JP5651453B2 - 圧電/電歪セラミックス焼結体 - Google Patents
圧電/電歪セラミックス焼結体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5651453B2 JP5651453B2 JP2010274617A JP2010274617A JP5651453B2 JP 5651453 B2 JP5651453 B2 JP 5651453B2 JP 2010274617 A JP2010274617 A JP 2010274617A JP 2010274617 A JP2010274617 A JP 2010274617A JP 5651453 B2 JP5651453 B2 JP 5651453B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase
- piezoelectric
- electrostrictive
- additive material
- sintered body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
第1実施形態は、圧電/電歪セラミックス焼結体に関する。
第1実施形態の圧電/電歪セラミック焼結体は、組成が異なる母相と添加材相とが共存し母相の中に添加材相が分散した微構造を有するセラミックスコンポジット(セラミックス複合体)である。圧電/電歪セラミックス焼結体がセラミックスコンポジットであることは、圧電/電歪セラミックス焼結体の鏡面研磨面の元素分布をEPMA(Electron Probe Micro Analysis)等で分析することより確認される。FE(Field Emission)−EPMA(日本電子株式会社(東京都昭島市)製の「JXA-8530F」等)で圧電/電歪セラミックス焼結体の機械研磨面を元素分析し機械研磨面の元素濃度マップを取得すると、圧電/電歪セラミックス焼結体がセラミックスコンポジットである場合は、母相と添加材相との組成差が観察され、母相と添加材相とが識別される。
添加材相単体の残留歪率は、母相単体の残留歪率よりも大きい。これにより、圧電/電歪セラミックス焼結体(セラミックス複合体)に分極処理が行われると、母相よりも添加材相が大きく歪む。このため、母相の内部には、分極電界と平行な方向については圧縮応力が生じ、分極電界と垂直な方向については引張応力が生じる。この圧縮応力及び引張応力は、母相の非180°ドメインの可逆性を増す。母相の非180°ドメインの可逆性が増すと、母相単体の残留歪率が小さくなるとともに可逆歪率が大きくなり、圧電/電歪セラミックス焼結体の高電界印加時の電界誘起歪が増加する。
圧電/電歪セラミックス焼結体が含有する添加材相は、1体積%以上45体積%以下であることが望ましく、2体積%以上35体積%以下であることがさらに望ましく、4体積%以上25体積%以下であることが特に望ましい。添加材相の含有量がこれらの範囲の下限値よりも少なくなると、母相の非180°ドメインの可逆性が減り、高電界印加時の電界誘起歪を増加させる効果が得られにくいからである。また、添加材相の含有量がこれらの範囲の上限値よりも多くなると、残留歪率が大きいために可逆歪率が小さくなっている添加材相の高電界印加時の電界誘起歪への寄与が大きくなったり、セラミックス複合体の緻密化が困難となる傾向があるからである。
母相及び添加材相の組成は、同じ組成範囲内から選択され、母相及び添加材相は、一般式{Liy(Na1-xKx)1-y}a(Nb1-z-wTazSbw)O3であらわされ、0.9≦a≦1.2,0.2≦x≦0.8,0.0≦y≦0.2,0≦z≦0.5及び0≦w≦0.1を満たす100モル部の化合物に、0モル部以上3モル部以下のMn原子を含有するMn化合物と、0モル部以上1モル部以下のCa原子を含有するCa化合物と、を含有させた組成を有する。
上述の組成を有する母相及び添加材相は、温度の上昇とともに結晶系が斜方晶、正方晶、立方晶の順に変化する。母相の組成は、使用温度における結晶系が正方晶となるように選択することが望ましい。添加材相の組成は、使用温度における結晶系が正方晶又は斜方晶となるように選択することが望ましい。
セラミックス複合体の分極電界に垂直な面における(001)面の配向度は小さいことが望ましい。これは、非180°ドメインの可逆性が増していることを意味している。
添加材相の抗電界は、大きいことが望ましい。抗電界が大きければ、非90°ドメインの可逆性が低下し、残留歪率が大きくなる傾向があるからである。
母相原料粉末の製造にあたっては、母相の構成元素(Li,Na,K,Nb,Ta,Sb,Mn,Ca等)を含む素原料を所定のモル比を満たすように秤量し、混合する。混合時に分散媒として溶媒を加えてもよい。混合方法は、特に制限されないが、乳鉢混合、ボールミル、ポットミル、ビーズミル、ハンマーミル、ジェットミル等が用いられる。素原料としては、酸化物又は仮焼工程において酸化物となる炭酸塩、酒石酸塩等の化合物が用いられる。分散媒としては、エタノール、トルエン、アセトン等の有機溶剤が用いられる。
[1]20〜2000℃/時間の昇温速度で室温から第1の仮焼温度の600〜1300℃まで昇温し第1の仮焼温度を保持する第1の段階;
の終了後すぐに20〜2000℃/時間の降温速度で室温まで降温する1段階の仮焼スケジュールにより混合原料の粉末が仮焼される。
[1]室温から第1の仮焼温度の600〜800℃まで昇温し第1の仮焼温度を保持する第1の段階;及び
[2]第1の仮焼温度から第2の仮焼温度の800〜1300℃まで昇温し第2の仮焼温度を保持する第2の段階;
の終了後に室温まで降温する2段階の仮焼スケジュールにより混合原料の粉末が仮焼される。
[1]室温から第1の仮焼温度の900〜1300℃まで500℃/時間以上の昇温速度で昇温し第1の仮焼温度を保持する第1の段階;及び
[2]第1の仮焼温度から第2の仮焼温度の600〜900℃まで200℃/時間以上の降温速度で降温し第2の仮焼温度を保持する第2の段階;
の終了後に室温まで降温する2段階の仮焼スケジュールにより混合原料の粉末が仮焼される。
添加材相原料粉末の製造にあたっては、母相原料粉末の製造とは別に、母相原料粉末の製造と同様の手順により、添加材相の中間原料粉末が合成される。
[1]20〜2000℃/時間の昇温速度で室温から第1の焼成温度の900〜1300℃まで昇温し第1の焼成温度を保持する第1の段階;
の終了後すぐに20〜2000℃/時間の降温速度で室温まで降温する1段階の焼成スケジュールにより添加材相の中間原料粉末が焼成される。
[1]室温から第1の焼成温度の600〜950℃まで昇温し第1の焼成温度を保持する第1の段階;及び
[2]第1の焼成温度から第2の焼成温度の950〜1300℃まで昇温し第2の焼成温度を保持する第2の段階;
の終了後に室温まで降温する2段階の焼成スケジュールにより中間原料粉末が焼成される。
[1]室温から第1の焼成温度の1000〜1300℃まで500℃/時間以上の昇温速度で昇温し第1の焼成温度を保持する第1の段階;及び
[2]第1の焼成温度から第2の焼成温度の600〜1000℃まで200℃/時間以上の降温速度で降温し第2の焼成温度を保持する第2の段階;
の終了後に室温まで降温する2段階の焼成スケジュールにより中間原料粉末が焼成される。
圧電/電歪セラミックス焼結体の製造にあたっては、母相原料粉末及び添加材相原料粉末が混合される。混合時に分散媒を加えてもよい。分散媒としては、エタノール、トルエン、アセトン等の有機溶剤が用いられる。混合方法は、特に制限されないが、乳鉢混合、ポットミル、ビーズミル、ハンマーミル、ジェットミル等が用いられる。分散媒を加えなかった場合は、混合によりそのまま混合原料を得るが、分散媒を加えた場合は、成形前に得られた混合スラリーを乾燥し、混合原料を得る。
[1]20〜2000℃/時間(望ましくは200℃/時間)の昇温速度で室温から第1の焼成温度の900〜1300℃(望ましくは900〜1100℃)まで昇温し第1の焼成温度を望ましくは3時間保持する第1の段階;
の終了後すぐに20〜2000℃/時間(望ましくは200℃/時間)の降温速度で室温まで降温する1段階の焼成スケジュール(台形型の温度プロファイル)により焼成される。ただし、この1段階の焼成スケジュールでは、圧電/電歪セラミックス焼結体が十分に緻密化せず、圧電/電歪セラミックス焼結体の相対密度は90%未満にしかならない。
[1]300℃/時間以上の昇温速度で室温から1000〜1200℃まで昇温し0.1〜5分保持する第1の段階;及び
[2]300〜2000℃/時間の降温速度で700〜1000℃まで降温し0.5〜30時間保持する第2の段階;
の終了後に200℃/時間の降温速度で室温まで降温する2段階の焼成スケジュールにより焼成される。
[1]600℃/時間以上の昇温速度で室温から1000〜1100℃まで昇温し0.5〜2分保持する第1の段階;及び
[2]600℃/時間以上の降温速度で800〜980℃まで降温し1〜15時間保持する第2の段階;
の終了後に200℃/時間の降温速度で室温まで降温する2段階の焼成スケジュールにより焼成される。
第1実施形態の圧電/電歪セラミックス焼結体は、第2実施形態〜第5実施形態に示すようにアクチュエータに好適に用いられる。ただし、第1実施形態の圧電/電歪セラミックス焼結体の用途は、アクチュエータに限られない。例えば、第1実施形態の圧電/電歪セラミックス焼結体は、センサ等の圧電/電歪素子にも用いられる。
第2実施形態は、第1実施形態の圧電/電歪セラミックス焼結体を用いた単層型の圧電/電歪アクチュエータ1に関する。
図1は、第2実施形態の圧電/電歪アクチュエータ1の模式図である。図1は、圧電/電歪アクチュエータ1の断面図である。
圧電/電歪体膜122は、圧電/電歪セラミックス焼結体である。
電極膜121,123の材質は、白金、パラジウム、ロジウム、金、銀等の金属又はこれらの合金である。中でも、焼成時の耐熱性が高い点で白金又は白金を主成分とする合金が好ましい。また、焼成温度によっては、銀−パラジウム等の合金も好適に用いられる。
基体11の材質は、セラミックスであるが、その種類に制限はない。もっとも、耐熱性、化学的安定性及び絶縁性の観点から、安定された酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、ムライト、窒化アルミニウム、窒化ケイ素及びガラスからなる群より選択される少なくとも1種類を含むセラミックスであることが望ましい。中でも、機械的強度及び靭性の観点から安定化された酸化ジルコニウムがさらに望ましい。「安定化された酸化ジルコニウム」とは、安定化剤の添加によって結晶の相転移を抑制した酸化ジルコニウムをいい、安定化酸化ジルコニウムの他、部分安定化酸化ジルコニムを包含する。
圧電/電歪アクチュエータ1の製造にあたっては、基体11の上に電極膜121が形成される。電極膜121は、イオンビーム、スパッタリング、真空蒸着、PVD(Physical Vapor Deposition)、イオンプレーティング、CVD(Chemical Vapor Deposition)、メッキ、エアロゾルデポジション、スクリーン印刷、スプレー、ディッピング等の方法で形成される。中でも、基体11及び圧電/電歪体膜122との接合性の観点から、スパッタリング法又はスクリーン印刷法が望ましい。形成された電極膜121は、熱処理により、基体11及び圧電/電歪体膜122と固着される。熱処理の温度は、電極膜121の材質や形成方法に応じて異なるが、概ね500〜1400℃である。
第3実施形態は、第1実施形態の圧電/電歪セラミックス焼結体を用いた多層型の圧電/電歪アクチュエータ2に関する。
第4実施形態は、第1実施形態の圧電/電歪セラミックス焼結体を用いた多層型の圧電/電歪アクチュエータ3に関する。
第5実施形態は、第1実施形態の圧電/電歪セラミックス焼結体を用いた圧電/電歪アクチュエータ4に関する。
(母相原料粉末の作製)
炭酸リチウム(Li2CO3)、酒石酸水素ナトリウム一水和物(C4H5O6Na・H2O)、酒石酸水素カリウム(C4H5O6K)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化アンチモン(Sb2O3)、炭酸カルシウム(CaCO3)、二酸化マンガン(MnO2)等の素原料を表1の母相の組成となるように秤量しボールミルで混合した。
炭酸リチウム、酒石酸水素ナトリウム一水和物、酒石酸水素カリウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化アンチモン、炭酸カルシウム、二酸化マンガン等の素原料を表1の添加材相の組成となるように秤量しボールミルで混合した。
母相原料粉末及び添加材相原料粉末を圧電/電歪セラミックス焼結体における添加材相の含有量が表2の含有量になるように秤量し混合した。
作製したコンポジット原料粉末、母相原料粉末及び添加材相原料粉末を2×108Paの圧力で直径18mm、板厚5mmの円板形状にプレス成形した。そして、成形体をアルミナ容器内に収納して焼成し圧電/電歪セラミックス焼結体を得た。
母相単体及び添加材相単体の圧電/電歪セラミックス焼結体を加工した圧電/電歪素子について、分極処理が行われていない圧電/電歪素子の両主面の電極に4kV/mmの電圧を印加し電圧の印加を中止した後の長辺方向の残留歪を接着剤で電極に貼り付けた歪ゲージで測定し、当該残留歪を圧電/電歪素子の長辺の長さで除して残留歪率を算出した。その結果を表1に示す。
母相単体の圧電/電歪セラミックス焼結体及びコンポジット化された圧電/電歪セラミックス焼結体を加工した圧電/電歪素子について、分極処理が行われた圧電/電歪素子の両主面の電極に4kV/mmの電圧を印加した時の長辺方向の可逆歪を接着剤で電極に貼り付けた歪ゲージで測定し、当該可逆歪を圧電/電歪素子の長辺の長さで除して電界誘起歪S4000(ppm)を算出した。その結果を表2に示す。
実験1のように母相の構成元素と添加材相の構成元素との間に共通しない元素がなく、母相単体の残留歪率と添加材相単体の残留歪率との差が180ppmである場合、添加材相の含有量が1〜45体積%である場合に母相単体よりも良好な電界誘起歪S4000が得られた。また、2〜35体積%である場合にはさらに良好な電界誘起歪S4000が得られ、4〜25体積%である場合には特に良好な電界誘起歪S4000が得られた。
添加材相の組成を変更したことを除いては実験1と同様の手順で実験を行った。その結果を表3及び表4に示す。添加材相は、実験1よりもCa量が増やされている。
添加材相の組成を変更したことを除いては実験1と同様の手順で実験を行った。その結果を表5及び表6に示す。添加材相は、実験1よりもSb量が減らされCa量が増やされている。
添加材相の組成を変更したことを除いては実験1と同様の手順で実験を行った。その結果を表7及び表8に示す。添加材相は、実験1よりもA/B比が大きくされCa量が増やされている。
添加材相及び母相の組成を変更したことを除いては実験1と同様の手順で実験を行った。その結果を表9及び表10に示す。添加材相は、実験1よりもCa量が増やされている。母相は、実験1よりもCa量が増やされ、Mn化合物の添加に代えてBサイト構成元素の一部がMnで置換されている。
添加材相の組成を変更したことを除いては実験1と同様の手順で実験を行った。その結果を表11及び表12に示す。添加材相は、実験1と異なりTaを含まない。
母相の組成を変更したことを除いては実験1と同様の手順で実験を行った。その結果を表13及び表14に示す。母相は、実験1と異なりCaを含まない。
母相の組成を変更したことを除いては実験1と同様の手順で実験を行った。その結果を表15及び表16に示す。母相は、実験1と異なり、Biを含み、Sb及びCaを含まない。
母相の組成を変更したことを除いては実験1と同様の手順で実験を行った。その結果を表17及び表18に示す。母相は、実験1と異なり、Biを含みCaを含まない。
添加材相の組成を変更したことを除いては実験1と同様の手順で実験を行った。その結果を表19及び表20に示す。添加材相は、実験1よりもA/B比が大きくされNbが増やされSb量が減らされている。添加材相は、実験1と異なりTaを含まない。
添加材相の組成を変更したことを除いては実験1と同様の手順で実験を行った。その結果を表21及び表22に示す。添加材相は、実験1よりもLi量が減らされている。
添加材相の組成を変更したことを除いては実験1と同様の手順で実験を行った。その結果を表23及び表24に示す。添加材相は、実験1よりもA/B比が大きくされLi量が減らされNbが増やされSb量が減らされている。添加材相は、実験1と異なりTaを含まない。
122,222,224,402 圧電/電歪体膜
121,123,221,223,225 電極膜
404 内部電極膜
Claims (6)
- 組成が異なる母相と添加材相とが共存し母相の中に添加材相が分散した微構造を有し、
母相単体の残留歪率より添加材相単体の残留歪率が大きく、
母相の組成及び添加材相の組成が、
一般式{Liy(Na1−xKx)1−y}a(Nb1−z−wTazSbw)O3であらわされ、0.9≦a≦1.2,0.2≦x≦0.8,0.0≦y≦0.2,0≦z≦0.5及び0≦w≦0.1を満たす100モル部の化合物に、0モル部以上3モル部以下のMn原子を含有するMn化合物と、0.01モル部以上1モル部以下のCa原子を含有するCa化合物と、を含有させた組成物の組成範囲内から選択され、
母相の構成元素と添加材相の構成元素とを比較した場合に共通しない元素が0種類又は1種類であり、
添加材相単体の厚さ方向に分極された矩形板の長辺方向の残留歪率が800ppm以上となるように添加材相の組成が選択され、
1体積%以上45体積%以下の添加材相を含有する
圧電/電歪セラミックス焼結体。 - 母相のzより添加材相のzが小さい請求項1の圧電/電歪セラミックス焼結体。
- 母相のyより添加材相のyが小さい請求項1又は請求項2の圧電/電歪セラミックス焼結体。
- 母相のaより添加材相のaが大きい請求項1ないし請求項3のいずれかの圧電/電歪セラミックス焼結体。
- 母相のwより添加材相のwが小さい請求項1ないし請求項4のいずれかの圧電/電歪セラミックス焼結体。
- 母相のxより添加材相のxが大きい請求項1ないし請求項5のいずれかの圧電/電歪セラミックス焼結体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010274617A JP5651453B2 (ja) | 2009-12-14 | 2010-12-09 | 圧電/電歪セラミックス焼結体 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009282624 | 2009-12-14 | ||
JP2009282624 | 2009-12-14 | ||
JP2010274617A JP5651453B2 (ja) | 2009-12-14 | 2010-12-09 | 圧電/電歪セラミックス焼結体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011144101A JP2011144101A (ja) | 2011-07-28 |
JP5651453B2 true JP5651453B2 (ja) | 2015-01-14 |
Family
ID=44459301
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010274617A Expired - Fee Related JP5651453B2 (ja) | 2009-12-14 | 2010-12-09 | 圧電/電歪セラミックス焼結体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5651453B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6360362B2 (ja) * | 2014-06-11 | 2018-07-18 | 太陽誘電株式会社 | 積層圧電素子 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4510140B2 (ja) * | 2003-01-23 | 2010-07-21 | 株式会社デンソー | 圧電磁器組成物,圧電素子及び誘電素子 |
JP4926389B2 (ja) * | 2004-06-17 | 2012-05-09 | 株式会社豊田中央研究所 | 結晶配向セラミックス、及びその製造方法 |
US7803282B2 (en) * | 2006-09-04 | 2010-09-28 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive body, manufacturing method of the same, and piezoelectric/electrostrictive element |
JP5166048B2 (ja) * | 2008-01-21 | 2013-03-21 | 日本碍子株式会社 | 結晶配向セラミックス |
JP5021452B2 (ja) * | 2007-02-27 | 2012-09-05 | 日本碍子株式会社 | 圧電/電歪磁器組成物および圧電/電歪素子 |
-
2010
- 2010-12-09 JP JP2010274617A patent/JP5651453B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011144101A (ja) | 2011-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5651452B2 (ja) | 圧電/電歪セラミックス焼結体 | |
WO2006095716A1 (ja) | 圧電/電歪磁器組成物及びその製造方法 | |
US8080923B2 (en) | Piezoelectric/electrostrictive membrane element | |
US20110012051A1 (en) | Piezoelectric/electrostrictive ceramic composition | |
JP4987815B2 (ja) | 圧電/電歪磁器組成物の製造方法 | |
JP5021452B2 (ja) | 圧電/電歪磁器組成物および圧電/電歪素子 | |
JP5876974B2 (ja) | 圧電/電歪磁器組成物の製造方法 | |
JP5462090B2 (ja) | 圧電/電歪セラミックス焼結体 | |
JP2013189325A (ja) | 圧電/電歪体膜の製造方法及びその製造に用いられる粉末組成物 | |
JP5219388B2 (ja) | 圧電セラミックス及びその製造方法 | |
JP5129067B2 (ja) | 圧電/電歪磁器組成物及び圧電/電歪素子 | |
JP5044437B2 (ja) | 圧電/電歪磁器焼結体の製造方法 | |
JP5774824B2 (ja) | 圧電/電歪磁器組成物 | |
JP5662197B2 (ja) | 圧電/電歪焼結体、及び圧電/電歪素子 | |
JP2013128006A (ja) | 圧電/電歪体膜の製造方法 | |
JP2011251866A (ja) | 圧電/電歪セラミックス焼結体及び圧電/電歪素子 | |
JP5651453B2 (ja) | 圧電/電歪セラミックス焼結体 | |
JP5021595B2 (ja) | 圧電/電歪磁器組成物及び圧電/電歪素子 | |
JP2013128002A (ja) | 圧電/電歪体膜の製造方法及びその製造に用いられる粉末組成物 | |
JP2011201741A (ja) | 圧電/電歪セラミックス、圧電/電歪セラミックスの製造方法、圧電/電歪素子及び圧電/電歪素子の製造方法 | |
JP2010059008A (ja) | 圧電セラミック組成物及びこれを用いたアクチュエータ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130814 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140304 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140403 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141104 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141117 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5651453 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |