｒ_０を算出し、薄膜の経時劣化（抵抗の上昇率）を評価した。結果を表５，６に示す。
尚、表中の値は、所定時間経過後の抵抗値Ｒと初期値Ｒ_０との比Ｒ／Ｒ_０を示す。

参考例６１
２−ナフタレンスルホン酸水和物の添加量を０．０４７ｇ（０．２２ｍｍｏｌ）とした他は参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表５，６に示す。

参考例６２
２−ナフタレンスルホン酸水和物の添加量を０．０９４ｇ（０．４２ｍｍｏｌ）とした他は参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表５，６に示す。

参考例６３
２−ナフタレンスルホン酸水和物の添加量を０．３８ｇ（１．８ｍｍｏｌ）とした他は参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表５，６に示す。

参考例６４
２−ナフタレンスルホン酸水和物（東京化成工業株式会社製）の代わりにｐ−キシレンスルホン酸（東京化成工業株式会社製）０．０２ｇ（０．１１ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表５，６に示す。

参考例６５
２−ナフタレンスルホン酸水和物（東京化成工業株式会社製）の代わりにｐ−キシレンスルホン酸（東京化成工業株式会社製）０．０４ｇ（０．２２ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表５，６に示す。

参考例６６
２−ナフタレンスルホン酸水和物（東京化成工業株式会社製）の代わりにｐ−キシレンスルホン酸（東京化成工業株式会社製）０．０８ｇ（０．４３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表５，６に示す。

参考例６７
２−ナフタレンスルホン酸水和物（東京化成工業株式会社製）の代わりにｐ−キシレンスルホン酸（東京化成工業株式会社製）０．４６ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表５，６に示す。

実施例６８
２−ナフタレンスルホン酸水和物（東京化成工業株式会社製）の代わりに安息香酸（東京化成工業株式会社製）０．２ｇ（１．６ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表５，６に示す。

実施例６９
２−ナフタレンスルホン酸水和物（東京化成工業株式会社製）の代わりに安息香酸（東京化成工業株式会社製）０．４ｇ（３．２ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表５，６に示す。

参考例７０
２−ナフタレンスルホン酸水和物（東京化成工業株式会社製）の代わりにｐ−フェノールスルホン酸（東京化成工業株式会社製）０．０７２ｇ（０．４１ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表５，６に示す。

参考例７１
２−ナフタレンスルホン酸水和物（東京化成工業株式会社製）の代わりにｐ−フェノールスルホン酸（東京化成工業株式会社製）０．１４４ｇ（０．８３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表５，６に示す。

参考例７２
２−ナフタレンスルホン酸水和物（東京化成工業株式会社製）の代わりにアントラキノンスルホン酸Ｎａ（東京化成工業株式会社製）０．１３ｇ（０．４２ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表５，６に示す。

参考例７３
２−ナフタレンスルホン酸水和物（東京化成工業株式会社製）の代わりにアントラキノンスルホン酸Ｎａ（東京化成工業株式会社製）０．２６ｇ（０．８３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表５，６に示す。

参考例７４
２−ナフタレンスルホン酸水和物（東京化成工業株式会社製）の代わりに製造例４で得たモノイソプロピルナフタレンスルホン酸０．１０４ｇ（０．４１ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表５，６に示す。

参考例７５
２−ナフタレンスルホン酸水和物（東京化成工業株式会社製）の代わりに製造例４で得たモノイソプロピルナフタレンスルホン酸０．２０７ｇ（０．８３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表５，６に示す。

参考例７６
２−ナフタレンスルホン酸水和物（東京化成工業株式会社製）の代わりに製造例５で得たジイソプロピルナフタレンスルホン酸０．１２１ｇ（０．４１ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表５，６に示す。

参考例７７
２−ナフタレンスルホン酸水和物（東京化成工業株式会社製）の代わりに製造例５で得たジイソプロピルナフタレンスルホン酸０．２４２ｇ（０．８３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表５，６に示す。

参考例７８
２−ナフタレンスルホン酸水和物（東京化成工業株式会社製）の代わりに製造例６で得たトリイソプロピルナフタレンスルホン酸０．１３９ｇ（０．４１ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表５，６に示す。

参考例７９
２−ナフタレンスルホン酸水和物（東京化成工業株式会社製）の代わりに製造例６で得たトリイソプロピルナフタレンスルホン酸０．２７７ｇ（０．８３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表５，６に示す。

実施例８０
２−ナフタレンスルホン酸水和物（東京化成工業株式会社製）の代わりにサリチル酸（東京化成工業株式会社製）０．０６ｇ（０．４３ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表５，６に示す。

