JP5933953B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- MOSトランジスタを含む半導体装置の製造方法であって、
半導体基板の上に形成された第1絶縁膜の上にゲート電極材料層を形成する工程と、
前記ゲート電極材料層の上にエッチングマスクを形成する工程と、
前記ゲート電極材料層をパターニングすることによりゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極が形成された前記半導体基板の上に第2絶縁膜を形成する工程と、を含み、
前記ゲート電極を形成する工程では、前記ゲート電極材料層がパターニングされるとともに、少なくとも、前記ゲート電極の側面の下部と、前記第1絶縁膜のうち前記側面に隣接する部分と、前記ゲート電極の上面または前記エッチングマスクの上面とを覆う保護膜が形成され、
前記第2絶縁膜を形成する工程では、前記保護膜を覆うように前記第2絶縁膜が形成される、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記エッチングマスクを形成する工程は、
前記ゲート電極材料層の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜をパターニングする工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2絶縁膜を形成する工程では、前記保護膜と前記ゲート電極の前記上面との間に前記エッチングマスクが位置した状態で、前記第2絶縁膜が形成される、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2絶縁膜をエッチングすることにより前記ゲート電極の側面を覆うサイドスペーサを形成する工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ゲート電極を形成する工程では、Cl 2 、HBrおよびO 2 の混合ガスを使って前記ゲート電極材料層をエッチングする、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体装置は固体撮像装置である、
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 画素部および周辺回路部を含む固体撮像装置の製造方法であって、
半導体基板の上に形成された第1絶縁膜の上にゲート電極材料層を形成する工程と、
前記ゲート電極材料層の上に第1エッチングマスクおよび第2エッチングマスクを形成する工程と、
前記ゲート電極材料層をパターニングすることにより前記画素部において前記第1エッチングマスクの下に第1ゲート電極を形成するとともに前記周辺回路部において前記第2エッチングマスクの下に第2ゲート電極を形成する工程と、
前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極が形成された前記半導体基板の上に第2絶縁膜を形成する工程と、
前記周辺回路部において前記第2絶縁膜をエッチングすることによって前記第2ゲート電極の側面にサイドスペーサを形成する工程と、
前記サイドスペーサの形成後に、前記第2ゲート電極にシリサイドを形成する工程と、を含み、
前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極を形成する工程では、前記ゲート電極材料層がパターニングされるとともに、少なくとも、前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極の側面の下部と、前記第1絶縁膜のうち前記側面に隣接する部分と、前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極の上面または前記第1エッチングマスクおよび前記第2エッチングマスクの上面とを覆う保護膜が形成され、
前記第2絶縁膜を形成する工程では、前記第2絶縁膜が前記保護膜を覆い、
前記シリサイドを形成する工程の前に、少なくとも前記第2ゲート電極の前記上面の上の前記保護膜を除去して、前記第2ゲート電極の前記上面を露出させる、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記第2絶縁膜を形成する工程の後に、前記第2ゲート電極の前記上面と前記第2絶縁膜との間に前記第2エッチングマスクが位置しており、
前記シリサイドを形成する工程の前に、前記第2エッチングマスクを除去して、前記第2ゲート電極の前記上面を露出させる、
ことを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記サイドスペーサを形成する工程と前記シリサイドを形成する工程の間に、前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極を覆う第3絶縁膜を形成し、前記第3絶縁膜が前記画素部に残るように前記周辺回路部において前記第3絶縁膜をエッチングした後に、前記第2エッチングマスクを除去して前記第2ゲート電極の前記上面を露出させる、
ことを特徴とする請求項8に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記シリサイドを形成する工程では、前記画素部において前記第2絶縁膜と前記第1ゲート電極の上面との間に前記保護膜が位置している
ことを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
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