JP5874832B2 - 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、積層セラミックコンデンサおよびその製造方法に関し、詳しくは、積層されている複数の誘電体セラミック層と、誘電体セラミック層間の複数の界面に配設されている複数の内部電極とを有する積層体と、積層体の外表面に形成され、内部電極と電気的に接続されている外部電極とを備える積層セラミックコンデンサとその製造方法に関する。
近年、電子機器の小型・軽量化にともない、小型で、大容量を取得することが可能な積層セラミックコンデンサが広く用いられている。この積層セラミックコンデンサは、例えば、図2に示すように、積層されている複数の誘電体セラミック層11と、誘電体セラミック層11間の複数の界面に配設されている複数の内部電極12とを有する積層体10と、積層体10の両端面に、交互に逆側の端面に露出した内部電極12と導通するように配設された一対の外部電極13a,13bとを備えた構造を有している。
そして、このような積層セラミックコンデンサにおいては、誘電体セラミック層を構成する材料として、高い誘電率を有する、BaやTiなどを含むペロブスカイト型化合物を主たる成分とする誘電体セラミック材料が広く用いられている。
そして、そのような誘電体セラミック材料として、 特許文献1に記載されているような誘電体磁器組成物が提案されている。
この誘電体磁器組成物は、一般式としてn(BaOx−SrOy−CaOz)(ZrmTi1-m)O2(但し、x+y+z=1、x、y、z、m、nはモル比)で表わされる組成系において、x、y、zが、引用文献1の表1に示されているa、b、c、d、eを直線で囲むモル比の組成範囲で、m≧0.95、0.8≦n≦1.04となる範囲の組成物を主成分として、この主成分100wt%に対し、添加物としてMn3O4を0.1〜0.7wt%、BaSiO3を0.5〜3.0wt%、V2O5を0.01〜0.07wt%、さらにAl2O3を0.05〜0.30wt%添加した誘電体磁器組成物である。
この誘電体磁器組成物は、一般式としてn(BaOx−SrOy−CaOz)(ZrmTi1-m)O2(但し、x+y+z=1、x、y、z、m、nはモル比)で表わされる組成系において、x、y、zが、引用文献1の表1に示されているa、b、c、d、eを直線で囲むモル比の組成範囲で、m≧0.95、0.8≦n≦1.04となる範囲の組成物を主成分として、この主成分100wt%に対し、添加物としてMn3O4を0.1〜0.7wt%、BaSiO3を0.5〜3.0wt%、V2O5を0.01〜0.07wt%、さらにAl2O3を0.05〜0.30wt%添加した誘電体磁器組成物である。
しかしながら、上記従来の誘電体磁器組成物の場合、焼成による結晶粒子の粒成長が急激に進みやすくなるため、特に素子厚(容量形成用の内部電極に挟まれた誘電体セラミック層の厚み)が3μm以下というような薄層領域において、素子厚に対する結晶粒子の粒径(グレイン粒径)が大きくなり過ぎて、初期ショート率が高くなるばかりでなく、高温負荷試験における絶縁抵抗の経時劣化が大きくなり、高温負荷寿命が短くなるという問題点がある。
本発明は、上記課題を解決するものであり、高温負荷試験における絶縁抵抗の経時変化が小さく、絶縁性劣化耐性に優れた信頼性の高い積層セラミックコンデンサおよびその製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の積層セラミックコンデンサは、
積層された複数の誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層どうしの界面のうちの複数の界面に配設された複数の内部電極とを有する積層体と、
前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている外部電極と、
を備える積層セラミックコンデンサであって、
前記積層体が、
Sr、Ba、Zr、Tiを含み、Caを任意で含むペロブスカイト型化合物と、Siと、Mnと、Alと、Vとを含有し、
ZrとTiの合計含有量を100モル部としたときに、
(a)Sr、Ba、Caの合計含有量m(モル部)が、100≦m≦105
(b)Siの含有量a(モル部)が、0.1≦a≦4.0
(c)Mnの含有量b(モル部)が、0.1≦b≦4.0
(d)Alの含有量c(モル部)が、0.01≦c≦3.0
(e)Vの含有量d(モル部)が、0.01≦d≦0.3
(f)Srと、Sr、Ba、Caの合計のモル比w(Sr/(Sr+Ba+Ca))が、0.60≦w≦0.95 (g)Caと、Sr、Ba、Caの合計のモル比y(Ca/(Sr+Ba+Ca))が、0≦y≦0.35
(h)Zrと、ZrとTiの合計のモル比z(Zr/(Zr+Ti))が、0.92≦z≦0.98
前記wの値と前記yの値の合計が、0.6≦w+y≦0.95
の関係を満たし、かつ、
複数の前記誘電体セラミック層のそれぞれが結晶粒子を有するとともに、前記結晶粒子の平均粒径が1.2μm以下であること
を特徴としている。
なお、積層セラミックコンデンサを構成する誘電体セラミックとして、上記のような一般式ABO3で表されるペロブスカイト型化合物のAサイトのSr、Ba(特にSr)が多く、かつ、Ca量の含有量が少ないか、あるいは、含まれていない組成領域の誘電体磁器組成物を用いた場合、焼結後の誘電体セラミック層の線膨張係数が大きくなりやすく、内部電極の線膨張係数に近くなることから、例えばNi内部電極を有する積層セラミックコンデンサに供した場合に内部応力が抑制され、特に耐湿負荷寿命(耐湿負荷試験における絶縁劣化寿命)が改善される傾向にある。
積層された複数の誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層どうしの界面のうちの複数の界面に配設された複数の内部電極とを有する積層体と、
前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている外部電極と、
を備える積層セラミックコンデンサであって、
前記積層体が、
Sr、Ba、Zr、Tiを含み、Caを任意で含むペロブスカイト型化合物と、Siと、Mnと、Alと、Vとを含有し、
ZrとTiの合計含有量を100モル部としたときに、
(a)Sr、Ba、Caの合計含有量m(モル部)が、100≦m≦105
(b)Siの含有量a(モル部)が、0.1≦a≦4.0
(c)Mnの含有量b(モル部)が、0.1≦b≦4.0
(d)Alの含有量c(モル部)が、0.01≦c≦3.0
(e)Vの含有量d(モル部)が、0.01≦d≦0.3
(f)Srと、Sr、Ba、Caの合計のモル比w(Sr/(Sr+Ba+Ca))が、0.60≦w≦0.95 (g)Caと、Sr、Ba、Caの合計のモル比y(Ca/(Sr+Ba+Ca))が、0≦y≦0.35
(h)Zrと、ZrとTiの合計のモル比z(Zr/(Zr+Ti))が、0.92≦z≦0.98
前記wの値と前記yの値の合計が、0.6≦w+y≦0.95
の関係を満たし、かつ、
複数の前記誘電体セラミック層のそれぞれが結晶粒子を有するとともに、前記結晶粒子の平均粒径が1.2μm以下であること
を特徴としている。
なお、積層セラミックコンデンサを構成する誘電体セラミックとして、上記のような一般式ABO3で表されるペロブスカイト型化合物のAサイトのSr、Ba(特にSr)が多く、かつ、Ca量の含有量が少ないか、あるいは、含まれていない組成領域の誘電体磁器組成物を用いた場合、焼結後の誘電体セラミック層の線膨張係数が大きくなりやすく、内部電極の線膨張係数に近くなることから、例えばNi内部電極を有する積層セラミックコンデンサに供した場合に内部応力が抑制され、特に耐湿負荷寿命(耐湿負荷試験における絶縁劣化寿命)が改善される傾向にある。
また、本発明の積層セラミックコンデンサは、
積層された複数の誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層どうしの界面のうちの複数の界面に配設された複数の内部電極とを有する積層体と、
前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている外部電極と、
を備える積層セラミックコンデンサであって、
前記積層体が、
Sr、Ba、Zr、Tiを含み、Caを任意で含むペロブスカイト型化合物と、Siと、Mnと、Alと、Vとを含有し、
前記積層体を溶解処理して溶液とした場合において、ZrとTiの合計含有量を100モル部としたときに、
(a)Sr、Ba、Caの合計含有量m(モル部)が、100≦m≦105
(b)Siの含有量a(モル部)が、0.1≦a≦4.0
(c)Mnの含有量b(モル部)が、0.1≦b≦4.0
(d)Alの含有量c(モル部)が、0.01≦c≦3.0
(e)Vの含有量d(モル部)が、0.01≦d≦0.3
(f)Srと、Sr、Ba、Caの合計のモル比w(Sr/(Sr+Ba+Ca))が、0.60≦w≦0.95 (g)Caと、Sr、Ba、Caの合計のモル比y(Ca/(Sr+Ba+Ca))が、0≦y≦0.35
(h)Zrと、ZrとTiの合計のモル比z(Zr/(Zr+Ti))が、0.92≦z≦0.98
前記wの値と前記yの値の合計が、0.6≦w+y≦0.95
の関係を満たし、かつ、
複数の前記誘電体セラミック層のそれぞれが結晶粒子を有するとともに、前記結晶粒子の平均粒径が1.2μm以下であること
を特徴としている。
積層された複数の誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層どうしの界面のうちの複数の界面に配設された複数の内部電極とを有する積層体と、
前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている外部電極と、
を備える積層セラミックコンデンサであって、
前記積層体が、
Sr、Ba、Zr、Tiを含み、Caを任意で含むペロブスカイト型化合物と、Siと、Mnと、Alと、Vとを含有し、
前記積層体を溶解処理して溶液とした場合において、ZrとTiの合計含有量を100モル部としたときに、
(a)Sr、Ba、Caの合計含有量m(モル部)が、100≦m≦105
(b)Siの含有量a(モル部)が、0.1≦a≦4.0
(c)Mnの含有量b(モル部)が、0.1≦b≦4.0
(d)Alの含有量c(モル部)が、0.01≦c≦3.0
(e)Vの含有量d(モル部)が、0.01≦d≦0.3
(f)Srと、Sr、Ba、Caの合計のモル比w(Sr/(Sr+Ba+Ca))が、0.60≦w≦0.95 (g)Caと、Sr、Ba、Caの合計のモル比y(Ca/(Sr+Ba+Ca))が、0≦y≦0.35
(h)Zrと、ZrとTiの合計のモル比z(Zr/(Zr+Ti))が、0.92≦z≦0.98
前記wの値と前記yの値の合計が、0.6≦w+y≦0.95
の関係を満たし、かつ、
複数の前記誘電体セラミック層のそれぞれが結晶粒子を有するとともに、前記結晶粒子の平均粒径が1.2μm以下であること
を特徴としている。
なお、本発明において、「積層体を溶解処理して溶液とした場合」とは、積層体を酸により溶解して溶液とした場合や、積層体をアルカリ融解した後、酸などに溶かして溶液とした場合などを意味する概念であり、溶解処理して溶液とする方法に特別の制約はない。
また、本発明の積層セラミックコンデンサは、
積層された複数の誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層どうしの界面のうちの複数の界面に配設された複数の内部電極とを有する積層体と、
前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている外部電極と、
を備える積層セラミックコンデンサであって、
前記誘電体セラミック層が、
Sr、Ba、Zr、Tiを含み、Caを任意で含むペロブスカイト型化合物と、Siと、Mnと、Alと、Vとを含有し、
ZrとTiの合計含有量を100モル部としたときに、
(a)Sr、Ba、Caの合計含有量m(モル部)が、100≦m≦105
(b)Siの含有量a(モル部)が、0.1≦a≦4.0
(c)Mnの含有量b(モル部)が、0.1≦b≦4.0
(d)Alの含有量c(モル部)が、0.01≦c≦3.0
(e)Vの含有量d(モル部)が、0.01≦d≦0.3
(f)Srと、Sr、Ba、Caの合計のモル比w(Sr/(Sr+Ba+Ca))が、0.60≦w≦0.95 (g)Caと、Sr、Ba、Caの合計のモル比y(Ca/(Sr+Ba+Ca))が、0≦y≦0.35
(h)Zrと、ZrとTiの合計のモル比z(Zr/(Zr+Ti))が、0.92≦z≦0.98
前記wの値と前記yの値の合計が、0.6≦w+y≦0.95
の関係を満たし、かつ、
複数の前記誘電体セラミック層のそれぞれが結晶粒子を有するとともに、前記結晶粒子の平均粒径が1.2μm以下であること
を特徴としている。
積層された複数の誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層どうしの界面のうちの複数の界面に配設された複数の内部電極とを有する積層体と、
前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている外部電極と、
を備える積層セラミックコンデンサであって、
前記誘電体セラミック層が、
Sr、Ba、Zr、Tiを含み、Caを任意で含むペロブスカイト型化合物と、Siと、Mnと、Alと、Vとを含有し、
ZrとTiの合計含有量を100モル部としたときに、
(a)Sr、Ba、Caの合計含有量m(モル部)が、100≦m≦105
(b)Siの含有量a(モル部)が、0.1≦a≦4.0
(c)Mnの含有量b(モル部)が、0.1≦b≦4.0
(d)Alの含有量c(モル部)が、0.01≦c≦3.0
(e)Vの含有量d(モル部)が、0.01≦d≦0.3
(f)Srと、Sr、Ba、Caの合計のモル比w(Sr/(Sr+Ba+Ca))が、0.60≦w≦0.95 (g)Caと、Sr、Ba、Caの合計のモル比y(Ca/(Sr+Ba+Ca))が、0≦y≦0.35
(h)Zrと、ZrとTiの合計のモル比z(Zr/(Zr+Ti))が、0.92≦z≦0.98
前記wの値と前記yの値の合計が、0.6≦w+y≦0.95
の関係を満たし、かつ、
複数の前記誘電体セラミック層のそれぞれが結晶粒子を有するとともに、前記結晶粒子の平均粒径が1.2μm以下であること
を特徴としている。
本発明の積層セラミックコンデンサにおいては、前記結晶粒子の平均粒径が1.0μm以下であることが好ましい。
結晶粒子の平均粒径を1.0μm以下にすることにより、さらに、初期ショート率が低く、優れた絶縁劣化寿命と耐湿負荷寿命を有する積層セラミックコンデンサを得ることができる。
結晶粒子の平均粒径を1.0μm以下にすることにより、さらに、初期ショート率が低く、優れた絶縁劣化寿命と耐湿負荷寿命を有する積層セラミックコンデンサを得ることができる。
また、前記内部電極がNiまたはNi合金を含むものであることが好ましい。
内部電極として、NiまたはNi合金を含む内部電極を用いることにより、材料コストを抑えつつ、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを得ることが可能になる。
内部電極として、NiまたはNi合金を含む内部電極を用いることにより、材料コストを抑えつつ、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを得ることが可能になる。
また、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、
(1)Sr、Ba、Zr、Tiを含み、Caを任意で含むペロブスカイト型化合物を含む粉末と、Si化合物と、Mn化合物と、Al化合物と、V化合物とを混合してスラリー化することにより、セラミックスラリーを調製する工程であって、
前記セラミックスラリーにおいて、ZrとTiの合計含有量を100モル部としたときに、
a)Sr、Ba、Caの合計含有量m(モル部)が、100≦m≦105
b)Siの含有量a(モル部)が、0.1≦a≦4.0
c)Mnの含有量b(モル部)が、0.1≦b≦4.0
d)Alの含有量c(モル部)が、0.01≦c≦3.0
e)Vの含有量d(モル部)が、0.01≦d≦0.3
f)Srと、Sr、Ba、Caの合計のモル比w(Sr/(Sr+Ba+Ca))が、0.60≦w≦0.95 g)Caと、Sr、Ba、Caの合計のモル比y(Ca/(Sr+Ba+Ca))が、0≦y≦0.35
h)Zrと、ZrとTiの合計のモル比z(Zr/(Zr+Ti))が、0.92≦z≦0.98
前記wの値と前記yの値の合計が、0.6≦w+y≦0.95
の要件を満たすセラミックスラリーを調製する工程と、
(2)前記セラミックスラリーをシート状に成形して、セラミックグリーンシートを得る工程と、
(3)前記セラミックグリーンシートと、焼成後に内部電極となる導体パターンとが積み重ねられた未焼成の積層体を形成する工程と、
(4)前記未焼成の積層体を焼成して、積層された複数の誘電体セラミック層どうしの界面のうちの複数の界面に内部電極が配設された構造を有し、かつ、前記誘電体セラミック層に含まれる結晶粒子の平均粒径が1.2μm以下である積層体を得る工程と、
を備えることを特徴としている。
(1)Sr、Ba、Zr、Tiを含み、Caを任意で含むペロブスカイト型化合物を含む粉末と、Si化合物と、Mn化合物と、Al化合物と、V化合物とを混合してスラリー化することにより、セラミックスラリーを調製する工程であって、
前記セラミックスラリーにおいて、ZrとTiの合計含有量を100モル部としたときに、
a)Sr、Ba、Caの合計含有量m(モル部)が、100≦m≦105
b)Siの含有量a(モル部)が、0.1≦a≦4.0
c)Mnの含有量b(モル部)が、0.1≦b≦4.0
d)Alの含有量c(モル部)が、0.01≦c≦3.0
e)Vの含有量d(モル部)が、0.01≦d≦0.3
f)Srと、Sr、Ba、Caの合計のモル比w(Sr/(Sr+Ba+Ca))が、0.60≦w≦0.95 g)Caと、Sr、Ba、Caの合計のモル比y(Ca/(Sr+Ba+Ca))が、0≦y≦0.35
h)Zrと、ZrとTiの合計のモル比z(Zr/(Zr+Ti))が、0.92≦z≦0.98
前記wの値と前記yの値の合計が、0.6≦w+y≦0.95
の要件を満たすセラミックスラリーを調製する工程と、
(2)前記セラミックスラリーをシート状に成形して、セラミックグリーンシートを得る工程と、
(3)前記セラミックグリーンシートと、焼成後に内部電極となる導体パターンとが積み重ねられた未焼成の積層体を形成する工程と、
(4)前記未焼成の積層体を焼成して、積層された複数の誘電体セラミック層どうしの界面のうちの複数の界面に内部電極が配設された構造を有し、かつ、前記誘電体セラミック層に含まれる結晶粒子の平均粒径が1.2μm以下である積層体を得る工程と、
を備えることを特徴としている。
また、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、
(1)Sr、Ba、Zr、Tiを含み、Caを任意で含むペロブスカイト型化合物を含む粉末と、Si化合物と、Mn化合物と、Al化合物と、V化合物とを秤量し、混合した混合物をスラリー化することにより、セラミックスラリーを調製する工程であって、
前記混合物において、ZrとTiの合計含有量を100モル部としたときに、
a)Sr、Ba、Caの合計含有量m(モル部)が、100≦m≦105
b)Siの含有量a(モル部)が、0.1≦a≦4.0
c)Mnの含有量b(モル部)が、0.1≦b≦4.0 d)Alの含有量c(モル部)が、0.01≦c≦3.0
e)Vの含有量d(モル部)が、0.01≦d≦0.3
f)Srと、Sr、Ba、Caの合計のモル比w(Sr/(Sr+Ba+Ca))が、0.60≦w≦0.95 g)Caと、Sr、Ba、Caの合計のモル比y(Ca/(Sr+Ba+Ca))が、0≦y≦0.35
h)Zrと、ZrとTiの合計のモル比z(Zr/(Zr+Ti))が、0.92≦z≦0.98
前記wの値と前記yの値の合計が、0.6≦w+y≦0.95
の要件を満たすセラミックスラリーを調製する工程と、
(2)前記セラミックスラリーをシート状に成形して、セラミックグリーンシートを得る工程と、
(3)前記セラミックグリーンシートと、焼成後に内部電極となる導体パターンとが積み重ねられた未焼成の積層体を形成する工程と、
(4)前記未焼成の積層体を焼成して、積層された複数の誘電体セラミック層どうしの界面のうちの複数の界面に内部電極が配設された構造を有し、かつ、前記誘電体セラミック層に含まれる結晶粒子の平均粒径が1.2μm以下である積層体を得る工程と、
を備えることを特徴としている。
(1)Sr、Ba、Zr、Tiを含み、Caを任意で含むペロブスカイト型化合物を含む粉末と、Si化合物と、Mn化合物と、Al化合物と、V化合物とを秤量し、混合した混合物をスラリー化することにより、セラミックスラリーを調製する工程であって、
前記混合物において、ZrとTiの合計含有量を100モル部としたときに、
a)Sr、Ba、Caの合計含有量m(モル部)が、100≦m≦105
b)Siの含有量a(モル部)が、0.1≦a≦4.0
c)Mnの含有量b(モル部)が、0.1≦b≦4.0 d)Alの含有量c(モル部)が、0.01≦c≦3.0
e)Vの含有量d(モル部)が、0.01≦d≦0.3
f)Srと、Sr、Ba、Caの合計のモル比w(Sr/(Sr+Ba+Ca))が、0.60≦w≦0.95 g)Caと、Sr、Ba、Caの合計のモル比y(Ca/(Sr+Ba+Ca))が、0≦y≦0.35
h)Zrと、ZrとTiの合計のモル比z(Zr/(Zr+Ti))が、0.92≦z≦0.98
前記wの値と前記yの値の合計が、0.6≦w+y≦0.95
の要件を満たすセラミックスラリーを調製する工程と、
(2)前記セラミックスラリーをシート状に成形して、セラミックグリーンシートを得る工程と、
(3)前記セラミックグリーンシートと、焼成後に内部電極となる導体パターンとが積み重ねられた未焼成の積層体を形成する工程と、
(4)前記未焼成の積層体を焼成して、積層された複数の誘電体セラミック層どうしの界面のうちの複数の界面に内部電極が配設された構造を有し、かつ、前記誘電体セラミック層に含まれる結晶粒子の平均粒径が1.2μm以下である積層体を得る工程と、
を備えることを特徴としている。
また、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法の発明においては、前記粉末が、Sr化合物と、Ba化合物と、Ti化合物と、Zr化合物とを含む材料を仮焼し、解砕することにより作製された粉末であり、粉末X線回折による(202)回折ピークの積分幅が0.4°以下の粉末であることが好ましい。
上記構成とすることにより、結晶粒子の平均粒径を1.2μm以下に抑えることが可能になり、素子厚(容量形成用の内部電極に挟まれた誘電体セラミック層の厚み)を3.0μm以下にした場合にも、初期ショート率を低く抑えることが可能になるとともに、優れた高温負荷寿命と耐湿負荷寿命を得ることが可能になる。
また、前記積分幅が0.3°以下であることがより好ましい。
積分幅を0.3°以下にすることにより、結晶粒子の平均粒径を1.0μm以下まで抑えることが可能になり、素子厚(容量形成用の内部電極に挟まれた誘電体セラミック層の厚み)を1.5μm以下にした場合にも、初期ショート率を低く抑えることが可能になるとともに、優れた高温負荷寿命と耐湿負荷寿命を得ることが可能になる。
積分幅を0.3°以下にすることにより、結晶粒子の平均粒径を1.0μm以下まで抑えることが可能になり、素子厚(容量形成用の内部電極に挟まれた誘電体セラミック層の厚み)を1.5μm以下にした場合にも、初期ショート率を低く抑えることが可能になるとともに、優れた高温負荷寿命と耐湿負荷寿命を得ることが可能になる。
本発明の積層セラミックコンデンサは、積層された複数の誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層どうしの界面のうちの複数の界面に配設された複数の内部電極とを有する「積層体」が、
Sr、Ba、Zr、Tiを含み、Caを任意で含むペロブスカイト型化合物と、Siと、Mnと、Alと、Vとを含有し、
ZrとTiの合計含有量を100モル部としたときに、
(a)Sr、Ba、Caの合計含有量m(モル部)が、100≦m≦105
(b)Siの含有量a(モル部)が、0.1≦a≦4.0
(c)Mnの含有量b(モル部)が、0.1≦b≦4.0
(d)Alの含有量c(モル部)が、0.01≦c≦3.0
(e)Vの含有量d(モル部)が、0.01≦d≦0.3
(f)Srと、Sr、Ba、Caの合計のモル比w(Sr/(Sr+Ba+Ca))が、0.60≦w≦0.95 (g)Caと、Sr、Ba、Caの合計のモル比y(Ca/(Sr+Ba+Ca))が、0≦y≦0.35
(h)Zrと、ZrとTiの合計のモル比z(Zr/(Zr+Ti))が、0.92≦z≦0.98
前記wの値と前記yの値の合計が、0.6≦w+y≦0.95
という条件を満たし、かつ、
前記結晶粒子の平均粒径が1.2μm以下である
という要件を備えていることから、初期ショート率が低く、優れた耐湿負荷寿命、高温負荷寿命を有する、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを得ることができる。
Sr、Ba、Zr、Tiを含み、Caを任意で含むペロブスカイト型化合物と、Siと、Mnと、Alと、Vとを含有し、
ZrとTiの合計含有量を100モル部としたときに、
(a)Sr、Ba、Caの合計含有量m(モル部)が、100≦m≦105
(b)Siの含有量a(モル部)が、0.1≦a≦4.0
(c)Mnの含有量b(モル部)が、0.1≦b≦4.0
(d)Alの含有量c(モル部)が、0.01≦c≦3.0
(e)Vの含有量d(モル部)が、0.01≦d≦0.3
(f)Srと、Sr、Ba、Caの合計のモル比w(Sr/(Sr+Ba+Ca))が、0.60≦w≦0.95 (g)Caと、Sr、Ba、Caの合計のモル比y(Ca/(Sr+Ba+Ca))が、0≦y≦0.35
(h)Zrと、ZrとTiの合計のモル比z(Zr/(Zr+Ti))が、0.92≦z≦0.98
前記wの値と前記yの値の合計が、0.6≦w+y≦0.95
という条件を満たし、かつ、
前記結晶粒子の平均粒径が1.2μm以下である
という要件を備えていることから、初期ショート率が低く、優れた耐湿負荷寿命、高温負荷寿命を有する、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを得ることができる。
すなわち、本発明によれば、素子厚を3.0μm以下にまで薄くした場合にも、初期ショート率を低く抑えることが可能で、優れた高温負荷寿命と耐湿負荷寿命を有する積層セラミックコンデンサを提供することができるようになる。
また、前記積層体を構成する「誘電体セラミック層」が、上述の組成領域にあり、かつ、結晶粒子の平均粒径が1.2μm以下という要件を満たすように構成した場合にも、初期ショート率が低く、優れた耐湿負荷寿命、高温負荷寿命を有する信頼性の高い積層セラミックコンデンサを得ることができる。
また、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、上述のような組成要件を備えたセラミックスラリーを調製し、該セラミックスラリーを成形して得られるセラミックグリーンシートと、焼成後に内部電極となる導体パターンとが積み重ねられた未焼成の積層体を形成した後、未焼成の積層体を焼成して、誘電体セラミック層間に内部電極が配設された構造を有し、誘電体セラミック層に含まれる結晶粒子の平均粒径が1.2μm以下である積層体を得るようにしているので、上述の本発明の要件を備えた積層セラミックコンデンサを効率よく製造することができる。
また、各原料を秤量して得られる秤量物を混合した混合物(秤量物混合体)の段階で、上述のような所定の組成要件を備えるようにし、該秤量物混合体からセラミックスラリーを調製し、このセラミックスラリーを成形して得られるセラミックグリーンシートと、焼成後に内部電極となる導体パターンとが積み重ねられた未焼成の積層体を形成した後、未焼成の積層体を焼成して、誘電体セラミック層間に内部電極が配設された構造を有し、誘電体セラミック層に含まれる結晶粒子の平均粒径が1.2μm以下である積層体を得るようにした場合にも、上述の本発明の要件を備えた積層セラミックコンデンサを効率よく製造することができる。
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
<積層セラミックコンデンサの作製>
積層セラミックコンデンサを作製するために、まず、誘電体セラミック層を構成する素材として、純度99重量%以上のCaCO3、SrCO3、BaCO3、TiO2、ZrO2の各粉末を準備した。
そして、上記の各粉末(主成分素材)を、ZrとTiの合計含有量100モル部に対するSr、Ba、Caの合計含有量がmモル部、Srと、Sr、Ba、Caの合計のモル比Sr/(Sr+Ba+Ca)がw、Caと、Sr、Ba、Caの合計のモル比Ca/(Sr+Ba+Ca)がy、Zrと、Zr、Tiの合計のモル比Zr/(Zr+Ti)がzとなるように秤量した後、ボールミルにより湿式混合し、乾燥した後、解砕した。表1A、表1Bに、各試料における、m、w、y、z、w+yの値を示す。
積層セラミックコンデンサを作製するために、まず、誘電体セラミック層を構成する素材として、純度99重量%以上のCaCO3、SrCO3、BaCO3、TiO2、ZrO2の各粉末を準備した。
そして、上記の各粉末(主成分素材)を、ZrとTiの合計含有量100モル部に対するSr、Ba、Caの合計含有量がmモル部、Srと、Sr、Ba、Caの合計のモル比Sr/(Sr+Ba+Ca)がw、Caと、Sr、Ba、Caの合計のモル比Ca/(Sr+Ba+Ca)がy、Zrと、Zr、Tiの合計のモル比Zr/(Zr+Ti)がzとなるように秤量した後、ボールミルにより湿式混合し、乾燥した後、解砕した。表1A、表1Bに、各試料における、m、w、y、z、w+yの値を示す。
この粉末を大気中で1100〜1300℃で2h仮焼して、Sr、Ba、Zr、Tiを含み、Caを任意で含むペロブスカイト型化合物を合成した後、解砕して、誘電体セラミック層を構成する主要な成分である粉末(主成分粉末)を得た。なお、この粉末(主成分粉末)の製造方法(合成方法)に特別の制約はなく、固相法、水熱法、その他の公知の種々の方法を用いることが可能である。また、素材にも特に制約はなく、炭酸塩、酸化物、水酸化物、塩化物など種々の形態のものを用いることが可能である。また、HfO2などの不可避的不純物を含有していても構わない。
そして、この粉末(主成分粉末)について、XRDにより(202)回折ピークの積分幅を測定した。なお、積分幅は、ピーク形状を表す曲線が囲む面積をピーク頂点の高さで割った値である。上記積分幅の測定結果を表1A、表1Bに併せて示す。
なお、この実施形態では、積層セラミックコンデンサを構成する誘電体セラミック層の結晶粒子の平均粒径は、主にこの主成分粉末の上記積分幅で制御するようにした。
なお、この実施形態では、積層セラミックコンデンサを構成する誘電体セラミック層の結晶粒子の平均粒径は、主にこの主成分粉末の上記積分幅で制御するようにした。
次に、添加物素材として、SiO2、MnCO3、Al2O3、V2O5の各粉末を準備した。これらの粉末を主成分粉末中のZr、Tiの合計含有量100モル部に対するSiの含有量がaモル部、Mnの含有量がbモル部、Alの含有量がcモル部、Vの含有量がdモル部となるように秤量した後、主成分粉末と調合することにより調合物を得た。それからこの調合物をボールミルにより湿式混合した後、乾燥、解砕して誘電体原料粉末を得た。表1A、表1Bに、各試料における、a、b、c、dの値を示す。
なお、CaCO3、SrCO3、BaCO3、TiO2、ZrO2などの素材を、モル比調整のため、この添加物素材を添加する段階で添加することも可能である。
なお、CaCO3、SrCO3、BaCO3、TiO2、ZrO2などの素材を、モル比調整のため、この添加物素材を添加する段階で添加することも可能である。
また、上記湿式混合の過程においてYSZ(イットリア安定化ジルコニア)ボールをメディアとして用いる場合など、秤量した素材以外からジルコニアが混入することがあるが、その場合には、混入量を含めて表1A、表1Bの組成となるように、素材の配合割合を調整する。
それから、上述のようにして得た誘電体原料粉末に、ポリビニルブチラール系バインダーと、エタノールなどの有機溶媒を加えて、ボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリーを作製した。
作製したセラミックスラリー中の誘電体原料粉末を酸により溶解し、ICP発光分光分析を行ったところ、表1A、表1Bに示した組成とほぼ同じ組成を有していることが確認された。
作製したセラミックスラリー中の誘電体原料粉末を酸により溶解し、ICP発光分光分析を行ったところ、表1A、表1Bに示した組成とほぼ同じ組成を有していることが確認された。
なお、表1A、表1Bにおいて試料番号に*を付した試料は、本発明の要件を満たさない試料であり、他の試料は本発明の要件を示す試料である。
それから、このセラミックスラリーをドクターブレード法によりシート成形し、カットすることにより、平面寸法が、15cm×15cmの矩形のセラミックグリーンシートを得た。次に、上記セラミックグリーンシート上に、Niを導電成分とする導電ペーストを印刷し、焼成後に内部電極となる導体パターン(内部電極パターン)を形成した。なお、この実施形態では、導電ペーストとして、金属粉末としてのNi粉末100重量部と、有機ビヒクルとしてエチルセルロースを7重量部と、溶剤としてテルピネオールとを含むものを用いた。
次に、導体パターン(内部電極パターン)が形成されたセラミックグリーンシートを導体パターンの引き出されている側が交互に逆側になるように複数枚積層し、未焼成の積層体を得た。そして、この未焼成の積層体を大気中で250℃に加熱してバインダーを除去した。
それから、バインダーが除去された後の積層体を、昇温速度3.33℃/min、最高温度1200〜1300℃、酸素分圧(logPO2)=−10.0MPaの条件で焼成することにより、焼結済みの積層体を得た。
次に、得られた焼結済みの積層体をバレル研磨して、端面から内部電極を露出させ、外部電極形成用のCu電極ペーストを、内部電極が露出した積層体の端面に塗布し、乾燥させた後、還元雰囲気中、最高温度800℃で焼き付けて外部電極を形成した。
その後、バレルめっきにより、外部電極の表面にNiめっき層を形成し、さらにNiめっき層上にSnめっき層を形成した。これにより、図1に斜視図、図2に正面断面図を示すような積層セラミックコンデンサ(試料)を得た。
その後、バレルめっきにより、外部電極の表面にNiめっき層を形成し、さらにNiめっき層上にSnめっき層を形成した。これにより、図1に斜視図、図2に正面断面図を示すような積層セラミックコンデンサ(試料)を得た。
図1、図2に示すように、この積層セラミックコンデンサは、積層されている複数の誘電体セラミック層11と、誘電体セラミック層11間の複数の界面に配設されている複数の内部電極12とを有する積層体(積層セラミック素子)10の両端面に、交互に逆側の端面に露出した内部電極12と導通するように一対の外部電極(Cu電極))13a,13bが配設された構造を有している。
なお、上記のようにして作製した積層セラミックコンデンサの寸法は、幅(W)1.2mm、長さ(L)2.0mm、厚さ(T)0.6mmであり、内部電極間に介在する誘電体セラミック層11の厚さは3.0μm、もしくは1.5μmであった。また、外層部を除いた有効誘電体セラミック層の総数は80層とした。
<誘電体セラミック層の厚みについて>
(1)試料の準備
上述のようにして作製した試料番号1〜44の試料(積層セラミックコンデンサ)をそれぞれ3個準備した。
(1)試料の準備
上述のようにして作製した試料番号1〜44の試料(積層セラミックコンデンサ)をそれぞれ3個準備した。
(2)LT断面の観察
1)研磨
各試料を幅(W)方向が垂直方向に沿うような姿勢で保持し、試料の周りを樹脂で固め、試料の長さ(L)と、厚さ(T)により規定されるLT面を樹脂から露出させた。
それから、研磨機により、各試料のLT面を研磨し、各試料の幅(W)方向の1/2程度の深さまで研磨を行った。そして、研磨による内部電極のダレをなくすために、研磨終了後に、イオンミリングにより、研磨表面を加工した。
1)研磨
各試料を幅(W)方向が垂直方向に沿うような姿勢で保持し、試料の周りを樹脂で固め、試料の長さ(L)と、厚さ(T)により規定されるLT面を樹脂から露出させた。
それから、研磨機により、各試料のLT面を研磨し、各試料の幅(W)方向の1/2程度の深さまで研磨を行った。そして、研磨による内部電極のダレをなくすために、研磨終了後に、イオンミリングにより、研磨表面を加工した。
2)誘電体セラミック層の厚みの測定
それから、図3に示すように、LT断面のL方向1/2程度の位置において、内部電極12と直交する線(直交線)Lを引いた。次に、試料の内部電極12が積層されている領域を厚さ(T)方向に3等分に分割し、上部領域、中央領域、下部領域の3つの領域に分けた。そして、最外の誘電体セラミックス層、および、内部電極が欠損していることにより2層以上の誘電体セラミックス層が繋がって観察される部分を除き、各領域中央部で、上記の直交線L上の誘電体セラミックス層の厚みをそれぞれ10層ずつ測定して平均値を求めた(データ数:10層×3領域×3(試料数)=90データ)。
なお、誘電体セラミック層の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて測定した。
それから、図3に示すように、LT断面のL方向1/2程度の位置において、内部電極12と直交する線(直交線)Lを引いた。次に、試料の内部電極12が積層されている領域を厚さ(T)方向に3等分に分割し、上部領域、中央領域、下部領域の3つの領域に分けた。そして、最外の誘電体セラミックス層、および、内部電極が欠損していることにより2層以上の誘電体セラミックス層が繋がって観察される部分を除き、各領域中央部で、上記の直交線L上の誘電体セラミックス層の厚みをそれぞれ10層ずつ測定して平均値を求めた(データ数:10層×3領域×3(試料数)=90データ)。
なお、誘電体セラミック層の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて測定した。
<積層体の組成の確認>
作製した各試料(積層セラミックコンデンサ)の外部電極を除去した後の積層体(セラミック焼結体)を酸により溶解し、ICP発光分光分析を行った。その結果、内部電極成分のNiを除いては、表1A、表1Bに示した組成とほぼ同じ組成を有していることが確認された。
作製した各試料(積層セラミックコンデンサ)の外部電極を除去した後の積層体(セラミック焼結体)を酸により溶解し、ICP発光分光分析を行った。その結果、内部電極成分のNiを除いては、表1A、表1Bに示した組成とほぼ同じ組成を有していることが確認された。
<各試料の特性の評価>
上述のようにして作製した各試料(積層セラミックコンデンサ)について、以下の評価を行った。
上述のようにして作製した各試料(積層セラミックコンデンサ)について、以下の評価を行った。
(1)平均粒径
各試料(積層セラミックコンデンサ)の長さ(L)方向の1/2程度の深さにおけるWT断面が露出するように試料を破断した。次に、誘電体セラミック層の結晶粒子間の境界(粒界)を明確にするために、上記試料を熱処理した。熱処理の温度は、グレイン成長しない温度で、かつ、粒界が明確になる温度とし、この実施形態では、1000℃で処理した。
各試料(積層セラミックコンデンサ)の長さ(L)方向の1/2程度の深さにおけるWT断面が露出するように試料を破断した。次に、誘電体セラミック層の結晶粒子間の境界(粒界)を明確にするために、上記試料を熱処理した。熱処理の温度は、グレイン成長しない温度で、かつ、粒界が明確になる温度とし、この実施形態では、1000℃で処理した。
そして、図4に示すように、上述のようにして破断した積層体10の破断面(WT断面)における、W、T方向それぞれ1/2程度の位置近傍領域(すなわち破断面の略中央領域)を測定領域(図4)として、走査型電子顕微鏡(SEM)により、10000倍で観察した。
そして、得られたSEM像からから、40個の結晶粒子を無作為に抽出し、画像解析により、各結晶粒子の粒界の内側部分の面積を求めて円相当径を算出し、それを各結晶粒子の粒径とした。この各結晶粒子の粒径の測定を、各条件の試料3個について行った(データ数:40個の結晶粒子×3(試料数)=120データ)。
また、各結晶粒子の形状を、上述のようにして求めた粒径を直径とする球と仮定し、各結晶粒子の体積を、球の体積として算出した。そして、上述のようにして求めた粒径と体積より、各条件の試料の体積平均粒径を算出し、これを各条件の平均粒径とした。このようにして求めた平均粒径を表1A、表1Bに併せて示す。
(2)初期ショート率
試料番号1〜44の各試料の、それぞれ100個(n=100)について初期ショート率を調べた。このとき、初期のlogIRの値が6以下となった試料については、ショート不良がある試料としてカウントした。その結果を表2A、表2Bに示す。
試料番号1〜44の各試料の、それぞれ100個(n=100)について初期ショート率を調べた。このとき、初期のlogIRの値が6以下となった試料については、ショート不良がある試料としてカウントした。その結果を表2A、表2Bに示す。
(3)加速耐湿負荷試験(PCBT)
温度120℃、湿度100%RH、気圧0.122MPa(1.2atm)、印加電圧50V、試料数100個(初期ショートが認められない試料)の条件で加速耐湿負荷試験(PCBT)を行い、250h経過後にlogIRの値が6以下となった試料の数をカウントした。その結果を表2A、表2Bに併せて示す。
温度120℃、湿度100%RH、気圧0.122MPa(1.2atm)、印加電圧50V、試料数100個(初期ショートが認められない試料)の条件で加速耐湿負荷試験(PCBT)を行い、250h経過後にlogIRの値が6以下となった試料の数をカウントした。その結果を表2A、表2Bに併せて示す。
(4)高温負荷寿命 (a)素子厚(容量形成用の内部電極に挟まれた誘電体セラミック層の厚み)3.0μmでは、170℃、200V(電界強度では200/3kV/mm)、
(b)素子厚1.5μmでは150℃、100V(電界強度では100/1.5kV/mm)
の条件でn=100(初期ショートが認められない試料)の測定を行い、250h経過後にIRが106Ωを下回った試料数をカウントした。その結果を表2A、表2Bに併せて示す。
なお、表2A、表2Bにおいて、初期ショート率が100/100の試料(試料番号9の素子厚1.5μmの試料、試料番号22の素子厚1.5μmの試料、試料番号38の素子厚3.0μmおよび1.5μmの試料)については、加速耐湿負荷試験および高温負荷寿命試験を行う意義のある試料、すなわち、初期ショートが認められない試料を得ることができないので、加速耐湿負荷試験および高温負荷寿命試験を行っていない。
(b)素子厚1.5μmでは150℃、100V(電界強度では100/1.5kV/mm)
の条件でn=100(初期ショートが認められない試料)の測定を行い、250h経過後にIRが106Ωを下回った試料数をカウントした。その結果を表2A、表2Bに併せて示す。
なお、表2A、表2Bにおいて、初期ショート率が100/100の試料(試料番号9の素子厚1.5μmの試料、試料番号22の素子厚1.5μmの試料、試料番号38の素子厚3.0μmおよび1.5μmの試料)については、加速耐湿負荷試験および高温負荷寿命試験を行う意義のある試料、すなわち、初期ショートが認められない試料を得ることができないので、加速耐湿負荷試験および高温負荷寿命試験を行っていない。
なお、表2A、表2Bにおいて試料番号に*を付した試料は、本発明の要件を満たさない試料であり、他の試料は本発明の要件を示す試料である。
表2A、表2Bに示すように、本発明が規定する組成に関する要件を満たすとともに、結晶粒子の平均粒径に関する要件(1.2μm以下)を満たす各試料においては、素子厚が3.0μmである場合における初期ショート率が低く、良好な絶縁劣化寿命と耐湿負荷寿命を有する積層セラミックコンデンサが得られることが確認された。
また、本発明が規定する組成に関する要件を満たすとともに、結晶粒子の平均粒径が1.0μm以下の試料においては、素子厚を1.5μmとした場合にも、初期ショート率が低く、優れた絶縁劣化寿命と耐湿負荷寿命を有する積層セラミックコンデンサが得られることが確認された。
また、本発明が規定する組成に関する要件を満たすとともに、結晶粒子の平均粒径が1.0μm以下の試料においては、素子厚を1.5μmとした場合にも、初期ショート率が低く、優れた絶縁劣化寿命と耐湿負荷寿命を有する積層セラミックコンデンサが得られることが確認された。
これに対し、本発明が規定する組成に関する要件および結晶粒子の平均粒径に関する要件のいずれか一方でも満たさない試料においては、初期ショート、耐湿負荷寿命、高温負荷寿命の、少なくともいずれにかにおいて好ましくない結果となることが確認された。
上記実施形態では、セラミックスラリー中の誘電体原料粉末を酸により溶解してICP発光分光分析を行い、また、積層セラミックコンデンサ(試料)の外部電極を除去した後の積層体(セラミック焼結体)を酸により溶解し、ICP発光分光分析を行ったが、積層体を構成する誘電体セラミック層について、組成の分析を行うようにすることも可能である。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、積層体を構成する誘電体セラミック層や内部電極の層数、誘電体セラミック層の組成などに関し、発明の範囲内において種々の応用、変形を加えることが可能である。
10 積層体(積層セラミック素子)
11 誘電体セラミック層
12 内部電極
13a,13b 外部電極
L 長さ
T 厚さ
W 幅
11 誘電体セラミック層
12 内部電極
13a,13b 外部電極
L 長さ
T 厚さ
W 幅
Claims (9)
- 積層された複数の誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層どうしの界面のうちの複数の界面に配設された複数の内部電極とを有する積層体と、
前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている外部電極と、
を備える積層セラミックコンデンサであって、
前記積層体が、
Sr、Ba、Zr、Tiを含み、Caを任意で含むペロブスカイト型化合物と、Siと、Mnと、Alと、Vとを含有し、
ZrとTiの合計含有量を100モル部としたときに、
(a)Sr、Ba、Caの合計含有量m(モル部)が、100≦m≦105
(b)Siの含有量a(モル部)が、0.1≦a≦4.0
(c)Mnの含有量b(モル部)が、0.1≦b≦4.0
(d)Alの含有量c(モル部)が、0.01≦c≦3.0
(e)Vの含有量d(モル部)が、0.01≦d≦0.3
(f)Srと、Sr、Ba、Caの合計のモル比w(Sr/(Sr+Ba+Ca))が、0.60≦w≦0.95 (g)Caと、Sr、Ba、Caの合計のモル比y(Ca/(Sr+Ba+Ca))が、0≦y≦0.35
(h)Zrと、ZrとTiの合計のモル比z(Zr/(Zr+Ti))が、0.92≦z≦0.98
前記wの値と前記yの値の合計が、0.6≦w+y≦0.95
の関係を満たし、かつ、
複数の前記誘電体セラミック層のそれぞれが結晶粒子を有するとともに、前記結晶粒子の平均粒径が1.2μm以下であること
を特徴とする積層セラミックコンデンサ。 - 積層された複数の誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層どうしの界面のうちの複数の界面に配設された複数の内部電極とを有する積層体と、
前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている外部電極と、
を備える積層セラミックコンデンサであって、
前記積層体が、
Sr、Ba、Zr、Tiを含み、Caを任意で含むペロブスカイト型化合物と、Siと、Mnと、Alと、Vとを含有し、
前記積層体を溶解処理して溶液とした場合において、ZrとTiの合計含有量を100モル部としたときに、
(a)Sr、Ba、Caの合計含有量m(モル部)が、100≦m≦105
(b)Siの含有量a(モル部)が、0.1≦a≦4.0
(c)Mnの含有量b(モル部)が、0.1≦b≦4.0
(d)Alの含有量c(モル部)が、0.01≦c≦3.0
(e)Vの含有量d(モル部)が、0.01≦d≦0.3
(f)Srと、Sr、Ba、Caの合計のモル比w(Sr/(Sr+Ba+Ca))が、0.60≦w≦0.95 (g)Caと、Sr、Ba、Caの合計のモル比y(Ca/(Sr+Ba+Ca))が、0≦y≦0.35
(h)Zrと、ZrとTiの合計のモル比z(Zr/(Zr+Ti))が、0.92≦z≦0.98
前記wの値と前記yの値の合計が、0.6≦w+y≦0.95
の関係を満たし、かつ、
複数の前記誘電体セラミック層のそれぞれが結晶粒子を有するとともに、前記結晶粒子の平均粒径が1.2μm以下であること
を特徴とする積層セラミックコンデンサ。 - 積層された複数の誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層どうしの界面のうちの複数の界面に配設された複数の内部電極とを有する積層体と、
前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている外部電極と、
を備える積層セラミックコンデンサであって、
前記誘電体セラミック層が、
Sr、Ba、Zr、Tiを含み、Caを任意で含むペロブスカイト型化合物と、Siと、Mnと、Alと、Vとを含有し、
ZrとTiの合計含有量を100モル部としたときに、
(a)Sr、Ba、Caの合計含有量m(モル部)が、100≦m≦105
(b)Siの含有量a(モル部)が、0.1≦a≦4.0
(c)Mnの含有量b(モル部)が、0.1≦b≦4.0
(d)Alの含有量c(モル部)が、0.01≦c≦3.0
(e)Vの含有量d(モル部)が、0.01≦d≦0.3
(f)Srと、Sr、Ba、Caの合計のモル比w(Sr/(Sr+Ba+Ca))が、0.60≦w≦0.95 (g)Caと、Sr、Ba、Caの合計のモル比y(Ca/(Sr+Ba+Ca))が、0≦y≦0.35
(h)Zrと、ZrとTiの合計のモル比z(Zr/(Zr+Ti))が、0.92≦z≦0.98
前記wの値と前記yの値の合計が、0.6≦w+y≦0.95
の関係を満たし、かつ、
複数の前記誘電体セラミック層のそれぞれが結晶粒子を有するとともに、前記結晶粒子の平均粒径が1.2μm以下であること
を特徴とする積層セラミックコンデンサ。 - 前記結晶粒子の平均粒径が1.0μm以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記内部電極がNiまたはNi合金を含むものであることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
- (1)Sr、Ba、Zr、Tiを含み、Caを任意で含むペロブスカイト型化合物を含む粉末と、Si化合物と、Mn化合物と、Al化合物と、V化合物とを混合してスラリー化することにより、セラミックスラリーを調製する工程であって、
前記セラミックスラリーにおいて、ZrとTiの合計含有量を100モル部としたときに、
a)Sr、Ba、Caの合計含有量m(モル部)が、100≦m≦105
b)Siの含有量a(モル部)が、0.1≦a≦4.0
c)Mnの含有量b(モル部)が、0.1≦b≦4.0
d)Alの含有量c(モル部)が、0.01≦c≦3.0
e)Vの含有量d(モル部)が、0.01≦d≦0.3
f)Srと、Sr、Ba、Caの合計のモル比w(Sr/(Sr+Ba+Ca))が、0.60≦w≦0.95 g)Caと、Sr、Ba、Caの合計のモル比y(Ca/(Sr+Ba+Ca))が、0≦y≦0.35
h)Zrと、ZrとTiの合計のモル比z(Zr/(Zr+Ti))が、0.92≦z≦0.98
前記wの値と前記yの値の合計が、0.6≦w+y≦0.95
の要件を満たすセラミックスラリーを調製する工程と、
(2)前記セラミックスラリーをシート状に成形して、セラミックグリーンシートを得る工程と、
(3)前記セラミックグリーンシートと、焼成後に内部電極となる導体パターンとが積み重ねられた未焼成の積層体を形成する工程と、
(4)前記未焼成の積層体を焼成して、積層された複数の誘電体セラミック層どうしの界面のうちの複数の界面に内部電極が配設された構造を有し、かつ、前記誘電体セラミック層に含まれる結晶粒子の平均粒径が1.2μm以下である積層体を得る工程と、
を備えることを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。 - (1)Sr、Ba、Zr、Tiを含み、Caを任意で含むペロブスカイト型化合物を含む粉末と、Si化合物と、Mn化合物と、Al化合物と、V化合物とを秤量し、混合した混合物をスラリー化することにより、セラミックスラリーを調製する工程であって、
前記混合物において、ZrとTiの合計含有量を100モル部としたときに、
a)Sr、Ba、Caの合計含有量m(モル部)が、100≦m≦105
b)Siの含有量a(モル部)が、0.1≦a≦4.0
c)Mnの含有量b(モル部)が、0.1≦b≦4.0 d)Alの含有量c(モル部)が、0.01≦c≦3.0
e)Vの含有量d(モル部)が、0.01≦d≦0.3
f)Srと、Sr、Ba、Caの合計のモル比w(Sr/(Sr+Ba+Ca))が、0.60≦w≦0.95 g)Caと、Sr、Ba、Caの合計のモル比y(Ca/(Sr+Ba+Ca))が、0≦y≦0.35
h)Zrと、ZrとTiの合計のモル比z(Zr/(Zr+Ti))が、0.92≦z≦0.98
前記wの値と前記yの値の合計が、0.6≦w+y≦0.95
の要件を満たすセラミックスラリーを調製する工程と、
(2)前記セラミックスラリーをシート状に成形して、セラミックグリーンシートを得る工程と、
(3)前記セラミックグリーンシートと、焼成後に内部電極となる導体パターンとが積み重ねられた未焼成の積層体を形成する工程と、
(4)前記未焼成の積層体を焼成して、積層された複数の誘電体セラミック層どうしの界面のうちの複数の界面に内部電極が配設された構造を有し、かつ、前記誘電体セラミック層に含まれる結晶粒子の平均粒径が1.2μm以下である積層体を得る工程と、
を備えることを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 前記粉末が、Sr化合物と、Ba化合物と、Ti化合物と、Zr化合物とを含む材料を仮焼し、解砕することにより作製された粉末であり、粉末X線回折による(202)回折ピークの積分幅が0.4°以下の粉末であることを特徴とする請求項6または7記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
- 前記積分幅が0.3°以下であることを特徴とする請求項8記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014529326A JP5874832B2 (ja) | 2012-08-09 | 2013-04-30 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012176863 | 2012-08-09 | ||
JP2012176863 | 2012-08-09 | ||
JP2014529326A JP5874832B2 (ja) | 2012-08-09 | 2013-04-30 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
PCT/JP2013/062558 WO2014024527A1 (ja) | 2012-08-09 | 2013-04-30 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5874832B2 true JP5874832B2 (ja) | 2016-03-02 |
JPWO2014024527A1 JPWO2014024527A1 (ja) | 2016-07-25 |
Family
ID=50067773
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014529326A Active JP5874832B2 (ja) | 2012-08-09 | 2013-04-30 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9312069B2 (ja) |
JP (1) | JP5874832B2 (ja) |
KR (1) | KR101632589B1 (ja) |
CN (1) | CN104520950B (ja) |
DE (1) | DE112013003964T5 (ja) |
WO (1) | WO2014024527A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9627136B2 (en) * | 2014-09-30 | 2017-04-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
CN106356191B (zh) * | 2015-07-17 | 2019-05-31 | 株式会社村田制作所 | 层叠陶瓷电容器、浆料及钙钛矿型构造 |
JP6900157B2 (ja) * | 2015-07-17 | 2021-07-07 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
TWI634092B (zh) * | 2015-07-23 | 2018-09-01 | 菲洛公司 | 與鎳電極倂用之cog介電組成物及形成電子組件之方法 |
JP2018022750A (ja) * | 2016-08-02 | 2018-02-08 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
CN109734440B (zh) * | 2019-03-11 | 2021-08-24 | 西南科技大学 | 具有异质层状结构的SrTiO3基储能介质陶瓷及其制备方法 |
JP7338310B2 (ja) * | 2019-08-07 | 2023-09-05 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2013
- 2013-04-30 CN CN201380041850.XA patent/CN104520950B/zh active Active
- 2013-04-30 KR KR1020157002805A patent/KR101632589B1/ko active IP Right Grant
- 2013-04-30 WO PCT/JP2013/062558 patent/WO2014024527A1/ja active Application Filing
- 2013-04-30 JP JP2014529326A patent/JP5874832B2/ja active Active
- 2013-04-30 DE DE201311003964 patent/DE112013003964T5/de active Pending
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- 2015-02-05 US US14/614,465 patent/US9312069B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2014024527A1 (ja) | 2016-07-25 |
KR20150036335A (ko) | 2015-04-07 |
US20150155099A1 (en) | 2015-06-04 |
KR101632589B1 (ko) | 2016-06-22 |
CN104520950A (zh) | 2015-04-15 |
WO2014024527A1 (ja) | 2014-02-13 |
CN104520950B (zh) | 2017-03-29 |
US9312069B2 (en) | 2016-04-12 |
DE112013003964T5 (de) | 2015-04-16 |
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