実施例８１
２−ナフタレンスルホン酸水和物（東京化成工業株式会社製）の代わりにサリチル酸（東京化成工業株式会社製）０．１２ｇ（０．８７ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表５，６に示す。

参考例８２
２−ナフタレンスルホン酸水和物の代わりに３−ニトロベンゼンスルホン酸（東京化成工業株式会社製）０．０８４ｇ（０．４５ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表５，６に示す。

参考例８３
２−ナフタレンスルホン酸水和物の代わりに３−ニトロベンゼンスルホン酸（東京化成工業株式会社製）０．１６８ｇ（０．９０ｍｍｏｌ）を添加した他は、参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果を表５，６に示す。
比較例３
２−ナフタレンスルホン酸水和物を添加しなかった他は参考例６０と同様にして均一な導電性ポリアニリン組成物を調製した。
得られた導電性ポリアニリン組成物を用いて、参考例６０と同様にして薄膜を形成し、得られた薄膜を評価した。結果は、経過日数１日でのＲ／Ｒｏの値が２、経過日数４日でのＲ／Ｒｏの値が８、経過日数６日でのＲ／Ｒｏの値が２６、経過日数８日でのＲ／Ｒｏの値が３８、経過日数１１日でのＲ／Ｒｏの値が８８、経過日数１３日でのＲ／Ｒｏの値が１５０、経過日数１４日でのＲ／Ｒｏの値が１９６、経過日数１５日でのＲ／Ｒｏの値が２４６、経過日数２１日でのＲ／Ｒｏの値が９３０、経過日数２２日でのＲ／Ｒｏの値が１１２６、経過日数２６日でのＲ／Ｒｏの値が２１４９、経過日数２７日でのＲ／Ｒｏの値が２５５１、経過日数２８日でのＲ／Ｒｏの値が３３９４、であった。

本発明のπ共役高分子組成物から得られる成形体は、パワーエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス分野において、静電及び帯電防止材料、透明電極及び導電性フィルム材料、エレクトロルミネッセンス素子の材料、回路材料、電磁波遮蔽材料、コンデンサの誘電体及び電解質、太陽電池及び二次電池の極材料、燃料電池セパレータ材料等に、又はメッキ下地、防錆剤等に利用できる。

上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
この明細書に記載の文献の内容を全てここに援用する。

Claims (16)

1. （ａ）溶剤、
   （ｂ）前記溶剤に溶解した、ドーパントによりドープされたπ共役高分子、
   （ｃ）リン酸基又はカルボキシ基である酸性基を１つ以上含む有機酸、アルキルホスホン酸、及びアルキルベンゼンホスホン酸からなる群から選択される酸性物質、並びに
   （ｄ）フェノール性化合物
   を含むπ共役高分子組成物であって、
   前記酸性物質と前記フェノール性化合物が異なり、
   前記ドープされたπ共役高分子が、プロトネーションされた置換又は非置換ポリアニリンであり、
   前記有機酸が、リン酸基又はカルボキシ基である酸性基を１つ以上含む、環状、鎖状又は分岐のアルキル酸であるπ共役高分子組成物。
2. 少なくとも下記（ａ）〜（ｄ）を原料として用いるπ共役高分子組成物。
   （ａ）溶剤
   （ｂ）前記溶剤に溶解する、ドーパントによりドープされたπ共役高分子
   （ｃ）リン酸基又はカルボキシ基である酸性基を１つ以上含む有機酸、アルキルホスホン酸、及びアルキルベンゼンホスホン酸からなる群から選択される酸性物質
   （ｄ）フェノール性化合物
   （前記酸性物質と前記フェノール性化合物は異なる。
   前記ドープされたπ共役高分子は、プロトネーションされた置換又は非置換ポリアニリンである。
   前記有機酸は、リン酸基又はカルボキシ基である酸性基を１つ以上含む、環状、鎖状又は分岐のアルキル酸である。）
3. 前記酸性物質は前記ドーパントと異なる請求項１又は２に記載のπ共役高分子組成物。
4. 前記酸性物質の酸性度が５．０以下である請求項１〜３のいずれかに記載のπ共役高分子組成物。
5. 前記π共役高分子が窒素原子を含み、
   前記ドーパントがスルホン酸であり、
   式（１）を満たす請求項１又は２に記載のπ共役高分子組成物。
   ０．２１≦Ｓ_１／Ｎ_１≦１．２…（１）
   （式中、Ｓ_１は組成物に含まれる硫黄原子のモル数であり、Ｎ_１は組成物に含まれる窒素原子のモル数である。）
6. 前記π共役高分子が窒素原子を含み、
   前記ドーパントがスルホン酸であり、
   式（２）を満たす請求項１、２及び５のいずれかに記載のπ共役高分子組成物。
   ０．０１≦Ｓ_２／Ｎ_２≦０．５…（２）
   （式中、Ｓ_２は組成物に含まれる全ての酸性物質の硫黄原子のモル数の合計であり、Ｎ_２は組成物に含まれる全てのドーパントによりドープされたπ共役高分子の窒素原子のモル数の合計である。）
7. 前記π共役高分子が窒素原子を含み、前記ドーパントがスルホン酸であり、式（５）を満たす請求項１〜６のいずれかに記載のπ共役高分子組成物。
   ０．２≦Ｓ_５／Ｎ_５≦０．７…（５）
   （Ｓ_５は組成物に含まれる前記ドーパントによりドープされたπ共役高分子の硫黄原子のモル数の合計であり、Ｎ_５は組成物に含まれる前記ドーパントによりドープされたπ共役高分子の窒素原子のモル数の合計である。）
8. パターニングされたインジウム錫酸化物電極を形成したガラス基板上に、窒素雰囲気下で前記ドーパントによりドープされたπ共役高分子５００ｍｇをトルエン１０ｇに溶解した溶液１ｍｌを、５００ｒｐｍで１５秒間スピンコート法により塗布し、窒素雰囲気下８０℃で５分間乾燥して成形体としたときの、４端子法により測定した該成形体の導電度が０．０１Ｓ／ｃｍ以上である、請求項１〜７のいずれかに記載のπ共役高分子組成物。
9. パターニングされたインジウム錫酸化物電極を形成したガラス基板上に、窒素雰囲気下で前記π共役高分子組成物１ｍｌを５００ｒｐｍで１５秒間スピンコート法により塗布し、窒素雰囲気下８０℃で５分間乾燥して成形体としたときの、４端子法により測定した導電度が０．０１Ｓ／ｃｍ以上である、請求項１〜８のいずれかに記載のπ共役高分子組成物。
10. 前記ドープされたπ共役高分子が、スルホン酸でプロトネーションされた置換又は非置換ポリアニリンである請求項１〜９のいずれかに記載のπ共役高分子組成物。
11. 前記スルホン酸が下記式（III）で示されるスルホコハク酸誘導体である請求項１０に記載のπ共役高分子組成物。
    Ｍ（Ｏ_３ＳＣＨ（ＣＨ_２ＣＯＯＲ^１２）ＣＯＯＲ^１３）_ｍ （III）
    （式（III）において、
    Ｍは、水素原子、有機遊離基又は無機遊離基であり、
    ｍはＭの価数であり、
    Ｒ^１２及びＲ^１３は、それぞれ独立して炭化水素基又は−（Ｒ^１４Ｏ）_ｒ−Ｒ^１５で表される基であり、Ｒ^１４は炭化水素基又はシリレン基であり、Ｒ^１５は水素原子、炭化水素基又はＲ^１６ _３Ｓｉ−で表される基であり、Ｒ^１６は炭化水素基であり、３つのＲ^１６は同一又は異なっていてもよく、ｒは１以上の整数である。）
12. 前記有機酸が、リン酸基又はカルボキシ基である酸性基を１つ以上含む、置換又は無置換の芳香族酸である請求項１〜１１のいずれかに記載のπ共役高分子組成物。
13. 前記芳香族酸が、ナフタレン骨格を有する酸である請求項１２に記載のπ共役高分子組成物。
14. 前記フェノール性化合物が下記式（１）で表されるフェノール性化合物である請求項１〜１３のいずれかに記載のπ共役高分子組成物。
    

    

    （式中、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルキルチオ基、アリール基、アルキルアリール基又はアリールアルキル基である。）
15. 前記フェノール性化合物が下記式（２）で表されるフェノール性化合物である請求項１〜１４のいずれかに記載のπ共役高分子組成物。
    

    

    （式中、ｎは０〜６の整数である。
    Ｒは、それぞれ炭素数２〜１０のアルキル基、アルケニル基、アルキルチオ基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、アルキルアリール基又はアリールアルキル基である。）
16. 前記フェノール性化合物が下記式（３）で表されるフェノール性化合物である請求項１〜１４のいずれかに記載のπ共役高分子組成物。
    

    

    （式中、ｎは１〜５の整数である。
    Ｒは、それぞれ炭素数２〜１０のアルキル基、アルケニル基、アルキルチオ基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、アルキルアリール基又はアリールアルキル基である。）
    

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