TWI505899B - A bonding method, a bonding structure, and a method for manufacturing the same - Google Patents

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TWI505899B
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Kosuke Nakano
Hidekiyo Takaoka
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Murata Manufacturing Co
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Description

接合方法、接合結構體及其製造方法
本發明係關於一種將一接合對象物(第1接合對象物)與另一接合對象物(第2接合對象物)接合之接合方法及使用該接合方法而形成之接合結構體，詳細而言，關於一種例如使用於將第1接合對象物即晶片型電子零件之外部電極接合至第2接合對象物即基板上之安裝用電極時等之接合方法、使用該接合方法而形成之接合結構體及其製造方法。
作為將表面安裝型電子零件安裝至基板等時之安裝方法，廣泛地使用有藉由將電子零件之外部電極焊接至基板上之安裝用電極(焊墊電極)等而進行安裝之方法。
作為使用於利用此種焊接之安裝之焊錫膏，例如提出有包含(a)第2金屬(或合金)球及(b)第1金屬球之混合體之焊料焊膏，該第2金屬(或合金)球係包含Cu、Al、Au、Ag等之高熔點金屬或包含該等高熔點金屬之高熔點合金，該第1金屬球係包含Sn或In(參照專利文獻1)。
又，於該專利文獻1中，揭示有使用有該焊料焊膏之接合方法、或電子機器之製造方法。
另外，於使用該專利文獻1之焊料焊膏而進行焊接之情形時，如於圖6(a)中模式性地表示般，包含低熔點金屬(例如Sn)球51、高熔點金屬(例如Cu)球52、及焊劑53之焊料焊膏受到加熱而反應，於焊接後，如圖6(b)所示般複數個高熔點金屬球52經由形成於來自低熔點金 屬球之低熔點金屬、與來自高熔點金屬球之高熔點金屬之間的金屬間化合物54而連結，從而藉由該連結體而連接‧連結(焊接)接合對象物。
然而，於該專利文獻1之焊料焊膏之情形時，在焊接步驟中，對焊料焊膏進行加熱，藉此生成高熔點金屬(例如Cu)與低熔點金屬(例如Sn)之金屬間化合物，但Cu(高熔點金屬)與Sn(低熔點金屬)之組合係其擴散速度緩慢，故殘留低熔點金屬即Sn。於殘留有Sn之焊料焊膏之情形時，存在如下情形：高溫下之接合強度大幅下降而變得無法根據應接合之製品之種類而使用。又，於焊接之步驟中所殘留之Sn係存在於此後之其他焊接步驟中熔融流出之虞，且存在如下之問題點：作為使用於溫度階層連接之高溫焊料係可靠性較低。
即，例如於半導體裝置之製造步驟中，於在經過進行焊接之步驟而製造半導體裝置之後，欲藉由回焊焊接之方法而將該半導體裝置安裝至基板之情形時，存在如下之虞：於半導體裝置之製造步驟之焊接之步驟中所殘留之Sn於回焊焊接之步驟中熔融而流出。
又，為了使低熔點金屬完全為金屬間化合物而以使不殘留Sn，於焊接步驟中，需要高溫且長時間之加熱，但亦存在與生產性之兼顧，從而無法實用。
為了解決此種問題點，提出有一種焊錫膏，其含有包含第1金屬粉末、與熔點高於第1金屬粉末之第2金屬粉末之金屬成分、及焊劑成分，且將第1金屬設為Sn或包含Sn之合金，將第2金屬(Cu-Mn或者Cu-Ni)設為如下之金屬或合金：與上述第1金屬生成表示310℃以上之熔點之金屬間化合物，且最初生成於第2金屬粉末之周圍之金屬間化合物之晶格常數、與第2金屬成分之晶格常數之差即晶格常數差為50%以上(參照專利文獻2)。
再者，於該專利文獻2中，作為第2金屬而例示有Cu-Mn或者Cu- Ni等。
又，於專利文獻2中，提出有使用有上述焊錫膏之接合方法或接合結構，進而提出有電子機器之製造方法。
而且，根據使用有該焊錫膏之接合方法，可大幅減少Sn之殘留量，進行無回焊時之焊料之流出而高溫下之接合強度或接合可靠性優異之接合。
然而，於使用有專利文獻2之焊錫膏之接合方法之情形時，因如下之情形而存在於接合部內產生空隙之可能性：急速地生成Cu-Mn、Cu-Ni等第2金屬、與Sn或者Sn合金等第1金屬之擴散反應，故Sn呈液狀之時間較短而快速地形成熔融溫度較高之金屬間化合物。因此，進而期待可進行接合可靠性較高之接合之接合方法。
先行技術文獻 專利文獻
[專利文獻1]：日本專利特開2002-254194號公報
[專利文獻2]：國際公開第2011/027659號說明書
本發明係解決上述課題者，目的在於提供一種可獲得無空隙、緻密且耐熱性優異之可靠性較高之接合部之接合方法、使用該接合方法而形成之接合可靠性較高之接合結構體及其製造方法。
為了解決上述課題，本發明之接合方法之特徵在於，其係使用嵌入材而將第1接合對象物與第2接合對象物接合之方法，且上述第1接合對象物及/或上述第2接合對象物具有第1金屬，該第1金屬係由熔點低於構成下述嵌入材之合金之Sn或包含Sn之合金構成， 上述嵌入材係以包含選自Ni、Mn、Al、及Cr中之至少1種、及Cu之合金即第2金屬為主成分，以於上述第1接合對象物與上述第2接合對象物之間，配置有上述嵌入材之狀態，進行熱處理，從而生成上述第1接合對象物及/或上述第2接合對象物具有之上述第1金屬、與構成上述嵌入材之上述第2金屬之金屬間化合物，藉此將上述第1接合對象物與上述第2接合對象物接合。
再者，作為第1及第2接合對象物，例如例示有為晶片型電子零件之外部電極、與搭載晶片型電子零件之基板上之安裝用電極之情形，但於本案發明中，包含一接合對象物例如為「鍍敷有Sn或Sn合金之Cu線」之情形時等。
又，於本發明中，例示如下等情形：由Sn或包含Sn之合金構成之第1金屬係作為形成於電極之表面之包含Sn或包含Sn之合金之鍍層而賦予。於該情形時，較理想的是，包含第1金屬(Sn或包含Sn之合金)之鍍層處於第1及/或第2接合對象物之最表面，但亦可於該鍍層之表面進而形成其他層(例如，貴金屬層等)。
又，上述嵌入材係以上述合金(第2金屬)為主要成分者，但亦可於該鍍層之表面，形成有鍍Sn層、或鍍Au層等抗氧化膜。
較佳為，於本發明中，上述第1金屬(包含Sn之合金)為含有70重量%以上之Sn之合金。
於第1金屬為含有70重量%以上之Sn之合金之情形時，可更確實地獲得如下之本發明之效果：可獲得無空隙且耐熱性較高之可靠性優異之接合部。
又，較佳為，上述第1金屬(包含Sn之合金)為含有85重量%以上之Sn之合金。
於第1金屬為含有85重量%以上之Sn之合金之情形時，可更確實 地獲得耐熱性進而高之接合部。
又，較佳為，於本發明中，構成上述嵌入材之第2金屬係以Cu-Ni合金或Cu-Mn合金為主成分者。
於構成嵌入材之第2金屬係以Cu-Ni合金及/或Cu-Mn合金為主要成分者之情形時，可獲得耐熱性特別高之接合部。
又，較佳為，上述Cu-Ni合金為以5~30重量%之範圍含有Ni者，上述Cu-Mn合金為以5~30重量%之比率含有Mn者。
藉由上述構成，可更確實地獲得耐熱性特別高之接合部。
又，本發明之接合結構體之特徵在於，其係藉由上述本發明之接合方法而形成者。
又，本發明之接合結構體之製造方法之特徵在於，使用上述本發明之接合方法。
本發明之接合方法係於使用嵌入材而將第1接合對象物與第2接合對象物接合時，第1接合對象物及/或第2接合對象物具有由Sn或包含Sn之合金構成之第1金屬(低熔點金屬)，嵌入材以包含選自Ni、Mn、Al、及Cr中之至少1種、及Cu之合金(第2金屬)為主成分，以嵌入材位於第1接合對象物與第2接合對象物之間之狀態進行熱處理，而生成第1接合對象物及/或第2接合對象物所具有之第1金屬(低熔點金屬)、與構成嵌入材之第2金屬(上述Cu合金)之金屬間化合物，藉此接合第1接合對象物與第2接合對象物，因此可獲得無空隙且耐熱性優異之可靠性較高之接合部。
即，第1及/或第2接合對象物具有第1金屬(Sn或Sn合金)，嵌入材以包含選自Ni、Mn、Al、及Cr中之至少1種、及Cu之合金即第2金屬為主成分，因此於熱處理之步驟中，產生第2金屬(上述Cu合金)與上述第1金屬(低熔點金屬)之急速擴散，從而於接合部，生成熔點較高 之金屬間化合物，並且幾乎所有第1金屬成為金屬間化合物。其結果，例如於如第1接合對象物為電子零件之外部電極，第2接合對象物為基板之安裝用電極之情形時，於在安裝電子零件後之階段，實施複數次回焊之情形時、或於高溫環境下使用所安裝之電子零件(例如，車載用電子零件)之情形時，亦可獲得不會引起電子零件之脫落等之高溫下之接合可靠性較高之接合部。
再者，於使用嵌入材而接合第1及第2接合對象物之情形時，以使嵌入材位於第1及第2接合對象物間之狀態進行熱處理。此時，若溫度達到第1金屬(Sn或Sn合金等之低熔點金屬)之熔點以上，則第1及/或第2接合對象物中之第1金屬熔融。而且，第1金屬與嵌入材中之第2金屬(Cu合金)快速地擴散，從而生成金屬間化合物。
此後，若進而持續加熱，則低熔點金屬即第1金屬與第2金屬進而產生反應，於第1金屬與第2金屬之組成比等呈較理想之條件之情形時，第1金屬全部成為金屬間化合物，第1金屬變得不存在於接合部。
再者，本發明係生成於第1金屬與第2金屬之界面之金屬間化合物、與第2金屬之間之晶格常數差較大(第2金屬與金屬間化合物之晶格常數差為50%以上)，故於熔融第1金屬(Sn或Sn合金)中，金屬間化合物剝離、分散，並且重複反應而飛躍性地推進金屬間化合物之生成，從而可於短時間內，充分地減少第1金屬(Sn或Sn合金)之含量。
其結果，可進行耐熱強度較大之接合。
再者，構成第2金屬(Cu合金)之Al及Cr係第1離子化能均小於Cu，且於Cu固溶有該等金屬(Al及Cr)，故Al及Cr先於Cu氧化。其結果，未氧化之Cu向所熔融之第1金屬(Sn或Sn合金)之擴散得以促進，從而於非常短之時間內，與第1金屬之間生成金屬間化合物。因此，按照該程度而接合部之第1金屬之含量下降，接合部之熔點上升而耐熱強度提高。
又，於本發明中，以板狀等表面積較小之形態供給包含第2金屬(Cu合金)之嵌入材，因此可使與包含於第1及/或第2接合對象物之第1金屬(Sn或Sn合金)之反應緩慢。
即，於將嵌入材設為板狀之情形時，例如與於將構成嵌入材之第2金屬按照表面積較大之粉末之形態而以焊膏狀供給之情形相比，可充分地縮小第2金屬之表面積，從而可使與第1金屬之反應緩慢。其結果，可使第1金屬(Sn或Sn合金)以液體之形式存在之時間變長，而形成無空隙且緻密之接合部。
又，由於第1金屬為液體之時間變長，因此藉由液體狀之第1金屬之表面張力而自對準性亦提高。
又，根據本發明之接合結構體，可提供一種如上所述般第1及第2接合對象物經由以熔點較高之金屬間化合物為主要成分之接合部而確實地接合，耐熱強度亦優異之接合結構體。
再者，較佳為，為了更確實地獲得本發明之效果，第1及第2接合對象物所具有之第1金屬(Sn或Sn合金)之量、與包含於嵌入材之第2金屬(包含選自Ni、Mn、Al、及Cr中之至少1種、及Cu之合金)之比率處於特定之範圍內，通常較理想的是，第1金屬相對於第1金屬之量與第2金屬之合計量之比率為70體積%以下。
1‧‧‧外部電極本體
2‧‧‧鍍層
3‧‧‧外部電極(第1接合對象物)
4‧‧‧內部電極
5‧‧‧陶瓷層
10‧‧‧陶瓷積層體
11‧‧‧Cu電極膜
12‧‧‧鍍層
13‧‧‧安裝用電極(第2接合對象物)
51‧‧‧低熔點金屬球
52‧‧‧高熔點金屬球
53‧‧‧焊劑
54‧‧‧金屬間化合物
A‧‧‧晶片型電子零件
B‧‧‧玻璃環氧基板
C‧‧‧嵌入材
D‧‧‧接合結構體
M12‧‧‧金屬間化合物
圖1係表示為了實施本發明之接合方法而供給之第1(或第2)接合對象物即晶片型電子零件之圖。
圖2係為了實施本發明之接合方法而供給之包括第2(或第1)接合對象物即安裝用電極之玻璃環氧基板的圖。
圖3係表示藉由本發明之接合方法而將第1接合對象物與第2接合對象物接合時之一步驟之圖。
圖4係表示藉由本發明之接合方法，將第1接合對象物與第2接合 對象物接合而成之接合結構體之圖。
圖5係表示藉由本發明之接合方法，將第1接合對象物與第2接合對象物接合而成之接合結構體之變化例之圖。
圖6係表示使用先前之焊料焊膏進行焊接之情形時之焊料的行為之圖，(a)係表示加熱前之狀態之圖，(b)係表示焊接步驟結束後之狀態之圖。
以下，表示本發明之實施形態，而進一步詳細地對作為本發明之特徵之部分進行說明。
再者，該實施形態係以如下之情形為例而進行說明：經由嵌入材而將於陶瓷積層體之兩端部配設有外部電極之晶片型電子零件(積層陶瓷電容器)之外部電極(第1接合對象物)接合至玻璃環氧基板上之安裝用電極(第2接合對象物)。
[第1及第2接合對象物之準備]
首先，如圖1所示，作為第1接合對象物，準備包括外部電極3之晶片型電子零件A，該外部電極3係於形成於交錯地積層有內部電極4與陶瓷層5之陶瓷積層體10之兩端部之包含Cu厚膜電極之外部電極本體1之表面，形成如表1及2之試料編號1~25所示之Sn或包含Sn之合金(熔點低於構成嵌入材之Cu合金之第1金屬)之鍍層2而成。
再者，雖未圖示，但於Cu厚膜電極與Sn或包含Sn之合金之鍍層2之間，形成有鍍Ni。
又，鍍層2係並非必需覆蓋外部電極本體1之整個面，只要以於熱處理步驟中，與下述嵌入材C產生反應而形成金屬間化合物之態樣賦予於外部電極本體1即可。
又，如圖2所示，作為第2接合對象物，準備包括安裝用電極13之玻璃環氧基板B，該安裝用電極13係於形成於主表面之Cu電極膜11 之表面，形成如表1及2之試料編號1~25所示之第1金屬(Sn或包含Sn之合金)之鍍層12而成。再者，鍍層12能夠以覆蓋如圖2所示之Cu電極膜11之表面整體即覆蓋Cu電極膜11之上表面及側面之方式形成，亦可僅形成於Cu電極膜11之上表面，進而亦可僅形成於上表面之一部分。
於該實施形態中，作為第1接合對象物(晶片型電子零件之外部電極)及第2接合對象物(玻璃環氧基板之安裝用電極)之鍍層2及12用第1金屬(低熔點金屬)，如表1及2所示般使用Sn-3Ag-0.5Cu、Sn、Sn-3.5Ag、Sn-0.75Cu、Sn-15Bi、Sn-0.7Cu-0.05Ni、Sn-5Sb、Sn-2Ag-0.5Cu-2Bi、Sn-30Bi、Sn-3.5Ag-0.5Bi-8In、Sn-9Zn、Sn-8Zn-3Bi。
再者，於上述第1金屬之表述中，表示有如下情形：例如，試料編號1之「Sn-3Ag-0.5Cu」係低熔點金屬材料為含有3重量%之Ag，含有0.5重量%之Cu，且將剩餘部分設為Sn之合金(Sn合金)。
[嵌入材之準備]
進而，作為嵌入材，準備如表1及2所示之包含Cu合金(第2金屬)之板狀之嵌入材。
再者，作為構成嵌入材之第2金屬，如表1及2所示般使用Cu-5Ni、Cu-10Ni、Cu-15Ni、Cu-20Ni、Cu-30Ni、Cu-5Mn、Cu-10Mn、Cu-15Mn、Cu-20Mn、Cu-30Mn、Cu-12Mn-4Ni、Cu-10Mn-1P、Cu-10Al、Cu-10Cr合金。
作為構成嵌入材之第2金屬，通常使用Cu-Ni、Cu-Mn、Cu-Al、及Cu-Cr合金中之任一者，但亦可如試料編號22般同時包含Mn與Ni，又，亦可如試料編號23般包含P(磷)等第3成分。
又，為了進行比較，作為嵌入材，準備不包括本發明之必要條件之表2之試料編號26及27的嵌入材。
再者，試料編號26之嵌入材係包含Cu之嵌入材，又，試料編號27之嵌入材係包含Cu-Zn合金之嵌入材。
[第1接合對象物與第2接合對象物之接合]
如圖3所示，以外部電極(第1接合對象物)3介隔表1及2之各嵌入材C而與表1及2之各玻璃環氧基板B上之安裝用電極(第2接合對象物)13對向之方式，載置表1及2之各晶片型電子零件A，以250℃、30分鐘之條件進行回焊。
藉此，如圖4所示，獲得晶片型電子零件A之外部電極(第1接合對象物)3、與玻璃環氧基板B之安裝用電極(第2接合對象物)13經由金屬間化合物(接合部)M12而接合之接合結構體D。
再者，圖5係表示以此方式獲得之接合結構體D之變化例。於本發明之接合結構體中，亦可如圖5所示般殘存嵌入材C之一部分，又，亦能夠以未產生反應之狀態，殘存構成外部電極3之Sn或包含Sn之合金(低熔點金屬)之鍍層2中的不與嵌入材C接觸之部分之鍍層2。
又，相同地，使用不包括本發明之必要條件之嵌入材(試料編號26之包含Cu之嵌入材、與試料編號27之包含Cu-Zn合金之嵌入材)，將與試料編號1~10中所使用者相同之晶片型電子零件之外部電極接合至玻璃環氧基板之安裝用電極。
[特性之評估]
將以此方式獲得之接合結構體作為試料，而藉由以下之方法評估特性。
《接合強度》
使用結合測試器測定所獲得之接合結構體之剪切強度而評估接合強度。
剪切強度之測定係於橫壓速度：0.1 mm‧s-1 、室溫及260℃之條件下進行。
接著，將剪切強度為20 Nmm-2 以上者評估為◎(優)，將2 Nmm-2 以上且小於20 Nmm-2 者評估為○(良)，將小於2 Nmm-2 者評估為×(不 佳)。
於表1及2中，一併表示對各試料進行調查之室溫及260℃下之接合強度之值與評估結果。
《殘留成分評估》
切取約7 mg之於回焊後凝固之接合部之金屬間化合物(反應生成物)，以測定溫度為30℃~300℃、升溫速度為5℃/min、環境為N2 、參考為Al2 O3 之條件，進行示差掃描熱量測定(DSC(Differential Scanning Calorimetry)測定)。根據所獲得之DSC圖之第1金屬(低熔點金屬)成分之熔融溫度的熔融吸熱峰值之吸熱量，對所殘留之低熔點金屬成分量進行定量，從而求出殘留低熔點金屬含有率(體積%)。而且，將殘留低熔點金屬含有率為0體積%之情形評估為◎(優)，將大於0體積%且50體積%以下之情形評估為○(良)，將大於50體積%之情形評估為(不佳)。
於表1及2中，一併表示殘留低熔點金屬含有率與評估結果。
《流出不良率》
藉由以下之方法，調查所獲得之接合結構體之流出不良率。
首先，以環氧樹脂密封接合結構體而放置至相對濕度為85%之環境，從而以峰值溫度為260℃之回焊條件進行加熱。接著，將接合材料再熔融而流出者作為不良，調查流出不良之產生比率。接著，根據其結果，求出流出不良產生率。
將接合材料之流出不良率為0%之情形評估為◎(優)，將大於0%且50%以下之情形評估為○(良)，將大於50%之情形評估為×(不佳)。
於表1及2中，一併表示流出不良產生率與評估結果。
《緻密性》
藉由金屬顯微鏡觀察所獲得之接合結構體之剖面而確認有無存在於接合部之空隙。將不存在一邊為50 μm以上之空隙之情形時評估 為◎，將存在之情形評估為×。
於表1及2中，一併表示緻密性評估結果。
如表1及2所示，對於室溫下之接合強度，確認出如下情形：試料編號1~25之包括本發明之必要條件之試料(實施例)、與試料編號26、27之不包括本發明之必要條件之比較例之試料均表示20 Nmm-2 以上之接合強度，且均具備實用強度。
另一方面，若對260℃下之接合強度進行觀察，則確認出如下情形：於試料編號26、27之比較例之試料之情形時，接合強度為2 Nmm-2 而不充分，與此相對，試料編號1~25之本發明之實施例之試料係保持20 Nmm-2 以上而具備實用強度。
又，對於殘留低熔點金屬含有率(殘留成分評估)，確認出如下情形：於試料編號26、27之比較例之試料之情形時，殘留低熔點金屬含有率大於50體積%，與此相對，於試料編號1~25之本發明之實施例之試料之情形時，殘留低熔點金屬含有率均為50體積%以下。
又，確認出如下情形：作為構成嵌入材之第2金屬而使用有Cu-Ni、Cu-Mn、Cu-Mn-Ni、Gu-Mn-P合金之試料編號1~23之試料係殘留低熔點金屬含有率低於使用有Cu-Al合金或Cu-Cr合金之試料編號24、25之試料。
又，確認出如下情形：使用有Ni量或Mn量為5~20重量%之Cu-Ni合金或Cu-Mn合金之試料編號1~4、6~9的試料係殘留低熔點金屬含有率低於Ni量或Mn量為30重量%之試料編號5、10之試料。
進而，確認出如下情形：於作為第1金屬(低熔點金屬)而使用有Sn或包含85重量%以上之Sn之合金之情形時(試料編號1~4、6~9、11~17、19~23)，殘留低熔點金屬含有率成為0體積%而特佳。
又，對於接合材料之流出不良率，確認出如下情形：於試料編號26、27之比較例之試料之情形時，流出不良率為50%以上，與此相對，試料編號1~25之本發明之實施例之試料係流出不良率均為50%以下。
特別是，確認出如下情形：於作為第1金屬(低熔點金屬)而使用有Sn或包含85重量%以上之Sn之合金，作為第2金屬而使用有Ni量或Mn量為5~20重量%之合金之情形時(試料編號1~4、6~9、11~17、19~23)，流出不良率為0%而具有較高之耐熱性。
又，如上所述，於包括本發明之必要條件之試料編號1~25之試料中，確認出與第1金屬(低熔點金屬)之種類無關地具備具有實用性之耐熱性，但於第2金屬之Ni量或Mn量為30重量%之試料編號5、10之試料之情形時，可知具有如下傾向：與其他試料(1~4、6~9、11~25之試料)相比，260℃時之接合強度略微下降。
再者，根據本發明之接合方法，確認出獲得緻密性高於如下之情形之接合部：如上述專利文獻2之接合方法，使用包含Sn等第1金屬粉末、熔點高於第1金屬粉末之第2金屬粉末(Cu-Mn合金或Cu-Ni合金)、及焊劑成分之焊錫膏，接合不包含Sn等第1金屬之第1及第2接合對象物。
再者，上述實施形態係以第1接合對象物為晶片型電子零件(積層陶瓷電容器)之外部電極，第2接合對象物為玻璃環氧基板之安裝用電極之情形時為例而進行了說明，但第1及第2接合對象物之種類並不制約於此。
例如，第1及/或第2接合對象物亦可為具有其他構成之電子零件之外部電極、或形成於其他基板之電極。
又，本發明亦可適用於如將「鍍敷有Sn或Sn合金之Cu線」接合至基板上之電極或電子零件之外部電極之情形。
本發明係於進而其他方面，亦不限定於上述實施形態，關於第1金屬及第2金屬之組成等，可於發明之範圍內，施加各種應用、變化。
1‧‧‧外部電極本體
2‧‧‧鍍層
3‧‧‧外部電極(第1接合對象物)
4‧‧‧內部電極
5‧‧‧陶瓷層
10‧‧‧陶瓷積層體
11‧‧‧Cu電極膜
12‧‧‧鍍層
13‧‧‧安裝用電極(第2接合對象物)
A‧‧‧晶片型電子零件
B‧‧‧玻璃環氧基板
C‧‧‧嵌入材

Claims (6)

  1. 一種接合方法，其特徵在於：其係使用嵌入材而將第1接合對象物與第2接合對象物接合之方法，且上述第1接合對象物及/或上述第2接合對象物具有第1金屬，該第1金屬係由熔點低於構成下述嵌入材之合金之Sn或包含Sn之合金構成，構成上述嵌入材之合金係選自Cu-Ni合金、Cu-Mn合金、Cu-Al合金及Cu-Cr合金中之至少1種，以於上述第1接合對象物與上述第2接合對象物之間，配置有上述嵌入材之狀態進行熱處理，而生成上述第1接合對象物及/或上述第2接合對象物所具有之上述第1金屬、與構成上述嵌入材之合金之金屬間化合物，藉此將上述第1接合對象物與上述第2接合對象物接合。
  2. 如請求項1之接合方法，其中上述第1金屬為含有70重量%以上之Sn之合金。
  3. 如請求項1之接合方法，其中上述第1金屬為含有85重量%之Sn之合金。
  4. 如請求項1之接合方法，其中上述Cu-Ni合金為以5~30重量%之範圍含有Ni者，上述Cu-Mn合金為以5~30重量%之比率含有Mn者。
  5. 一種接合結構體，其特徵在於其係藉由如請求項1至4中任一項之接合方法而形成者。
  6. 一種接合結構體之製造方法，其特徵在於使用如請求項1至4中任一項之接合方法。
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