JP5967988B2 - 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置 - Google Patents

圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5967988B2
JP5967988B2 JP2012057403A JP2012057403A JP5967988B2 JP 5967988 B2 JP5967988 B2 JP 5967988B2 JP 2012057403 A JP2012057403 A JP 2012057403A JP 2012057403 A JP2012057403 A JP 2012057403A JP 5967988 B2 JP5967988 B2 JP 5967988B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
piezoelectric
piezoelectric material
electrode
piezoelectric element
perovskite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012057403A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013191751A (ja
Inventor
薮田 久人
久人 薮田
隆之 渡邉
隆之 渡邉
久保田 純
純 久保田
潤平 林
潤平 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2012057403A priority Critical patent/JP5967988B2/ja
Priority to CN201380013087.XA priority patent/CN104285310B/zh
Priority to EP13713254.4A priority patent/EP2789023B1/en
Priority to US14/372,549 priority patent/US9022534B2/en
Priority to KR1020147027869A priority patent/KR101616666B1/ko
Priority to PCT/JP2013/057325 priority patent/WO2013137421A2/en
Publication of JP2013191751A publication Critical patent/JP2013191751A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5967988B2 publication Critical patent/JP5967988B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/85Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/853Ceramic compositions
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B17/00Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups
    • B05B17/04Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods
    • B05B17/06Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations
    • B05B17/0607Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations generated by electrical means, e.g. piezoelectric transducers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01Ink jet
    • B41J2/015Ink jet characterised by the jet generation process
    • B41J2/04Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand
    • B41J2/045Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01Ink jet
    • B41J2/135Nozzles
    • B41J2/14Structure thereof only for on-demand ink jet heads
    • B41J2/14201Structure of print heads with piezoelectric elements
    • B41J2/14233Structure of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N2/00Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction
    • H02N2/10Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing rotary motion, e.g. rotary motors
    • H02N2/103Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing rotary motion, e.g. rotary motors by pressing one or more vibrators against the rotor
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N2/00Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction
    • H02N2/10Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing rotary motion, e.g. rotary motors
    • H02N2/106Langevin motors
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N2/00Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction
    • H02N2/10Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing rotary motion, e.g. rotary motors
    • H02N2/16Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing rotary motion, e.g. rotary motors using travelling waves, i.e. Rayleigh surface waves
    • H02N2/163Motors with ring stator
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/03Assembling devices that include piezoelectric or electrostrictive parts
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/09Forming piezoelectric or electrostrictive materials
    • H10N30/093Forming inorganic materials
    • H10N30/097Forming inorganic materials by sintering
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/50Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/704Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/85Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/853Ceramic compositions
    • H10N30/8536Alkaline earth metal based oxides, e.g. barium titanates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/85Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/853Ceramic compositions
    • H10N30/8561Bismuth-based oxides
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/02Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for lenses
    • G02B7/04Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for lenses with mechanism for focusing or varying magnification
    • G02B7/10Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for lenses with mechanism for focusing or varying magnification by relative axial movement of several lenses, e.g. of varifocal objective lens
    • G02B7/102Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for lenses with mechanism for focusing or varying magnification by relative axial movement of several lenses, e.g. of varifocal objective lens controlled by a microcomputer
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/87Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/877Conductive materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
  • General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

本発明は圧電材料に関するものであり、特に鉛を含有しない圧電材料に関する。また、それを用いた圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置に関する。
圧電材料は、チタン酸ジルコニウム酸鉛(以下「PZT」という)のようなABO型ペロブスカイト型金属酸化物が一般的である。しかしながら、PZTはAサイト元素として鉛を含有するために、環境に対する影響が問題視されている。このため、鉛を含有しないペロブスカイト型金属酸化物を用いた圧電材料が求められている。
鉛を含有しないペロブスカイト型金属酸化物の圧電材料として、チタン酸バリウムが知られている。特許文献1には、抵抗加熱2段焼結法を用いて作製したチタン酸バリウムが開示されている。ナノサイズのチタン酸バリウム粉末を前記2段焼結法によって焼結すると、圧電特性に優れたセラミックスが得られることが記載されている。しかしながら、チタン酸バリウムはキュリー温度が125℃と低いため、高温でのデバイス動作に適さないという課題があった。
また、非特許文献1にはチタン酸バリウムのキュリー温度を上げる試みとして、チタン酸バリウムと鉄酸ビスマスの固溶体が開示されている。しかしながら、鉄酸ビスマスを固溶させることによりキュリー温度が高くなる一方で、圧電性能が著しく低下し、同時に直流電気伝導度が上昇する、すなわち絶縁性が低下するという問題があった。
すなわち、鉛を含有しないペロブスカイト型金属酸化物の圧電材料において、高いキュリー温度と、高い圧電性能、および高い絶縁性のすべてを同時に満たすことは困難であった。
特開2007-287739号公報
"Journal of Applied Physics" 2000年、第87巻、第2号、p.855から862 岩波理化学辞典 第5版(岩波書店、1998年2月20日発行)
本発明は、このような課題に対処するためになされたもので、高いキュリー温度と、高い圧電性能、および高い絶縁性のすべてを満たす圧電素子を提供するものである。
また、本発明は前記圧電材料を用いた圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置を提供するものである。
本発明に係る圧電材料は、下記一般式(1):
一般式(1) xBaTiO―yBiFeO―zBi(M0.5Ti0.5)O
(式中、MはMg、Ni、Znから選択される少なくとも1種以上の元素であり、xは0.25≦x≦0.75、yは0.15≦y≦0.73、zは0.02≦z≦0.60の数値を表す。但しx+y+z=1である。)で表されるペロブスカイト型金属酸化物を含有する圧電材料であって、前記ペロブスカイト型金属酸化物にV(バナジウム)が含有されており、前記Vの含有量が前記ペロブスカイト型金属酸化物1モルに対して、0.0005モル以上0.0050モル以下であることを特徴とする。
本発明に係る圧電材料は、第一の電極、圧電材料および第二の電極を少なくとも有する圧電素子であって、前記圧電材料が上記の圧電材料であることを特徴とする。
本発明に係る液体吐出ヘッドは、上記の圧電素子を用いることを特徴とする。
本発明に係る超音波モータは、上記の圧電素子を用いることを特徴とする。
本発明に係る塵埃除去装置は、上記の圧電素子を用いることを特徴とする。
本発明によれば、高いキュリー温度と、高い圧電性能、および高い絶縁性のすべてを満たす圧電材料を提供することができる。
本発明の圧電材料を用いることで、鉛を含む圧電材料を用いた場合と同等以上のノズル密度、および吐出力を有する液体吐出ヘッドを提供できる。
本発明の圧電材料を用いることで、鉛を含む圧電材料を用いた場合と同等以上の駆動力、および耐久性を有する超音波モータを提供できる。
本発明の圧電材料を用いることで、鉛を含む圧電材料を用いた場合と同等以上の塵埃除去効率を有する塵埃除去装置を提供できる。
本発明の圧電材料の一実施態様を示す相図である。 本発明の液体吐出ヘッドの構成の一実施態様を示す概略図である。 本発明の超音波モータの構成の一実施態様を示す概略図である。 本発明の塵埃除去装置の一実施態様を示す概略図である。 図4における本発明の圧電素子の構成を示す概略図である。 本発明の塵埃除去装置の振動原理を示す模式図である。 実施例4および比較例1、3、4のX線回折図形である。
以下、本発明を実施するための形態について説明する。
本発明に係る圧電材料は、下記一般式(1):
一般式(1) xBaTiO―yBiFeO―zBi(M0.5Ti0.5)O
(式中、MはMg、Ni、Znから選択される少なくとも1種以上の元素であり、xは0.25≦x≦0.75、yは0.15≦y≦0.73、zは0.02≦z≦0.60の数値を表す。但しx+y+z=1である。)で表されるペロブスカイト型金属酸化物を含有する圧電材料であって、前記ペロブスカイト型金属酸化物にVが含有されており、前記Vの含有量が前記ペロブスカイト型金属酸化物1モルに対して、0.0005モル以上0.0050モル以下であることを特徴とする。
本発明において、ペロブスカイト型金属酸化物とは、非特許文献2に記載されているような、理想的には立方晶構造であるペロブスカイト型構造(ペロフスカイト型構造とも言う)を持つ金属酸化物を指す。ペロブスカイト型構造を持つ金属酸化物は一般にABOの化学式で表現される。ペロブスカイト型金属酸化物において、元素A、Bは各々イオンの形でAサイト、Bサイトと呼ばれる単位格子の特定の位置を占める。例えば、立方晶系の単位格子であれば、A元素は立方体の頂点、B元素は体心に位置する。O元素は酸素の陰イオンとして面心位置を占める。
前記一般式(1)で表される金属酸化物は、BaTiO、BiFeO、Bi(M0.5Ti0.5)Oで表される3種類のペロブスカイト型金属酸化物の固溶体を意味している。前記一般式(1)において、Aサイトに位置する金属元素は主にBaおよびBiであり、Bサイトに位置する金属元素は、Ti、Fe、およびMであり、MはMg、Ni、およびZnから選択される少なくとも1種の元素である。
前記一般式(1)において、AサイトとBサイトの元素量の比は1対1と表記しているが、元素量の比が若干ずれた場合でも、ペロブスカイト型構造のみで構成される単相状態であれば、本発明の範囲に含まれる。例えば、鉛系圧電材料では、AサイトのPbを過剰に使用することや、複合ペロブスカイト型構造で実際のBサイト元素比が化学量論比からずれることが良く知られている。
前記一般式(1)において、Bi(M0.5Ti0.5)OのMはMg、Ni、およびZnから選択される少なくとも1種の元素である。前記MはMgのみでも、Niのみでも、Znのみでもよく、任意の2種を含んでいてもよく、すべてを含んでいてもよい。Mは2価を取ることにより、4価のTiおよび3価のBiとともにBi(M0.5Ti0.5)Oの電気的中性条件が保たれる。このとき、MとTiの比は1対1が好ましい。また前記一般式(1)において、Bi(M0.5Ti0.5)O中のMとTiの元素量は、ともに0.5と記載しているが、この量から0.4から0.6までずれた場合でも、ペロブスカイト型構造のみで構成される単相状態であれば、本発明の範囲に含まれる。
また、本発明の圧電材料には特性調整成分や製造上含まれてしまう不純成分が含まれていても良い。本発明の圧電材料に含まれる一般式(1)に示される元素及びV以外の成分は、圧電材料全体を100重量部とした時に2重量部以下、より好ましくは1重量部以下であることが好ましい。
前記圧電材料がペロブスカイト型構造であることは、例えば、X線回折や電子線回折による構造解析から判断することが出来る。
前記一般式(1)において、BaTiOの存在量を示すxは、0.25≦x≦0.75の範囲である。好ましくは0.25≦x≦0.55の範囲である。また、BiFeOの存在量を示すyは、0.15≦y≦0.70の範囲である。好ましくは0.20≦y≦0.70の範囲である。
BaTiOの存在量に関して、xが0.75より大きいと、キュリー温度が200℃未満となり、動作温度が高温になった場合に圧電性を消失する恐れがある。あるいは、圧電性の消失まではいかなくとも、動作温度変動による特性変動が著しく、デバイス化した際に特性変動許容範囲から逸脱する可能性がある。
本明細書において、「キュリー温度」とは強誘電性が消失する温度を言う。その特定方法は、測定温度を変えながら強誘電性が消失する温度を直接測定する方法に加えて、ある周波数の微小交流電界を用いて測定温度を変えながら誘電率を測定し、誘電率が最大を示す温度から特定する方法がある。
本発明の圧電材料において望ましいキュリー温度は、200℃以上500℃以下、より好ましくは200℃以上450℃以下である。キュリー温度が200℃以上であることにより、デバイス化した場合に温度による特性変動の少ない材料を提供できる。また、キュリー温度が500℃以下であることにより、素子化の際の分極処理が容易である材料を提供することができる。
さらにxが0.25より小さく、かつBiFeO存在量が多い場合(例えばy>0.30)ではペロブスカイト型構造以外の結晶相(以下、ペロブスカイト型構造以外の結晶相を「異相」という)が生じ、圧電特性が低下してしまう恐れがある。また、xが0.25より小さく、かつBiFeO存在量が少ない場合(例えばy≦0.30)ではVを含まない組成でも絶縁性が良好であり、Vを添加した時の絶縁性向上の効果が小さい。
BiFeOの存在量に関して、yが0.15より小さく、かつBaTiO存在量が多い場合(例えばx≧0.50)ではキュリー温度が低くなる恐れがある。また、yが0.15より小さく、かつBaTiO存在量が少ない場合(例えばx≦0.50)では異相が生じる恐れがある。
前記一般式(1)において、Bi(M0.5Ti0.5)Oの存在量を示すzは、0.02≦z≦0.60の範囲である。好ましくは0.02≦z≦0.25の範囲である。zが0.02より小さく、かつBaTiO存在量が多い場合(例えばx≧0.50)ではキュリー温度が低くなる恐れがある。また、zが0.02より小さく、かつBaTiO存在量が少ない場合(例えばx≦0.50)では絶縁性の低下が起こる可能性がある。その絶縁性低下は、本発明のV添加を行ったとしても望まれる絶縁性に及ばない、すなわち分極処理の際の直流高電界印加に耐えきれない程のものである。
前記一般式(1)において、xは0.25≦x≦0.75、yは0.15≦y≦0.73、zは0.02≦z≦0.60の範囲であるということは、x、y、zが下記座標点A、B、C、Dで囲まれる範囲内であると言い換えることができる。なお、各座標点を結ぶ線上は上記範囲内に含まれる。
各座標点のx、y、zの値は以下のとおりである。
A:(x,y,z)=(0.75,0.15,0.10)
B:(x,y,z)=(0.75,0.23,0.02)
C:(x,y,z)=(0.25,0.73,0.02)
D:(x,y,z)=(0.25,0.15,0.60)
図1(a)は本発明の圧電材料の組成範囲を示す三角相図である。太い実線上およびそれらに囲まれた領域が本発明の組成範囲である。座標点A、B、C、D、Aに囲まれた部分が本発明の圧電材料に用いられる金属酸化物の組成範囲であり、優れた圧電特性を示す。黒塗りの丸印および実線は、組成範囲に含まれることを意味する。この組成範囲の一般式(1)で表されるペロブスカイト型金属酸化物1モルに対し、Vを0.0005モル以上0.0050モル以下、より好ましくは0.0010モル以上0.0040モル以下含有させることで、高いキュリー温度と高い圧電性を有し、かつ高い絶縁性を示す圧電材料を得ることができる。なお、本明細書における「絶縁性」とは、圧電材料に交流または直流の電界を印加した時の電気的耐性を指している。特に、より厳しい耐性を求められる直流電界に対する電気的耐性を指す。例えば、圧電材料の分極処理の際に用いる直流の高電界(例えば1kV/cm以上)印加に対する耐性のことである。上記組成範囲にあるペロブスカイト型金属酸化物に上記範囲のVを添加した圧電材料においては、圧電定数d33 は110[pm/V]以上を有し、キュリー温度は200℃以上を有する。かつ、50kV/cm以上の直流電界を数十分から数時間印加することに耐えうる絶縁性を有する。絶縁性の向上は、圧電体により大きな電界を印加できることから、圧電性能の向上にも寄与している。
本明細書において、圧電定数d33 とは、電界歪曲線の電界と歪の傾きから求めた定数である。ここで*印は、通常用いられる圧電定数d33が33方向のみの圧電特性を示すのに対し、この算出方法においては、僅かではあるが33以外の方向も寄与する可能性があるために付記した。
上記、図1(a)で示した組成範囲の一般式(1)で表されるペロブスカイト型金属酸化物1モルに対し、0.0005モルに満たない量のVを添加した場合においては、無添加の金属酸化物に対する絶縁性向上の効果が小さい。
同様に、図1(a)で示した組成範囲の一般式(1)で表されるペロブスカイト型金属酸化物1モルに対し、0.0050モルを超えた量のVを添加した場合においても、無添加の金属酸化物に対する絶縁性向上の効果が小さい。また、作製した材料中に無視できない量の異相が出現し、圧電性が低下する。
本発明は、前記一般式(1)において、xは0.25≦x≦0.55、yは0.20≦y≦0.73、zは0.02≦z≦0.25の範囲であることがより好ましい。
上記範囲は、x、y、zが下記座標点E、F、G、Hで囲まれる範囲内であると言い換えることができる。
各座標点のx、y、zの値は以下のとおりである。
E:(x,y,z)=(0.55,0.20,0.25)
F:(x,y,z)=(0.55,0.43,0.02)
G:(x,y,z)=(0.25,0.73,0.02)
H:(x,y,z)=(0.25,0.50,0.25)
図1(b)は本発明の圧電材料のより好ましい組成範囲を示す三角相図である。太い実線上およびそれらに囲まれた領域が本発明の組成範囲である。座標点E、F、G、H、Eに囲まれた部分が本発明の圧電材料に用いられる金属酸化物の組成範囲であり、優れた圧電特性を示す。黒塗りの丸印および実線は、組成範囲に含まれることを意味する。この組成範囲の一般式(1)で表されるペロブスカイト型金属酸化物1モルに対し、Vを0.0005モル以上0.0050モル以下含有させることで、高いキュリー温度と高い絶縁性を有しつつ、より高い圧電性能を示す圧電材料を得ることができる。上記組成範囲にあるペロブスカイト型金属酸化物に上記範囲のVを添加した圧電材料においては、圧電定数d33 は210[pm/V]以上を有し、キュリー温度は200℃以上を有する。かつ、50kV/cm以上の直流電界を数十分から数時間印加することに耐えうる絶縁性を有する。絶縁性の向上は、圧電体により大きな電界を印加できることから、圧電性能の向上にも寄与している。
本発明の圧電材料を作製する際に添加するVの原料は特に限定されない。5価のVから成る化合物(例えばV)でもよいし3価のVから成る化合物(例えばV)でもよい。また、バナジウム金属や酸化物以外のバナジウム塩を用いてもよい。またバナジウム有機化合物を用いてもよい。
本発明の圧電材料に含有されるVの存在位置は特に限定されない。Vはペロブスカイト型構造のBサイトに含まれていてもよいし、結晶粒界に酸化物の形で含まれていても同様の効果を期待できる。
本発明に係る圧電材料は、前記圧電材料がセラミックスであり、前記セラミックスを構成する結晶粒の平均円相当径が500nm以上5μm以下であり、前記結晶粒の最大円相当径が5μm以上10μm以下であることが好ましい。
本明細書における「セラミックス」とは、基本成分が金属酸化物であり、熱処理によって焼き固められた結晶粒子の凝集体(バルク体とも言う)、いわゆる多結晶を表す。焼結後に加工されたものも含まれる。ただし、粉末や粉末を分散させたスラリーは、この用語に含まない。
本明細書における「円相当径」とは、顕微鏡観察法において一般に言われる「投影面積円相当径」を表し、結晶粒の投影面積と同面積を有する真円の直径を表す。本発明において、この円相当径の測定方法は特に制限されない。例えば圧電セラミックスの表面を偏光顕微鏡や走査型電子顕微鏡で撮影して得られる写真画像を画像処理して求めることができる。結晶粒の円相当径を求める際の拡大倍率の例は、5から5000倍程度である。倍率によって光学顕微鏡と電子顕微鏡を使い分けても構わない。セラミックスの表面ではなく研磨面や断面の画像から円相当径を求めても良い。
本明細書における「平均円相当径」とは、前記圧電セラミックスを撮影して得られた写真画像を画像処理して求めた前記円相当径の平均値である。前記平均値は体積平均でも個数平均でも良いが、好ましくは個数平均である。
本明細書における「最大円相当径」とは、前記圧電セラミックスを撮影して得られた写真画像を画像処理して求めた前記円相当径の最大値である。
前記結晶粒の平均円相当径は、500nm以上5μm以下であることが好ましい。500nm未満である場合は、密度が低くなり圧電特性が十分にならない恐れがある。また、5μmより大きくなると、機械的強度が低くなる恐れがある。
また、前記結晶粒の最大円相当径が5μm以上10μm以下であることが好ましい。5μm未満である場合は、密度が低くなり圧電特性が十分にならない恐れがある。また、10μmより大きくなると、機械的強度が低くなる恐れがある。
本発明の圧電材料の製造方法は特に限定されない。
セラミックスを製造する場合は、酸化物、炭酸塩、硝酸塩、蓚酸塩などの固体粉末を常圧下で焼結する一般的な手法を採用することが出来る。また、焼結したセラミックスを切断し重ねて接着する方法や、セラミックス粉体をシート状にして重ねるテープキャスティング法を用いて積層構造にしても構わない。
原料は、Ba(バリウム)化合物、Ti(チタン)化合物、Bi(ビスマス)化合物、Fe(鉄)化合物、Mg(マグネシウム)化合物、Ni(ニッケル)化合物、Zn(亜鉛)化合物およびV化合物といった金属化合物から構成される。
使用可能なBa化合物としては、酸化バリウム、炭酸バリウム、蓚酸バリウム、酢酸バリウム、硝酸バリウム、チタン酸バリウム等が挙げられる。
使用可能なTi化合物の例としては、酸化チタンなどが挙げられる。
使用可能なBi化合物の例としては、酸化ビスマス、硝酸ビスマスなどが挙げられる。
使用可能なFe化合物の例としては、酸化鉄、塩化鉄、硝酸鉄などが挙げられる。
使用可能なMg化合物の例としては、酸化マグネシウム、蓚酸マグネシウム、塩化マグネシウム、炭酸マグネシウムなどが挙げられる。
使用可能なNi化合物の例としては、酸化ニッケル、硝酸ニッケル、塩化ニッケル、蓚酸ニッケルなどが挙げられる。
使用可能なZn化合物の例としては、酸化亜鉛、塩化亜鉛、硝酸亜鉛、蓚酸亜鉛などが挙げられる。
使用可能なV化合物の例としては、VやVなどの酸化バナジウム、オキシ塩化バナジウムなどか挙げられる。
また、焼結方法は特に限定されない。焼結方法の例としては電気炉による焼結、通電加熱法、マイクロ波焼結法、ミリ波焼結法、HIP(熱間等方圧プレス)などが挙げられる。
焼結温度は限定されないが、前記圧電セラミックスが十分に結晶成長する温度であることが望ましい。好ましい焼結温度は、800℃以上1150℃以下、好ましくは900℃以上1030℃以下である。前記温度範囲において焼結された圧電セラミックスは、良好な圧電特性を示す。
焼結処理により得られる圧電セラミックスの特性を再現よく安定させるためには、焼結温度を上記範囲内で一定にして、1時間以上24時間以下程度の焼結処理を行なうと良い。焼結された圧電セラミックスの相対密度は90%以上が好ましく、95%以上であることがより好ましい。相対密度が90%よりも小さいと、圧電セラミックスの比誘電率が著しく低下し、機械的強度も低下するためである。相対密度を上げる手段としては、マンガンや銅を添加することや、テープキャスティング法を用いて成形体を作ることなどが挙げられる。
以下に本発明の圧電材料を用いた圧電素子について説明する。
本発明に係る圧電素子は、第一の電極、圧電材料および第二の電極を少なくとも有する圧電素子であって、前記圧電材料が上記の圧電材料であることを特徴とする。
第一の電極および第二の電極は、厚み5nmから2000nm程度の導電層よりなる。その材料は特に限定されず、圧電素子に通常用いられているものであればよい。例えば、Ti、Pt、Ta、Ir、Sr、In、Sn、Au、Al、Fe、Cr、Ni、Pd、Ag、Cuなどの金属およびこれらの酸化物を挙げることができる。第一の電極および第二の電極は、これらのうちの1種からなるものであっても、あるいはこれらの2種以上を積層してなるものであってもよい。第一の電極と第二の電極が、それぞれ異なる材料であっても良い。
第一の電極と第二の電極の製造方法は限定されず、金属ペーストの焼き付けにより形成しても良いし、スパッタ、蒸着法などにより形成してもよい。また第一の電極と第二の電極とも所望の形状にパターニングして用いても良い。
図2は、本発明の液体吐出ヘッドの構成の一実施態様を示す概略図である。図2(a)、(b)に示すように、本発明の液体吐出ヘッドは、本発明の圧電素子101を有する液体吐出ヘッドである。圧電素子101は、第一の電極1011、圧電材料1012、第二の電極1013を少なくとも有する圧電素子である。圧電材料1012は、図2(b)の如く、必要に応じてパターニングされている。
図2(b)は液体吐出ヘッドの模式図である。液体吐出ヘッドは、吐出口105、個別液室102、個別液室102と吐出口105をつなぐ連通孔106、液室隔壁104、共通液室107、振動板103、圧電素子101を有する。図において圧電素子101は矩形状だが、その形状は、楕円形、円形、平行四辺形等の矩形以外でも良い。一般に、圧電材料1012は個別液室102の形状に沿った形状となる。
本発明の液体吐出ヘッドに含まれる圧電素子101の近傍を図2(a)で詳細に説明する。図2(a)は、図2(b)に示された液体吐出ヘッドの幅方向での圧電素子の断面図である。圧電素子101の断面形状は矩形で表示されているが、台形や逆台形でもよい。図中では、第一の電極1011が下部電極、第二の電極1013が上部電極として使用されている。しかし、第一の電極1011と、第二の電極1013の配置はこの限りではない。例えば、第一の電極1011を下部電極として使用しても良いし、上部電極として使用しても良い。同じく、第二の電極1013を上部電極として使用しても良いし、下部電極として使用しても良い。また、振動板103と下部電極の間にバッファ層108が存在しても良い。
なお、これらの名称の違いはデバイスの製造方法によるものであり、いずれの場合でも本発明の効果は得られる。
前記液体吐出ヘッドにおいては、振動板103が圧電材料1012の伸縮によって上下に変動し、振動部となる。この振動部が個別液室102の液体に圧力を加える。その結果、吐出口105より液体が吐出される。本発明の液体吐出ヘッドは、プリンタ用途や電子デバイスの製造に用いる事が出来る。
振動板103の厚みは、1.0μm以上15μm以下であり、好ましくは1.5μm以上8μm以下である。振動板の材料は限定されないが、好ましくはSiである。振動板のSiにBやPがドープされていても良い。また、振動板上のバッファ層、電極層が振動板の一部となっても良い。
バッファ層108の厚みは、5nm以上300nm以下であり、好ましくは10nm以上200nm以下である。
吐出口105の大きさは、円相当径で5μm以上40μm以下である。吐出口105の形状は、円形であっても良いし、星型や角型状、三角形状でも良い。
次に、本発明の圧電素子を用いた超音波モータについて説明する。
図3は、本発明の超音波モータの構成の一実施態様を示す概略図である。
本発明の圧電素子が単板からなる超音波モータを、図3(a)に示す。超音波モータは、振動体としての振動子201、振動子201の摺動面に不図示の加圧バネによる加圧力で接触している移動体としてのロータ202、ロータ202と一体的に設けられた出力軸203を有する。前記振動子201は、金属の弾性体リング2011、本発明の圧電素子2012、圧電素子2012を弾性体リング2011に接着する有機系接着剤2013(エポキシ系、シアノアクリレート系など)で構成される。本発明の圧電素子2012は、不図示の第一の電極と第二の電極によって挟まれた圧電材料で構成される。
本発明の圧電素子に位相がπ/2異なる二相の交流電圧を印加すると、振動子201に屈曲進行波が発生し、振動子201の摺動面上の各点は楕円運動をする。この振動子201の摺動面にロータ202が圧接されていると、ロータ202は振動子201から摩擦力を受け、屈曲進行波とは逆の方向へ回転する。不図示の被駆動体は、出力軸203と接合されており、ロータ202の回転力で駆動される。
圧電材料に電圧を印加すると、圧電横効果によって圧電材料は伸縮する。金属などの弾性体が圧電素子に接合している場合、弾性体は圧電材料の伸縮によって曲げられる。ここで説明された種類の超音波モータは、この原理を利用したものである。
次に、積層構造を有した圧電素子を含む超音波モータを図3(b)に例示する。振動子204は、筒状の金属弾性体2041に挟まれた積層圧電素子2042よりなる。積層圧電素子2042は、不図示の複数の積層された圧電材料により構成される素子であり、積層外面に第一の電極と第二の電極、積層内面に内部電極を有する。金属弾性体2041はボルトによって締結され、圧電素子2042を挟持固定し、振動子204となる。
圧電素子2042に位相の異なる交流電圧を印加することにより、振動子204は互いに直交する2つの振動を励起する。この二つの振動は合成され、振動子204の先端部を駆動するための円振動を形成する。なお、振動子204の上部にはくびれた周溝が形成され、駆動のための振動の変位を大きくしている。
ロータ205は、加圧用のバネ206により振動子204と加圧接触し、駆動のための摩擦力を得る。ロータ205はベアリングによって回転可能に支持されている。
次に、本発明の圧電素子を用いた塵埃除去装置について説明する。
図4(a)および図4(b)は本発明の塵埃除去装置の一実施態様を示す概略図である。塵埃除去装置310は板状の圧電素子330と振動板320よりなる振動体により構成される。振動板320の材質は限定されないが、塵埃除去装置310を光学デバイスに用いる場合には透光性材料や光反射性材料を振動板320として用いることができる。
図5は図4における圧電素子330の構成を示す概略図である。図5(a)と(c)は圧電素子330の表裏面の構成、図5(b)は側面の構成を示している。圧電素子330は図5に示すように圧電材料331と第1の電極332と第2の電極333より構成され、第1の電極332と第2の電極333は圧電材料331の板面に対向して配置されている。図5(c)において圧電素子330の手前に出ている第1の電極332が設置された面を第1の電極面336、図5(a)において圧電素子330の手前に出ている第2の電極332が設置された面を第2の電極面337とする。
ここで、本発明における電極面とは電極が設置されている圧電素子の面を指しており、例えば図5に示すように第1の電極332が第2の電極面337に回りこんでいても良い。
圧電素子330と振動板320は、図4(a)、(b)に示すように圧電素子330の第1の電極面336で振動板320の板面に固着される。そして圧電素子330の駆動により圧電素子330と振動板320との間に応力が発生し、振動板に面外振動を発生させる。本発明の塵埃除去装置310は、この振動板320の面外振動により振動板320の表面に付着した塵埃等の異物を除去する装置である。面外振動とは、振動板を光軸方向つまり振動板の厚さ方向に変位させる弾性振動を意味する。
図6は本発明の塵埃除去装置310の振動原理を示す模式図である。図6(a)は左右一対の圧電素子330に同位相の交番電界を印加して、振動板320に面外振動を発生させた状態を表している。左右一対の圧電素子330を構成する圧電材料の分極方向は圧電素子330の厚さ方向と同一であり、塵埃除去装置310は7次の振動モードで駆動している。図6(b)は左右一対の圧電素子330に位相が180°反対である逆位相の交番電圧を印加して、振動板320に面外振動を発生させた状態を表している。塵埃除去装置310は6次の振動モードで駆動している。本発明の塵埃除去装置310は少なくとも2つの振動モードを使い分けることで振動板の表面に付着した塵埃を効果的に除去できる装置である。
前述したように本発明の圧電素子は、液体吐出ヘッド、超音波モータや塵埃除去装置に好適に用いられる。
本発明は、高い圧電性能と高いキュリー温度を両立した新規の圧電材料を提供するものである。なお、本発明の圧電材料は、誘電体としての特性を利用してコンデンサ材料、メモリ材料、センサ材料として用いる等、さまざまな用途に利用できる。
本発明の圧電材料を用いることで、鉛を含む圧電材料を用いた場合と同等以上のノズル密度、および吐出力を有する液体吐出ヘッドを提供出来る。
本発明の圧電材料を用いることで、鉛を含む圧電材料を用いた場合と同等以上の駆動力、および耐久性を有する超音波モータを提供出来る。
本発明の圧電材料を用いることで、鉛を含む圧電材料を用いた場合と同等以上の塵埃除去効率を有する塵埃除去装置を提供出来る。
本発明の圧電材料は、液体吐出ヘッド、モータに加え、超音波振動子、圧電アクチュエータ、圧電センサ、強誘電メモリ等のデバイスに用いることができる。
(V添加BaTiO−BiFeO−Bi(Mg0.5Ti0.5)Oの例)
(実施例1から4および比較例1から4)
(製造方法)
原料として、チタン酸バリウム(堺化学工業社製:粒径100nm)、酸化ビスマス(レアメタリック社製:純度99.999%)、酸化鉄(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化マグネシウム(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化チタン(石原産業社製:純度99.9%)および酸化バナジウム(V、高純度化学研究所製:純度99.9%)を用いた。表1の組成になるように秤量し、溶媒としてエタノールを用いて、ボールミルで湿式混合を24時間行った。その後、80℃で乾燥させ、混合粉を750℃から900℃の温度で6時間仮焼した。
仮焼された粉末は、粉砕し、再び溶媒としてエタノールを用いて、ボールミル湿式混合を16時間行った。その後、バインダーとしてPVA(ポリビニルアルコール)を2質量%加え、ボールミル混合を1時間行なった後、80℃で乾燥させて、造粒粉を得た。
次に、得られた造粒粉を粉砕し、250μmメッシュの篩にかけ整粒した。整粒された得られた粉末を金型内に充填し、200MPaの圧力で一軸加圧し、直径10mmの円盤状の成形体を作製した。
そして、得られた成形体を700℃で10時間バインダーを除去し、800℃から1000℃で6時間焼成することにより本発明の圧電材料よりなる焼結体を得た。その後、得られた焼結体は厚みが0.4mmになるように研磨した。
(構造評価)
研磨された焼結体の組成は、ICP質量分析により検量線を作製したX線蛍光分析(XRF)により評価した。
焼結体の結晶構造は、X線回折(XRD)の2θ−θ測定により評価した。
焼結体の密度は、アルキメデス法で評価を行った。相対密度はXRDの結晶構造解析から求められる理論密度に対する、密度の実測値の割合として求めた。
焼結体の結晶粒の平均円相当径と最大円相当径は走査型電子顕微鏡(SEM)によって観察し、平均円相当径は個数平均として求めた。
(電気特性評価)
研磨された焼結体の電気特性を評価するために、焼結体を厚さ0.4mm、長さ4mm、幅1.5mmの短冊状に加工し、表裏両面に銀電極を塗布し、本発明の圧電素子を作製した。
圧電特性は、電界歪曲線の電界と歪の傾きから圧電定数d33 を求めることにより評価した。歪の値は、0.1Hzの交流電界を60kV/cm印加した時の値を採用し、圧電定数を計算した。
また、キュリー温度は誘電率の温度特性のピーク位置から求めた。誘電率の温度特性は昇温速度3℃/分で10℃ごとに1MHzの誘電率を計測して求めた。
絶縁破壊電界は2kV/cm以上の直流電界を1分間印加し、電界を2kV/cmずつ上昇させたときに絶縁破壊を起こす電界として計測した。
これらの結果を表1にまとめた。表中、組成の項目のx、y、zはそれぞれBaTiO、BiFeO、Bi(Mg0.5Ti0.5)Oのモル比を表す。VはBaTiO−BiFeO−Bi(Mg0.5Ti0.5)Oが1モルあたりのV添加量(モル)を表す。結晶構造の項目において○、×はそれぞれ、ペロブスカイト型構造のみであったこと、異相が存在していたことを表す。
蛍光X線分析の結果から、焼結後も秤量通りの組成になっていることが分かった。
構造評価においては、X線回折による構造解析(2θ−θ測定)から、比較例4以外はペロブスカイト型構造のみであることがわかった。ここで実施例4および比較例1、3、4のX線回折図形を図7に示す。図中の下向き矢印は立方晶ペロブスカイト構造で現れる回折ピーク、上向き矢印は菱面体晶ペロブスカイト構造で現れる回折ピークを表す。図1の組成領域内にある実施例4および比較例1においてはV添加の有無にかかわらず、ペロブスカイト型構造のみであった。しかしながら、絶縁破壊電界においては、V添加の有無により大きな差が現れた。V添加なしでは比較的小さい直流電界強度で絶縁破壊が生じるのに対し、本発明の範囲内のVを添加した焼結体においては80kV/cm以上の直流電界に対し数分から数十分以上の耐性を示すといった、良好な絶縁性を示した。また、これらは絶縁性が良いことにより、d33 =400pm/Vという高い圧電性能を示した。実施例1、2、3においても同様に、70kV/cm以上の高い直流電界を数分から数十分以上印加できるほどの高い絶縁性と、d33 =300pm/V以上という高い圧電性能を示した。キュリー温度はすべて200℃以上であった。また、実施例のサンプルにおいては、結晶粒の平均円相当径は0.5μm以上5.0μm以下の範囲内にあり、結晶粒の最大円相当径は5.2μm以上9.8μm以下の範囲内にあった。
本発明の範囲外である比較例3はBiFeO単体であり、菱面体晶ペロブスカイト構造を示す。同様に本発明の範囲外である比較例4は、BiFeO1モルあたり0.0050モルのVを添加したものである。図7に示すように、どちらも菱面体晶ペロブスカイト構造を示したが、Vを添加しないもの(比較例3)はペロブスカイト構造のみであるが、Vを添加したものは多量の異相に起因する回折ピークが現れた。Vの添加に伴う異相の生成は焼結体に限らず、仮焼直後の粉体でも同様であった。BiFeO単体はもともと絶縁性が低く、高い電界が印加できないため高い圧電性能が得られない。比較例3においてはその通りの電気特性を示した。比較例4では、BiFeO単体にVを添加しても絶縁性の向上は見られなかった。そのため、圧電性能の向上も見られず、異相生成もあるため、比較例3よりさらに低い圧電性能を示した。
(V添加BaTiO−BiFeO−Bi(Mg0.5Ti0.5)Oの例、その2)
(実施例5から19および比較例5から10)
(製造方法)
原料としてチタン酸バリウム(堺化学工業社製:粒径100nm)、酸化ビスマス(レアメタリック社製:純度99.999%)、酸化鉄(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化マグネシウム(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化チタン(石原産業社製:純度99.9%)および酸化バナジウム(V、高純度化学研究所製:純度99.9%)を用いた。表2の組成になるように秤量し、実施例1から4と同様の方法で焼結体を作製した。
(構造評価)
研磨された焼結体は実施例1から4と同様の方法で組成、結晶構造、密度、結晶粒の平均円相当径および最大円相当径を評価した。
(電気特性評価)
研磨された焼結体の電気特性は、実施例1から16と同様の方法で評価した。ただし、絶縁破壊電界の評価は、効率的かつ迅速に行うために、電界上昇間隔を大きくした。
これらの結果を表2にまとめた。表中、組成の項目のx、y、zはそれぞれBaTiO、BiFeO、Bi(Mg0.5Ti0.5)Oのモル比を表す。VはBaTiO−BiFeO−Bi(Mg0.5Ti0.5)Oが1モルあたりのV添加量(モル)を表す。結晶構造の項目において○、×はそれぞれ、ペロブスカイト型構造のみであったこと、異相が存在していたことを表す。絶縁破壊電界は、測定迅速化のために電界上昇間隔を大きくして測定したため、表1のような数値ではなく、50kV/cm以上の場合は○、5kV/cm以上50kV/cm未満の場合は△、5kV/cm未満の場合は×と表示した。
蛍光X線分析の結果から、焼結後も秤量通りの組成になっていることが分かった。
構造評価においては、X線回折による構造解析(2θ−θ測定)から、比較例10以外はペロブスカイト型構造のみであることがわかった。実施例のサンプルにおいては、50kV/cm以上の直流電界に対し数分から数十分以上の耐性を示すといった、良好な絶縁性を示した。さらに、実施例のサンプルにおいてはd33 =110pm/V以上という高い圧電性能を示し、キュリー温度は200℃以上であった。また、実施例のサンプルにおいては、結晶粒の平均円相当径は0.5μm以上5.0μm以下の範囲内にあり、結晶粒の最大円相当径は5.2μm以上9.8μm以下の範囲内にあった。
(Mn添加BaTiO−BiFeO−Bi(Mg0.5Ti0.5)Oの例)
(比較例11から13)
(製造方法)
原料としてチタン酸バリウム(堺化学工業社製:粒径100nm)、酸化ビスマス(レアメタリック社製:純度99.999%)、酸化鉄(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化マグネシウム(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化チタン(石原産業社製:純度99.9%)および炭酸マンガン(高純度化学研究所製:純度99.9%)を用いた。表3の組成になるように秤量し、実施例1から4と同様の方法で焼結体を作製した。
(構造評価)
研磨された焼結体は実施例1から19と同様の方法で組成、結晶構造、密度、結晶粒の平均円相当径および最大円相当径を評価した。
(電気特性評価)
研磨された焼結体の電気特性は、実施例5から19と同様の方法で評価した。
これらの結果を表3にまとめた。表中、組成の項目のx、y、zはそれぞれBaTiO、BiFeO、Bi(Mg0.5Ti0.5)Oのモル比を表す。Mn量はBaTiO−BiFeO−Bi(Mg0.5Ti0.5)O100質量部に対するMnの質量を表す。結晶構造の項目において○、×はそれぞれ、ペロブスカイト型構造のみであったこと、異相が存在していたことを表す。絶縁破壊電界は、50kV/cm以上の場合は○、5kV/cm以上50kV/cm未満の場合は△、5kV/cm未満の場合は×と表示した。
蛍光X線分析の結果から、焼結後も秤量通りの組成になっていることが分かった。
構造評価においては、X線回折による構造解析(2θ−θ測定)から、ペロブスカイト型構造のみであることがわかった。密度はすべてのサンプルで94%以上の良好な値を示し、結晶粒の平均円相当径は1.0μm以上4.2μm以下の範囲内にあり、結晶粒の最大円相当径は5.4μm以上9.9μm以下の範囲内にあった。電気特性においては、d33 =110pm/V以上という高い圧電性能を示し、キュリー温度は200℃以上であった。しかしながら、直流高電界印加に対する耐性に関しては、比較例11、12、13共に50kV/cm未満であった。一般にMn添加の効果は絶縁性の向上にあり、上記比較例においては交流高電界印加(例えば周波数0.1Hz、振幅80kV/cmの交流電界)に対する絶縁性向上効果はある程度認められる。しかしながら、直流高電界印加に対する耐性に関しては、V添加サンプルである実施例5、8、13ほどの良好な特性は得られなかった。
(V添加BaTiO−BiFeO−Bi(Ni0.5Ti0.5)Oの例)
(実施例20から29および比較例14から17)
(製造方法A:通常焼結法)
原料としてチタン酸バリウム(堺化学工業社製:粒径100nm)、酸化ビスマス(レアメタリック社製:純度99.999%)、酸化鉄(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化ニッケル(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化チタン(石原産業社製:純度99.9%)および酸化バナジウム(V、高純度化学研究所製:純度99.9%)を用いた。表4の組成になるように秤量し、溶媒としてエタノールを用いて、ボールミルで湿式混合を24時間行った。その後、80℃で乾燥させ、混合粉を750℃から850℃の温度で6時間仮焼した。
仮焼された粉末は、粉砕し、再び溶媒としてエタノールを用いて、ボールミルで湿式混合を16時間行った。続いて、混合粉を80℃で乾燥させた後に、再度850℃から900℃の温度で6時間仮焼した。その後、バインダーとしてPVAを2質量%加え、ボールミル混合を1時間行なった後、80℃で乾燥させて、造粒粉を得た。
次に、得られた造粒粉を粉砕し、250μmメッシュの篩にかけ整粒した。整粒された得られた粉末を金型内に充填し、200MPaの圧力で一軸加圧し、直径10mmの円盤状の成形体を作製した。
そして、得られた成形体を500℃で10時間バインダーを除去し、950℃から1030℃で6時間焼成することにより焼結体を得た。その後、得られた焼結体は厚みが0.4mmになるように研磨した。
(製造方法B:テープキャスティング法)
原料としてチタン酸バリウム(堺化学工業社製:粒径100nm)、酸化ビスマス(レアメタリック社製:純度99.999%)、酸化鉄(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化ニッケル(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化チタン(石原産業社製:純度99.9%)および酸化バナジウム(V、高純度化学研究所製:純度99.9%)を用いた。表4の組成になるように秤量し、溶媒としてエタノールを用いて、ボールミルで湿式混合を24時間行った。その後、80℃で乾燥させ、混合粉を750℃から850℃の温度で6時間仮焼した。
仮焼された粉末は、粉砕し、再び溶媒としてエタノールを用いて、ボールミルで湿式混合を16時間行った。続いて、混合粉を80℃で乾燥させた後に、再度850℃から900℃の温度で6時間仮焼した。その後、55vol%トルエン+45vol%エタノールの混合溶液を、混合粉末に対して90質量%となるように加えた。これに対してバインダーとして重量平均分子量が40万のPVP(ポリビニルピロリドン)及び可塑剤(フタル酸ブチル)を、それぞれ、粉末量に対し6質量%となるよう配合した。この混合物をボールミルで、5時間の湿式混合を行い、スラリーを作製した。
次に、ドクターブレード装置で、スラリーを厚さ40から45μmのテープ状に成形し、乾燥させた。さらに、このテープを2×2cmサイズに切りだし、40枚積層した後に、80℃×100kg/cm(9.8MPa)×10分の条件で圧着し、厚さ1.8mmの成形体を得た。
そして、得られた成形体を650℃で10時間バインダーを除去し、950℃から1030℃で6時間焼成することにより焼結体を得た。その後、得られた焼結体は厚みが0.4mmになるように研磨した。
(構造評価)
研磨された焼結体は実施例1から19と同様の方法で組成、結晶構造、密度、結晶粒の平均円相当径および最大円相当径を評価した。
(電気特性評価)
研磨された焼結体の電気特性は、実施例5から19と同様の方法で評価した。
これらの結果を表4にまとめた。表中、組成の項目のx、y、zはそれぞれBaTiO、BiFeO、Bi(Ni0.5Ti0.5)Oのモル比を表す。VはBaTiO−BiFeO−Bi(Ni0.5Ti0.5)Oが1モルあたりのV添加量(モル)を表す。結晶構造の項目において○、×はそれぞれ、ペロブスカイト型構造のみであったこと、異相が存在していたことを表す。絶縁破壊電界は、測定迅速化のために電界上昇間隔を大きくして測定したため、表1のような数値ではなく、50kV/cm以上の場合は○、5kV/cm以上50kV/cm未満の場合は△、5kV/cm未満の場合は×と表示した。
蛍光X線分析の結果から、焼結後も秤量通りの組成になっていることが分かった。
構造評価においては、X線回折による構造解析から、比較例17以外はペロブスカイト型構造のみであることが分かった。実施例のサンプルにおいては、50kV/cm以上の直流電界に対し数分から数十分以上の耐性を示すといった、良好な絶縁性を示した。さらに、実施例のサンプルにおいてはd33 =115pm/V以上という高い圧電性能を示し、キュリー温度は200℃以上であった。
密度はペロブスカイト型構造のみであったものはすべて90%以上の相対密度であり、テープキャスティング法を用いると相対密度が97%以上とより高くなっていることが分かる。さらに実施例のサンプルにおいては、結晶粒の平均円相当径は0.9μm以上5.0μm以下であり、結晶粒の最大円相当径は6.1μm以上9.8μm以下であった。
(V添加BaTiO−BiFeO−Bi(Zn0.5Ti0.5)Oの例)
(実施例30から39および比較例18から21)
(製造方法A:通常焼結法)
原料としてチタン酸バリウム(堺化学工業社製:粒径100nm)、酸化ビスマス(レアメタリック社製:純度99.999%)、酸化鉄(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化亜鉛(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化チタン(石原産業社製:純度99.9%)および酸化バナジウム(V、高純度化学研究所製:純度99.9%)を用いた。表4の組成になるように秤量し、溶媒としてエタノールを用いて、ボールミルで湿式混合を24時間行った。その後、80℃で乾燥させ、混合粉を750℃から850℃の温度で6時間仮焼した。
仮焼された粉末は、粉砕し、再び溶媒としてエタノールを用いて、ボールミルで湿式混合を16時間行った。続いて、混合粉を80℃で乾燥させた後に、再度850℃から900℃の温度で6時間仮焼した。その後、バインダーとしてPVAを2質量%加え、ボールミル混合を1時間行なった後、80℃で乾燥させて、造粒粉を得た。
次に、得られた造粒粉を粉砕し、250μmメッシュの篩にかけ整粒した。整粒された得られた粉末を金型内に充填し、200MPaの圧力で一軸加圧し、直径10mmの円盤状の成形体を作製した。
そして、得られた成形体を500℃で10時間バインダーを除去し、950℃から1030℃で6時間焼成することにより焼結体を得た。その後、得られた焼結体は厚みが0.4mmになるように研磨した。
(製造方法B:テープキャスティング法)
原料としてチタン酸バリウム(堺化学工業社製:粒径100nm)、酸化ビスマス(レアメタリック社製:純度99.999%)、酸化鉄(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化亜鉛(レアメタリック社製:純度99.9%)、酸化チタン(石原産業社製:純度99.9%)および酸化バナジウム(V、高純度化学研究所製:純度99.9%)を用いた。表4の組成になるように秤量し、溶媒としてエタノールを用いて、ボールミルで湿式混合を24時間行った。その後、80℃で乾燥させ、混合粉を750℃から850℃の温度で6時間仮焼した。
仮焼された粉末は、粉砕し、再び溶媒としてエタノールを用いて、ボールミルで湿式混合を16時間行った。続いて、混合粉を80℃で乾燥させた後に、再度850℃から900℃の温度で6時間仮焼した。その後、55vol%トルエン+45vol%エタノールの混合溶液を、混合粉末に対して90質量%となるように加えた。これに対してバインダーとして重量平均分子量が40万のPVP(ポリビニルピロリドン)及び可塑剤(フタル酸ブチル)を、それぞれ、粉末量に対し6質量%となるよう配合した。この混合物をボールミルで、5時間の湿式混合を行い、スラリーを作製した。
次に、ドクターブレード装置で、スラリーを厚さ40から45μmのテープ状に成形し、乾燥させた。さらに、このテープを2×2cmサイズに切りだし、40枚積層した後に、80℃×100kg/cm2(9.8MPa)×10分の条件で圧着し、厚さ1.8mmの成形体を得た。
そして、得られた成形体を650℃で10時間バインダーを除去し、950℃から1030℃で6時間焼成することにより焼結体を得た。その後、得られた焼結体は厚みが0.4mmになるように研磨した。
(構造評価)
研磨された焼結体は実施例1から29と同様の方法で組成、結晶構造、密度、結晶粒の平均円相当径および最大円相当径を評価した。
(電気特性評価)
研磨された焼結体の電気特性は、実施例5から29と同様の方法で評価した。
これらの結果を表5にまとめた。表中、組成の項目のx、y、zはそれぞれBaTiO、BiFeO、Bi(Zn0.5Ti0.5)Oのモル比を表す。VはBaTiO−BiFeO−Bi(Zn0.5Ti0.5)Oが1モルあたりのV添加量(モル)を表す。結晶構造の項目において○、×はそれぞれ、ペロブスカイト型構造のみであったこと、異相が存在していたことを表す。絶縁破壊電界は、測定迅速化のために電界上昇間隔を大きくして測定したため、表1のような数値ではなく、50kV/cm以上の場合は○、5kV/cm以上50kV/cm未満の場合は△、5kV/cm未満の場合は×と表示した。
蛍光X線分析の結果から、焼結後も秤量通りの組成になっていることが分かった。
構造評価においては、X線回折による構造解析から、比較例20以外はペロブスカイト型構造のみであることが分かった。実施例のサンプルにおいては、50kV/cm以上の直流電界に対し数分から数十分以上の耐性を示すといった、良好な絶縁性を示した。さらに、実施例のサンプルにおいてはd33 =125pm/V以上という高い圧電性能を示し、キュリー温度は200℃以上であった。
密度はペロブスカイト型構造のみであったものはすべて90%以上の相対密度であり、テープキャスティング法を用いると相対密度が96%以上とより高くなっていることが分かる。さらに実施例のサンプルにおいては、結晶粒の平均円相当径は0.8μm以上4.8μm以下であり、結晶粒の最大円相当径は5.9μm以上9.4μm以下であった。
(液体吐出ヘッド)
実施例12による圧電材料を用いて、図2に示される液体吐出ヘッドを作製した。入力した電気信号に追随したインクの吐出が確認された。
(超音波モータ)
実施例11による圧電材料を用いて、図3に示される超音波モータを作製した。交番電圧の印加に応じたモータの回転挙動が確認された。
(塵埃除去装置)
実施例36による圧電材料を用いて、図4に示される塵埃除去装置を作製した。プラスチック製ビーズを散布し、交番電圧を印加したところ、良好な塵埃除去率が確認された。
本発明によれば、環境に有害な成分を含まずに高い圧電性能を有する圧電材料を提供することができる。また、本発明は、前記圧電材料を用いた圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置を提供することができる。
101 圧電素子
102 個別液室
103 振動板
104 液室隔壁
105 吐出口
106 連通孔
107 共通液室
108 バッファ層
1011 第一の電極
1012 圧電材料
1013 第二の電極
201 振動子
202 ロータ
203 出力軸
204 振動子
205 ロータ
206 バネ
2011 弾性体リング
2012 圧電素子
2013 有機系接着剤
2041 金属弾性体
2042 積層圧電素子
310 塵埃除去装置
320 振動板
330 圧電素子
331 圧電材料
332 第1の電極
333 第2の電極
336 第1の電極面
337 第2の電極面

Claims (7)

  1. 下記一般式(1):
    一般式(1) xBaTiO−yBiFeO−zBi(M0.5Ti0.5)O(式中、MはMg、Ni、Znから選択される少なくとも1種以上の元素であり、xは0.25≦x≦0.75、yは0.15≦y≦0.73、zは0.02≦z≦0.60の数値を表す。但し、x+y+z=1である。)
    で表されるペロブスカイト型金属酸化物を含有する圧電材料であって、前記ペロブスカイト型金属酸化物にVが含有されており、前記Vの含有量が前記ペロブスカイト型金属酸化物1モルに対して、0.0005モル以上0.0050モル以下であることを特徴とする、圧電材料。
  2. 前記一般式(1)において、xは0.25≦x≦0.55、yは0.20≦y≦0.73、zは0.02≦z≦0.25の範囲であることを特徴とする、請求項1に記載の圧電材料。
  3. 前記圧電材料がセラミックスであり、前記セラミックスを構成する結晶粒の平均円相当径が500nm以上5μm以下であり、前記結晶粒の最大円相当径が5μm以上10μm以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の圧電材料。
  4. 第一の電極、圧電材料および第二の電極を有する圧電素子であって、前記圧電材料が請求項1乃至3のいずれか1項に記載の圧電材料であることを特徴とする、圧電素子。
  5. 請求項4に記載の圧電素子を配した振動部を備えた液室と、前記液室と連通する吐出口とを有する、液体吐出ヘッド。
  6. 請求項4に記載の圧電素子を配した振動体と、前記振動体と接触する移動体とを有する、超音波モータ。
  7. 請求項4に記載の圧電素子を配した振動体を有する、塵埃除去装置。
JP2012057403A 2012-03-14 2012-03-14 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置 Active JP5967988B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012057403A JP5967988B2 (ja) 2012-03-14 2012-03-14 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置
CN201380013087.XA CN104285310B (zh) 2012-03-14 2013-03-08 压电材料、压电元件、液体排出头、超声马达和尘埃去除设备
EP13713254.4A EP2789023B1 (en) 2012-03-14 2013-03-08 Piezoelectric material, piezoelectric element, liquid discharge head, ultrasonic motor, and dust removing device
US14/372,549 US9022534B2 (en) 2012-03-14 2013-03-08 Piezoelectric material, piezoelectric element, liquid discharge head, ultrasonic motor, and dust removing device
KR1020147027869A KR101616666B1 (ko) 2012-03-14 2013-03-08 압전 재료, 압전 소자, 액체 토출 헤드, 초음파 모터 및 먼지 제거 디바이스
PCT/JP2013/057325 WO2013137421A2 (en) 2012-03-14 2013-03-08 Piezoelectric material, piezoelectric element, liquid discharge head, ultrasonic motor, and dust removing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012057403A JP5967988B2 (ja) 2012-03-14 2012-03-14 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013191751A JP2013191751A (ja) 2013-09-26
JP5967988B2 true JP5967988B2 (ja) 2016-08-10

Family

ID=48040389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012057403A Active JP5967988B2 (ja) 2012-03-14 2012-03-14 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9022534B2 (ja)
EP (1) EP2789023B1 (ja)
JP (1) JP5967988B2 (ja)
KR (1) KR101616666B1 (ja)
CN (1) CN104285310B (ja)
WO (1) WO2013137421A2 (ja)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5864168B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-17 キヤノン株式会社 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置
JP6063672B2 (ja) 2011-09-06 2017-01-18 キヤノン株式会社 圧電セラミックス、圧電セラミックスの製造方法、圧電素子、液体吐出ヘッド、液体吐出装置、超音波モータ、光学機器、振動装置、塵埃除去装置、撮像装置、圧電音響部品、および電子機器
JP6229653B2 (ja) * 2012-05-21 2017-11-15 コニカミノルタ株式会社 圧電組成物及びその製造方法、並びに圧電素子
JP2015107904A (ja) * 2013-10-24 2015-06-11 三菱マテリアル株式会社 非鉛誘電体薄膜形成用液組成物及びその薄膜の形成方法並びにその方法で形成された非鉛誘電体薄膜
US9780294B2 (en) * 2013-11-13 2017-10-03 Tdk Corporation Piezoelectric composition and piezoelectric element
JP2015135958A (ja) 2013-12-18 2015-07-27 キヤノン株式会社 圧電材料、圧電素子、および電子機器
JP2015134707A (ja) * 2013-12-18 2015-07-27 キヤノン株式会社 圧電材料、圧電素子および電子機器
US9887347B2 (en) 2015-11-27 2018-02-06 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric element, piezoelectric actuator and electronic instrument using the same
US10424722B2 (en) 2015-11-27 2019-09-24 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric element, piezoelectric actuator, and electronic apparatus
US9917245B2 (en) 2015-11-27 2018-03-13 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric element, method of manufacturing piezoelectric element, piezoelectric actuator, and electronic apparatus
US9893268B2 (en) 2015-11-27 2018-02-13 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric element, piezoelectric actuator, and electronic apparatus using the same
US11201571B2 (en) 2016-03-25 2021-12-14 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing an oscillator
JP6822214B2 (ja) 2017-02-27 2021-01-27 Tdk株式会社 圧電組成物及び圧電素子
JP6801513B2 (ja) 2017-02-27 2020-12-16 Tdk株式会社 圧電組成物及び圧電素子
CN106792423B (zh) * 2017-02-28 2020-04-14 维沃移动通信有限公司 一种清除扬声器中的异物的方法及移动终端
JP6919236B2 (ja) 2017-03-09 2021-08-18 Tdk株式会社 圧電組成物及び圧電素子
JP6919237B2 (ja) * 2017-03-09 2021-08-18 Tdk株式会社 圧電組成物及び圧電素子
JP6759164B2 (ja) * 2017-08-08 2020-09-23 キヤノン株式会社 レンズ装置、撮像装置、および、レンズ装置の製造方法
US11272080B2 (en) 2018-02-06 2022-03-08 Canon Kabushiki Kaisha Vibration device for dust removal and imaging device
KR101965171B1 (ko) * 2018-08-24 2019-08-13 (주)비티비엘 초음파센서의 제조방법
JP7206941B2 (ja) 2019-01-22 2023-01-18 Tdk株式会社 圧電組成物及び圧電素子
CN115073160B (zh) * 2022-07-30 2023-09-19 桂林电子科技大学 一种具有微纳米电畴结构的铁酸铋-钛酸钡陶瓷的热压烧结制备方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004323315A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Nec Tokin Corp 誘電体磁器組成物及びその製造方法並びにそれを用いた積層セラミックコンデンサ
JP5164052B2 (ja) * 2005-01-19 2013-03-13 キヤノン株式会社 圧電体素子、液体吐出ヘッド及び液体吐出装置
US7591543B2 (en) * 2005-08-23 2009-09-22 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric member, piezoelectric member element, liquid discharge head in use thereof, liquid discharge apparatus and method of manufacturing piezoelectric member
JP5035504B2 (ja) 2006-04-12 2012-09-26 セイコーエプソン株式会社 インクジェット式記録ヘッドおよびインクジェットプリンタ
JP5538670B2 (ja) * 2006-09-15 2014-07-02 キヤノン株式会社 圧電体素子、これを用いた液体吐出ヘッド及び超音波モーター
WO2009061627A1 (en) * 2007-11-06 2009-05-14 Ferro Corporation Lead and cadmium free, low temperature fired x7r dielectric ceramic composition and method of making
JP2009286119A (ja) * 2008-04-30 2009-12-10 Seiko Epson Corp 液体噴射ヘッド及び圧電素子
KR101179295B1 (ko) * 2010-08-06 2012-09-03 삼성전기주식회사 내환원성 유전체 조성물 및 이를 포함하는 세라믹 전자 부품
JP5864168B2 (ja) * 2010-12-28 2016-02-17 キヤノン株式会社 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置
JP6004640B2 (ja) * 2011-01-07 2016-10-12 キヤノン株式会社 圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータ、塵埃除去装置、およびデバイス
JP6063672B2 (ja) 2011-09-06 2017-01-18 キヤノン株式会社 圧電セラミックス、圧電セラミックスの製造方法、圧電素子、液体吐出ヘッド、液体吐出装置、超音波モータ、光学機器、振動装置、塵埃除去装置、撮像装置、圧電音響部品、および電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
EP2789023A2 (en) 2014-10-15
JP2013191751A (ja) 2013-09-26
KR20140138841A (ko) 2014-12-04
EP2789023B1 (en) 2016-03-02
US20140354738A1 (en) 2014-12-04
KR101616666B1 (ko) 2016-04-28
WO2013137421A3 (en) 2014-01-03
US9022534B2 (en) 2015-05-05
WO2013137421A2 (en) 2013-09-19
CN104285310A (zh) 2015-01-14
CN104285310B (zh) 2017-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5967988B2 (ja) 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置
JP5864168B2 (ja) 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置
JP6021351B2 (ja) 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータ、塵埃除去装置およびデバイス
JP5932216B2 (ja) 圧電セラミックス、その製造方法、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータ、塵埃除去装置、光学デバイスおよび電子機器
JP5734688B2 (ja) 配向性酸化物セラミックスの製造方法、配向性酸化物セラミックス、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置
JP5865608B2 (ja) 配向性圧電セラミックス、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置
JP4948639B2 (ja) 圧電セラミックス、その製造方法、圧電素子、液体吐出ヘッドおよび超音波モータ
WO2006095716A1 (ja) 圧電/電歪磁器組成物及びその製造方法
JP5021452B2 (ja) 圧電/電歪磁器組成物および圧電/電歪素子
JP7239350B2 (ja) 圧電セラミックス及びその製造方法、並びに圧電素子
JP2009256182A (ja) 圧電/電歪磁器組成物の製造方法
JP5597368B2 (ja) 積層型電子部品およびその製法
JP5129067B2 (ja) 圧電/電歪磁器組成物及び圧電/電歪素子
JP2005008516A (ja) 圧電磁器組成物及びこれを用いた圧電素子
JP5748493B2 (ja) 配向性酸化物セラミックスの製造方法、配向性酸化物セラミックス、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置
JP5774824B2 (ja) 圧電/電歪磁器組成物
WO2024070626A1 (ja) 無鉛圧電組成物、及び圧電素子
JP5894222B2 (ja) 積層型電子部品およびその製法
JP2009114049A (ja) 圧電/電歪磁器組成物及び圧電/電歪素子
TW202430485A (zh) 無鉛壓電組成物、及壓電元件
JP5482609B2 (ja) 圧電磁器及びこれを備える圧電素子、並びにかかる圧電素子を備える圧電デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20130701

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150310

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160607

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160705

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5967988

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151