JP5930118B2 - Ptcサーミスタ磁器組成物およびptcサーミスタ素子 - Google Patents
Ptcサーミスタ磁器組成物およびptcサーミスタ素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5930118B2 JP5930118B2 JP2015505334A JP2015505334A JP5930118B2 JP 5930118 B2 JP5930118 B2 JP 5930118B2 JP 2015505334 A JP2015505334 A JP 2015505334A JP 2015505334 A JP2015505334 A JP 2015505334A JP 5930118 B2 JP5930118 B2 JP 5930118B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mol
- ptc thermistor
- less
- site
- specific resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
- H01C7/022—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances
- H01C7/023—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances containing oxides or oxidic compounds, e.g. ferrites
- H01C7/025—Perovskites, e.g. titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/1406—Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/008—Thermistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3201—Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3227—Lanthanum oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3229—Cerium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3239—Vanadium oxides, vanadates or oxide forming salts thereof, e.g. magnesium vanadate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3262—Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3298—Bismuth oxides, bismuthates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc bismuthate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids, or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
Description
本発明は、ヒーター素子や過熱検知センサなどに用いられるPTCサーミスタ磁器組成物およびPTCサーミスタ素子に関する。
サーミスタとして、正の抵抗温度特性を有するPTC(Positive Temperature coefficient)サーミスタが知られている。このPTCサーミスタは、温度の上昇に対して抵抗が増加することから、自己制御型発熱体、過電流保護素子、温度センサ等として利用されている。従来、PTCサーミスタは、主成分のチタン酸バリウム(BaTiO3)に微量の希土類元素等を添加して半導体化させたもので、キュリー温度以下では低抵抗であるが、それ以上では数桁にわたって急激に高抵抗化する。
チタン酸バリウムのキュリー温度は、一般的に約120℃であるが、Baの一部をSrやSnで置換することにより、キュリー温度を低温側にシフトさせることができる。しかし、キュリー温度の高温側へのシフトについては、Baの一部をPbで置換しているのが現状であり、世の中の環境負荷低減の流れからも、Pbを使用しない代替材料の実用化が求められている。
下記特許文献1には、Baの一部をPbではなく、(BiNa)で置換したBa1−2X(BiNa)XTiO3(0<X≦0.15)なる構造の組成物に、Nb、Ta、または希土類元素のいずれか一種類以上を添加して窒素中で焼結した後、酸化性雰囲気中で熱処理するPTCサーミスタの製造方法が示されている。
また下記特許文献2には、BamTiO3系組成物を主成分とし、AサイトとBサイトのモル比mが、1.001≦m≦1.01となるように配合されると共に、Aサイトを構成するBaの一部が、Na、Bi、Ca、及び希土類元素で置換され、かつ前記Aサイトを1モルとしたときの前記Caの含有量が、モル比換算で0.05〜0.20である構造の組成物を、窒素雰囲気中で焼結させた非Pb系のPTCサーミスタが開示されている。
更に、下記特許文献3には、Ba、Ti、Bi、Oの各元素を必須元素として含むとともに、1価のアルカリ金属を一種類以上含み、Biに対する1価のアルカリ金属のモル比X2が0.65≦X2≦1.59であり、Nbの含有量が480ppm以下であり、Sb、Ta、各希土類元素の含有量がそれぞれ10ppm以下であるPbを使用しないPTCサーミスタ磁器組成物が開示されている。
前記いずれの特許文献に関しても、Pbを使用せずにキュリー点を120℃より高温側にシフトさせたPTCサーミスタであって、常温比抵抗が小さく、かつ常温比抵抗とキュリー点を越えて上昇した抵抗との変化幅(以下、便宜上、「PTCジャンプ」という)が大きいPTCサーミスタが得られると記載されている。
前記特許文献1の実施例には、Ba1−2X(BiNa)XTiO3(0<X≦0.15)なる構造の組成物に、Ndを添加して窒素中で焼結した後、酸化性雰囲気中で熱処理した結果についての記載があるが、その他の半導体化剤を添加した場合については詳細な記載が無く、特性向上の有無や程度については不明である。また、大気中の焼成では半導体化できないので、大気中焼成する場合と比較して、製造コストが高くなるという問題がある。
また、前記特許文献2の実施例には、窒素雰囲気中で焼成し、(Ba1−w−x−y−zNawBixCayLaz)mTiO3+0.00025Mn(1.001≦m≦1.01,0.05≦y≦0.20,0.02≦(w+x)≦0.2,0.0005≦z≦0.015)で表されるPbを含まないPTCサーミスタが示されているが、大気中の焼成では半導体化できないので、大気中焼成する場合と比較して、製造コストが高くなるという問題がある。
また、前記特許文献3については、Biに対する1価のアルカリ金属のモル比X1が1.03≦X1≦3.16であるPTCサーミスタ用配合材料を使用して、Biに対する1価のアルカリ金属のモル比X2が0.65≦X2≦1.59であるPTCサーミスタ焼結体を、大気中あるいは還元雰囲気中のいずれかで焼成する、との記載がある。
しかしながら、PTCサーミスタに通電し、ヒーターとして使用すると比抵抗が変化してしまう等、経時変化に問題を生じる可能性がある。
本発明は、このような実情に鑑みてなされ、チタン酸バリウム系のPTCサーミスタであって、Pbを使用せずにキュリー点を120℃より高温側にシフトさせたPTCサーミスタであって、大気中あるいは窒素雰囲気中のいずれかの焼成でも容易に半導体化し、常温比抵抗が小さく、かつ経時変化が小さいPTCサーミスタ磁器組成物およびPTCサーミスタを提供することを目的とする。
本発明者らは、前記課題を解決するために種々の検討を行った結果、チタン酸バリウム系のPTCサーミスタにおいて、Baの一部をPbではなく、所定の範囲でBiおよびアルカリ金属A(NaあるいはK)で置換し、なおかつBaサイト/Tiサイトのmol比およびCaの添加量を所定の範囲内にすることにより、大気中あるいは窒素雰囲気中のいずれかの焼成においても容易に半導体化し、常温比抵抗が低く、キュリー点が120℃より高温側にシフトしたPTCサーミスタを得ることができた。また、ヒーター素子として使用しても、経時変化を小さくすることができた。
本発明者らは、かかる特性が発揮される理由として、Biとアルカリ金属A(NaあるいはK)の比率をBi過剰とすることで、過剰なBiが半導体化を促すと共に、焼結助剤として適度な粒成長を促し、結果として大気中あるいは窒素雰囲気中のいずれかの焼成においても、低抵抗なPTCサーミスタが得られるものと考えている。また、Baサイト/Tiサイトのmol比を所定の範囲内にすることで異常粒成長を抑制し、更にCaの添加量を所定の範囲とすることでアルカリ金属Aの結晶粒界への析出を抑制し、通電時のアルカリ金属Aイオンの移動を抑制することができるので、結果として経時変化の小さいPTCサーミスタが得られるものと考えている。ただし、半導体化のメカニズムについては、これに限定されるものではない。
すなわち、本発明は、Tiサイトを1molとすると、下記一般式(1)で示されるチタン酸バリウム系化合物を主成分とする焼結体を備えており、
(Ba1−x−y−wBixAyREw)α(Ti1−zTMz)O3 (1)
前記一般式(1)において、
前記Aは、NaまたはKより選択される少なくとも1種の元素であり、
前記REは、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy及びErからなる群より選択される少なくとも1種の元素であり、
前記TMは、V、Nb及びTaからなる群より選択される少なくとも1種の元素であり、
w、x、y、z、(いずれもmol)、及びα(Baサイト/Tiサイトのmol比)は、下記式(2)〜(5)を満足し、
1.02y≦x≦1.5y (2)
0.007≦y≦0.125 (3)
0≦(w+z)≦0.01 (4)
0.97≦α≦1.06 (5)
前記焼結体は、Caを元素換算で0.01mol以上、0.05mol未満の割合で含むことを特徴とするPTCサーミスタ磁器組成物である。
(Ba1−x−y−wBixAyREw)α(Ti1−zTMz)O3 (1)
前記一般式(1)において、
前記Aは、NaまたはKより選択される少なくとも1種の元素であり、
前記REは、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy及びErからなる群より選択される少なくとも1種の元素であり、
前記TMは、V、Nb及びTaからなる群より選択される少なくとも1種の元素であり、
w、x、y、z、(いずれもmol)、及びα(Baサイト/Tiサイトのmol比)は、下記式(2)〜(5)を満足し、
1.02y≦x≦1.5y (2)
0.007≦y≦0.125 (3)
0≦(w+z)≦0.01 (4)
0.97≦α≦1.06 (5)
前記焼結体は、Caを元素換算で0.01mol以上、0.05mol未満の割合で含むことを特徴とするPTCサーミスタ磁器組成物である。
また、前記PTCサーミスタ磁器組成物は、さらにTiサイト1molに対し、Siを元素換算で0.035mol以下の割合で含むことが好ましい。Siを前記範囲内で含むことにより、経時変化減少効果がある。
また、前記PTCサーミスタ磁器組成物は、さらにTiサイト1molに対し、Mnを元素換算で0.0015mol以下の割合で含むことが好ましい。Mnを前記範囲内で含むことにより、PTCジャンプの向上効果がある。
また、前記PTCサーミスタ磁器組成物中のAについては、NaとKを両方含み、かつNa/Kのmol比が、6/4以上、9/1以下の場合がより好ましい。Na/Kのmol比が前記範囲内となった場合、常温比抵抗の低抵抗化効果がより高まる。
更に、この発明は前記PTCサーミスタ磁器組成物を用いて形成されたセラミック素体と、前記セラミック素体の表面に形成された電極とを備えたPTCサーミスタ素子である。
本発明によれば、チタン酸バリウム系のPTCサーミスタにおいて、大気中あるいは窒素雰囲気中のいずれかの焼成においても容易に半導体化し、25℃の比抵抗が103Ωcm以下と低く、経時変化(25℃抵抗変化率)が20%以下と小さく、キュリー点が120℃より高温側にシフトしたPTCサーミスタを得ることができる。
本発明にかかる組成物は、Tiサイト1molに対し、mol比による組成物が
(Ba1−x−y−wBixAyREw)α(Ti1−zTMz)O3 (1)
[ただし、AはNaまたはKより選択される少なくとも1種の元素、REはY、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy及びErからなる群より選択される少なくとも1種の元素、TMはV、Nb及びTaからなる群より選択される少なくとも1種の元素]で表されるものを主成分とし、更にCaを副成分として含むものである。
(Ba1−x−y−wBixAyREw)α(Ti1−zTMz)O3 (1)
[ただし、AはNaまたはKより選択される少なくとも1種の元素、REはY、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy及びErからなる群より選択される少なくとも1種の元素、TMはV、Nb及びTaからなる群より選択される少なくとも1種の元素]で表されるものを主成分とし、更にCaを副成分として含むものである。
一般式(1)において、Baサイトの一部をBi、A、REで置換する量、Tiサイトの一部をTMで置換する量、更にはBaサイトとTiサイト比をそれぞれ示すw、x、y、z及びαは、下記式(2)〜(5)を満足する。ただし、REによるBaサイトの置換およびTMによるTiサイトの置換は任意である。
1.02y≦x≦1.5y (2)
0.007≦y≦0.125 (3)
0≦(w+z)≦0.01 (4)
0.97≦α≦1.06 (5)
さらに、(1)で示す組成物に対して、Caを元素換算で0.01mol以上、0.05mol未満の割合で含むものである。
1.02y≦x≦1.5y (2)
0.007≦y≦0.125 (3)
0≦(w+z)≦0.01 (4)
0.97≦α≦1.06 (5)
さらに、(1)で示す組成物に対して、Caを元素換算で0.01mol以上、0.05mol未満の割合で含むものである。
また、前記PTCサーミスタ磁器組成物は、さらにTiサイト1molに対し、Siを元素換算で0.035mol以下の割合で含むことが好ましい。さらには、0.005mol以上、0.02mol以下がより好ましい。結晶粒界に析出したSiは、同じく結晶粒界に微量に析出したアルカリ金属Aと化合物を形成し、通電時のアルカリ金属Aイオンの移動を抑制することができるので、経時変化減少効果がある。ただし、Siが0.035mol超えると、過剰なSi元素が結晶粒界に多量に偏析し、伝導電子の移動を妨げて25℃の比抵抗がやや悪くなる傾向がある。
また、前記PTCサーミスタ磁器組成物は、さらにTiサイトに対し、Mnを元素換算で0.0015mol以下の割合で含むことが好ましい。さらには、0.0005mol以上、0.001mol以下がより好ましい。Mnを前記範囲内で含むことにより、結晶粒界にて適度なアクセプタ準位を形成し、PTCジャンプの向上効果がある。ただし、Mnが0.0015molを超えると、伝導電子のトラップが過剰となり、25℃の比抵抗がやや悪くなる傾向がある。
一般式(1)において、AはNaまたはKより選択される少なくとも1種の元素であり、Bi元素の成分範囲xは、Aの成分範囲yと関係があり、1.02y≦x≦1.5yが好ましい範囲である。xが1.02y未満では、抵抗変化率が20%を超えてしまい、経時変化が大きい。またxが1.5yを超えると、過剰なBi元素が結晶粒界に多量に偏析し、伝導電子の移動を妨げて25℃の比抵抗が103Ωcmを超えてしまい、好ましくない。
また上記組成式において、Aの成分範囲yは、0.007≦y≦0.125が好ましい。yが0.007未満では、キュリー点が高温側へシフトしない。また、yが0.125を超えると、半導体化が不十分となり、25℃の比抵抗が103Ωcmを超えてしまうので、好ましくない。
なお、前記アルカリ金属元素AがNaの場合とKの場合では、キュリー点の高温側へのシフト量が異なるが、25℃の比抵抗や抵抗変化率は、ほぼ同じである。
なお、前記アルカリ金属元素物中のAについては、NaとKを両方含み、かつNa/Kのmol比が、6/4以上、9/1以下の範囲がより好ましい。Na/Kのmol比が前記範囲内となった場合、25℃の比抵抗をより小さくすることができる。
また上記組成式において、ドナー成分であるREおよびTMの総量:(w+z)については、0.01以下であれば比抵抗減少効果および経時変化減少効果があるが、全く含有していなくてもよい。なお、25℃の比抵抗、PTCジャンプ、経時変化、それぞれのバランスを考慮した場合、0.001mol以上、0.005mol以下がより好ましい。また、(w+z)が0.01を超えると、未固溶元素が粒界に偏析して伝導電子の移動を妨げ、25℃の比抵抗減少効果および経時変化減少効果が小さくなってしまう傾向がある。また、REとして、Sm、Gd、Er、TMとしてNbを選択するのがより好ましい。更には、前記RE(Sm、Gd、Er)とTM(Nb)を等量ずつ添加するのがより好ましい。前記ドナー種および添加方法とすることで、比抵抗減少効果があがる。
また、上記組成式において、α(Baサイト/Tiサイトのmol比)は、0.97≦α≦1.06である。αが0.97未満では、抵抗変化率が20%を超えてしまい、経時変化が大きい。また、αが1.06を超えると焼結密度が低下し、25℃の比抵抗が103Ωcmを超えてしまうので、好ましくない。好ましくは、1.01≦α≦1.03の範囲とすることで、25℃の比抵抗をより小さくすることができる。
また上記組成式に対して、副成分として添加するCaの成分範囲は、0.01mol以上、0.05mol未満が好ましい範囲である。Caの成分範囲が0.01mol未満では、半導体化が不十分となり、25℃の比抵抗が103Ωcmを超えてしまうので、好ましくない。また、Caの成分範囲が0.05mol以上では、焼結密度が低下し、25℃の比抵抗が103Ωcmを超えてしまうので、好ましくない。好ましくは、0.03mol以上、0.04mol以下の範囲とすることで、25℃の比抵抗をより小さくすることができる。
本発明の組成物は、前記組成式を構成する各元素を含む化合物を混合、仮焼し、当該仮焼粉を粉砕した後、バインダーを添加して造粉、成形し、その後脱バイ、焼成を行うことによって得られる。前記焼成は大気中あるいは窒素雰囲気中のいずれでも行うことができるが、窒素雰囲気中で焼成した場合は、さらに800〜1000℃の酸化性雰囲気中にて熱処理を行う必要があるため、工程の簡素化の観点から大気中で焼成することが望ましい。
なお、本発明におけるPTCジャンプは、下記式(6)によって計算することができる。下記式(6)で計算される値が大きいほど、PTCジャンプが大きくPTC特性に優れている。なお、式(6)におけるRmaxは、抵抗−温度特性における最大抵抗値、Rminは最小抵抗値である。
PTCジャンプ=Log10(Rmax/Rmin)、単位:桁 (6)
PTCジャンプ=Log10(Rmax/Rmin)、単位:桁 (6)
以下、実施例及び比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
(実施例1(試料番号1〜77)、比較例1〜29)
出発原料としてBaCO3、TiO2、Bi2O3、Na2CO3、K2CO3、CaCO3、SiO2、MnCO3、REの酸化物(例えばY2O3)、TMの酸化物(例えば、Nb2O5)を準備し、焼結後の組成が表1〜8となるように各原料を秤量した後、ボールミルを用いてアセトン中で湿式混合した後に乾燥を行い、900℃で2時間仮焼した。
出発原料としてBaCO3、TiO2、Bi2O3、Na2CO3、K2CO3、CaCO3、SiO2、MnCO3、REの酸化物(例えばY2O3)、TMの酸化物(例えば、Nb2O5)を準備し、焼結後の組成が表1〜8となるように各原料を秤量した後、ボールミルを用いてアセトン中で湿式混合した後に乾燥を行い、900℃で2時間仮焼した。
上記仮焼体を、ボールミルを用いて純水中で湿式粉砕した後、脱水乾燥を行い、これをポリビニルアルコール等のバインダーを用いて造粒し、造粒粉体を得た。これを一軸プレス機によって円柱状(直径17mm×厚さ1.0mm)に成型し、大気雰囲気下、1200℃で2時間焼成を行い、焼結体を得た。
上記焼結体の両面にスクリーン印刷にてAg−Znペーストを塗布し、大気中500〜700℃にて焼き付けた後、25℃から280℃まで比抵抗の温度測定を行った。さらに、25℃の恒温槽に入れて13V、1000時間の通電試験を行い、試験後の25℃の比抵抗を測定し、試験前と比較して抵抗変化率を求め、経時変化を調べた。本発明における実施例1の結果を表1〜8に示す。
(実施例2(試料番号78))
焼成時の雰囲気を窒素雰囲気中とし、さらに800℃の大気中にて熱処理を行った以外は、実施例1と同様にしてPTCサーミスタを作製し、実施例1と同様の評価を行った。本発明における実施例2の結果を表9に示す。
焼成時の雰囲気を窒素雰囲気中とし、さらに800℃の大気中にて熱処理を行った以外は、実施例1と同様にしてPTCサーミスタを作製し、実施例1と同様の評価を行った。本発明における実施例2の結果を表9に示す。
表1より、Aの成分範囲yとキュリー点には相関があることがわかる。なお、AはNaまたはKより選択される少なくとも1種の元素である。試料番号1〜10によると、Aの成分範囲が0.007≦y≦0.125であれば、キュリー点がチタン酸バリウムのキュリー点である120℃よりも高温側へシフトしつつ、25℃の比抵抗が103Ωcm以下となっている。なお、yの含有量が多いほどキュリー点が高温側へシフトし、25℃の比抵抗は、やや増加傾向にあることがわかる。Aの成分範囲が0.007未満である比較例1と比較例3は、25℃の比抵抗は小さいが、キュリー点が120℃よりも高温側にシフトしていない。また、Aの成分範囲が0.125を超える比較例2と比較例4は、25℃の比抵抗が103Ωcmを大きく超えてしまうことがわかる。なお、AがNaの場合とKの場合では、キュリー点の高温側へのシフト量が若干異なるが、25℃の比抵抗や抵抗変化率は、ほぼ同じであることがわかる。
表2より、Bi元素の成分範囲xは、Aの成分範囲yと相関があることがわかる。試料番号1、3、5および11〜16によると、xの成分範囲が1.02y≦x≦1.5yであれば、25℃の比抵抗が小さく、抵抗変化率が20%以下に抑えられていることがわかる。なおyが一定の場合、xが多いほど25℃の比抵抗は、やや減少傾向にあることがわかる。xの成分範囲が1.02y未満である比較例5、7、9は、25℃の比抵抗は小さいが、抵抗変化率が20%を超えていることがわかる。また、xの成分範囲が1.5yを超える比較例6、比較例8、比較例10は、25℃の比抵抗が増大し、103Ωcmを超えていることがわかる。
表3より、アルカリ金属元素であるAについては、NaとKを両方含み、かつNa/Kのmol比が、6/4以上、9/1以下である試料番号71〜74の場合、Naのみ含まれる試料番号15、あるいはKのみ含まれる試料番号77よりも25℃の比抵抗が小さいことがわかる。また、NaとKを両方含んでいるが、そのmol比が5/5である試料番号75と2/8である試料番号76については、Naのみ、あるいはKのみ含まれる場合と比べて、25℃の比抵抗は小さくなっておらず、逆にやや大きくなっていることがわかる。
表4より、Baサイト/Tiサイトのmol比αは、抵抗変化率および25℃比抵抗と相関があることがわかる。αの範囲が、0.97≦α≦1.06である試料番号15、17〜19では、25℃の比抵抗が小さく、抵抗変化率が20%以下に抑えられていることがわかる。αが0.97未満である比較例11および1.06を超える比較例12は、抵抗変化率が20%を超えており、さらに25℃の比抵抗も103Ωcmを超えていることがわかる。
表5より、副成分であるCaの成分範囲は、25℃の比抵抗と関係があることがわかる。Caの成分範囲が0.01mol以上、0.05mol未満である試料番号15、20、21では、25℃の比抵抗が小さく、抵抗変化率が20%以下に抑えられていることがわかる。なお、Caの含有量が多いほど、25℃の比抵抗は、やや増加傾向にあることがわかる。Caの成分範囲が0.01mol未満である比較例13および0.05mol以上である比較例14については、25℃の比抵抗が増大し、103Ωcmを超えていることがわかる。
表6の試料番号15、22〜24より、副成分であるSiの成分範囲が、0.035以下であれば、経時変化減少効果があることがわかる。また、0.005mol以上0.02mol以下の場合に、より経時変化減少効果が大きいことがわかる。またSiの成分範囲が0.035を超える比較例15については、経時変化減少効果が小さいことがわかる。
表7の試料番号15、25〜28より、Mnの成分範囲が、0.0015mol以下であれば、その成分量が多いほどPTCジャンプが向上していることがわかる。なお、25℃の比抵抗とPTCジャンプの両立を考慮すると、0.0005mol以上、0.001mol以下がより好ましい。ただし、比較例16のように、0.0015molを超えると、25℃の比抵抗がやや悪くなる傾向があり、PTCジャンプ向上効果も小さいことがわかる。
表8の試料番号15、29〜70より、REおよびTMの総量:(w+z)が、0.01以下であれば、比抵抗減少効果および経時変化減少効果があることがわかる。また、25℃の比抵抗、PTCジャンプ、経時変化それぞれのバランスを考慮すると、0.001mol以上、0.005mol以下がより好ましい。なお、REが、Sm、Gd、Er、TMがNbの場合に25℃の比抵抗が他のRE、TMよりも小さいことがわかる。また(w+z)が、0.01を超える比較例17〜29については、25℃の比抵抗が103Ωcmを超えてしまうことがわかる。更には、試料番号65〜70より、(w+z)が同じ値でも、REとTMを等量ずつ添加したほうが25℃の比抵抗が小さいことがわかる。
表9の試料番号78より、焼成時の雰囲気を窒素雰囲気(PO2=10−7atm)にした場合は、大気中で焼成したものと、ほぼ同等の特性が得られることがわかる。
Claims (5)
- 下記一般式(1)で示されるチタン酸バリウム系化合物を主成分とする焼結体を備えており、
(Ba1−x−y−wBixAyREw)α(Ti1−zTMz)O3 (1)
前記一般式(1)において、
前記Aは、NaまたはKより選択される少なくとも1種の元素であり、
前記REは、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy及びErからなる群より選択される少なくとも1種の元素であり、
前記TMは、V、Nb及びTaからなる群より選択される少なくとも1種の元素であり、
w、x、y、z、(いずれもmol)、及びα(Baサイト/Tiサイトのmol比)は、下記式(2)〜(5)を満足し、
1.02y≦x≦1.5y (2)
0.007≦y≦0.125 (3)
0≦(w+z)≦0.01 (4)
0.97≦α≦1.06 (5)
さらに、Tiサイト1molに対し、Caを元素換算で0.01mol以上、0.05mol未満の割合で含むことを特徴とするPTCサーミスタ磁器組成物。 - 前記PTCサーミスタ磁器組成物が、さらにTiサイト1molに対し、Siを元素換算で0.035mol以下の割合で含むことを特徴とする請求項1に記載のPTCサーミスタ磁器組成物。
- 前記PTCサーミスタ磁器組成物が、さらにTiサイト1molに対し、Mnを元素換算で0.0015mol以下の割合で含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のPTCサーミスタ磁器組成物。
- 前記PTCサーミスタ磁器組成物中のAについて、NaとKを両方含み、かつNa/Kのmol比が、6/4以上、9/1以下の範囲となることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のPTCサーミスタ磁器組成物。
- 前記請求項1から4のいずれかに記載のPTCサーミスタ磁器組成物を用いて形成されたセラミック素体と、前記セラミック素体の表面に形成された電極とを備えたPTCサーミスタ素子。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013047850 | 2013-03-11 | ||
JP2013047850 | 2013-03-11 | ||
PCT/JP2014/053579 WO2014141814A1 (ja) | 2013-03-11 | 2014-02-17 | Ptcサーミスタ磁器組成物およびptcサーミスタ素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5930118B2 true JP5930118B2 (ja) | 2016-06-08 |
JPWO2014141814A1 JPWO2014141814A1 (ja) | 2017-02-16 |
Family
ID=51536489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015505334A Expired - Fee Related JP5930118B2 (ja) | 2013-03-11 | 2014-02-17 | Ptcサーミスタ磁器組成物およびptcサーミスタ素子 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9697935B2 (ja) |
JP (1) | JP5930118B2 (ja) |
KR (1) | KR101793895B1 (ja) |
CN (1) | CN105026336A (ja) |
DE (1) | DE112014001227B4 (ja) |
WO (1) | WO2014141814A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102021213863A1 (de) | 2021-01-15 | 2022-07-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Keramikkörper und verfahren zu dessen herstellung, heizelement, heizeinheit, heizsystem sowie reinigungssytem |
DE102023106890A1 (de) | 2022-03-23 | 2023-09-28 | Ngk Insulators, Ltd. | Keramikkörper, wabenstruktur, verfahren zum herstellen eines keramikkörpers und heizelement |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6337689B2 (ja) * | 2013-10-03 | 2018-06-06 | Tdk株式会社 | 半導体磁器組成物およびptcサーミスタ |
JP6424728B2 (ja) * | 2014-07-03 | 2018-11-21 | Tdk株式会社 | 半導体磁器組成物およびptcサーミスタ |
JP2017034140A (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | Tdk株式会社 | 半導体磁器組成物およびptcサーミスタ |
JP2017143090A (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | Tdk株式会社 | 半導体磁器組成物およびptcサーミスタ |
JP2017141117A (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | Tdk株式会社 | 半導体磁器組成物およびptcサーミスタ |
KR101853191B1 (ko) * | 2016-07-28 | 2018-04-27 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물, 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 및 적층 세라믹 커패시터의 제조 방법 |
JP6848327B2 (ja) | 2016-10-19 | 2021-03-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 正温度係数抵抗体用組成物、正温度係数抵抗体用ペースト、正温度係数抵抗体ならびに正温度係数抵抗体の製造方法 |
DE102017101946A1 (de) | 2017-02-01 | 2018-08-02 | Epcos Ag | PTC-Heizer mit verringertem Einschaltstrom |
CN109704755A (zh) * | 2019-02-03 | 2019-05-03 | 南京理工大学 | 一种双位掺杂节能型加热材料及其制备方法 |
CN114560694B (zh) * | 2022-03-30 | 2022-12-09 | 深圳市金科特种材料股份有限公司 | 一种陶瓷ptc热敏电阻材料的制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008152976A1 (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 半導体セラミック材料 |
JP2009256179A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-11-05 | Nichicon Corp | 正特性サーミスタ磁器組成物 |
WO2011043344A1 (ja) * | 2009-10-06 | 2011-04-14 | 日立金属株式会社 | 半導体磁器組成物およびその製造方法、ptc素子および発熱モジュール |
JP2012004496A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Hitachi Metals Ltd | Ptc素子および発熱モジュール |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56169301A (en) | 1980-06-02 | 1981-12-26 | Tohoku Metal Ind Ltd | Method of producing barium titanate semiconductor porcelain |
JP3319314B2 (ja) * | 1996-11-20 | 2002-08-26 | 株式会社村田製作所 | チタン酸バリウム系半導体磁器組成物 |
JP4080576B2 (ja) * | 1997-09-05 | 2008-04-23 | Tdk株式会社 | 正特性半導体磁器の製造方法 |
JP3636075B2 (ja) * | 2001-01-18 | 2005-04-06 | 株式会社村田製作所 | 積層ptcサーミスタ |
JP2007048764A (ja) * | 2003-10-30 | 2007-02-22 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型正特性サーミスタおよびその設計方法 |
US20070202036A1 (en) * | 2004-04-07 | 2007-08-30 | Nathalie Jongen | Production Of Barium Titanate Compounds |
CN101213155B (zh) * | 2005-04-28 | 2012-11-21 | 日立金属株式会社 | 半导体陶瓷组合物及其制备方法 |
JP2008063188A (ja) | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Furukawa Co Ltd | Ptcサーミスタ用配合材料およびptcサーミスタ用半導体磁器組成物 |
EP2067755A4 (en) * | 2006-09-28 | 2016-02-10 | Murata Manufacturing Co | BARIUM TITANATE SEMICONDUCTOR PORCELAIN COMPOSITION AND PTC DEVICE USING THE SAME |
US7993547B2 (en) | 2006-11-01 | 2011-08-09 | Hitachi Metals, Ltd. | Semiconductor ceramic composition and process for producing the same |
EP2019395B1 (en) * | 2007-07-24 | 2011-09-14 | TDK Corporation | Stacked electronic part and method of manufacturing the same |
CN102245536B (zh) | 2008-12-12 | 2013-07-31 | 株式会社村田制作所 | 半导体陶瓷以及正特性热敏电阻 |
EP2377836B1 (en) | 2008-12-12 | 2018-07-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic and positive temperature coefficient thermistor |
JP5327553B2 (ja) * | 2008-12-12 | 2013-10-30 | 株式会社村田製作所 | 半導体セラミック及び正特性サーミスタ |
CN102531575A (zh) | 2011-12-14 | 2012-07-04 | 华中科技大学 | 一种Sm2O3掺杂BaTiO3基片式PTCR陶瓷材料及其制备方法 |
JP6337689B2 (ja) * | 2013-10-03 | 2018-06-06 | Tdk株式会社 | 半導体磁器組成物およびptcサーミスタ |
-
2014
- 2014-02-17 WO PCT/JP2014/053579 patent/WO2014141814A1/ja active Application Filing
- 2014-02-17 CN CN201480013308.8A patent/CN105026336A/zh active Pending
- 2014-02-17 US US14/774,824 patent/US9697935B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-02-17 KR KR1020157021068A patent/KR101793895B1/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-02-17 JP JP2015505334A patent/JP5930118B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-02-17 DE DE112014001227.0T patent/DE112014001227B4/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008152976A1 (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 半導体セラミック材料 |
JP2009256179A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-11-05 | Nichicon Corp | 正特性サーミスタ磁器組成物 |
WO2011043344A1 (ja) * | 2009-10-06 | 2011-04-14 | 日立金属株式会社 | 半導体磁器組成物およびその製造方法、ptc素子および発熱モジュール |
JP2012004496A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Hitachi Metals Ltd | Ptc素子および発熱モジュール |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6016005538; M.-J. LEE et al.: 'Properties of the Positive Temperature Coefficient Resistor Behavior on the Na and K Doped BaTiO3' KOREAN JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH 20, 201012, 654-660. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102021213863A1 (de) | 2021-01-15 | 2022-07-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Keramikkörper und verfahren zu dessen herstellung, heizelement, heizeinheit, heizsystem sowie reinigungssytem |
DE102023106890A1 (de) | 2022-03-23 | 2023-09-28 | Ngk Insulators, Ltd. | Keramikkörper, wabenstruktur, verfahren zum herstellen eines keramikkörpers und heizelement |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112014001227B4 (de) | 2019-10-10 |
CN105026336A (zh) | 2015-11-04 |
DE112014001227T5 (de) | 2016-01-07 |
WO2014141814A1 (ja) | 2014-09-18 |
US9697935B2 (en) | 2017-07-04 |
KR101793895B1 (ko) | 2017-11-06 |
KR20150103726A (ko) | 2015-09-11 |
US20160027560A1 (en) | 2016-01-28 |
JPWO2014141814A1 (ja) | 2017-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5930118B2 (ja) | Ptcサーミスタ磁器組成物およびptcサーミスタ素子 | |
JP6337689B2 (ja) | 半導体磁器組成物およびptcサーミスタ | |
US9472326B2 (en) | Semiconductor ceramic composition and PTC thermistor | |
JP5099782B2 (ja) | 正特性サーミスタ磁器組成物 | |
JP5327556B2 (ja) | 半導体セラミック及び正特性サーミスタ | |
JP4765258B2 (ja) | 半導体磁器組成物 | |
JP5327553B2 (ja) | 半導体セラミック及び正特性サーミスタ | |
KR20170016805A (ko) | 반도체 자기 조성물 및 ptc 서미스터 | |
KR20170094085A (ko) | 반도체 자기 조성물 및 ptc 서미스터 | |
JP6604653B2 (ja) | 半導体磁器組成物およびその製造方法 | |
JP4788274B2 (ja) | Ctr特性を有する酸化物導電体磁器および抵抗体 | |
JP5881169B2 (ja) | 半導体磁器組成物の製造方法 | |
JP2014072374A (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器組成物およびそれを用いたptcサーミスタ | |
JP2016184694A (ja) | 半導体磁器組成物およびptcサーミスタ | |
JP5988388B2 (ja) | 半導体磁器組成物およびその製造方法 | |
JP5267505B2 (ja) | 半導体磁器組成物 | |
JP6075877B2 (ja) | 半導体磁器組成物およびその製造方法 | |
JPH1197212A (ja) | 正特性サーミスタおよびその製造方法 | |
JP2016079043A (ja) | 半導体磁器組成物およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160314 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160405 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160418 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5930118 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |