JP2009114049A - 圧電/電歪磁器組成物及び圧電/電歪素子 - Google Patents
圧電/電歪磁器組成物及び圧電/電歪素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009114049A JP2009114049A JP2008234585A JP2008234585A JP2009114049A JP 2009114049 A JP2009114049 A JP 2009114049A JP 2008234585 A JP2008234585 A JP 2008234585A JP 2008234585 A JP2008234585 A JP 2008234585A JP 2009114049 A JP2009114049 A JP 2009114049A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- electrostrictive
- film
- composition
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
【解決手段】圧電/電歪アクチュエータ1の圧電/電歪体膜122は、圧電/電歪磁器組成物の焼結体である。当該圧電/電歪磁器組成物は、第1の元素としてリチウム(Li),ナトリウム(Na)及びカリウム(K)を含み、第2の元素としてニオブ(Nb)及びタンタル(Ta)を含み、第3の元素としてOを含むABO3型の組成式を有する組成物であって、第2の元素の総原子数に対する第1の元素の総原子数の比(いわゆるA/B比)が1より大きく、第2の元素の総原子数に占めるTaの原子数が10mol%以上50mol%以下である組成を有し、第1の元素をAサイト構成元素、第2の元素をBサイト構成元素とするペロブスカイト型酸化物を含む。
【選択図】図1
Description
{組成}
本発明の望ましい実施形態に係る圧電/電歪磁器組成物は、第1の元素Aとしてリチウム(Li),ナトリウム(Na)及びカリウム(K)を含み、第2の元素Bとしてニオブ(Nb)及びタンタル(Ta)を含み、第3の元素として酸素(O)を含むABO3型の組成式を有する組成物であって、第2の元素Bの総原子数に対する第1の元素Aの総原子数の比(いわゆるA/B比)が1より大きく、第2の元素Bの総原子数に占めるTaの原子数が10mol%以上50mol%以下である組成を有し、第1の元素AをAサイト構成元素、第2の元素BをBサイト構成元素とするペロブスカイト型酸化物を含む。なお、このペロブスカイト型酸化物に、Aサイト元素として銀(Ag)等の1価元素をさらに含有させてもよいし、Bサイト元素としてバナジウム(V)等の5価元素をさらに含有させてもよい。
(Li,Na,K)(Nb,Ta)O3系のペロブスカイト型酸化物及びその変性物は、一般的に言って、高温から低温に向かって立方晶、正方晶、斜方晶の順に逐次相転移するが、本発明の望ましい実施形態に係る圧電/電歪磁器組成物では、相転移温度TOTが室温の近傍となるように組成を選択することが望ましい。相転移温度TOTが室温の近傍にあれば、高電界印加時の電界誘起歪を室温において大きくすることができるからである。
係る圧電/電歪磁器組成物の原料粉末の製造にあたっては、まず、圧電/電歪磁器組成物の構成元素(Li,Na,K,Nb,Ta,Mn等)の素原料に分散媒を加えてボールミル等で混合する。素原料としては、酸化物、炭酸塩及び酒石酸塩等の化合物を用いることができ、分散媒としては、エタノール、トルエン、アセトン等の有機溶剤を用いることができる。そして、得られた混合スラリーから蒸発乾燥や濾過等の手法により分散媒を除去し、混合原料を得る。続いて、混合原料を600〜1300℃で仮焼することにより、原料粉末を得ることができる。なお、所望の粒子径の原料粉末を得るために、仮焼後にボールミル等で粉砕を行ってもよい。また、固相反応法ではなくアルコキシド法や共沈法により原料粉末を製造してもよい。さらに、ペロブスカイト型酸化物を合成した後にMn化合物を構成するMnを供給するMnの素原料を添加してもよい。この場合、Mnの素原料として二酸化マンガン(MnO2)を合成したペロブスカイト型酸化物に添加することが望ましい。このようにして添加された二酸化マンガンを構成する4価のMnは、焼成中に還元されて2価のMnとなり、電界誘起歪の向上に寄与する。また、Bサイト元素のコロンバイト化合物を経由してペロブスカイト型酸化物を合成してもよい。
{全体構造}
図1及び図2は、先述の圧電/電歪磁器組成物を用いた圧電/電歪アクチュエータ1,2の構造例の模式図であり、図1は、単層型の圧電/電歪アクチュエータ1の断面図、図2は、多層型の圧電/電歪アクチュエータ2の断面図となっている。
圧電/電歪体膜122,222,224は、先述の圧電/電歪磁器組成物の焼結体である。
電極膜121,123,221,223,225の材質は、白金、パラジウム、ロジウム、金若しくは銀等の金属又はこれらの合金である。中でも、焼成時の耐熱性が高い点で白金又は白金を主成分とする合金が好ましい。また、焼成温度によっては、銀−パラジウム等の合金も好適に用いることができる。
基体11,21の材質は、セラミックスであるが、その種類に制限はない。もっとも、耐熱性、化学的安定性及び絶縁性の観点から、安定された酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、ムライト、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、ガラスからなる群から選択される少なくとも1種類を含むセラミックスが好ましい。中でも、機械的強度及び靭性の観点から安定化された酸化ジルコニウムがさらに好ましい。ここで、「安定化された酸化ジルコニウム」とは、安定化剤の添加によって結晶の相転移を抑制した酸化ジルコニウムをいい、安定化酸化ジルコニウムの他、部分安定化酸化ジルコニムを包含する。
単層型の圧電/電歪アクチュエータ1の製造にあたっては、まず、基体11の上に電極膜121を形成する。電極膜121は、イオンビーム、スパッタリング、真空蒸着、PVD(Physical Vapor Deposition)、イオンプレーティング、CVD(Chemical Vapor Deposition)、メッキ、エアロゾルデポジション、スクリーン印刷、スプレー又はディッピング等の方法で形成することができる。中でも、基体11及び圧電/電歪体膜122との接合性の観点から、スパッタリング法又はスクリーン印刷法が好ましい。形成された電極膜121は、熱処理により、基体11及び圧電/電歪体膜122と固着することができる。熱処理の温度は、電極膜121の材質や形成方法に応じて異なるが、概ね500〜1400℃である。
図4〜図6は、先述の圧電/電歪磁器組成物を用いた圧電/電歪アクチュエータ4の構造例の模式図であり、図4は、圧電/電歪アクチュエータ4の斜視図、図5は、圧電/電歪アクチュエータ4の縦断面図、図6は、圧電/電歪アクチュエータ4の横断面図となっている。
評価用の圧電/電歪素子の製造にあたっては、まず、炭酸リチウム(Li2CO3)、酒石酸ナトリウム一水和物(C4H5O6Na・H2O)、酒石酸カリウム(C4H5O6K)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化タンタル(Ta2O5)等の素原料を、表1〜表5に示す組成となるように秤量した。表1〜表5の一覧表中のx,y,z及びaは、一般式{Liy(Na1-xKx)1-y}a(Nb1-zTaz)O3中のパラメータであり、Mn量は、当該一般式で表される主成分100モル部に対する添加量である。
{電気特性及び温度特性}
970℃で焼成を行った実施例1〜9及び比較例1,2の評価用の圧電/電歪素子を用いて、圧電定数d31(pm/V)、室温及び相転移温度TOTの付近の歪率S4000(ppm)を測定した。その測定結果を表1に示す。圧電定数d31は、圧電/電歪素子の周波数−インピーダンス特性及び静電容量をインピーダンスアナライザで測定するとともに、圧電/電歪素子の寸法をマイクロメータで測定し、長辺方向伸び振動の基本波の共振周波数及び反共振周波数、静電容量並びに寸法から算出することにより得た。歪率S4000は、両主面の金電極に4kV/mmの電圧を印加したときの長辺方向の電界誘起歪を接着剤で電極に貼り付けた歪ゲージで測定することにより得た。なお、相転移温度TOTの測定方法については、後述する。
図8は、Ta量がz=0.15,0.20,0.25,0.30,0.40の実施例2〜6の圧電/電歪素子に用いられている焼結体のX線(CuKα線)回折パターンを示す図である。なお、図8には、Ta量がz=0.08の焼結体のX線回折パターンも示されている。
次に、実施例1〜9及び比較例1,2の圧電/電歪素子に用いられている焼結体の相転移温度TOTを測定した。相転移温度TOTは、比誘電率ε/ε0の温度依存性をインピーダンスアナライザで測定することで求めた。その測定結果を表1に示す。この測定結果から明らかなように、Ta量が増加するにつれて相転移温度TOTは低下し、Ta量が0.1≦z≦0.5の範囲内では、相転移温度TOTが実使用温度の範囲内にあり、その結果として、室温における歪率S4000も250ppmを上回っている。しかし、Ta量がこの範囲を下回ると、相転移温度TOTは十分に低下せず、その結果として、室温において良好な歪率S4000を得ることができず、Ta量がこの範囲を上回ると、相転移温度TOTは著しく低下し、その結果として、室温及び相転移温度TOTの近傍において良好な歪率S4000を得ることができない。
次に、950,970,1000,1030,1050℃で焼成を行った実施例5,10〜13の評価用の圧電/電歪素子を用いて、圧電定数d31(pm/V)、歪率S4000(ppm)、焼結密度(g/cm3)を室温で測定した。その測定結果を表2に示す。圧電定数d31、歪率S4000の測定方法は上述の測定方法と同様である。焼結密度は、アルキメデス法により測定した。
次に、MnO2を添加せずに主成分の組成を様々に変更した実施例14〜20の評価用の圧電/電歪素子を用いて、圧電定数d31(pm/V)、室温及び相転移温度TOTの付近の歪率S4000(ppm)並びに相転移温度TOT(℃)を測定した。その測定結果を表3に示す。圧電定数d31及び歪率S4000の測定方法は上述の測定方法と同様である。また、実施例14〜20の圧電/電歪素子に用いられている焼結体のX線回折パターンから、Li3NbO4量を定量した。その定量結果を表3に示す。Li3NbO4量の定量方法は上述の定量方法と同様である。
次に、0.02モル部(Mn原子換算で0.02モル部)のMn化合物を添加し主成分の組成を様々に変更した実施例21〜33及び比較例3,4の評価用の圧電/電歪素子を用いて、圧電定数d31(pm/V)、室温及び相転移温度TOTの付近の歪率S4000(ppm)並びに相転移温度(℃)を測定した。その測定結果を表4に示す。圧電定数d31及び歪率S4000の測定方法は上述の測定方法と同様である。また、実施例21〜33及び比較例3,4の圧電/電歪素子に用いられている焼結体のX線回折パターンから、Li3NbO4量を定量した。その定量結果を表4に示す。Li3NbO4量の定量方法は上述の定量方法と同様である。
次に、それぞれ主成分の組成を一定にしたまま焼成温度を変えた(イ)比較例5〜9、(ロ)実施例14,34〜37、(ハ)実施例5,10〜13、(ニ)実施例20,38,39、(ホ)実施例40〜42の圧電/電歪素子に用いられている焼結体の焼結密度を測定し、当該焼結体のX線回折パターンからLi3NbO4量を定量した。その測定結果及び定量結果を表5に示す。焼結密度の測定方法及びLi3NbO4量の定量方法は上述の測定方法及び定量方法と同様である。
122,222,224,402 圧電/電歪体膜
121,123,221,223,225 電極膜
404 内部電極膜
Claims (4)
- 第1の元素としてLi,Na及びKを含み、第2の元素としてNb及びTaを含み、第3の元素としてOを含み、第2の元素の総原子数に対する第1の元素の総原子数の比が1より大きく、第2の元素の総原子数に占めるTaの原子数が10mol%以上50mol%以下である組成を有し、
第1の元素をAサイト構成元素、第2の元素をBサイト構成元素とするペロブスカイト型酸化物を含む圧電/電歪磁器組成物。 - 一般式{Liy(Na1-xKx)1-y}a(Nb1-zTaz)O3で表され、a,x,y及びzが、それぞれ、1<a≦1.05,0.30≦x≦0.70,0.02≦y≦0.10及び0.1≦z≦0.5を満たす組成を有する請求項1に記載の圧電/電歪磁器組成物。
- ペロブスカイト型酸化物100重量部に対して0.1重量部以上3重量部以下のLi3NbO4をさらに含む請求項1又は請求項2に記載の圧電/電歪磁器組成物。
- 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の圧電/電歪磁器組成物の焼結体である圧電/電歪体膜と、
前記圧電/電歪体膜の両主面上の電極膜と、
を備える圧電/電歪素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008234585A JP5021595B2 (ja) | 2007-10-19 | 2008-09-12 | 圧電/電歪磁器組成物及び圧電/電歪素子 |
US12/251,523 US8022604B2 (en) | 2007-10-19 | 2008-10-15 | (Li, Na, K)(Nb, Ta)O3 type piezoelectric/electrostrictive ceramic composition containing 30-50 mol% Ta and piezoelectric/electrorestrictive device containing the same |
EP08253384A EP2050726A3 (en) | 2007-10-19 | 2008-10-17 | Piezoelectric/electrostrictive ceramic composition and piezoelectric/electrostrictive device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007272082 | 2007-10-19 | ||
JP2007272082 | 2007-10-19 | ||
JP2008234585A JP5021595B2 (ja) | 2007-10-19 | 2008-09-12 | 圧電/電歪磁器組成物及び圧電/電歪素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009114049A true JP2009114049A (ja) | 2009-05-28 |
JP5021595B2 JP5021595B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=40781615
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008234585A Expired - Fee Related JP5021595B2 (ja) | 2007-10-19 | 2008-09-12 | 圧電/電歪磁器組成物及び圧電/電歪素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5021595B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012086449A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 太陽誘電株式会社 | 圧電セラミックス、圧電セラミックス部品、及び該圧電セラミックス部品を用いた圧電デバイス |
JP2016225422A (ja) * | 2015-05-28 | 2016-12-28 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子及び圧電素子応用デバイス |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003300776A (ja) * | 2002-04-04 | 2003-10-21 | Tdk Corp | 圧電磁器の製造方法 |
WO2006035723A1 (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-06 | Ngk Insulators, Ltd. | 圧電/電歪膜型素子及びその製造方法 |
WO2006095716A1 (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Ngk Insulators, Ltd. | 圧電/電歪磁器組成物及びその製造方法 |
-
2008
- 2008-09-12 JP JP2008234585A patent/JP5021595B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003300776A (ja) * | 2002-04-04 | 2003-10-21 | Tdk Corp | 圧電磁器の製造方法 |
WO2006035723A1 (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-06 | Ngk Insulators, Ltd. | 圧電/電歪膜型素子及びその製造方法 |
WO2006095716A1 (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Ngk Insulators, Ltd. | 圧電/電歪磁器組成物及びその製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012086449A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 太陽誘電株式会社 | 圧電セラミックス、圧電セラミックス部品、及び該圧電セラミックス部品を用いた圧電デバイス |
CN103119002A (zh) * | 2010-12-24 | 2013-05-22 | 太阳诱电株式会社 | 压电陶瓷、压电陶瓷部件及使用该压电陶瓷部件的压电装置 |
JPWO2012086449A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2014-05-22 | 太陽誘電株式会社 | 圧電セラミックス、圧電セラミックス部品、及び該圧電セラミックス部品を用いた圧電デバイス |
CN103119002B (zh) * | 2010-12-24 | 2014-09-17 | 太阳诱电株式会社 | 压电陶瓷、压电陶瓷部件及使用该压电陶瓷部件的压电装置 |
JP5782457B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2015-09-24 | 太陽誘電株式会社 | 圧電セラミックス、圧電セラミックス部品、及び該圧電セラミックス部品を用いた圧電デバイス |
US9537082B2 (en) | 2010-12-24 | 2017-01-03 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Piezoelectric ceramic, piezoelectric ceramic component, and piezoelectric device using such piezoelectric ceramic component |
JP2016225422A (ja) * | 2015-05-28 | 2016-12-28 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子及び圧電素子応用デバイス |
US10199559B2 (en) | 2015-05-28 | 2019-02-05 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric element and piezoelectric element applied device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5021595B2 (ja) | 2012-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8022604B2 (en) | (Li, Na, K)(Nb, Ta)O3 type piezoelectric/electrostrictive ceramic composition containing 30-50 mol% Ta and piezoelectric/electrorestrictive device containing the same | |
US8269402B2 (en) | BNT-BKT-BT piezoelectric composition, element and methods of manufacturing | |
US7956518B2 (en) | Piezoelectric/electrostrictive ceramic composition and piezoelectric/electrostrictive device | |
WO2006095716A1 (ja) | 圧電/電歪磁器組成物及びその製造方法 | |
JP5021452B2 (ja) | 圧電/電歪磁器組成物および圧電/電歪素子 | |
JP5651452B2 (ja) | 圧電/電歪セラミックス焼結体 | |
US20110012051A1 (en) | Piezoelectric/electrostrictive ceramic composition | |
JP5876974B2 (ja) | 圧電/電歪磁器組成物の製造方法 | |
JP4987815B2 (ja) | 圧電/電歪磁器組成物の製造方法 | |
JP5129067B2 (ja) | 圧電/電歪磁器組成物及び圧電/電歪素子 | |
JP5462090B2 (ja) | 圧電/電歪セラミックス焼結体 | |
EP2452929B1 (en) | Piezoelectric body/electrostrictive body, piezoelectric/electrostrictive ceramic composition, piezoelectric element/electrostrictive element, and piezoelectric motor | |
JP5597368B2 (ja) | 積層型電子部品およびその製法 | |
JP5774824B2 (ja) | 圧電/電歪磁器組成物 | |
JP5662197B2 (ja) | 圧電/電歪焼結体、及び圧電/電歪素子 | |
JP5044437B2 (ja) | 圧電/電歪磁器焼結体の製造方法 | |
JP5021595B2 (ja) | 圧電/電歪磁器組成物及び圧電/電歪素子 | |
JP2010215418A (ja) | 圧電セラミック電子部品の製造方法 | |
JP5651453B2 (ja) | 圧電/電歪セラミックス焼結体 | |
JP5894222B2 (ja) | 積層型電子部品およびその製法 | |
JP2011201741A (ja) | 圧電/電歪セラミックス、圧電/電歪セラミックスの製造方法、圧電/電歪素子及び圧電/電歪素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110520 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120412 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120529 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120614 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5021595 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150622 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |