JP5967988B2 - 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置 - Google Patents
圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5967988B2 JP5967988B2 JP2012057403A JP2012057403A JP5967988B2 JP 5967988 B2 JP5967988 B2 JP 5967988B2 JP 2012057403 A JP2012057403 A JP 2012057403A JP 2012057403 A JP2012057403 A JP 2012057403A JP 5967988 B2 JP5967988 B2 JP 5967988B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- piezoelectric material
- electrode
- piezoelectric element
- perovskite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 97
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 35
- 239000000428 dust Substances 0.000 title claims description 28
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 38
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 29
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 18
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 45
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 40
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 22
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 18
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 17
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 16
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 15
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 14
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 12
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 11
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 11
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 10
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 6
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 6
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 6
- 238000011160 research Methods 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 4
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 4
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 4
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- IWOUKMZUPDVPGQ-UHFFFAOYSA-N barium nitrate Chemical compound [Ba+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O IWOUKMZUPDVPGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229960002380 dibutyl phthalate Drugs 0.000 description 2
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 2
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 vanadium organic compound Chemical class 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001651 Cyanoacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N Methyl cyanoacrylate Chemical compound COC(=O)C(=C)C#N MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITHZDDVSAWDQPZ-UHFFFAOYSA-L barium acetate Chemical compound [Ba+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O ITHZDDVSAWDQPZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GXUARMXARIJAFV-UHFFFAOYSA-L barium oxalate Chemical compound [Ba+2].[O-]C(=O)C([O-])=O GXUARMXARIJAFV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940094800 barium oxalate Drugs 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- ZHXZNKNQUHUIGN-UHFFFAOYSA-N chloro hypochlorite;vanadium Chemical compound [V].ClOCl ZHXZNKNQUHUIGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N hydron;methyl 4-methoxypyridine-2-carboxylate;chloride Chemical compound Cl.COC(=O)C1=CC(OC)=CC=N1 RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate Chemical compound [Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- UHNWOJJPXCYKCG-UHFFFAOYSA-L magnesium oxalate Chemical compound [Mg+2].[O-]C(=O)C([O-])=O UHNWOJJPXCYKCG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011656 manganese carbonate Substances 0.000 description 1
- 235000006748 manganese carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229940093474 manganese carbonate Drugs 0.000 description 1
- 229910000016 manganese(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L manganese(ii) carbonate Chemical compound [Mn+2].[O-]C([O-])=O XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000009768 microwave sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DOLZKNFSRCEOFV-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);oxalate Chemical compound [Ni+2].[O-]C(=O)C([O-])=O DOLZKNFSRCEOFV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N nickel(ii) nitrate Chemical compound [Ni+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003681 vanadium Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- ZPEJZWGMHAKWNL-UHFFFAOYSA-L zinc;oxalate Chemical compound [Zn+2].[O-]C(=O)C([O-])=O ZPEJZWGMHAKWNL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B17/00—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups
- B05B17/04—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods
- B05B17/06—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations
- B05B17/0607—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations generated by electrical means, e.g. piezoelectric transducers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/015—Ink jet characterised by the jet generation process
- B41J2/04—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand
- B41J2/045—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14201—Structure of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/14233—Structure of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N2/00—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction
- H02N2/10—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing rotary motion, e.g. rotary motors
- H02N2/103—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing rotary motion, e.g. rotary motors by pressing one or more vibrators against the rotor
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N2/00—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction
- H02N2/10—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing rotary motion, e.g. rotary motors
- H02N2/106—Langevin motors
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N2/00—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction
- H02N2/10—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing rotary motion, e.g. rotary motors
- H02N2/16—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing rotary motion, e.g. rotary motors using travelling waves, i.e. Rayleigh surface waves
- H02N2/163—Motors with ring stator
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/03—Assembling devices that include piezoelectric or electrostrictive parts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/09—Forming piezoelectric or electrostrictive materials
- H10N30/093—Forming inorganic materials
- H10N30/097—Forming inorganic materials by sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/704—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8536—Alkaline earth metal based oxides, e.g. barium titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8561—Bismuth-based oxides
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/02—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for lenses
- G02B7/04—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for lenses with mechanism for focusing or varying magnification
- G02B7/10—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for lenses with mechanism for focusing or varying magnification by relative axial movement of several lenses, e.g. of varifocal objective lens
- G02B7/102—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for lenses with mechanism for focusing or varying magnification by relative axial movement of several lenses, e.g. of varifocal objective lens controlled by a microcomputer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/877—Conductive materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
一般式(1) xBaTiO3―yBiFeO3―zBi(M0.5Ti0.5)O3
(式中、MはMg、Ni、Znから選択される少なくとも1種以上の元素であり、xは0.25≦x≦0.75、yは0.15≦y≦0.73、zは0.02≦z≦0.60の数値を表す。但しx+y+z=1である。)で表されるペロブスカイト型金属酸化物を含有する圧電材料であって、前記ペロブスカイト型金属酸化物にV(バナジウム)が含有されており、前記Vの含有量が前記ペロブスカイト型金属酸化物1モルに対して、0.0005モル以上0.0050モル以下であることを特徴とする。
一般式(1) xBaTiO3―yBiFeO3―zBi(M0.5Ti0.5)O3
(式中、MはMg、Ni、Znから選択される少なくとも1種以上の元素であり、xは0.25≦x≦0.75、yは0.15≦y≦0.73、zは0.02≦z≦0.60の数値を表す。但しx+y+z=1である。)で表されるペロブスカイト型金属酸化物を含有する圧電材料であって、前記ペロブスカイト型金属酸化物にVが含有されており、前記Vの含有量が前記ペロブスカイト型金属酸化物1モルに対して、0.0005モル以上0.0050モル以下であることを特徴とする。
A:(x,y,z)=(0.75,0.15,0.10)
B:(x,y,z)=(0.75,0.23,0.02)
C:(x,y,z)=(0.25,0.73,0.02)
D:(x,y,z)=(0.25,0.15,0.60)
図1(a)は本発明の圧電材料の組成範囲を示す三角相図である。太い実線上およびそれらに囲まれた領域が本発明の組成範囲である。座標点A、B、C、D、Aに囲まれた部分が本発明の圧電材料に用いられる金属酸化物の組成範囲であり、優れた圧電特性を示す。黒塗りの丸印および実線は、組成範囲に含まれることを意味する。この組成範囲の一般式(1)で表されるペロブスカイト型金属酸化物1モルに対し、Vを0.0005モル以上0.0050モル以下、より好ましくは0.0010モル以上0.0040モル以下含有させることで、高いキュリー温度と高い圧電性を有し、かつ高い絶縁性を示す圧電材料を得ることができる。なお、本明細書における「絶縁性」とは、圧電材料に交流または直流の電界を印加した時の電気的耐性を指している。特に、より厳しい耐性を求められる直流電界に対する電気的耐性を指す。例えば、圧電材料の分極処理の際に用いる直流の高電界(例えば1kV/cm以上)印加に対する耐性のことである。上記組成範囲にあるペロブスカイト型金属酸化物に上記範囲のVを添加した圧電材料においては、圧電定数d33 *は110[pm/V]以上を有し、キュリー温度は200℃以上を有する。かつ、50kV/cm以上の直流電界を数十分から数時間印加することに耐えうる絶縁性を有する。絶縁性の向上は、圧電体により大きな電界を印加できることから、圧電性能の向上にも寄与している。
上記範囲は、x、y、zが下記座標点E、F、G、Hで囲まれる範囲内であると言い換えることができる。
E:(x,y,z)=(0.55,0.20,0.25)
F:(x,y,z)=(0.55,0.43,0.02)
G:(x,y,z)=(0.25,0.73,0.02)
H:(x,y,z)=(0.25,0.50,0.25)
図1(b)は本発明の圧電材料のより好ましい組成範囲を示す三角相図である。太い実線上およびそれらに囲まれた領域が本発明の組成範囲である。座標点E、F、G、H、Eに囲まれた部分が本発明の圧電材料に用いられる金属酸化物の組成範囲であり、優れた圧電特性を示す。黒塗りの丸印および実線は、組成範囲に含まれることを意味する。この組成範囲の一般式(1)で表されるペロブスカイト型金属酸化物1モルに対し、Vを0.0005モル以上0.0050モル以下含有させることで、高いキュリー温度と高い絶縁性を有しつつ、より高い圧電性能を示す圧電材料を得ることができる。上記組成範囲にあるペロブスカイト型金属酸化物に上記範囲のVを添加した圧電材料においては、圧電定数d33 *は210[pm/V]以上を有し、キュリー温度は200℃以上を有する。かつ、50kV/cm以上の直流電界を数十分から数時間印加することに耐えうる絶縁性を有する。絶縁性の向上は、圧電体により大きな電界を印加できることから、圧電性能の向上にも寄与している。
(実施例1から4および比較例1から4)
(製造方法)
原料として、チタン酸バリウム(堺化学工業社製:粒径100nm)、酸化ビスマス(レアメタリック社製:純度99.999%)、酸化鉄(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化マグネシウム(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化チタン(石原産業社製:純度99.9%)および酸化バナジウム(V2O5、高純度化学研究所製:純度99.9%)を用いた。表1の組成になるように秤量し、溶媒としてエタノールを用いて、ボールミルで湿式混合を24時間行った。その後、80℃で乾燥させ、混合粉を750℃から900℃の温度で6時間仮焼した。
(構造評価)
研磨された焼結体の組成は、ICP質量分析により検量線を作製したX線蛍光分析(XRF)により評価した。
(電気特性評価)
研磨された焼結体の電気特性を評価するために、焼結体を厚さ0.4mm、長さ4mm、幅1.5mmの短冊状に加工し、表裏両面に銀電極を塗布し、本発明の圧電素子を作製した。
(V添加BaTiO3−BiFeO3−Bi(Mg0.5Ti0.5)O3の例、その2)
(実施例5から19および比較例5から10)
(製造方法)
原料としてチタン酸バリウム(堺化学工業社製:粒径100nm)、酸化ビスマス(レアメタリック社製:純度99.999%)、酸化鉄(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化マグネシウム(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化チタン(石原産業社製:純度99.9%)および酸化バナジウム(V2O5、高純度化学研究所製:純度99.9%)を用いた。表2の組成になるように秤量し、実施例1から4と同様の方法で焼結体を作製した。
(構造評価)
研磨された焼結体は実施例1から4と同様の方法で組成、結晶構造、密度、結晶粒の平均円相当径および最大円相当径を評価した。
(電気特性評価)
研磨された焼結体の電気特性は、実施例1から16と同様の方法で評価した。ただし、絶縁破壊電界の評価は、効率的かつ迅速に行うために、電界上昇間隔を大きくした。
(Mn添加BaTiO3−BiFeO3−Bi(Mg0.5Ti0.5)O3の例)
(比較例11から13)
(製造方法)
原料としてチタン酸バリウム(堺化学工業社製:粒径100nm)、酸化ビスマス(レアメタリック社製:純度99.999%)、酸化鉄(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化マグネシウム(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化チタン(石原産業社製:純度99.9%)および炭酸マンガン(高純度化学研究所製:純度99.9%)を用いた。表3の組成になるように秤量し、実施例1から4と同様の方法で焼結体を作製した。
(構造評価)
研磨された焼結体は実施例1から19と同様の方法で組成、結晶構造、密度、結晶粒の平均円相当径および最大円相当径を評価した。
(電気特性評価)
研磨された焼結体の電気特性は、実施例5から19と同様の方法で評価した。
(V添加BaTiO3−BiFeO3−Bi(Ni0.5Ti0.5)O3の例)
(実施例20から29および比較例14から17)
(製造方法A:通常焼結法)
原料としてチタン酸バリウム(堺化学工業社製:粒径100nm)、酸化ビスマス(レアメタリック社製:純度99.999%)、酸化鉄(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化ニッケル(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化チタン(石原産業社製:純度99.9%)および酸化バナジウム(V2O5、高純度化学研究所製:純度99.9%)を用いた。表4の組成になるように秤量し、溶媒としてエタノールを用いて、ボールミルで湿式混合を24時間行った。その後、80℃で乾燥させ、混合粉を750℃から850℃の温度で6時間仮焼した。
(製造方法B:テープキャスティング法)
原料としてチタン酸バリウム(堺化学工業社製:粒径100nm)、酸化ビスマス(レアメタリック社製:純度99.999%)、酸化鉄(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化ニッケル(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化チタン(石原産業社製:純度99.9%)および酸化バナジウム(V2O5、高純度化学研究所製:純度99.9%)を用いた。表4の組成になるように秤量し、溶媒としてエタノールを用いて、ボールミルで湿式混合を24時間行った。その後、80℃で乾燥させ、混合粉を750℃から850℃の温度で6時間仮焼した。
(構造評価)
研磨された焼結体は実施例1から19と同様の方法で組成、結晶構造、密度、結晶粒の平均円相当径および最大円相当径を評価した。
(電気特性評価)
研磨された焼結体の電気特性は、実施例5から19と同様の方法で評価した。
(V添加BaTiO3−BiFeO3−Bi(Zn0.5Ti0.5)O3の例)
(実施例30から39および比較例18から21)
(製造方法A:通常焼結法)
原料としてチタン酸バリウム(堺化学工業社製:粒径100nm)、酸化ビスマス(レアメタリック社製:純度99.999%)、酸化鉄(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化亜鉛(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化チタン(石原産業社製:純度99.9%)および酸化バナジウム(V2O5、高純度化学研究所製:純度99.9%)を用いた。表4の組成になるように秤量し、溶媒としてエタノールを用いて、ボールミルで湿式混合を24時間行った。その後、80℃で乾燥させ、混合粉を750℃から850℃の温度で6時間仮焼した。
(製造方法B:テープキャスティング法)
原料としてチタン酸バリウム(堺化学工業社製:粒径100nm)、酸化ビスマス(レアメタリック社製:純度99.999%)、酸化鉄(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化亜鉛(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化チタン(石原産業社製:純度99.9%)および酸化バナジウム(V2O5、高純度化学研究所製:純度99.9%)を用いた。表4の組成になるように秤量し、溶媒としてエタノールを用いて、ボールミルで湿式混合を24時間行った。その後、80℃で乾燥させ、混合粉を750℃から850℃の温度で6時間仮焼した。
(構造評価)
研磨された焼結体は実施例1から29と同様の方法で組成、結晶構造、密度、結晶粒の平均円相当径および最大円相当径を評価した。
(電気特性評価)
研磨された焼結体の電気特性は、実施例5から29と同様の方法で評価した。
(液体吐出ヘッド)
実施例12による圧電材料を用いて、図2に示される液体吐出ヘッドを作製した。入力した電気信号に追随したインクの吐出が確認された。
(超音波モータ)
実施例11による圧電材料を用いて、図3に示される超音波モータを作製した。交番電圧の印加に応じたモータの回転挙動が確認された。
(塵埃除去装置)
実施例36による圧電材料を用いて、図4に示される塵埃除去装置を作製した。プラスチック製ビーズを散布し、交番電圧を印加したところ、良好な塵埃除去率が確認された。
102 個別液室
103 振動板
104 液室隔壁
105 吐出口
106 連通孔
107 共通液室
108 バッファ層
1011 第一の電極
1012 圧電材料
1013 第二の電極
201 振動子
202 ロータ
203 出力軸
204 振動子
205 ロータ
206 バネ
2011 弾性体リング
2012 圧電素子
2013 有機系接着剤
2041 金属弾性体
2042 積層圧電素子
310 塵埃除去装置
320 振動板
330 圧電素子
331 圧電材料
332 第1の電極
333 第2の電極
336 第1の電極面
337 第2の電極面
Claims (7)
- 下記一般式(1):
一般式(1) xBaTiO3−yBiFeO3−zBi(M0.5Ti0.5)O3(式中、MはMg、Ni、Znから選択される少なくとも1種以上の元素であり、xは0.25≦x≦0.75、yは0.15≦y≦0.73、zは0.02≦z≦0.60の数値を表す。但し、x+y+z=1である。)
で表されるペロブスカイト型金属酸化物を含有する圧電材料であって、前記ペロブスカイト型金属酸化物にVが含有されており、前記Vの含有量が前記ペロブスカイト型金属酸化物1モルに対して、0.0005モル以上0.0050モル以下であることを特徴とする、圧電材料。 - 前記一般式(1)において、xは0.25≦x≦0.55、yは0.20≦y≦0.73、zは0.02≦z≦0.25の範囲であることを特徴とする、請求項1に記載の圧電材料。
- 前記圧電材料がセラミックスであり、前記セラミックスを構成する結晶粒の平均円相当径が500nm以上5μm以下であり、前記結晶粒の最大円相当径が5μm以上10μm以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の圧電材料。
- 第一の電極、圧電材料および第二の電極を有する圧電素子であって、前記圧電材料が請求項1乃至3のいずれか1項に記載の圧電材料であることを特徴とする、圧電素子。
- 請求項4に記載の圧電素子を配した振動部を備えた液室と、前記液室と連通する吐出口とを有する、液体吐出ヘッド。
- 請求項4に記載の圧電素子を配した振動体と、前記振動体と接触する移動体とを有する、超音波モータ。
- 請求項4に記載の圧電素子を配した振動体を有する、塵埃除去装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012057403A JP5967988B2 (ja) | 2012-03-14 | 2012-03-14 | 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置 |
CN201380013087.XA CN104285310B (zh) | 2012-03-14 | 2013-03-08 | 压电材料、压电元件、液体排出头、超声马达和尘埃去除设备 |
EP13713254.4A EP2789023B1 (en) | 2012-03-14 | 2013-03-08 | Piezoelectric material, piezoelectric element, liquid discharge head, ultrasonic motor, and dust removing device |
US14/372,549 US9022534B2 (en) | 2012-03-14 | 2013-03-08 | Piezoelectric material, piezoelectric element, liquid discharge head, ultrasonic motor, and dust removing device |
KR1020147027869A KR101616666B1 (ko) | 2012-03-14 | 2013-03-08 | 압전 재료, 압전 소자, 액체 토출 헤드, 초음파 모터 및 먼지 제거 디바이스 |
PCT/JP2013/057325 WO2013137421A2 (en) | 2012-03-14 | 2013-03-08 | Piezoelectric material, piezoelectric element, liquid discharge head, ultrasonic motor, and dust removing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012057403A JP5967988B2 (ja) | 2012-03-14 | 2012-03-14 | 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013191751A JP2013191751A (ja) | 2013-09-26 |
JP5967988B2 true JP5967988B2 (ja) | 2016-08-10 |
Family
ID=48040389
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012057403A Active JP5967988B2 (ja) | 2012-03-14 | 2012-03-14 | 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9022534B2 (ja) |
EP (1) | EP2789023B1 (ja) |
JP (1) | JP5967988B2 (ja) |
KR (1) | KR101616666B1 (ja) |
CN (1) | CN104285310B (ja) |
WO (1) | WO2013137421A2 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5864168B2 (ja) | 2010-12-28 | 2016-02-17 | キヤノン株式会社 | 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置 |
JP6063672B2 (ja) | 2011-09-06 | 2017-01-18 | キヤノン株式会社 | 圧電セラミックス、圧電セラミックスの製造方法、圧電素子、液体吐出ヘッド、液体吐出装置、超音波モータ、光学機器、振動装置、塵埃除去装置、撮像装置、圧電音響部品、および電子機器 |
JP6229653B2 (ja) * | 2012-05-21 | 2017-11-15 | コニカミノルタ株式会社 | 圧電組成物及びその製造方法、並びに圧電素子 |
JP2015107904A (ja) * | 2013-10-24 | 2015-06-11 | 三菱マテリアル株式会社 | 非鉛誘電体薄膜形成用液組成物及びその薄膜の形成方法並びにその方法で形成された非鉛誘電体薄膜 |
US9780294B2 (en) * | 2013-11-13 | 2017-10-03 | Tdk Corporation | Piezoelectric composition and piezoelectric element |
JP2015135958A (ja) | 2013-12-18 | 2015-07-27 | キヤノン株式会社 | 圧電材料、圧電素子、および電子機器 |
JP2015134707A (ja) * | 2013-12-18 | 2015-07-27 | キヤノン株式会社 | 圧電材料、圧電素子および電子機器 |
US9887347B2 (en) | 2015-11-27 | 2018-02-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric element, piezoelectric actuator and electronic instrument using the same |
US10424722B2 (en) | 2015-11-27 | 2019-09-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric element, piezoelectric actuator, and electronic apparatus |
US9917245B2 (en) | 2015-11-27 | 2018-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric element, method of manufacturing piezoelectric element, piezoelectric actuator, and electronic apparatus |
US9893268B2 (en) | 2015-11-27 | 2018-02-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric element, piezoelectric actuator, and electronic apparatus using the same |
US11201571B2 (en) | 2016-03-25 | 2021-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing an oscillator |
JP6822214B2 (ja) | 2017-02-27 | 2021-01-27 | Tdk株式会社 | 圧電組成物及び圧電素子 |
JP6801513B2 (ja) | 2017-02-27 | 2020-12-16 | Tdk株式会社 | 圧電組成物及び圧電素子 |
CN106792423B (zh) * | 2017-02-28 | 2020-04-14 | 维沃移动通信有限公司 | 一种清除扬声器中的异物的方法及移动终端 |
JP6919236B2 (ja) | 2017-03-09 | 2021-08-18 | Tdk株式会社 | 圧電組成物及び圧電素子 |
JP6919237B2 (ja) * | 2017-03-09 | 2021-08-18 | Tdk株式会社 | 圧電組成物及び圧電素子 |
JP6759164B2 (ja) * | 2017-08-08 | 2020-09-23 | キヤノン株式会社 | レンズ装置、撮像装置、および、レンズ装置の製造方法 |
US11272080B2 (en) | 2018-02-06 | 2022-03-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Vibration device for dust removal and imaging device |
KR101965171B1 (ko) * | 2018-08-24 | 2019-08-13 | (주)비티비엘 | 초음파센서의 제조방법 |
JP7206941B2 (ja) | 2019-01-22 | 2023-01-18 | Tdk株式会社 | 圧電組成物及び圧電素子 |
CN115073160B (zh) * | 2022-07-30 | 2023-09-19 | 桂林电子科技大学 | 一种具有微纳米电畴结构的铁酸铋-钛酸钡陶瓷的热压烧结制备方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004323315A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Nec Tokin Corp | 誘電体磁器組成物及びその製造方法並びにそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
JP5164052B2 (ja) * | 2005-01-19 | 2013-03-13 | キヤノン株式会社 | 圧電体素子、液体吐出ヘッド及び液体吐出装置 |
US7591543B2 (en) * | 2005-08-23 | 2009-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric member, piezoelectric member element, liquid discharge head in use thereof, liquid discharge apparatus and method of manufacturing piezoelectric member |
JP5035504B2 (ja) | 2006-04-12 | 2012-09-26 | セイコーエプソン株式会社 | インクジェット式記録ヘッドおよびインクジェットプリンタ |
JP5538670B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | 圧電体素子、これを用いた液体吐出ヘッド及び超音波モーター |
WO2009061627A1 (en) * | 2007-11-06 | 2009-05-14 | Ferro Corporation | Lead and cadmium free, low temperature fired x7r dielectric ceramic composition and method of making |
JP2009286119A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-12-10 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び圧電素子 |
KR101179295B1 (ko) * | 2010-08-06 | 2012-09-03 | 삼성전기주식회사 | 내환원성 유전체 조성물 및 이를 포함하는 세라믹 전자 부품 |
JP5864168B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2016-02-17 | キヤノン株式会社 | 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置 |
JP6004640B2 (ja) * | 2011-01-07 | 2016-10-12 | キヤノン株式会社 | 圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータ、塵埃除去装置、およびデバイス |
JP6063672B2 (ja) | 2011-09-06 | 2017-01-18 | キヤノン株式会社 | 圧電セラミックス、圧電セラミックスの製造方法、圧電素子、液体吐出ヘッド、液体吐出装置、超音波モータ、光学機器、振動装置、塵埃除去装置、撮像装置、圧電音響部品、および電子機器 |
-
2012
- 2012-03-14 JP JP2012057403A patent/JP5967988B2/ja active Active
-
2013
- 2013-03-08 CN CN201380013087.XA patent/CN104285310B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-03-08 KR KR1020147027869A patent/KR101616666B1/ko active IP Right Grant
- 2013-03-08 EP EP13713254.4A patent/EP2789023B1/en active Active
- 2013-03-08 WO PCT/JP2013/057325 patent/WO2013137421A2/en active Application Filing
- 2013-03-08 US US14/372,549 patent/US9022534B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2789023A2 (en) | 2014-10-15 |
JP2013191751A (ja) | 2013-09-26 |
KR20140138841A (ko) | 2014-12-04 |
EP2789023B1 (en) | 2016-03-02 |
US20140354738A1 (en) | 2014-12-04 |
KR101616666B1 (ko) | 2016-04-28 |
WO2013137421A3 (en) | 2014-01-03 |
US9022534B2 (en) | 2015-05-05 |
WO2013137421A2 (en) | 2013-09-19 |
CN104285310A (zh) | 2015-01-14 |
CN104285310B (zh) | 2017-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5967988B2 (ja) | 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置 | |
JP5864168B2 (ja) | 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置 | |
JP6021351B2 (ja) | 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータ、塵埃除去装置およびデバイス | |
JP5932216B2 (ja) | 圧電セラミックス、その製造方法、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータ、塵埃除去装置、光学デバイスおよび電子機器 | |
JP5734688B2 (ja) | 配向性酸化物セラミックスの製造方法、配向性酸化物セラミックス、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置 | |
JP5865608B2 (ja) | 配向性圧電セラミックス、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置 | |
JP4948639B2 (ja) | 圧電セラミックス、その製造方法、圧電素子、液体吐出ヘッドおよび超音波モータ | |
WO2006095716A1 (ja) | 圧電/電歪磁器組成物及びその製造方法 | |
JP5021452B2 (ja) | 圧電/電歪磁器組成物および圧電/電歪素子 | |
JP7239350B2 (ja) | 圧電セラミックス及びその製造方法、並びに圧電素子 | |
JP2009256182A (ja) | 圧電/電歪磁器組成物の製造方法 | |
JP5597368B2 (ja) | 積層型電子部品およびその製法 | |
JP5129067B2 (ja) | 圧電/電歪磁器組成物及び圧電/電歪素子 | |
JP2005008516A (ja) | 圧電磁器組成物及びこれを用いた圧電素子 | |
JP5748493B2 (ja) | 配向性酸化物セラミックスの製造方法、配向性酸化物セラミックス、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置 | |
JP5774824B2 (ja) | 圧電/電歪磁器組成物 | |
WO2024070626A1 (ja) | 無鉛圧電組成物、及び圧電素子 | |
JP5894222B2 (ja) | 積層型電子部品およびその製法 | |
JP2009114049A (ja) | 圧電/電歪磁器組成物及び圧電/電歪素子 | |
TW202430485A (zh) | 無鉛壓電組成物、及壓電元件 | |
JP5482609B2 (ja) | 圧電磁器及びこれを備える圧電素子、並びにかかる圧電素子を備える圧電デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20130701 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150310 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160607 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160705 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5967988 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |