JP5099782B2 - 正特性サーミスタ磁器組成物 - Google Patents

Description

本発明は、キュリー温度を高温側へシフトさせる正特性サーミスタ磁器組成物に関する。

チタン酸バリウム系の正特性サーミスタは、主成分であるチタン酸バリウムを半導体化させ、常温では比抵抗が低いがキュリー点を超えると急激に比抵抗が増大（ジャンプ）するという、正の抵抗温度特性を有しており、従来からヒータ用、過電流保護用、温度検知用等に幅広く用いられている。

従来、チタン酸バリウム系の正特性サーミスタ磁器組成物において、キュリー温度を１２０℃よりも高温側にシフトさせるために、Ｂａの一部をＰｂで置換することが知られている。
しかしながら、Ｐｂは飲料水や食物を介して人体に吸収されると、知能障害や悪性貧血を引き起こすおそれがある環境負荷物質に挙げられているため、近年、Ｐｂ系材料を使用せずにキュリー温度を１２０℃よりも高温側へシフトさせる材料が要望されている。

例えば、特許文献１にはチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）のＢａの一部をビスマス−ナトリウム（Ｂｉ−Ｎａ）で置換したＢａ_１−２ｘ（ＢｉＮａ）_ｘＴｉＯ_３なる構造において、ｘを０＜ｘ≦０．１５の範囲とした組成物にニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）または希土類元素のいずれか１種以上を加えて窒素中で焼成した後、酸化性雰囲気中で熱処理するチタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法が提案されている。

特許文献２には組成式を、
［（Ａ１_０．５Ａ２_０．５）_ｘ（Ｂａ_１−ｙＱ_ｙ）_１−ｘ］ＴｉＯ_３
（但し、Ａ１はＮａ、Ｋ、Ｌｉの１種または２種以上、Ａ２はＢｉ、ＱはＬａ、Ｄｙ、Ｅｕ、Ｇｄの１種または２種以上）と表し、前記ｘ、ｙが、０＜ｘ≦０．２、０．００２≦ｙ≦０．０１、より好ましくはｙが０．００５≦ｙ≦０．０１を満足することを特徴とする半導体磁器組成物、
および組成式を、
［（Ａ１_０．５Ａ２_０．５）_ｘＢａ_１−ｘ］［Ｔｉ_１−ｚＭ_ｚ］Ｏ_３
（但し、Ａ１はＮａ、Ｋ、Ｌｉの１種または２種以上を、Ａ２はＢｉ、ＭはＮｂ、Ｔａ、Ｓｂの１種または２種以上）と表し、前記ｘ、ｙが、０＜ｘ≦０．２、０＜ｚ≦０．０１、より好ましくは０＜ｚ≦０．００５を満足することを特徴とする半導体磁器組成物
にＳｉ酸化物を３．０ｍｏｌ％以下、Ｃａ酸化物を４．０ｍｏｌ％以下添加したことを特徴とする半導体磁器組成物が提案されている。

特開昭５６−１６９３０１号公報 特開２００５−２５５４９３号公報

しかしながら、前記いずれの特許文献に関しても、窒素ガスなどの中性ガスによる中性雰囲気や還元ガスによる還元性雰囲気中の焼成においては半導体化が実現しているが、大気中の焼成では半導体化が実現できないため、製造工程における中性ガス、および還元ガスを用いた雰囲気設定・維持管理にコストがかかる。
また、中性、還元性雰囲気における焼成後に酸化性雰囲気下で焼成する２回の焼成工程が必要となるために生産コストが高くなるという問題がある。

したがって、本発明は、チタン酸バリウム系の正特性サーミスタ磁器組成物であって、大気中の焼成においても半導体化し、Ｐｂ系材料を使用することなくキュリー温度を高温側へシフトさせることができ、かつ比抵抗を減少させることができる正特性サーミスタ磁器組成物を提供することを課題とする。

