JP6010024B2 - 透明導電膜付き基板及び色素増感太陽電池 - Google Patents
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Description
加熱温度の一例を挙げると、Si系太陽電池の製造工程においては、基板上に透明導電膜を形成した後、高い光電変換効率を有する化合物半導体層を形成する素子製造工程を経るが、このとき、成膜温度を約400℃程度とする必要があり、色素増感太陽電池の製造工程においては、Si系太陽電池よりもさらに高い500℃程度とする必要がある。
しかし、特許文献1において開示された技術は、透明導電膜表面近傍で、熱処理後に酸素欠損構造が好ましい数となるような酸素欠乏の組成とするために、透明導電膜の成膜時、酸素含有量の制御が難しく、一定の品質で、透明導電膜において高い導電性及び透明性を確保するのが難しい。
また、本発明の他の目的は、透明導電膜の導電性及び透明性を向上させることにより、高いエネルギー変換効率を備えた色素増感太陽電池を提供することにある。
そして、導電層よりも下地層が優先して酸化される結果、本発明の導電膜付き基板は、熱処理された際に導電層が酸化されにくいため、導電層の酸素欠損が保持される。したがって、透明導電膜付き基板が加熱されても、導電層の酸素欠損が保持されるため、導電性及び透明性が損なわれることなく、高い導電性及び透明性を備えることができる。
SiO x は、酸化物生成エネルギーが比較的小さい材料であるため、導電層を構成する一般的な金属酸化物よりも酸化物生成エネルギーが小さい。したがって、下地層を構成する材料を上記物質とすることにより、透明導電膜付き基板を熱処理した際、下地層がより酸化されやすくなる。
また、酸化ケイ素は他の材料と比較して光学透過率が高い(すなわち、透明性が高い)ため、透明導電膜付き基板の透明性を低下させることがない。
さらに、化学量論比を示すXの値を上記範囲とすることにより、下地層は、より透明性が高く、且つ酸化されやすい状態となる。したがって、上記材料からなる下地層を形成することにより、導電層に対し高い酸化防止効果を与えることができ、且つ高い透明性を備えた透明導電膜とすることができる。
このように、導電層をITOによって構成することにより、導電層は高い導電性及び透明性を備える。したがって、ITOからなる導電層を備えた透明導電膜付き基板は、高い導電性及び透明性を備えることができる。しかし、ITOは熱処理により酸化されて導電性が低下しやすい性質があることから、下地層を備えるだけでなく、ガスバリア性を有する上記材料によって耐酸化保護層を構成することにより、ITO膜が酸化されにくくなる。その結果、導電層(ITO膜)の導電性及び透明性が高く保持され、透明導電膜全体としての導電性及び透明性が良好な透明導電膜付き基板とすることができる。
このように、耐酸化保護層をガスバリア性の高いATOによって構成することにより、耐酸化保護層の下方に備えられた導電層がさらに酸化されにくくなる。また、ATOはガスバリア性が高い材料の中でも特に導電性が高く、400℃〜500℃での熱処理により導電性が向上するため、透明導電膜の導電性を向上させることができる。
なお、アンチモンは若干の毒性を有するため、環境上の配慮から、耐酸化保護層をニオブ、タンタルの少なくとも一つが添加された酸化スズとする選択も可能である。耐酸化保護層をニオブ、タンタルの少なくとも一つが添加された酸化スズからなるように構成した場合、導電性、透明性でATOより僅かに劣るものの、耐酸化性に関してATOを用いた場合とほぼ同等の効果を示す。
このように、酸化チタン膜を耐酸化保護層の前記導電層逆側の面に備えることにより、透明導電膜の耐熱性をさらに向上させることができる。
このように、SiOxからなる下地層の厚さを100〜500Åとすることにより、下地層によって導電層の酸化抑制効果が得られるため、耐酸化保護層を厚くする必要が無い。そして、ATO膜からなる酸化保護層の厚さを200〜1000Åとすることで、導電層の酸化を抑制することができる。このように、耐酸化保護層を厚くする必要がないため、耐酸化保護層を厚く形成することによる透明性の低下を伴うことなく、透明導電膜の耐酸化性を確保し、透明導電膜の導電性及び透明性を実用上適当な値とすることができる。
また、電極に備えられる透明導電膜の導電性及び透明性が向上するため、エネルギー変換効率の高い色素増感太陽電池を提供することができる。
図1〜図7は本発明の一実施形態に係る透明導電膜付き基板に係るものであり、図1は透明導電膜付き基板の概略断面図、図2は下地層の成膜時酸素量と透明導電膜の抵抗値変化率との関係を示すグラフ図、図3は下地層の成膜時酸素量と透明導電膜の光学透過率との関係を示すグラフ図、図4は下地層の成膜時酸素量と下地層を構成するSiOxのO/Si比との関係を示すグラフ図、図5は下地層の膜厚と透明導電膜の抵抗値との関係を示すグラフ図、図6は下地層の膜厚と透明導電膜の抵抗変化率との関係を示すグラフ図、図7は下地層の膜厚と透明導電膜の光学透過率との関係を示すグラフ図である。
また、図8は本発明の他の実施形態に係る透明導電膜付き基板に係るものであり、透明導電膜付き基板の概略断面図である。
さらに図9及び図10は、本発明の一実施形態に係る色素増感太陽電池に係るものであり、図9は概略断面図であり、図10は電流密度と出力電圧との関係(J−V特性)を示すグラフ図である。
図1〜図7に基づき、本実施形態の透明導電膜付き基板10について説明する。
本実施形態の透明導電膜付き基板10は、図1に示すように、透明な基板11上に、透明導電膜15が形成されたものであり、透明導電膜15は、基板11側から順に下地層12,導電層13,耐酸化保護層14を有している。すなわち、基板11上に、下地層12と、導電層13と、耐酸化保護層14とが順に積層されて形成された透明導電膜15を備えている。
基板11は、板状の部材であり、基板11の材料としては、表面に透明導電膜15を形成することができ、かつ透明導電膜15で光を受光させる程度に透明性を有する適宜の材料から選択される。このような材料としては、例えば、ガラス基板、石英基板、光学結晶基板などの光を所定量透過させることが可能なものが用いられる。特に好ましくは、Naなどのアルカリ元素を含まないノンアルカリガラスや耐熱性の高い石英基板などである。
また、透明性を増したり、Naなどのアルカリ元素の拡散を防止したり、耐熱性を向上させたりする、などの付加特性を持たせるために、表面にSiO2、TiO2などの薄膜がスパッタリング法により形成された基板であっても良い。また、これらの基板11は、板状であっても、フィルム状であっても良い。
基板11の厚さとしては、特に限定されないが、通常100μm以上5mm以下の範囲内であり、特に500μm以上2mm以下の範囲内が好ましい。
透明導電膜15は、光の透過性があり、かつ導電性を有する膜である。なお、透明導電膜15は、後述の色素増感太陽電池100の負極を構成するものである。以下で説明するように、図9に示す色素増感太陽電池100を製造する際、透明導電膜15上に多孔質のチタニア層を形成する工程では、透明導電膜15上に酸化チタンペーストを塗布して、望ましい温度として400〜500℃で焼成する。したがって、透明導電膜15は、この焼成工程により透過率が減少せず、かつ抵抗も増加しない材料を用いることが好ましい。すなわち、透明導電膜15は、高温で焼成される工程を経た後の導電性及び透明性が高いものが求められる。以下、本実施形態の透明導電膜15の構成について、詳述する。
本実施形態の透明導電膜15は、基板11上に、下地層12と、導電層13と、耐酸化保護層14とが順に積層されてなる。
導電層13は、高い導電性を有すると共に、高い透明性を備える金属酸化物によって構成される。
導電層13の透過率は、波長350nm〜800nmの範囲での平均透過率が10%以上99%以下の範囲内であり、特に60%以上99%以下の範囲が好ましく、より好適には80%以上99%以下の範囲内であると最適である。
上記材料の例として、例えば、スズ,ゲルマニウム,亜鉛,ガリウムのうち少なくとも1種類を含む酸化インジウムや、アルミニウム,ガリウム,ホウ素,マグネシウムのうち少なくとも1種類を含む酸化亜鉛、アンチモン,フッ素のいずれかを添加した酸化スズを利用することができる。
なお、ここでの原子比は各材料の酸化物の比であり、Sn/Inは厳密にはSn酸化物/In酸化物と表記すべきものであるが、一般的に用いられている略記法によりSn/Inとしている。他の材料についても同様である。
このような比率で添加すると、導電層13を構成する膜の導電性及び透明性を良好に維持できる。また、これらの材料の複数種類を添加する場合は、添加する材料の全体の添加量をインジウムに対して20.0%以下とするとよい。
そして、特にITOは、電子の流路となる酸素欠損を適度に備えているため、高い導電性及び透過率を有しており、導電層13を構成する材料として好適である。
基板11と導電層13の間には、下地層12が形成されている。下地層12は、耐酸化保護層14と共に、導電層13の酸化を防止するために備えられる。したがって、例えば、透明導電膜付き基板10が約400〜500℃の焼成工程を経た場合であっても、下地層12が導電層13よりも優先的に酸化されるため、導電層13の酸素欠損構造を保持することができる。その結果、導電層13が高い導電性及び透明性を保持することができる。
一方、導電層13の下地層12逆側の面には、耐酸化保護層14が積層されている。耐酸化保護層14は、光の透過性、導電性を有し、さらに酸素(ガス)バリア性を有する膜である。
耐酸化保護層14の透過率は、波長350nm〜800nmの範囲での平均透過率が10%以上99%以下の範囲内であり、特に60%以上99%以下の範囲が好ましく、より好適には80%以上99%以下の範囲内であると最適である。
但し、アンチモンは若干の毒性を有するため、環境に対する配慮等からその使用が好まれない場合がある。ニオブあるいはタンタル、又はその両方を添加した酸化スズ(SnOxと記載)はATOと比較して抵抗値、透過率共に僅かに劣るが、後述のように、本本実施形態の耐酸化保護層14に用いた場合、耐酸化性についてはATOとほぼ同等の性能を示しており、この点も特許請求の範囲記載の構成に由来する効果といえる。
したがって、耐酸化保護層14の厚さを上記範囲とすると、上記の下地層12と組み合わせて備えられることにより、導電層13の酸化を抑制する効果を十分に得ることができる。また、下地層12によっても導電層13の酸化が抑制されるため、耐酸化保護層14の厚さを大きくする必要がない。したがって、耐酸化保護層14の透明性も確保することができるため、結果として、透明導電膜15としての透明性を向上させることができる。
耐酸化保護層14の導電層13逆側の面には、図8のように、酸化チタン膜16がさらに備えられていても良い。この酸化チタン膜16は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の手法により形成され、多孔質の酸化チタンよりもさらに緻密な構造を備えた酸化チタン薄膜である。
酸化チタン膜16を耐酸化保護層14の導電層13逆側の面に積層することにより、下地層12との相乗効果により、透明導電膜15の耐熱性をさらに向上させることができる。すなわち、下地層12,耐酸化保護層14,酸化チタン膜16を備えることにより、透明導電膜付き基板10が焼成工程を経る場合であっても、導電層13が酸化されるのが防止され、透明導電膜15が高い導電性及び透明性を保持することができる。
次に、透明導電膜付き基板10を備えた色素増感太陽電池100の構成について説明する。なお、以下には、単一のセルを例に挙げて説明するが、複数のセルが直列又は並列に接続されていても良いのは勿論である。
色素増感太陽電池100は、図9に示すように透明導電膜付き基板10を第1の導電性基板110として備えており、さらに、第1の導電性基板110に対向する位置に第2の導電性基板120が備えられる。なお、図9は、説明のため、透明導電膜付き基板10の各層の厚みを大きくして図示している。
そして、第1の導電性基板110と第2の導電性基板120との間には、第1の導電性基板110側に形成された多孔質半導体層17aと、多孔質半導体層17aと第2の導電性基板120との間に形成された電解質17bと、を備えている。なお、図9の符号17cはシール材、17dは触媒層である。
透明導電膜付き基板10は、第1の導電性基板110として備えられ、透明導電膜15が形成された面を第2の導電性基板120側に向けて配置される。なお、第1の導電性基板110を構成する導電層13には、引き出し線としての導線30が接続されている。
但し、基板11とは異なり基板21は、光を取り込む側ではないので、必ずしも透明材料で形成される必要はなく、光透過性の乏しい材料で形成してもよい。このような材料としては、例えば酸化物系セラミックスや窒化物系セラミックスなどの各種セラミックスが挙げられる。
基板21の厚さも、特に限定されないが、通常100μm以上5mm以下の範囲内であり、特に500μm以上2mm以下の範囲内が好ましい。また、基板21は、板状であっても良いし、フィルム状であっても良い。
多孔質半導体層17aは、金属酸化物半導体微粒子に色素(色素増感剤)を吸着させたものである。多孔質半導体層17aに用いられる金属酸化物半導体微粒子としては、半導体特性を備える金属酸化物からなるものであれば特に限定されるものではない。多孔質半導体層17aに用いられる金属酸化物として、TiO2,ZnO,SnO2,ZrO2,Al2O3,Ta2O,Nb2O5等が挙げられる。これらの中でも、特に半導体特性に優れるため、TiO2を用いるのが好ましい。
多孔質半導体層17aの表面側には電解質17bが備えられている。
電解質17bの材料には、多孔質半導体層17aに含有される色素に電子を供給し、また、電極層22で電子を受け取ることができるものが用いられる。なお、電解質17bは、固体であっても液体であっても良く、一般的な色素増感太陽電池の電解質として用いられる材料であれば、特に限定されない。このような材料の具体例としては、例えば、ポリエチレングリコールにヨウ化リチウムと金属ヨウ素を溶かした電解液、アセトニトリルとエチレンカーボネートを混合した電解液等を用いることができる。
第1の導電性基板110と第2の導電性基板120との間には、それぞれの色素増感太陽電池100のセルを仕切るためのシール材17cが形成されている。シール材17cは、複数のセルの外周部全体を区画するための部材であり、それぞれのセル間を区切る部材でもある。このシール材17cによって仕切られた空間内に、色素を吸着させた多孔質半導体層17a、電解質17bが封入された状態に保持されている。
シール材17cの材料としては樹脂やガラスなどを用いることができる。樹脂の具体例としては、例えばエポキシ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。
第2の導電性基板120側の電極層22の上層には、触媒層17dが備えられる。触媒層17dは、酸化還元反応を促進させるために備えられるものであり、触媒層17dを構成する材料としては、Pt,Pd,Au,C等が用いられる。
以下、本発明の透明導電膜付き基板10及び色素増感太陽電池100について、実施例に基づき説明する。
実施例1の透明導電膜付き基板10は、図1に示すように、基板11上に、透明導電膜15のみを備えたものである。
透明導電膜付き基板10において、下地層12を備えた実施例1−1〜1−3と、下地層12を備えない比較例1〜5を比較し、下地層12の効果について検討した。なお、実施例1−3−1及び実施例1−3−2は、下地層12(SiOx膜)の成膜時の酸素量が異なるものであり、実施例1−3−1の酸素流量は30ccであり、実施例1−3−2の酸素流量は35ccである。
まず、基板11としてのガラス基板の上に、下地層12としてのSiOx膜を、スパッタリング法により成膜温度を300℃として成膜した。このとき、特に記載がない場合は、Xは1.62程度となるように酸素量を調整した。具体的には、45ccとし、酸素ガスと不活性ガスとの流量比がO2/Ar+O2=0.07となるように調整した。
次に、SiOx膜上に、導電層13としてのITO(Sn/In=10/90)膜をスパッタリング法により、成膜温度を300℃として成膜した。
さらに、ITO膜上に、耐酸化保護層14としてのATO(Sb/Sn=2.5/97.5)膜をスパッタリング法により成膜温度300℃で成膜した。上記の各膜の厚さは、表1に示すとおりである。
そして、上記のように作成された透明導電膜付き基板10を、電気炉の中に入れ大気中において500℃または600℃で1時間熱処理を行った。熱処理の前後における透明導電膜の面積抵抗(以下、「抵抗値」と記載する)、可視域(350〜800nm)での平均透過率(以下、「透過率」と記載する)、抵抗値及び透過率の熱処理前後の変化率を表1に示す。
実施例1−1,1−2は、比較例2−1,2−2と比較して、透過率に関し、特に大きな違いは見られないものの、抵抗値に関し、SiOx膜の厚さが増加するにつれて焼成後の抵抗値が極めて小さくなり、且つ、焼成前後の変化率が1に近くなって、焼成前後で抵抗値が殆ど変化しないことが示された。実施例1−3−1,1−3−2,比較例4を参照して比較しても、同様の結果が得られた。
実施例1−4〜1−7は、下地層12及び導電層13の厚さを一定とし、耐酸化保護層14の厚さのみを変化させて透明導電膜15を作成したものである。耐酸化保護層14としてATO膜を採用したものは各実施例番号末尾の−1で表し、SnOx膜を採用したものは末尾の−2で表した。なお、各層の厚さ以外は、実施例1−1〜1−3と同様の条件で透明導電膜15を作成した。各実施例について、焼成前後における抵抗値、透過率、及び焼成前後の変化率を表2に示す。
次に、下地層12としてのSiOx膜において、適当なXの値について検討した。実施例1−8〜1−15は、それぞれ、SiOx膜の成膜時の酸素量を変化させて透明導電膜15を作成したものである。なお、実施例1−8,1−9と、実施例1−10〜1−15とは、互いに導電層13、耐酸化保護層14の厚さ及び焼成条件を変化させたものである。これら各実施例について、焼成前後における抵抗値、透過率、及び焼成前後の変化率を表3に示す。
図2より、成膜時の酸素量が少ないほど、すなわち、SiOx膜中の酸素含有量が少なく、Xの値が小さいほど、透明導電膜15の抵抗値の変化率が小さく、透明導電膜15の耐酸化性が高いことが示されているが、酸素量が30cc近傍でその効果が飽和していた。また、酸素量を60cc程度よりも多くしても、抵抗値の変化率は大きく変化せず、増大しないことが示された。
したがって、以上より、抵抗値及び透過率を鑑みると、SiOx膜の成膜時酸素量は30ccよりも多くするとよいことが示された。
図2及び図3より、成膜時の酸素量は30ccよりも多くすると良いことが示されているため、図4も併せて考察すると、SiOx膜のXの値は、X=1.2よりも大きいと好適である。
一方、図4より、SiOx膜の成膜酸素量が60cc程度以上となると、SiOx膜中の酸素量が飽和するため、X=1.8以上のSiOx膜は作成することが難しいと判断される。したがって、Xの値は1.8よりも小さいと好ましい。
なお、Xの値はXPS分析(X−ray Photoelectron Spectroscopy)による値である。XPS測定には日本電子製JPS−9000MCを用い、X線源としてはMgKα、X線出力10KV×10mA、照射時間及び回数は100ms×4回、測定ステップ0.1eV、測定領域φ=6.0mmで行った。
次に、下地層12としてのSiOx膜について、適当な膜厚について検討した。実施例1−16〜1−18は、それぞれ、SiOx膜の膜厚を変化させて透明導電膜15を作成したものである。また、SiOx膜を備えない例として、比較例3の結果と比較した。各実施例及び比較例について、焼成前後における抵抗値、抵抗値の変化率、透過率、反射率、吸収率を表4に示す。なお、実施例1−16〜1−18及び比較例3は、SiOx膜の厚さの効果を比較するため、耐酸化保護層14としてのATO膜を十分に厚くし、ガスバリア性が確保された条件とした。
一方、下地層12としてのSiOx膜を厚さ範囲100〜500Åとするとき、実施例1−i〜1−ivの項で示した表1〜4より、耐酸化保護層14としてのATO膜の膜厚は、200〜1000Åとするとよい。
SiOx膜と、ATO膜の厚さ範囲をそれぞれ、100〜500Åとすることにより、十分な耐酸化性を得ることができる。SiOx膜の膜厚を500Å、ATO膜の膜厚を1000Åより大きくすると、透明導電膜15の耐酸化性は向上するものの、透過率が低下するため、好ましくない。したがって、下地層12としてのSiOx膜の膜厚を100〜500Åとし、ATO膜の膜厚を200〜1000Åとすることにより、透明導電膜15の導電性及び透明性の両方が良好であり、実用的な抵抗値及び透過率を備えることができる。
実施例2の透明導電膜付き基板10は、図8に示すように、基板11上に、透明導電膜15及び酸化チタン膜16を備えたものである。
実施例2−1〜2−4の透明導電膜付き基板10は、上記実施例1−1〜1−3と同様に、ガラス基板11上にSiOx膜、ITO膜、ATO膜を成膜した後、さらにATO膜上に、酸化チタン膜16をスパッタリング法により、成膜温度300℃で成膜した。なお、酸化チタン膜16の膜厚は、実施例2−1〜2−4において、すべて80Åとした。
その後、透明導電膜付き基板10を、電気炉の中に入れ大気中において500℃で1時間熱処理を行った。
また、比較例2−2は、上記実施例1−iの項で示した表1の比較例2−1上に酸化チタン膜16を成膜したものである。比較例2−2は、ITO膜及びATO膜の膜厚が比較例2−1と同じ大きさである。
上記実施例2−1〜2−4、比較例2−2について、焼成前後における抵抗値、透過率、及び焼成前後の変化率を表5に示す。
一般的な傾向として、酸化チタン膜16の膜厚を大きくしすぎると、透明導電膜15の透過率が低下する。耐酸化性と透過率は互いにトレードオフの関係にあるので、両者が良好な値となるような厚さで酸化チタン膜16を成膜することが必要である。
実施例3では、実施例2で説明した図8の透明導電膜付き基板10であって、酸化チタン膜16を備えたものを、第1の導電性基板110として用いた色素増感太陽電池100について説明する。
実施例3−1〜3−4は、以下の工程により色素増感太陽電池100としたものである。
透明導電膜付き基板10の酸化チタン膜16(膜厚:80Å)上に、さらに酸化チタンペーストを塗布した後、500℃で焼成して多孔質半導体層17a(厚さ:50000Å)を形成した。さらに、増感色素の溶解能を有する有機溶媒に、増感色素を0.3mmol/lの濃度で溶解させた色素溶液を調合し、多孔質半導体層17aを備えた基板10を3時間浸漬することで、多孔質半導体層17a表面に増感色素の単分子膜を化学吸着させたヨウ化イミダゾリウムとヨウ素を主成分とした電解質17b、白金1000Åを触媒層17dとして、第2の導電性基板120としてのITOをさらに積層させて色素増感太陽電池100とした。
なお、表6中の「Pmax」とは、最大出力点であり、図10に示すJ−V特性グラフ上で最大出力となる点での発電量を示すものである。
また、表6に示す電池性能及び図10に示すJ−V特性は、JISで規定するAM1.5、放射照度Xeランプ100mW/cm2、モジュール温度25℃で測定したものである。
さらに、表6にはFF(Fill Factor、曲線因子)も示す。FFは、FF=(Vmax・Imax)/(Voc・Isc)で定義されるものであり、このとき、Vmax、Imaxはそれぞれ、電流−電圧曲線において電力値が最大となる点の電圧値、及び電流値であり、Vocは開放電圧、Iscは短絡電流である。そして、FFが大きいほど色素増感太陽電池100の内部損失が小さく性能が優れていることを示す。
さらに、酸化チタン膜16を積層することにより、透明導電膜15の耐酸化性をさらに向上させることができることが分かった。以上のように、本例の透明導電膜付き基板10は、良好な導電性及び透明性を備えるため、特に色素増感太陽電池100の電極として用いられた際、電池特性を飛躍的に向上できることが分かった。
11,21 基板
12 下地層
13 導電層
14 耐酸化保護層
15 透明導電膜
16 酸化チタン膜
17a 多孔質半導体層
17b 電解質
17c シール材
17d 触媒層
22 電極層
30,40 導線
100 色素増感太陽電池
110 第1の導電性基板
120 第2の導電性基板
Claims (8)
- 透明な基板上に透明導電膜が形成された透明導電膜付き基板であって、
前記透明導電膜は、前記基板側から順に積層された、導電層の酸化を防止する下地層、前記導電層、耐酸化保護層を有し、
該耐酸化保護層は、酸化スズを含有する導電性材料からなり、
前記導電層は、金属酸化物からなり、
前記下地層は、前記導電層を構成する材料よりも酸化物生成エネルギーが小さく、且つ化学当量よりも酸素が不足している酸化物であって、化学式SiO x (ただし、Xは化学量論比を示すものであって、1.2<X<1.8の範囲)で示される物質からなることを特徴とする透明導電膜付き基板。 - 前記下地層は、化学式SiOx(ただし、Xは化学量論比を示すものであって、1.5<X<1.8の範囲)で示される物質からなることを特徴とする請求項1記載の透明導電膜付き基板。
- 前記導電層は、スズを含む酸化インジウム(ITO)からなり、
前記耐酸化保護層は、ニオブ、タンタル、アンチモンの少なくとも一つが添加された酸化スズからなることを特徴とする、請求項2記載の透明導電膜付き基板。 - 前記耐酸化保護層は、アンチモンが添加された酸化スズ(ATO)からなることを特徴とする請求項3記載の透明導電膜付き基板。
- 前記耐酸化保護層は、ニオブ、タンタルの少なくとも一つが添加された酸化スズからなることを特徴とする請求項3記載の透明導電膜付き基板。
- 前記耐酸化保護層の前記導電層逆側の面に、酸化チタン(TiO2)膜をさらに備えてなることを特徴とする請求項4または5記載の透明導電膜付き基板。
- 前記耐酸化保護層の厚さは、200〜1000Åの範囲であり、
前記下地層の厚さは、100〜500Åの範囲であることを特徴とする請求項4〜6のいずれか一項に記載の透明導電膜付き基板。 - 第1の導電性基板と、
該第1の導電性基板と対向して配設される第2の導電性基板と、
前記第1の導電性基板の前記第2の導電性基板側の面に形成され、色素を吸着してなる多孔質半導体層と、
該多孔質半導体層と前記第2の導電性基板との間に形成される電解質と、を備え、
前記第1の導電性基板は、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の透明導電膜付き基板であることを特徴とする色素増感太陽電池。
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