JP5882659B2 - セリウム塩の製造方法、酸化セリウム及びセリウム系研磨剤 - Google Patents
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Description
(1)6規定の硝酸12.5gと30%の過酸化水素水12.5gとの混合液に20g溶解した場合に溶液中に存在する不溶成分の濃度が質量比で5ppm以下であるセリウム塩。
(2)不溶成分が珪素を含む物質である上記(1)記載のセリウム塩。
(3)セリウム化合物から一種または複数種のセリウム含有中間体を得る工程を経て、沈殿剤を加えてセリウム塩の沈殿を得るセリウム塩の製造方法であって、溶液状態のセリウム含有中間体から不溶成分を分離・除去する工程を少なくとも一つ含むセリウム塩の製造方法。
(4)セリウム含有希土塩溶液に沈殿剤を加えてセリウム塩の沈殿を得る工程を含み、該工程では、予め不溶成分を除去した沈殿剤をセリウム含有希土塩溶液に加えて沈殿させる上記(3)記載のセリウム塩の製造方法。
(5)セリウム塩を、6規定硝酸と混合して溶液を得る工程と、該溶液の不溶成分を分離除去する工程と、該除去の後に沈殿剤を加えて精製されたセリウム塩を沈殿させる工程とを含む上記(3)または(4)記載のセリウム塩の製造方法。
(6)沈殿剤が、予め溶媒に溶解して不溶成分を分離除去した溶液状態である上記(3)〜(5)のいずれか記載のセリウム塩の製造方法。
(7)上記(1)または(2)記載のセリウム塩または上記(3)〜(6)のいずれか記載の製造方法で得られたセリウム塩を、250℃以上で高温処理してなる酸化セリウム。
(8)6規定の硝酸12.5gと30%の過酸化水素水12.5gとの混合液に20g溶解した場合に溶液中に存在する不溶成分の濃度が質量比で10ppm以下である上記(7)記載の酸化セリウム。
(9)6規定の硝酸12.5gと30%の過酸化水素水12.5gとの混合液に20g溶解した場合に溶液中に存在する不溶成分の濃度が質量比で10ppm以下である酸化セリウム。
(10)上記(7)〜(9)のいずれか記載の酸化セリウムを含むセリウム系研磨剤。
(11)6規定の硝酸12.5gと30%の過酸化水素水12.5gとの混合液に20g溶解した場合に、溶液中に存在する不溶成分の濃度が質量比で10ppm以下であるセリウム系研磨剤。
市販の炭酸セリウム6水和物240gを、6規定の硝酸150gに溶解し、炭酸セリウム溶解液390gを得た。この溶解液390gを、回転数1,000rpmで120分間遠心分離を行った。分離機を停止した後すみやかに、上澄み液を350g採取した。
次に、得られた炭酸セリウム約6kgをアルミナ製容器に入れ、800℃、空気中で2時間焼成することにより黄白色の粉末を約3kg得た。この粉末をX線回折法で相同定を行ったところ酸化セリウムであることを確認した。焼成粉末粒子径は30〜100μmであった。さらに、得られた酸化セリウム粉末3kgを、ジェットミルを用いて乾式粉砕し、酸化セリウム粒子を得た。
上記作製した酸化セリウム粒子1000gとポリアクリル酸アンモニウム塩水溶液(40質量%)40gと脱イオン水8960gを混合し、撹拌しながら超音波分散を10分間施してセリウム系研磨剤を調製した。得られた研磨剤を孔径1μmのフィルタでろ過した。研磨剤中の粒子をレーザ回折式粒度分布計(マルバーンインストルメンツ社製、マスターサイザ マイクロ・プラス)を用い、屈折率:1.9285、光源:He−Neレーザ、吸収0の条件で、原液(濾過後の研磨剤)について測定した結果、二次粒子径の平均値は200nmであった。
研磨荷重:30kPa
研磨パッド:発泡ポリウレタン樹脂(ロデール社製、型番IC−1000)
回転数:上盤75rpm、研磨パッド75rpm
研磨剤供給速度:200mL/分
研磨対象物:P−TEOS成膜Siウェハ(200mm径)
実施例1と同条件で調製した炭酸セリウム溶解液390gを、孔径が10.0μm、5.0μm、1.0μm、0.1μmのフィルタで段階的に吸引ろ過し、ろ液を390g採取した。
得られた炭酸セリウム約6kgをアルミナ製容器に入れ、800℃、空気中で2時間焼成することにより黄白色の粉末を約3kg得た。この粉末をX線回折法で相同定を行ったところ酸化セリウムであることを確認した。焼成粉末粒子径は30〜100μmであった。さらに、得られた酸化セリウム粉末3kgを、ジェットミルを用いて乾式粉砕し、酸化セリウム粒子を得た。
上記作製した酸化セリウム粒子1000gから、実施例1と同条件で、セリウム系研磨剤を調製し、粒子を測定したところ、二次粒子径の平均値は200nmであった。
(炭酸セリウムの不溶成分)
市販の炭酸セリウム20gを、6規定の硝酸12.5gと濃度30%の過酸化水素12.5gの混合液に加え、常温常圧の条件で170時間放置して完全溶解させ、孔径0.05μmのフィルタで、吸引ろ過を行い、不溶成分を捕集した。このフィルタを走査型電子顕微鏡で観察して、実施例1と同条件で、不溶成分の総質量を導出した。溶解に用いた炭酸セリウムの質量に対し、不溶成分の質量が占める割合を算出したところ、7.8ppmだった。
上記市販の炭酸セリウム6kgをアルミナ製容器に入れ、800℃、空気中で2時間焼成することにより黄白色の粉末を約3kg得た。この粉末をX線回折法で相同定を行ったところ酸化セリウムであることを確認した。焼成粉末粒子径は30〜100μmであった。さらに、得られた酸化セリウム粉末3kgを、ジェットミルを用いて乾式粉砕し、酸化セリウム粒子を得た。
上記作製した酸化セリウム粒子1000gから、実施例1と同条件で、セリウム系研磨剤を調製し、研磨剤粒子を測定した。ただし、レーザ回折式粒度分布計としてマルバーンインストルメンツ社製、商品名マスターサイザー 3000HSを用いた。測定した結果、二次粒子径の平均値は200nmであった。
Claims (8)
- 酸化セリウム粒子を含むセリウム系研磨剤であって、
該セリウム系研磨剤を乾燥させて得られる、前記酸化セリウム粒子を含む乾燥物は、6規定の硝酸12.5gと30%の過酸化水素水12.5gとの混合液に20g溶解した場合に溶液中に存在する、孔径0.05μmのフィルタで捕集される不溶成分の濃度が質量比で1ppm以下であり、
前記酸化セリウム粒子の二次粒子径の中央値が0.01〜1.0μmである、
セリウム系研磨剤。 - 前記酸化セリウム粒子は、セリウム塩の焼成物である、請求項1記載のセリウム系研磨剤。
- 前記セリウム塩は、6規定の硝酸12.5gと30%の過酸化水素水12.5gとの混合液に20g溶解した場合に溶液中に存在する、孔径0.05μmのフィルタで捕集される不溶成分の濃度が質量比で1ppm以下のセリウム塩である、請求項2記載のセリウム系研磨剤。
- 前記セリウム塩は炭酸セリウムである、請求項2又は3記載のセリウム系研磨剤。
- さらに分散剤を含む、請求項1〜4のいずれか1項記載のセリウム系研磨剤。
- pHが3以上9以下である、請求項1〜5のいずれか1項記載のセリウム系研磨剤。
- 請求項1〜6のいずれか1項記載のセリウム系研磨剤を用いて素材表面を研磨することを特徴とする研磨方法。
- 前記素材表面が絶縁膜である、請求項7記載の研磨方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP3430733B2 (ja) * | 1994-09-30 | 2003-07-28 | 株式会社日立製作所 | 研磨剤及び研磨方法 |
TW274625B (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-21 | Hitachi Seisakusyo Kk | |
JP2864451B2 (ja) * | 1994-11-07 | 1999-03-03 | 三井金属鉱業株式会社 | 研磨材及び研磨方法 |
JPH09183966A (ja) * | 1995-12-29 | 1997-07-15 | Seimi Chem Co Ltd | セリウム研摩材の製造方法 |
US6420269B2 (en) * | 1996-02-07 | 2002-07-16 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Cerium oxide abrasive for polishing insulating films formed on substrate and methods for using the same |
JP3560151B2 (ja) | 1996-02-07 | 2004-09-02 | 日立化成工業株式会社 | 酸化セリウム研磨剤、半導体チップ、それらの製造法及び基板の研磨法 |
TW365563B (en) * | 1997-04-28 | 1999-08-01 | Seimi Chem Kk | Polishing agent for semiconductor and method for its production |
JPH1112561A (ja) * | 1997-04-28 | 1999-01-19 | Seimi Chem Co Ltd | 半導体用研磨剤および半導体用研磨剤の製造方法 |
JP3480323B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2003-12-15 | 日立化成工業株式会社 | 酸化セリウム研磨剤、基板の研磨法及び半導体装置 |
JP2000026840A (ja) | 1998-07-09 | 2000-01-25 | Toray Ind Inc | 研磨材 |
JP3983949B2 (ja) * | 1998-12-21 | 2007-09-26 | 昭和電工株式会社 | 研磨用酸化セリウムスラリー、その製造法及び研磨方法 |
US6602111B1 (en) * | 1999-07-16 | 2003-08-05 | Seimi Chemical Co., Ltd. | Abrasive |
JP2001089748A (ja) | 1999-07-16 | 2001-04-03 | Seimi Chem Co Ltd | 研磨剤 |
TW586157B (en) * | 2000-04-13 | 2004-05-01 | Showa Denko Kk | Slurry composition for polishing semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device using the same |
US6733553B2 (en) * | 2000-04-13 | 2004-05-11 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Abrasive composition for polishing semiconductor device and method for producing semiconductor device using the same |
JP3510850B2 (ja) * | 2000-10-17 | 2004-03-29 | 株式会社相互ポンプ製作所 | ダブルポンプ |
JP4742422B2 (ja) * | 2001-01-18 | 2011-08-10 | 住友化学株式会社 | 硝酸セリウム(iv)アンモニウムの製造方法 |
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JP4237957B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2009-03-11 | 三井金属鉱業株式会社 | セリウム系研摩材原料の品質評価方法 |
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