本発明者は、前記課題を解決するため種々検討した結果、チタン酸バリウム系の磁器組成物において、Ｂａの一部をＢｉ−Ｌｉ、Ｂｉ−Ｎａ、およびＢｉ−Ｋ系で置換し、更に、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ）を過剰量添加することで、大気中の焼成においても半導体化し、かつ比抵抗が低く、キュリー温度の高い正特性サーミスタ磁器組成物を得ることに成功し、前記課題を解決した。

すなわち本発明は、
モル比による組成式が（Ｂａ_a、Ｓｒ_b、Ａ_c、Ｂｉ_d、Ｍ_e）（Ｔｉ_f、Ｑ_g）Ｏ₃［但し、ＡはＬｉ、ＮａおよびＫからなる群から選ばれる少なくとも１種、ＭはＮｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕからなる群から選ばれる少なくとも１種、ＱはＮｂ、ＴａおよびＳｂからなる群から選ばれる少なくとも１種であり、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇが、
０．６≦ａ≦０．９８、
０≦ｂ≦０．２、
０．００５＜ｃ≦０．１５、
０．００５＜ｄ≦０．１５、
０．００１≦ｅ≦０．００４、
０．９９５≦ｆ≦１、
０．００１≦ｇ≦０．００５
（但し、ｅとｇのうち一方が上記範囲であれば、他方は０であってもよい）
であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１、ｆ＋ｇ＝１である］で表されるものを主成分とし、
該主成分に対して、Ｌｉ、ＮａまたはＫの少なくとも１種を、元素換算で０．５０ｍｏｌ％以上、４５．０ｍｏｌ％以下の割合で、副成分として含み、さらに
該主成分に対して、Ｂを、元素換算で８．０ｍｏｌ％以下の割合で、副成分として含む
ことを特徴とする正特性サーミスタ磁器組成物である。

主成分を構成する各金属元素を、上記組成式を満たす割合で含むことにより、キュリー温度を１２０℃より高温側へシフトさせることができるとともに、比抵抗値を低くすることができる。特に、前記ｅを０．００１≦ｅ≦０．００４及び／又は前記ｇを０．００１≦ｇ≦０．００５の範囲とすることにより、比抵抗値が下がり易くなり、エージングによる抵抗値の上昇を抑制し易くなる。
さらに、上記組成式で表される主成分に対して、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ）を上記範囲にて過剰量含むことにより、比抵抗を減少させることができるとともに、大気中の焼成においても半導体化が可能となる。
さらに、前記主成分に対してＢを元素換算で８．０ｍｏｌ％以下の割合（好ましくは０．０５〜１．０ｍｏｌ％）で含むことにより、より効果的に比抵抗を減少及び／又はキュリー温度を高温側へシフトさせることができる。

また、前記正特性サーミスタ磁器組成物は、さらに前記主成分に対してＳｉを元素換算で８．０ｍｏｌ％以下の割合で、Ｃａを元素換算で１５．０ｍｏｌ％以下の割合で、副成分として含むことが好ましい。Ｓｉ、およびＣａを上記範囲の量だけ含むことにより、比抵抗を減少させることができるとともに、大気中の焼成においても半導体化が容易になる。

本発明によれば、大気中の焼成においても半導体化でき、低い比抵抗値を示し、Ｐｂ系材料を使用することなく、１２０℃より高いキュリー温度を実現するチタン酸バリウム系の正特性サーミスタを作製することができる。

本発明にかかる組成物は、モル比による組成式が（Ｂａ_a、Ｓｒ_b、Ａ_c、Ｂｉ_d、Ｍ_e）（Ｔｉ_f、Ｑ_g）Ｏ₃［但し、ＡはＬｉ、ＮａおよびＫからなる群から選ばれる少なくとも１種、ＭはＮｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕからなる群から選ばれる少なくとも１種、ＱはＮｂ、ＴａおよびＳｂからなる群から選ばれる少なくとも１種であり、Ｓｒは任意成分であり、ＭとＱはいずれか一方のみでもよい］で表されるものを主成分とし、さらに、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋの少なくとも１種を副成分として含み、さらに、Ｂを副成分として含むものである。また、任意にＳｉおよびＣａを副成分として含むものである。
本発明の組成物は、例えば、主成分を構成する各金属元素を含む化合物を、前記組成式・組成値を満たす配合にて添加し、さらに、上記組成式で表される主成分に対して、各副成分を含む化合物を、各副成分の金属元素換算値が上記範囲となる割合にて添加した後、混合し、仮焼し、当該仮焼体を粉砕した後造粒し、成形し、焼成することによって得ることができる。
上記仮焼・焼成は大気中で行うことができる。なお、焼成後の組成物において、副成分は主成分に固溶していてもよい。

