JP5943066B2 - 接合方法および接合構造体の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、一方の接合対象物（第１の接合対象物）と他方の接合対象物（第２の接合対象物）とを接合する接合方法、詳しくは、例えば、第１の接合対象物であるチップ型電子部品の外部電極を、第２の接合対象物である基板上の実装用電極に接合する際などに用いられる接合方法、および接合構造体の製造方法に関する。
表面実装型の電子部品を、基板などに実装する際の実装方法としては、電子部品の外部電極を基板上の実装用電極（ランド電極）などにはんだ付けすることにより実装する方法が広く用いられている。
このようなはんだ付けによる実装に用いられるソルダペーストとして、例えば、(ａ)Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇなどの高融点金属またはそれらを含む高融点合金からなる第２金属（または合金）ボールと、(ｂ)ＳｎまたはＩｎからなる第１金属ボールの混合体を含むはんだペーストが提案されている（特許文献１参照）。
また、この特許文献１には、該はんだペーストを用いた接合方法や、電子機器の製造方法が開示されている。
また、この特許文献１には、該はんだペーストを用いた接合方法や、電子機器の製造方法が開示されている。
ところで、この特許文献１のはんだペーストを用いてはんだ付けを行った場合、図６(ａ)に模式的に示すように、低融点金属（例えばＳｎ）ボール５１と、高融点金属（例えばＣｕ）ボール５２と、フラックス５３とを含むはんだペーストが、加熱されて反応し、はんだ付け後に、図６(ｂ)に示すように、複数個の高融点金属ボール５２が、低融点金属ボールに由来する低融点金属と、高融点金属ボールに由来する高融点金属との間に形成される金属間化合物５４を介して連結され、この連結体により接合対象物が接続・連結される（はんだ付けされる）ことになる。
しかしながら、この特許文献１のはんだペーストの場合、はんだ付け工程ではんだペーストを加熱することにより、高融点金属（例えばＣｕ）と低融点金属（例えばＳｎ）との金属間化合物を生成させるようにしているが、Ｃｕ（高融点金属）とＳｎ（低融点金属）との組み合わせでは、その拡散速度が遅いため、低融点金属であるＳｎが残留する。Ｓｎが残留したはんだペーストの場合、高温下での接合強度が大幅に低下して、接合すべき製品の種類によっては使用することができなくなる場合がある。また、はんだ付けの工程で残留したＳｎは、その後の別のはんだ付け工程で溶融して流れ出すおそれがあり、温度階層接続に用いられる高温はんだとしては信頼性が低いという問題点がある。
すなわち、例えば半導体装置の製造工程において、はんだ付けを行う工程を経て半導体装置を製造した後、その半導体装置を、リフローはんだ付けの方法で基板に実装しようとした場合、半導体装置の製造工程におけるはんだ付けの工程で残留したＳｎが、リフローはんだ付けの工程で溶融して流れ出してしまうおそれがある。
また、Ｓｎが残留しないように、低融点金属を完全に金属間化合物にするためには、はんだ付け工程において、高温かつ長時間の加熱が必要となるが、生産性との兼ね合いもあり、実用上不可能である。
このような問題点を解決するために、第１金属粉末と、第１金属粉末よりも融点の高い第２金属粉末とからなる金属成分と、フラックス成分とを含むソルダペーストであって、第１金属をＳｎまたはＳｎを含む合金とし、第２金属（Ｃｕ−ＭｎあるいはＣｕ−Ｎｉ）を、上記第１金属と、３１０℃以上の融点を示す金属間化合物を生成し、かつ、第２金属粉末の周囲に最初に生成する金属間化合物の格子定数と第２金属成分の格子定数との差である格子定数差が５０％以上である金属または合金としたソルダペーストが提案されている（特許文献２参照）。
なお、この特許文献２では、第２金属として、Ｃｕ−ＭｎあるいはＣｕ−Ｎｉなどが例示されている。
また、特許文献２には、上記ソルダペーストを用いた接合方法や接合構造、さらには電子機器の製造方法が提案されている。
そして、このソルダペーストを用いた接合方法によれば、Ｓｎの残留量を大幅に減らして、リフロー時のはんだの流れ出しがなく、高温での接合強度や接合信頼性に優れた接合を行うことができるとされている。
また、特許文献２には、上記ソルダペーストを用いた接合方法や接合構造、さらには電子機器の製造方法が提案されている。
そして、このソルダペーストを用いた接合方法によれば、Ｓｎの残留量を大幅に減らして、リフロー時のはんだの流れ出しがなく、高温での接合強度や接合信頼性に優れた接合を行うことができるとされている。
しかしながら、特許文献２のソルダペーストを用いた接合方法の場合、Ｃｕ−Ｍｎ、Ｃｕ−Ｎｉなどの第２金属と、ＳｎあるいはＳｎ合金などの第１金属の拡散反応が急速に生じるため、Ｓｎが液状を呈する時間が短く、速やかに溶融温度の高い金属間化合物が形成されてしまうため、場合によっては、接合部内に空隙が生じる可能性がある。そのため、さらに接合信頼性の高い接合を行うことが可能な接合方法が期待されている。
本発明は、上記課題を解決するものであり、空隙がなく緻密で、耐熱性に優れた信頼性の高い接合部を得ることが可能な接合方法、それを用いて形成される、接合信頼性の高い接合構造体およびその製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の接合方法は、
第１の接合対象物と第２の接合対象物とを、インサート材を用いて接合する方法であって、
前記第１の接合対象物および／または前記第２の接合対象物は、下記インサート材を構成する合金よりも融点の低いＳｎまたはＳｎを含む合金から構成される第１金属を有し、
前記インサート材は、Ｃｕ−Ｎｉ合金、Ｃｕ−Ｍｎ合金、Ｃｕ−Ａｌ合金、およびＣｕ−Ｃｒ合金からなる群から選ばれる合金であって、Ｃｕの含有量が７０重量％以上の合金である第２金属を主成分とし、
前記第１の接合対象物と前記第２の接合対象物との間に、前記インサート材を配置した状態で熱処理を行い、前記第１の接合対象物および／または前記第２の接合対象物が有する前記第１金属と、前記インサート材を構成する前記第２金属との金属間化合物を生成させることにより、前記第１の接合対象物と前記第２の接合対象物を接合すること
を特徴としている。
第１の接合対象物と第２の接合対象物とを、インサート材を用いて接合する方法であって、
前記第１の接合対象物および／または前記第２の接合対象物は、下記インサート材を構成する合金よりも融点の低いＳｎまたはＳｎを含む合金から構成される第１金属を有し、
前記インサート材は、Ｃｕ−Ｎｉ合金、Ｃｕ−Ｍｎ合金、Ｃｕ−Ａｌ合金、およびＣｕ−Ｃｒ合金からなる群から選ばれる合金であって、Ｃｕの含有量が７０重量％以上の合金である第２金属を主成分とし、
前記第１の接合対象物と前記第２の接合対象物との間に、前記インサート材を配置した状態で熱処理を行い、前記第１の接合対象物および／または前記第２の接合対象物が有する前記第１金属と、前記インサート材を構成する前記第２金属との金属間化合物を生成させることにより、前記第１の接合対象物と前記第２の接合対象物を接合すること
を特徴としている。
なお、第１および第２の接合対象物としては、例えば、チップ型電子部品の外部電極と、チップ型電子部品が搭載される基板上の実装用電極である場合などが例示されるが、本願発明においては、一方の接合対象物が、例えば、「ＳｎまたはＳｎ合金がめっきされたＣｕ線」である場合などを含むものである。
また、本発明において、ＳｎまたはＳｎを含む合金から構成される第１金属は、電極の表面に形成されたＳｎまたはＳｎを含む合金からなるめっき層として与えられる場合などが例示される。その場合、第１金属（ＳｎまたはＳｎを含む合金）からなるめっき層は、第１および／または第２の接合対象物の最表面にあることが望ましいが、その表面にさらに他の層（例えば、貴金属層など）を形成することも可能である。
また、上記インサート材は、上記合金（第２金属）を主たる成分とするものであるが、その表面にＳｎめっき層や、Ａｕめっき層などの酸化防止膜が形成されていてもよい。
また、上記インサート材は、上記合金（第２金属）を主たる成分とするものであるが、その表面にＳｎめっき層や、Ａｕめっき層などの酸化防止膜が形成されていてもよい。
本発明においては、前記第１金属（Ｓｎを含む合金）が、Ｓｎを７０重量％以上含有する合金であることが好ましい。
第１金属が、Ｓｎを７０重量％以上含有する合金である場合、空隙がなく、かつ、耐熱性の高い、信頼性に優れた接合部を得ることができるという本発明の効果をより確実に得ることが可能になる。
第１金属が、Ｓｎを７０重量％以上含有する合金である場合、空隙がなく、かつ、耐熱性の高い、信頼性に優れた接合部を得ることができるという本発明の効果をより確実に得ることが可能になる。
また、前記第１金属（Ｓｎを含む合金）が、Ｓｎを８５重量％以上含有する合金であることが好ましい。
第１金属が、Ｓｎを８５重量％以上含有する合金である場合、さらに耐熱性の高い接合部を、より確実に得ることができる。
第１金属が、Ｓｎを８５重量％以上含有する合金である場合、さらに耐熱性の高い接合部を、より確実に得ることができる。
また、本発明においては、前記インサート材を構成する第２金属が、Ｃｕ−Ｎｉ合金またはＣｕ−Ｍｎ合金を主成分とするものであることが好ましい。
インサート材を構成する第２金属が、Ｃｕ−Ｎｉ合金および／またはＣｕ−Ｍｎ合金を主たる成分とするものである場合、特に耐熱性の高い接合部を得ることができる。
インサート材を構成する第２金属が、Ｃｕ−Ｎｉ合金および／またはＣｕ−Ｍｎ合金を主たる成分とするものである場合、特に耐熱性の高い接合部を得ることができる。
また、前記Ｃｕ−Ｎｉ合金が、Ｎｉを５〜３０重量％の範囲で含有するものであり、前記Ｃｕ−Ｍｎ合金が、Ｍｎを５〜３０重量％の割合で含有するものであることが好ましい。
上記構成とすることにより、特に耐熱性の高い接合部をより確実に得ることができる。
上記構成とすることにより、特に耐熱性の高い接合部をより確実に得ることができる。
また、本発明の接合構造体の製造方法は、上記本発明の接合方法を用いることを特徴としている。
本発明の接合方法は、第１の接合対象物と第２の接合対象物とを、インサート材を用いて接合するにあたって、第１の接合対象物および／または第２の接合対象物が、ＳｎまたはＳｎを含む合金から構成される第１金属（低融点金属）を有し、インサート材が、Ｃｕ−Ｎｉ合金、Ｃｕ−Ｍｎ合金、Ｃｕ−Ａｌ合金、およびＣｕ−Ｃｒ合金からなる群から選ばれる合金であって、Ｃｕの含有量が７０重量％以上の合金（第２金属）を主成分とし、第１の接合対象物と第２の接合対象物との間に、インサート材が位置する状態で熱処理を行い、第１の接合対象物および／または第２の接合対象物が有する第１金属（低融点金属）と、インサート材を構成する第２金属（上記Ｃｕ合金）との金属間化合物を生成させることにより、第１の接合対象物と第２の接合対象物を接合するようにしているので、空隙がなく、かつ、耐熱性に優れた、信頼性の高い接合部を得ることが可能になる。
すなわち、第１および／または第２の接合対象物が、第１金属（ＳｎまたはＳｎ合金）を有し、インサート材が、Ｃｕ−Ｎｉ合金、Ｃｕ−Ｍｎ合金、Ｃｕ−Ａｌ合金、およびＣｕ−Ｃｒ合金からなる群から選ばれる合金であって、Ｃｕの含有量が７０重量％以上の合金である第２金属を主成分としているので、熱処理の工程で、第２金属（上記Ｃｕ合金）と、上記第１金属（低融点金属）の急速拡散が生じ、接合部には、融点の高い金属間化合物が生成するとともに、第１金属のほとんどが金属間化合物になる。その結果、例えば、第１の接合対象物が電子部品の外部電極であり、第２の接合対象物が基板の実装用電極であるような場合において、電子部品が実装された後の段階で、複数回のリフローが実施された場合や、実装された電子部品（例えば、車載用電子部品）が、高温環境下で使用された場合にも、電子部品の脱落などを引き起こすことのない、高温での接合信頼性の高い接合部を得ることができる。
なお、インサート材を用いて第１および第２の接合対象物を接合する場合、第１および第２の接合対象物間にインサート材を位置させた状態で熱処理を行う。このとき、温度が、第１金属（ＳｎまたはＳｎ合金などの低融点金属）の融点以上に達すると、第１および／または第２の接合対象物中の第１金属が溶融する。そして、第１金属と、インサート材中の第２金属（Ｃｕ合金）とが速やかに拡散して、金属間化合物を生成する。
その後さらに加熱が続くと、低融点金属である第１金属と、第２金属とはさらに反応し、第１金属と、第２金属の組成比などが望ましい条件にある場合には、第１金属がすべて金属間化合物となり、第１金属は接合部に存在しなくなる。
なお、本発明では、第１金属と第２金属との界面に生成する金属間化合物と、第２金属との間の格子定数差が大きい（第２金属と金属間化合物との格子定数差が５０％以上）ため、溶融第１金属（ＳｎまたはＳｎ合金）中で金属間化合物が剥離、分散しながら反応を繰り返し、金属間化合物の生成が飛躍的に進行して短時間のうちに第１金属（ＳｎまたはＳｎ合金）の含有量を十分に低減させることが可能になる。
その結果、耐熱強度の大きい接合を行うことが可能になる。
なお、本発明では、第１金属と第２金属との界面に生成する金属間化合物と、第２金属との間の格子定数差が大きい（第２金属と金属間化合物との格子定数差が５０％以上）ため、溶融第１金属（ＳｎまたはＳｎ合金）中で金属間化合物が剥離、分散しながら反応を繰り返し、金属間化合物の生成が飛躍的に進行して短時間のうちに第１金属（ＳｎまたはＳｎ合金）の含有量を十分に低減させることが可能になる。
その結果、耐熱強度の大きい接合を行うことが可能になる。
なお、第２金属（Ｃｕ合金）を構成するＡｌおよびＣｒはいずれもＣｕより第１イオン化エネルギーが小さく、Ｃｕにこれらの金属（ＡｌおよびＣｒ）が固溶しているため、Ｃｕよりも、ＡｌおよびＣｒが先に酸化されることになる。その結果、酸化されていないＣｕの、溶融した第１金属（ＳｎまたはＳｎ合金）への拡散が促進され、非常に短時間のうちに、第１金属との間で金属間化合物を生成する。したがって、その分だけ接合部における第１金属の含有量が低下し、接合部の融点が上昇して耐熱強度が向上する。
また、本発明においては、第２金属（Ｃｕ合金）を含むインサート材を、板状などの表面積の小さい形態で供給することができるので、第１および／または第２の接合対象物に含まれる第１金属（ＳｎまたはＳｎ合金）との反応を、遅くすることができる。
すなわち、インサート材を板状とした場合、例えば、インサート材を構成する第２金属を表面積の大きい粉末の形態として、ペースト状で供給するようにした場合に比べて、第２金属の表面積を十分に小さくすることが可能になり、第１金属との反応を遅くすることができる。その結果、第１金属（ＳｎまたはＳｎ合金）が液体で存在する時間を長くして、空隙がなく、緻密な接合部を形成することが可能になる。
また、第１金属が液体である時間が長くなることから、液体状の第１金属の表面張力によってセルフアライメント性も向上する。
すなわち、インサート材を板状とした場合、例えば、インサート材を構成する第２金属を表面積の大きい粉末の形態として、ペースト状で供給するようにした場合に比べて、第２金属の表面積を十分に小さくすることが可能になり、第１金属との反応を遅くすることができる。その結果、第１金属（ＳｎまたはＳｎ合金）が液体で存在する時間を長くして、空隙がなく、緻密な接合部を形成することが可能になる。
また、第１金属が液体である時間が長くなることから、液体状の第１金属の表面張力によってセルフアライメント性も向上する。
また、本発明の接合構造体の製造方法によれば、上述のように、第１および第２の接合対象物が、融点の高い金属間化合物を主たる成分とする接合部を介して確実に接合された、耐熱強度にも優れた接合構造体を得ることができる。
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
なお、この実施形態では、セラミック積層体の両端部に外部電極が配設されたチップ型電子部品（積層セラミックコンデンサ）の外部電極（第１の接合対象物）を、ガラスエポキシ基板上の実装用電極（第２の接合対象物）に、インサート材を介して接合する場合を例にとって説明する。
なお、この実施形態では、セラミック積層体の両端部に外部電極が配設されたチップ型電子部品（積層セラミックコンデンサ）の外部電極（第１の接合対象物）を、ガラスエポキシ基板上の実装用電極（第２の接合対象物）に、インサート材を介して接合する場合を例にとって説明する。
［第１および第２の接合対象物の準備］
まず、第１の接合対象物として、図１に示すように、内部電極４とセラミック層５とが交互に積層されたセラミック積層体１０の両端部に形成された、Ｃｕ厚膜電極からなる外部電極本体１の表面に、表１および２の試料番号１〜２５に示すようなＳｎまたはＳｎを含む合金（インサート材を構成するＣｕ合金よりも融点の低い第１金属）のめっき層２を形成してなる外部電極３を備えたチップ型電子部品Ａを用意した。
なお、図示していないが、Ｃｕ厚膜電極とＳｎまたはＳｎを含む合金のめっき層２との間には、Ｎｉめっきを形成した。
また、めっき層２は、必ずしも外部電極本体１の全面を覆っていなくてもよく、熱処理工程で、下記のインサート材Ｃと反応して金属間化合物が形成されるような態様で外部電極本体１に付与されていればよい。
まず、第１の接合対象物として、図１に示すように、内部電極４とセラミック層５とが交互に積層されたセラミック積層体１０の両端部に形成された、Ｃｕ厚膜電極からなる外部電極本体１の表面に、表１および２の試料番号１〜２５に示すようなＳｎまたはＳｎを含む合金（インサート材を構成するＣｕ合金よりも融点の低い第１金属）のめっき層２を形成してなる外部電極３を備えたチップ型電子部品Ａを用意した。
なお、図示していないが、Ｃｕ厚膜電極とＳｎまたはＳｎを含む合金のめっき層２との間には、Ｎｉめっきを形成した。
また、めっき層２は、必ずしも外部電極本体１の全面を覆っていなくてもよく、熱処理工程で、下記のインサート材Ｃと反応して金属間化合物が形成されるような態様で外部電極本体１に付与されていればよい。
また、第２の接合対象物として、図２に示すように、主面に形成されたＣｕ電極膜１１の表面に、表１および２の試料番号１〜２５に示すような、第１金属（ＳｎまたはＳｎを含む合金）のめっき層１２を形成してなる実装用電極１３を備えた、ガラスエポキシ基板Ｂを用意した。なお、めっき層１２は、図２に示すようなＣｕ電極膜１１の表面全体、すなわちＣｕ電極膜１１の上面および側面を覆うように形成されてもよく、Ｃｕ電極膜１１の上面のみ、さらには上面の一部にのみ形成されていてもよい。
この実施形態において、第１の接合対象物（チップ型電子部品の外部電極）および第２の接合対象物（ガラスエポキシ基板の実装用電極）のめっき層２および１２用の第１金属（低融点金属）として、表１および２に示すように、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ、Ｓｎ、Ｓｎ−３．５Ａｇ、Ｓｎ−０．７５Ｃｕ、Ｓｎ−１５Ｂｉ、Ｓｎ−０．７Ｃｕ−０．０５Ｎｉ、Ｓｎ−５Ｓｂ、Ｓｎ−２Ａｇ−０．５Ｃｕ−２Ｂｉ、Ｓｎ−３０Ｂｉ、Ｓｎ−３．５Ａｇ−０．５Ｂｉ−８Ｉｎ、Ｓｎ−９Ｚｎ、Ｓｎ−８Ｚｎ−３Ｂｉを用いた。
なお、上記第１金属の表記において、例えば、試料番号１の「Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ」は、低融点金属材料が、Ａｇを３重量％、Ｃｕを０．５重量％含有し、残部をＳｎとする合金(Ｓｎ合金)であることを示している。
なお、上記第１金属の表記において、例えば、試料番号１の「Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ」は、低融点金属材料が、Ａｇを３重量％、Ｃｕを０．５重量％含有し、残部をＳｎとする合金(Ｓｎ合金)であることを示している。
［インサート材の準備］
さらに、インサート材として、表１および２に示すようなＣｕ合金（第２金属）からなる板状のインサート材を用意した。
なお、インサート材を構成する第２金属としては、表１および２に示すように、Ｃｕ−５Ｎｉ、Ｃｕ−１０Ｎｉ、Ｃｕ−１５Ｎｉ、Ｃｕ−２０Ｎｉ、Ｃｕ−３０Ｎｉ、Ｃｕ−５Ｍｎ、Ｃｕ−１０Ｍｎ、Ｃｕ−１５Ｍｎ、Ｃｕ−２０Ｍｎ、Ｃｕ−３０Ｍｎ、Ｃｕ−１２Ｍｎ−４Ｎｉ、Ｃｕ−１０Ｍｎ−１Ｐ、Ｃｕ−１０Ａｌ、Ｃｕ−１０Ｃｒ合金を用いた。
さらに、インサート材として、表１および２に示すようなＣｕ合金（第２金属）からなる板状のインサート材を用意した。
なお、インサート材を構成する第２金属としては、表１および２に示すように、Ｃｕ−５Ｎｉ、Ｃｕ−１０Ｎｉ、Ｃｕ−１５Ｎｉ、Ｃｕ−２０Ｎｉ、Ｃｕ−３０Ｎｉ、Ｃｕ−５Ｍｎ、Ｃｕ−１０Ｍｎ、Ｃｕ−１５Ｍｎ、Ｃｕ−２０Ｍｎ、Ｃｕ−３０Ｍｎ、Ｃｕ−１２Ｍｎ−４Ｎｉ、Ｃｕ−１０Ｍｎ−１Ｐ、Ｃｕ−１０Ａｌ、Ｃｕ−１０Ｃｒ合金を用いた。
インサート材を構成する第２金属としては、通常、Ｃｕ−Ｎｉ、Ｃｕ−Ｍｎ、Ｃｕ−Ａｌ、およびＣｕ−Ｃｒ合金のいずれかが用いられるが、試料番号２２のようにＭｎとＮｉを同時に含んでいてもよく、また、試料番号２３のように、Ｐ（りん）などの第３成分を含んでいてもよい。
また、比較のため、インサート材として、本発明の要件を備えていない表２の試料番号２６および２７のインサート材を用意した。
なお、試料番号２６のインサート材はＣｕからなるインサート材であり、また、試料番号２７のインサート材は、Ｃｕ−Ｚｎ合金からなるインサート材である。
なお、試料番号２６のインサート材はＣｕからなるインサート材であり、また、試料番号２７のインサート材は、Ｃｕ−Ｚｎ合金からなるインサート材である。
［第１の接合対象物と第２の接合対象物との接合］
表１および２の各チップ型電子部品Ａを、図３に示すように、外部電極（第１の接合対象物）３が、表１および２の各インサート材Ｃを介して、表１および２の各ガラスエポキシ基板Ｂ上の実装用電極（第２の接合対象物）１３に対向するように載置し、２５０℃、３０分の条件でリフローした。
表１および２の各チップ型電子部品Ａを、図３に示すように、外部電極（第１の接合対象物）３が、表１および２の各インサート材Ｃを介して、表１および２の各ガラスエポキシ基板Ｂ上の実装用電極（第２の接合対象物）１３に対向するように載置し、２５０℃、３０分の条件でリフローした。
これにより、図４に示すように、チップ型電子部品Ａの外部電極（第１の接合対象物）３と、ガラスエポキシ基板Ｂの実装用電極（第２の接合対象物）１３とが、金属間化合物（接合部）Ｍ１２を介して接合された接合構造体Ｄを得た。
なお、図５は、上述のようにして得られる接合構造体Ｄの変形例を示している。本発明の接合構造体においては、図５に示すように、インサート材Ｃの一部が残存していてもよく、また、外部電極３を構成する、ＳｎまたはＳｎを含む合金（低融点金属）のめっき層２のうち、インサート材Ｃに接していない部分のめっき層２が、未反応のまま残っていてもよい。
なお、図５は、上述のようにして得られる接合構造体Ｄの変形例を示している。本発明の接合構造体においては、図５に示すように、インサート材Ｃの一部が残存していてもよく、また、外部電極３を構成する、ＳｎまたはＳｎを含む合金（低融点金属）のめっき層２のうち、インサート材Ｃに接していない部分のめっき層２が、未反応のまま残っていてもよい。
また、同様にして、本発明の要件を備えていないインサート材（試料番号２６のＣｕからなるインサート材と、試料番号２７のＣｕ−Ｚｎ合金からなるインサート材）を用いて、試料番号１〜１０で用いたものと同じチップ型電子部品の外部電極を、ガラスエポキシ基板の実装用電極に接合した。
[特性の評価]
上述のようにして得た接合構造体を試料として、以下の方法で特性を評価した。
上述のようにして得た接合構造体を試料として、以下の方法で特性を評価した。
≪接合強度≫
得られた接合構造体のシアー強度を、ボンディングテスタを用いて測定し、接合強度を評価した。
シアー強度の測定は、横押し速度：０．１ｍｍ・ｓ-1、室温および２６０℃の条件下で行った。
そして、シアー強度が２０Ｎｍｍ-2以上のものを◎（優）、２Ｎｍｍ-2以上２０Ｎｍｍ-2未満のものを○（良）、２Ｎｍｍ-2未満のものを×（不可）と評価した。
表１および２に、各試料について調べた、室温および２６０℃での、接合強度の値と評価結果を併せて示す。
得られた接合構造体のシアー強度を、ボンディングテスタを用いて測定し、接合強度を評価した。
シアー強度の測定は、横押し速度：０．１ｍｍ・ｓ-1、室温および２６０℃の条件下で行った。
そして、シアー強度が２０Ｎｍｍ-2以上のものを◎（優）、２Ｎｍｍ-2以上２０Ｎｍｍ-2未満のものを○（良）、２Ｎｍｍ-2未満のものを×（不可）と評価した。
表１および２に、各試料について調べた、室温および２６０℃での、接合強度の値と評価結果を併せて示す。
≪残留成分評価≫
リフロー後に凝固した、接合部の金属間化合物（反応生成物）を約７ｍｇ切り取り、測定温度３０℃〜３００℃、昇温速度５℃／ｍｉｎ、Ｎ2雰囲気、リファレンスＡｌ2Ｏ3の条件で示差走査熱量測定（ＤＳＣ測定）を行った。得られたＤＳＣチャートの第１金属（低融点金属）成分の溶融温度における溶融吸熱ピークの吸熱量から、残留した低融点金属成分量を定量し、残留低融点金属含有率（体積％）を求めた。そして、残留低融点金属含有率が０体積％の場合を◎（優）、０体積％より大きく５０体積％以下の場合を○（良）、５０体積％より大きい場合を×（不可）と評価した。
表１および２に、残留低融点金属含有率と評価結果を併せて示す。
リフロー後に凝固した、接合部の金属間化合物（反応生成物）を約７ｍｇ切り取り、測定温度３０℃〜３００℃、昇温速度５℃／ｍｉｎ、Ｎ2雰囲気、リファレンスＡｌ2Ｏ3の条件で示差走査熱量測定（ＤＳＣ測定）を行った。得られたＤＳＣチャートの第１金属（低融点金属）成分の溶融温度における溶融吸熱ピークの吸熱量から、残留した低融点金属成分量を定量し、残留低融点金属含有率（体積％）を求めた。そして、残留低融点金属含有率が０体積％の場合を◎（優）、０体積％より大きく５０体積％以下の場合を○（良）、５０体積％より大きい場合を×（不可）と評価した。
表１および２に、残留低融点金属含有率と評価結果を併せて示す。
≪流れ出し不良率≫
得られた接合構造体の流れ出し不良率を以下の方法で調べた。
まず、接合構造体をエポキシ樹脂で封止して相対湿度８５％の環境に放置し、ピーク温度２６０℃のリフロー条件で加熱した。そして、接合材料が再溶融して流れ出したものを不良として、流れ出し不良の発生割合を調べた。そして、その結果から流れ出し不良発生率を求めた。
接合材料の流れ出し不良率が０％の場合を◎（優）、０％より大きく５０％以下の場合を○（良）、５０％より大きい場合を×（不可）と評価した。
表１および２に、流れ出し不良発生率と評価結果を併せて示す。
得られた接合構造体の流れ出し不良率を以下の方法で調べた。
まず、接合構造体をエポキシ樹脂で封止して相対湿度８５％の環境に放置し、ピーク温度２６０℃のリフロー条件で加熱した。そして、接合材料が再溶融して流れ出したものを不良として、流れ出し不良の発生割合を調べた。そして、その結果から流れ出し不良発生率を求めた。
接合材料の流れ出し不良率が０％の場合を◎（優）、０％より大きく５０％以下の場合を○（良）、５０％より大きい場合を×（不可）と評価した。
表１および２に、流れ出し不良発生率と評価結果を併せて示す。
≪緻密性≫
得られた接合構造体の断面を金属顕微鏡で観察し、接合部に存在する空隙の有無を確認した。一辺が５０μｍ以上の空隙が存在しない場合を◎、存在する場合を×と評価した。
表１および２に、緻密性評価結果を併せて示す。
得られた接合構造体の断面を金属顕微鏡で観察し、接合部に存在する空隙の有無を確認した。一辺が５０μｍ以上の空隙が存在しない場合を◎、存在する場合を×と評価した。
表１および２に、緻密性評価結果を併せて示す。
表１および２に示すように、室温における接合強度については、試料番号１〜２５の本発明の要件を備えた試料（実施例）と、試料番号２６，２７の本発明の要件を備えていない比較例の試料ともに、２０Ｎｍｍ-2以上の接合強度を示し、実用強度を備えていることが確認された。
一方、２６０℃における接合強度についてみると、試料番号２６，２７の比較例の試料の場合、２Ｎｍｍ-2以下と接合強度が不十分であったのに対して、試料番号１〜２５の本発明の実施例にかかる試料では２０Ｎｍｍ-2以上を保持しており、実用強度を備えていることが確認された。
また、残留低融点金属含有率（残留成分評価）については、試料番号２６，２７の比較例の試料の場合、残留低融点金属含有率が５０体積％より大きかったのに対して、試料番号１〜２５の本発明の実施例にかかる試料の場合、いずれも残留低融点金属含有率が５０体積％以下であることが確認された。
また、インサート材を構成する第２金属としてＣｕ−Ａｌ合金またはＣｕ−Ｃｒ合金を用いた試料番号２４，２５の試料に比べて、Ｃｕ−Ｎｉ、Ｃｕ−Ｍｎ、Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｉ、Ｃｕ−Ｍｎ−Ｐ合金を用いた試料番号１〜２３の試料の方が残留低融点金属含有率が低いことが確認された。
また、インサート材を構成する第２金属としてＣｕ−Ａｌ合金またはＣｕ−Ｃｒ合金を用いた試料番号２４，２５の試料に比べて、Ｃｕ−Ｎｉ、Ｃｕ−Ｍｎ、Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｉ、Ｃｕ−Ｍｎ−Ｐ合金を用いた試料番号１〜２３の試料の方が残留低融点金属含有率が低いことが確認された。
また、Ｎｉ量またはＭｎ量が５〜２０重量％であるＣｕ−Ｎｉ合金またはＣｕ−Ｍｎ合金を用いた試料番号１〜４、６〜９の試料の方が、Ｎｉ量またはＭｎ量が３０重量％である試料番号５，１０の試料に比べて残留低融点金属含有率が低いことが確認された。
さらに、第１金属（低融点金属）としてＳｎまたはＳｎを８５重量％以上含む合金を用いた場合（試料番号１〜４，６〜９，１１〜１７，１９〜２３）、残留低融点金属含有率が０体積％になり、特に好ましいことが確認された。
また、接合材料の流れ出し不良率については、試料番号２６，２７の比較例の試料の場合、流れ出し不良率が５０％以上であったのに対して、試料番号１〜２５の本発明の実施例にかかる試料では、流れ出し不良率がいずれも５０％以下であった。
特に第１金属（低融点金属）としてＳｎまたはＳｎを８５重量％以上含む合金を用い、第２金属としてＮｉ量またはＭｎ量が５〜２０重量％である合金を用いた場合（試料番号１〜４，６〜９，１１〜１７，１９〜２３）、流れ出し不良率が０％と高い耐熱性を有していることが確認された。
特に第１金属（低融点金属）としてＳｎまたはＳｎを８５重量％以上含む合金を用い、第２金属としてＮｉ量またはＭｎ量が５〜２０重量％である合金を用いた場合（試料番号１〜４，６〜９，１１〜１７，１９〜２３）、流れ出し不良率が０％と高い耐熱性を有していることが確認された。
また、上述のように、本発明の要件を備えた試料番号１〜２５の試料においては、第１金属（低融点金属）の種類に関係なくいずれも実用性のある耐熱性を備えていることが確認されたが、第２金属のＮｉ量またはＭｎ量が３０重量％である試料番号５，１０の試料の場合、他の試料（１〜４，６〜９，１１〜２５の試料）に比べて、２６０℃における接合強度が少し低下する傾向があることがわかった。
なお、本発明の接合方法によれば、前述の特許文献２の接合方法のように、Ｓｎなどの第１金属粉末と、第１金属粉末よりも融点の高い第２金属粉末（Ｃｕ−Ｍｎ合金またはＣｕ−Ｎｉ合金）と、フラックス成分とを含むソルダペーストを用いて、Ｓｎなどの第１金属を含まない第１および第２の接合対象物を接合する場合に比べて、緻密性の高い接合部が得られることが確認されている。
なお、上記実施形態では、第１の接合対象物が、チップ型電子部品（積層セラミックコンデンサ）の外部電極であり、第２の接合対象物が、ガラスエポキシ基板の実装用電極である場合を例にとって説明したが、第１および第２の接合対象物の種類はこれに制約されるものではない。
例えば、第１および／または第２の接合対象物が、他の構成を有する電子部品の外部電極や、他の基板に形成された電極であってもよい。
また、本発明は、「ＳｎまたはＳｎ合金がめっきされたＣｕ線」を基板上の電極や電子部品の外部電極に接合するような場合にも適用することが可能である。
例えば、第１および／または第２の接合対象物が、他の構成を有する電子部品の外部電極や、他の基板に形成された電極であってもよい。
また、本発明は、「ＳｎまたはＳｎ合金がめっきされたＣｕ線」を基板上の電極や電子部品の外部電極に接合するような場合にも適用することが可能である。
本発明は、さらにその他の点においても、上記実施形態に限定されるものではなく、第１金属および第２金属の組成などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
１ 外部電極本体
２ 外部電極を構成する第１金属（低融点金属）のめっき層
３ 外部電極（第１の接合対象物）
１０ セラミック積層体
１１ Ｃｕ電極膜
１２ 実装用電極を構成する第１金属（低融点金属）のめっき層
１３ 実装用電極（第２の接合対象物）
Ａ チップ型電子部品
Ｂ ガラスエポキシ基板
Ｃ インサート材
Ｄ 接合構造体
Ｍ１２ 金属間化合物
２ 外部電極を構成する第１金属（低融点金属）のめっき層
３ 外部電極（第１の接合対象物）
１０ セラミック積層体
１１ Ｃｕ電極膜
１２ 実装用電極を構成する第１金属（低融点金属）のめっき層
１３ 実装用電極（第２の接合対象物）
Ａ チップ型電子部品
Ｂ ガラスエポキシ基板
Ｃ インサート材
Ｄ 接合構造体
Ｍ１２ 金属間化合物
Claims (6)
- 第１の接合対象物と第２の接合対象物とを、インサート材を用いて接合する方法であって、
前記第１の接合対象物および／または前記第２の接合対象物は、下記インサート材を構成する合金よりも融点の低いＳｎまたはＳｎを含む合金から構成される第１金属を有し、
前記インサート材は、Ｃｕ−Ｎｉ合金、Ｃｕ−Ｍｎ合金、Ｃｕ−Ａｌ合金、およびＣｕ−Ｃｒ合金からなる群から選ばれる合金であって、Ｃｕの含有量が７０重量％以上の合金である第２金属を主成分とし、
前記第１の接合対象物と前記第２の接合対象物との間に、前記インサート材を配置した状態で熱処理を行い、前記第１の接合対象物および／または前記第２の接合対象物が有する前記第１金属と、前記インサート材を構成する前記第２金属との金属間化合物を生成させることにより、前記第１の接合対象物と前記第２の接合対象物を接合すること
を特徴とする接合方法。 - 前記第１金属が、Ｓｎを７０重量％以上含有する合金であることを特徴とする請求項１記載の接合方法。
- 前記第１金属が、Ｓｎを８５重量％以上含有する合金であることを特徴とする請求項１記載の接合方法。
- 前記第２金属が、Ｃｕ−Ｎｉ合金またはＣｕ−Ｍｎ合金を主成分とするものであることを特徴とする請求項１記載の接合方法。
- 前記Ｃｕ−Ｎｉ合金が、Ｎｉを５〜３０重量％の範囲で含有するものであり、前記Ｃｕ−Ｍｎ合金が、Ｍｎを５〜３０重量％の割合で含有するものであることを特徴とする請求項４記載の接合方法。
- 請求項１〜５のいずれかに記載の接合方法を用いることを特徴とする接合構造体の製造方法。
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