主成分を構成する各金属元素は、例えば酸化物や炭酸塩の形で添加することができる。好ましい例として、ＢａＣＯ_３、ＳｒＣＯ_３、Ｌｉ_２ＣＯ_３、Ｎａ_２ＣＯ_３、Ｋ_２ＣＯ_３、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等を挙げることができる。また、Ｍ、Ｑの成分としてＮｂ_２Ｏ_５、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｙ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｃｅ_２Ｏ_３、Ｐｒ_６Ｏ_１１、Ｎｄ_２Ｏ_３、Ｓｍ_２Ｏ_３、Ｅｕ_２Ｏ_３、Ｇｄ_２Ｏ_３、Ｔｂ_２Ｏ_３、Ｄｙ_２Ｏ_３、Ｈｏ_２Ｏ_３、Ｅｒ_２Ｏ_３、Ｔｍ_２Ｏ_３、Ｙｂ_２Ｏ_３、Ｌｕ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３等を挙げることができる。
これらの化合物を、各金属元素が、主成分の組成式・組成値を満たすように配合すればよい。
なお、各金属元素が上記組成値を満たす割合で配合されていればよく、酸素の量は過剰となってもよい。

上記組成式において、各組成値のより好ましい範囲は、０．８０≦ａ≦０．９６、０≦ｂ≦０．０５、０．０１≦ｃ≦０．１０、０．０１≦ｄ≦０．１０、０．００１≦ｅ≦０．００４、０．９９５≦ｆ≦１、０≦ｇ≦０．００５である。

主成分を構成する金属元素と同様、副成分である各金属元素（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋの少なくとも１種、Ｓｉ、ＢおよびＣａ）も、各金属元素含有化合物として添加することができる。
例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋは、Ｌｉ、ＮａまたはＫの酸化物、炭酸塩、硝酸塩、ハロゲン化物もしくは水酸化物等の形で添加することができ、Ｓｉは、Ｓｉの酸化物、窒化物および炭化物等の形で添加することができ、Ｂは、Ｂの酸化物、炭化物および窒化物等の形で添加することができ、Ｃａは、Ｃａの酸化物、炭酸塩および水酸化物等の形で添加することができる。
これらの化合物を、上記組成式で表される主成分に対し、各副成分が金属元素換算で上記ｍｏｌ％の範囲となるよう配合すればよい。

より好ましい実施形態において、本発明にかかる磁器組成物は、副成分であるＬｉ、ＮａまたはＫの少なくとも１種を、主成分に対して、１．０ｍｏｌ％以上４０．０ｍｏｌ％以下の量で含み、Ｓｉを８．０ｍｏｌ％以下の量で含み、Ｂを８．０ｍｏｌ％以下の量で含み、Ｃａを１５．０ｍｏｌ％以下の量で含む。
また、さらに好ましくは、Ｌｉ、ＮａまたはＫの少なくとも１種を、主成分に対して、５．０ｍｏｌ％以上１５．０ｍｏｌ％以下の量で含み、Ｓｉを０．５ｍｏｌ％以上６．０ｍｏｌ％以下の量で含み、Ｂを０．０５ｍｏｌ％以上２．０ｍｏｌ％以下（特に好ましくは０．０５ｍｏｌ％以上１．０ｍｏｌ％以下）の量で含み、Ｃａを１．０ｍｏｌ％以上５．０ｍｏｌ％以下の量で含む。

［試料番号１〜１０９］
出発原料としてＢａＣＯ_３、ＳｒＣＯ_３、ＣａＣＯ_３、Ｌｉ_２ＣＯ_３、Ｎａ_２ＣＯ_３、Ｋ_２ＣＯ_３、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｙ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｃｅ_２Ｏ_３、Ｐｒ_６Ｏ_１１、Ｎｄ_２Ｏ_３、Ｓｍ_２Ｏ_３、Ｅｕ_２Ｏ_３、Ｇｄ_２Ｏ_３、Ｔｂ_２Ｏ_３、Ｄｙ_２Ｏ_３、Ｈｏ_２Ｏ_３、Ｅｒ_２Ｏ_３、Ｔｍ_２Ｏ_３、Ｙｂ_２Ｏ_３、Ｌｕ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３を準備し、これらを表に示す所定の組成に配合した。更に、ボールミルを用いて純水、またはエタノール中で湿式混合した後に脱水乾燥を行い、７００〜１０００℃で６０〜１２０分間仮焼した。

その後、仮焼体を、ボールミルを用いて純水、またはエタノール中で湿式粉砕した後、脱水乾燥を行い、これをＰＶＡ等のバインダーを用いて造粒し、造粒粉体を得た。これを一軸プレス機によって円柱状（直径１３ｍｍ×厚さ１．５ｍｍ）に成形し、大気雰囲気下、１１００〜１３５０℃で１０〜３６０分間焼成を行い、焼成体を得た。

次いで、得られた焼成体の両面にインジウム−ガリウム合金を塗布し、比抵抗測定を行い、温度と該比抵抗の関係を評価した。室温から２００℃の範囲で比抵抗を評価した結果を表１〜４に示す。

表４のＮｏ．８３〜８６および比較例１９はＭがＮｂの主成分（ＮｂはＮｂ_２Ｏ_５として添加）、
Ｎｏ．８７はＭがＴａ（ＴａはＴａ_２Ｏ_５として添加）、
Ｎｏ．８８はＭがＳｂ（ＳｂはＳｂ_２Ｏ_３として添加）、
Ｎｏ．８９はＭがＹ（ＹはＹ_２Ｏ_３として添加）、
Ｎｏ．９０はＭがＬａ（ＬａはＬａ_２Ｏ_３として添加）、
Ｎｏ．９１はＭがＣｅ（ＣｅはＣｅ_２Ｏ_３として添加）、
Ｎｏ．９２はＭがＰｒ（ＰｒはＰｒ_６Ｏ_１１として添加）、
Ｎｏ．９３はＭがＮｄ（ＮｄはＮｄ_２Ｏ_３として添加）、
Ｎｏ．９４はＭがＳｍ（ＳｍはＳｍ_２Ｏ_３として添加）、
Ｎｏ．９５はＭがＥｕ（ＥｕはＥｕ_２Ｏ_３として添加）、
Ｎｏ．９６はＭがＧｄ（ＧｄはＧｄ_２Ｏ_３として添加）、
Ｎｏ．９７はＭがＴｂ（ＴｂはＴｂ_２Ｏ_３として添加）、
Ｎｏ．９８はＭがＤｙ（ＤｙはＤｙ_２Ｏ_３として添加）、
Ｎｏ．９９はＭがＨｏ（ＨｏはＨｏ_２Ｏ_３として添加）、
Ｎｏ．１００はＭがＥｒ（ＥｒはＥｒ_２Ｏ_３として添加）、
Ｎｏ．１０１はＭがＴｍ（ＴｍはＴｍ_２Ｏ_３として添加）、
Ｎｏ．１０２はＭがＹｂ（ＹｂはＹｂ_２Ｏ_３として添加）、
Ｎｏ．１０３はＭがＬｕ（ＬｕはＬｕ_２Ｏ_３として添加）、
Ｎｏ．１０４はＱがＳｂ（ＳｂはＳｂ_２Ｏ_３として添加）、
Ｎｏ．１０５はＱがＴａ（ＴａはＴａ_２Ｏ_５として添加）、
Ｎｏ．１０６〜１０９および比較例２０はＱがＮｂ（ＮｂはＮｂ_２Ｏ_５として添加）の場合を示す。

（従来例１〜８）
また、表５に従来例の組成式である（Ｂａ_ｖ、Ｇｄ_ｗ、Ｚ_ｘ、Ｂｉ_ｙ）ＴｉＯ_３（ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＝１）[但し、ＺはＮａおよびＫからなる群から選ばれる少なくとも１種]で表されるチタン酸バリウム系固溶体において、組成値ｖが０．７９５ ≦ｖ≦０．９７９、ｗが０．００１≦ｗ≦０．００５、ｘが０．０１≦ｘ≦０．１、ｙが０．０１≦ｙ≦０．１を満足する組成を大気中で焼成した正特性サーミスタ素子の比抵抗を示している。

表１〜５より、本発明の組成式で表されるチタン酸バリウム系の正特性サーミスタ磁器組成物は従来例と比較して、大気中の焼成においても半導体化しており、比抵抗を大幅に減少させていることが分かる。

次に、試料番号７８（Ｍの組成値ｅ＝0），試料番号８３（Ｍの組成値ｅ＝0.0005），試料番号８４（Ｍの組成値ｅ＝0.002）を２５℃で放置していたときの比抵抗の変化率と経時変化の関係を図１に示す。図１中の◆は試料番号７８、▲は試料番号８３、●は試料番号８４を示している。このグラフが示すように、Ｍの添加量が多くなるほど比抵抗の変化率が減少する傾向にある。しかし、組成比が０．０１を超えると比抵抗が上がるため好ましくない。

以上の結果より、（Ｂａ_a、Ｓｒ_b、Ａ_c、Ｂｉ_d）ＴｉＯ_３［但し、ＡはＬｉ、ＮａおよびＫからなる群から選ばれる少なくとも１種］の場合、表１〜３で示すように比抵抗が大幅に減少していることがわかる。
さらに、主成分が（Ｂａ_a、Ｓｒ_b、Ａ_c、Ｂｉ_d、Ｍ_e）（Ｔｉ_f、Ｑ_g）Ｏ_３［但し、ＡはＬｉ、ＮａおよびＫからなる群から選ばれる少なくとも１種、ＭはＮｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕからなる群から選ばれる少なくとも１種、ＱはＮｂ、ＴａおよびＳｂからなる群から選ばれる少なくとも１種］である場合、表４で示すように、比抵抗値をさらに減少させることができ、かつ比抵抗の経時変化率も抑制することができ、より好ましい。

また、表３および表４から明らかなように、副成分としてＢを添加した場合、キュリー温度は１６０℃以上となり、比抵抗値を低いものでは１０Ω・ｃｍ以下にまで低下させることができ、非常に優れた特性を示す正特性サーミスタが得られる。
例えば、試料番号７７、７８は、試料番号５４（比抵抗２２６Ω・ｃｍ／キュリー温度１３８℃）に、Ｂをそれぞれ、０．５ｍｏｌ％、０．２ｍｏｌ％添加したものであるが、試料番号７７では比抵抗は２６Ω・ｃｍ、キュリー温度は１６１℃となっており、試料番号７８では比抵抗は１９Ω・ｃｍ、キュリー温度は１６４℃となっており、特性が著しく向上していることが分かる。同様に、試料番号８０および８１は、試料番号５６（比抵抗３５０Ω・ｃｍ／キュリー温度１５０℃）に、Ｂをそれぞれ、０．５ｍｏｌ％、０．２ｍｏｌ％添加したものであるが、試料番号８０では比抵抗は４５Ω・ｃｍ、キュリー温度は１７６℃となっており、試料番号８１では比抵抗は２８Ω・ｃｍ、キュリー温度は１７５℃となっており、特性が著しく向上していることが分かる。

なお、Ｂａの組成値ａが０．６未満では、比抵抗が高くなり、０．９８を超えるとキュリー温度を１２０℃以上の高温側へシフトさせることができず、好ましくない。
また、Ｓｒの組成値ｂが０．２を超えると比抵抗が高くなり、Ａ（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ）の組成値ｃが０．００５以下の場合、および０．１５を超えた場合のいずれも比抵抗が高くなり、Ｂｉの組成値ｄが０．００５以下の場合、および０．１５を超えた場合のいずれも比抵抗が高くなるので好ましくない。
また、Ｍの組成値ｅが０．０１を超えると比抵抗が高くなり、Ｑの組成値ｇが０．０１を超えると比抵抗が高くなるので好ましくない。

また、副成分としてのＬｉ、Ｎａ、Ｋは、０．５０ｍｏｌ％未満、または４５ｍｏｌ％を超えた場合、比抵抗が高くなる。
また、任意の副成分であるＳｉは添加量が０．５ｍｏｌ％未満の場合は比抵抗低減の効果が小さく、０．５ｍｏｌ％以上の場合は比抵抗を低減することができるが、８．０ｍｏｌ％を超えると比抵抗が高くなる。また、副成分であるＢは添加量が０．０５ｍｏｌ％未満の場合は比抵抗低減の効果が小さく、０．０５ｍｏｌ％以上の場合は比抵抗を低減することができるが、８．０ｍｏｌ％を超えると比抵抗が高くなる。また、任意の副成分であるＣａは添加量が１．０ｍｏｌ％未満の場合は比抵抗低減の効果が小さく、１．０ｍｏｌ％以上の場合は比抵抗を低減することができるが、１５．０ｍｏｌ％を超えると比抵抗が高くなる。

上述したように、本発明によれば、大気中の焼成においても低比抵抗で、キュリー温度の高いチタン酸バリウム系の正特性サーミスタを得ることができるので、本発明にかかるチタン酸バリウム系磁器組成物は、動作温度が１２０℃よりも高温側である正特性サーミスタに適している。特に、車載用ＰＴＣヒータ、家電用ＰＴＣヒータに最適である。

比抵抗の変化率と時間の相関図

Claims (5)

1. モル比による組成式が（Ｂａ_a、Ｓｒ_b、Ａ_c、Ｂｉ_d、Ｍ_e）（Ｔｉ_f、Ｑ_g）Ｏ₃［但し、ＡはＬｉ、ＮａおよびＫからなる群から選ばれる少なくとも１種、ＭはＮｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕからなる群から選ばれる少なくとも１種、ＱはＮｂ、ＴａおよびＳｂからなる群から選ばれる少なくとも１種であり、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇが、
   ０．６≦ａ≦０．９８、
   ０≦ｂ≦０．２、
   ０．００５＜ｃ≦０．１５、
   ０．００５＜ｄ≦０．１５、
   ０．００１≦ｅ≦０．００４、
   ０．９９５≦ｆ≦１、
   ０．００１≦ｇ≦０．００５
   （但し、ｅとｇのうち一方が上記範囲であれば、他方は０であってもよい）
   であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１、ｆ＋ｇ＝１である］で表されるものを主成分とし、
   該主成分に対して、Ｌｉ、ＮａまたはＫの少なくとも１種を、元素換算で０．５０ｍｏｌ％以上、４５．０ｍｏｌ％以下の割合で、副成分として含み、さらに
   該主成分に対して、Ｂを、元素換算で８．０ｍｏｌ％以下の割合で、副成分として含む
   ことを特徴とする正特性サーミスタ磁器組成物。
2. 前記主成分に対して、Ｌｉ、ＮａまたはＫの少なくとも１種を、元素換算で５．０ｍｏｌ％以上、１５．０ｍｏｌ％以下の割合で、副成分として含むことを特徴とする請求項１に記載の正特性サーミスタ磁器組成物。
3. Ｂを元素換算で０．０５ｍｏｌ％以上、１．０ｍｏｌ％以下の割合で含むことを特徴とする請求項１または２に記載の正特性サーミスタ磁器組成物。
4. 前記正特性サーミスタ磁器組成物が、さらに前記主成分に対してＳｉを、元素換算で８．０ｍｏｌ％以下の割合で、副成分として含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の正特性サーミスタ磁器組成物。
5. 前記正特性サーミスタ磁器組成物が、さらに前記主成分に対してＣａを、元素換算で１５．０ｍｏｌ％以下の割合で、副成分として含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の正特性サーミスタ磁器組成物。

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