JP2003063867A - セラミックコンデンサ及びその誘電体組成物並びにその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い比誘電率並びに優れた電気的及び機械的
な特性を有し、かつ、比抵抗の加速寿命時間が長い誘電
体組成物及びこの誘電体組成物を用いたセラミックコン
デンサを提供する。 【解決手段】 主成分の組成が、（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）
ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３、（但し、ＭｅはＣａ及び
／又はＳｒ、ｘは０．７≦ｘ≦０．９５、ｋは０．９≦
ｋ≦１．１、ｙは０．０２≦ｙ≦０．１を満足する数
値）で表わされる主成分の物質に、副成分物質として、
ＳｉとＭｎとＣｒとの酸化物等の第一の添加物と、Ｓｃ
およびＹを含む希土類元素（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、
Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙ
ｂおよびＬｕ）あるいはＮｂ、Ｍｏ、ＴａおよびＷの酸
化物を１種または２種以上含有する第二の添加物とを混
合、焼成されているセラミックコンデンサ及びその誘電
体組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、セラミックコン
デンサの誘電体層の材料として好適な誘電体組成物とこ
の誘電体組成物を誘電体層に有するセラミックコンデン
サに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子回路の小型化、高密度化に伴
い、積層セラミックコンデンサも小型化、大容量化が強
く求められている。それらを解決する方法として誘電体
層を薄膜或いはできるだけ薄い誘電体層にする手法があ
るが、その際、誘電体層に用いられる誘電体組成物とし
ては比抵抗や機械的強度が高いことが望ましい。

【０００３】また、積層セラミックコンデンサ等に用い
られる誘電体組成物は、還元性の雰囲気下で焼成すると
還元され、半導体化するという性質を有している。この
ため、還元性の雰囲気下と異なる高い酸素分圧化におい
て焼成しても酸化されないような内部電極、例えば、パ
ラジウム、白金、銀−パラジウム等の貴金属材料がこれ
に用いられてきた。

【０００４】しかし、これらの貴金属は高価であるため
積層セラミックコンデンサの低価格化、高容量化を図る
上で妨げとなっていた。

【０００５】内部電極の材料としてＮｉ（ニッケル）な
どの卑金属を用いた場合、内部電極の酸化を防止するた
めには、誘電体組成物と内部電極とを交互に積層した積
層体の焼成を還元雰囲気中で行わなければならない。

【０００６】しかし、還元雰囲気中で焼成すると、上述
のように誘電体層が還元され、比抵抗が低下するなど、
セラミックコンデンサとしての所望の電気特性が得られ
ないという問題があった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】この発明は、高い比誘
電率並びにその他の優れた電気的特性及び優れた機械的
特性を有し、かつ、比抵抗の加速寿命時間が長い誘電体
組成物及びこの誘電体組成物を用いたセラミックコンデ
ンサを提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、主成
分の組成が、（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉ
ｙ）Ｏ３、（但し、ＭｅはＣａ及び／又はＳｒ、ｘは
０．７≦ｘ≦０．９５、ｋは０．９≦ｋ≦１．１、ｙは
０．０２≦ｙ≦０．１を満足する数値）で表わされる物
質からなり、副成分物質が少なくともＳｉの酸化物とＭ
ｎの酸化物とＣｒの酸化物とであることを特徴とする誘
電体組成物（但し、Ｓｉはシリコン、Ｍｎはマンガン、
Ｃｒはクロムを表す）である。

【０００９】このような組成の誘電体組成物は還元雰囲
気中において焼結し、静電容量の温度係数が安定した範
囲にあり、比誘電率及び比抵抗が高く、抗折強度も良好
な特性を有した非還元性の誘電体組成物として提供する
ことができる。

【００１０】請求項２の発明は、誘電体組成物からなる
１又は２以上の誘電体層とこの誘電体層を挟持している
内部電極とを備えたセラミックコンデンサにおいて、前
記誘電体層の組成物が、（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）ｋ（Ｚｒ
１−ｙＴｉｙ）Ｏ３、（但し、ＭｅはＣａ及び／又はＳ
ｒ、ｘは０．７≦ｘ≦０．９５、ｋは０．９≦ｋ≦１．
１、ｙは０．０２≦ｙ≦０．１を満足する数値）で表わ
される主成分物質に少なくとも副成分物質として、Ｓｉ
の酸化物とＭｎの酸化物とＣｒの酸化物とを有した誘電
体組成物であることを特徴とするセラミックコンデンサ
である。

【００１１】このようなセラミックコンデンサは、上述
のように高い比誘電率及びその他の優れた電気特性や優
れた機械的特性を有した誘電体組成物を用いているの
で、誘電体層を薄膜や薄層化し、セラミックコンデンサ
の小型化と大容量化とを図ることができる。

【００１２】請求項３の発明は、主成分物質の組成が、
（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３（但
し、ＭｅはＣａ及び／又はＳｒ）で表わされる物質に、
副成分物質として少なくともＳｉの酸化物とＭｎの酸化
物とＣｒの酸化物とをＳｉ、Ｍｎ及び／又はＣｒの酸化
物或いはＳｉ、Ｍｎ及び／又はＣｒ水酸化物又は酢酸
塩、硝酸塩若しくは硫酸塩等の塩のいずれかの形態で加
え、これらの物質を非酸化性雰囲気中乃至は還元性雰囲
気中で混合焼成した後、酸化雰囲気中で熱処理すること
により、焼成物とし、該焼成物中における上記組成中の
Ｍｅと（Ｍｅ＋Ｂａ）との比ｘの値を０．７≦ｘ≦０．
９５の範囲、（Ｂａ＋Ｍｅ）と（Ｚｒ＋Ｔｉ）との比ｋ
の値を０．９≦ｋ≦１．１の範囲、Ｔｉと（Ｔｉ＋Ｚ
ｒ）との比ｙの値を０．０２≦ｙ≦０．１の範囲にした
誘電体組成物の製造方法である。

【００１３】このような誘電体組成物の製造方法を用い
ることにより、従来と同様な製造工程を用いつつ、高い
比誘電率で優れた諸電気特性や優れた機械的特性を有し
た誘電体組成物を製造し、高性能のセラミックコンデン
サの提供を実現することができる。

【００１４】請求項４の発明は、主成分の組成が、（Ｂ
ａ１−ｘＭｅｘ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３、（但
し、ＭｅはＣａ及び／又はＳｒ）で表わされる物質と、
該主成分の物質に副成分物質として少なくともＳｉの酸
化物とＭｎの酸化物とＣｒの酸化物とをＳｉ、Ｍｎ及び
／又はＣｒの酸化物或いはＳｉ、Ｍｎ及び／又はＣｒ水
酸化物又は酢酸塩、硝酸塩若しくは硫酸塩等の塩のいず
れかの形態で添加し、これらを混合焼成して得られる誘
電体組成物であって、該誘電体組成物中におけるＭｅと
（Ｍｅ＋Ｂａ）との比ｘの値が０．７≦ｘ≦０．９５の
範囲、（Ｂａ＋Ｍｅ）と（Ｚｒ＋Ｔｉ）との比ｋの値が
０．９≦ｋ≦１．１の範囲、Ｔｉと（Ｔｉ＋Ｚｒ）との
比ｙの値が０．０２≦ｙ≦０．１の範囲にあり、かつ、
該誘電体組成物中のＳｉの酸化物 の含有割合ｓが０．
５ａｔｍ％≦ｓ≦２．０ａｔｍ％の範囲にあり、Ｍｎの
酸化物の含有割合ｔが、０．５ａｔｍ％≦ｔ≦３．０ａ
ｔｍ％の範囲にあり、Ｃｒの酸化物の含有割合ｕが、
０．０６ａｔｍ％≦ｕ≦０．５ａｔｍ％の範囲にある誘
電体組成物である。

【００１５】このような組成の誘電体組成物は還元雰囲
気中において１２５０℃以下で焼結し、２５℃基準で１
２５℃の静電容量の温度係数が±３０ｐｐｍ／℃の範囲
にあり、２５℃での比誘電率が３５以上、１５０℃での
比抵抗ρが１×１０の１３乗Ωｃｍ以上、抗折強度が１
４０００ｋｇｆ／ｍｍ２（キログラム重／平方ミリメー
トル）以上の特性を有した非還元性の誘電体組成物とし
て提供することができる。

【００１６】請求項５の発明は、誘電体組成物からなる
１又は２以上の誘電体層とこの誘電体層を挟持している
内部電極とを備えたセラミックコンデンサにおいて、前
記誘電体組成物が、（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）ｋ（Ｚｒ１−
ｙＴｉｙ）Ｏ３、（但し、ＭｅはＣａ及び／又はＳｒ、
ｘは０．７≦ｘ≦０．９５、ｋは０．９≦ｋ≦１．１、
ｙは０．０２≦ｙ≦０．１を満足する数値）で表わされ
る主成分物質と、副成分物質として少なくともＳｉの酸
化物とＭｎの酸化物とＣｒの酸化物を有し、該誘電体組
成物の中のＳｉの酸化物の含有割合ｓが０．５ａｔｍ％
≦ｓ≦２．０ａｔｍ％の範囲、Ｍｎの酸化物の含有割合
ｔが０．５ａｔｍ％≦ｔ≦３．０ａｔｍ％の範囲、Ｃｒ
の酸化物の含有割合ｕが、０．０６ａｔｍ％≦ｕ≦０．
５ａｔｍ％の範囲にある誘電体組成物として前記誘電体
層に配されているセラミックコンデンサである。

【００１７】このようなセラミックコンデンサは、上述
のように高い比誘電率及びその他の優れた電気特性や優
れた機械的特性を有した誘電体組成物を用いているの
で、誘電体層を薄膜や薄層化し、セラミックコンデンサ
の小型化と大容量化とを図ることができる。

【００１８】請求項６の発明は、誘電体組成物からなる
１又は２以上の誘電体層とこの誘電体層を挟持している
内部電極とを備えたセラミックコンデンサにおいて、前
記誘電体組成物が、（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）ｋ（Ｚｒ１−
ｙＴｉｙ）Ｏ３、（但し、ＭｅはＣａ及び／又はＳｒ、
ｘは０．７≦ｘ≦０．９５、ｋは０．９≦ｋ≦１．１、
ｙは０．０２≦ｙ≦０．１を満足する数値）で表わされ
る物質からなる主成分物質と、少なくとも副成分物質と
してＳｉの酸化物とＭｎの酸化物とＣｒの酸化物からな
り、誘電体組成物は、該誘電体組成物中のＳｉの酸化物
の含有割合ｓが０．５ａｔｍ％≦ｓ≦２．０ａｔｍ％
の範囲、Ｍｎの酸化物の含有割合ｔが、０．５ａｔｍ％
≦ｔ≦３．０ａｔｍ％の範囲、Ｃｒの酸化物の含有割合
ｕが、０．０６ａｔｍ％≦ｕ≦０．５ａｔｍ％の範囲の
誘電体組成物として誘電体層に配され、かつ、前記内部
電極が卑金属を主成分とする金属で形成されていること
を特徴とするセラミックコンデンサである。

【００１９】このようなセラミックコンデンサは、コン
デンサの性能の低下を抑制しつつセラミックコンデンサ
の内部電極に卑金属材料を用いてセラミックコンデンサ
の低価格化を実現することができる。なお、内部電極を
形成する卑金属としてＮｉ（ニッケル）を用いている
が、これ以外に、Ｎｉ合金、Ｃｕ（銅）、Ｃｕ合金、そ
の他の卑金属を使用することもできる。

【００２０】請求項７の発明は、主成分物質の組成が、
（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３（但
し、ＭｅはＣａ及び／又はＳｒ）で表わされる主成分物
質と、副成分物質として少なくともＳｉの酸化物とＭｎ
の酸化物とＣｒの酸化物とをＳｉ、Ｍｎ及び／又はＣｒ
の酸化物或いはＳｉ、Ｍｎ及び／又はＣｒ水酸化物又は
酢酸塩、硝酸塩若しくは硫酸塩等の塩のいずれかの形態
の混合物として非酸化性雰囲気中乃至は還元性雰囲気中
で焼成した後、酸化雰囲気中で熱処理して、焼成物と
し、該焼成物中におけるＭｅと（Ｍｅ＋Ｂａ）との比ｘ
の値を０．７≦ｘ≦０．９５の範囲、（Ｂａ＋Ｍｅ）と
（Ｚｒ＋Ｔｉ）との比ｋの値を、０．９≦ｋ≦１．１の
範囲、Ｔｉと（Ｔｉ＋Ｚｒ）との比をｙの値を０．０２
≦ｙ≦０．１の範囲にし、かつ、前記誘電体組成物中の
Ｓｉの酸化物の含有割合ｓを０．５ａｔｍ％≦ｓ≦２．
０ａｔｍ％の範囲、Ｍｎの酸化物の含有割合ｔを０．５
ａｔｍ％≦ｔ≦３．０ａｔｍ％の範囲、Ｃｒの酸化物の
含有割合ｕを０．０６ａｔｍ％≦ｕ≦０．５ａｔｍ％の
範囲にした誘電体組成物の製造方法である。

【００２１】このような誘電体組成物の製造方法を用い
ることにより、従来と同様な製造工程を用いつつ、上述
のように高い比誘電率で優れた諸電気特性や優れた機械
的特性を有した誘電体組成物を製造し、高性能のセラミ
ックコンデンサの提供を実現することができる。

【００２２】請求項８の発明は、主成分の組成が、（Ｂ
ａ１−ｘＭｅｘ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３、（但
し、ＭｅはＣａ及び／又はＳｒ）で表わされる物質と、
該主成分の物質に副成分物質として少なくともＳｉの酸
化物とＭｎの酸化物とＣｒの酸化物とをＳｉ、Ｍｎ及び
／又はＣｒの酸化物或いはＳｉ、Ｍｎ及び／又はＣｒ水
酸化物又は酢酸塩、硝酸塩若しくは硫酸塩等の塩のいず
れかの形態で添加する第一の添加物と、Ｓｃ（スカンジ
ウム）およびＹ（イットリウム）を含む希土類元素（Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕ）あるいはＮｂ
（ニオブ）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔａ（タンタル）お
よびＷ（タングステン）の酸化物を１種または２種以
上、酸化物或いは水酸化物又は酢酸塩、硝酸塩若しくは
硫酸塩等の塩のいずれかの形態で添加する第二の添加物
とを添加し、これらを混合焼成して得られる誘電体組成
物であって、該誘電体組成物中におけるＭｅと（Ｍｅ＋
Ｂａ）との比ｘの値が０．７≦ｘ≦０．９５の範囲、
（Ｂａ＋Ｍｅ）と（Ｚｒ＋Ｔｉ）との比ｋの値が０．９
≦ｋ≦１．１の範囲、Ｔｉと（Ｔｉ＋Ｚｒ）との比ｙの
値が０．０２≦ｙ≦０．１の範囲にあり、かつ、該誘電
体組成物中のＳｉの酸化物 の含有割合ｓが０．５ａｔ
ｍ％≦ｓ≦２．０ａｔｍ％の範囲にあり、Ｍｎの酸化物
の含有割合ｔが、０．５ａｔｍ％≦ｔ≦３．０ａｔｍ％
の範囲にあり、Ｃｒの酸化物の含有割合ｕが、０．０６
ａｔｍ％≦ｕ≦０．５ａｔｍ％の範囲にあり、Ｓｃおよ
びＹを含む希土類元素（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ
およびＬｕ）あるいはＮｂ、Ｍｏ、ＴａおよびＷの酸化
物を１種または２種以上含有する第二の添加物の含有割
合ｖが０．２ａｔｍ％≦ｖ≦１．０ａｔｍ％の範囲にあ
る誘電体組成物である。

【００２３】但し、Ｌａはランタン、Ｃｅはセリウム、
Ｐｒはプラセオジウム、Ｎｄはネオジウム、Ｓｍはサマ
リウム、Ｅｕはユウロピウム、Ｇｄはガドリニウム、Ｔ
ｂはテルビウム、Ｄｙはジスプロシウム、Ｈｏはホルミ
ウム、Ｅｒはエルビウム、Ｔｍはツリウム、Ｙｂはイッ
テルビウム、Ｌｕはルテチウムを表す。

【００２４】このような組成の誘電体組成物は還元雰囲
気中において１２５０℃以下で焼結し、２５℃基準で１
２５℃の静電容量の温度係数が±３０ｐｐｍ／℃の範囲
にあり、２５℃での比誘電率が３５以上、１５０℃での
比抵抗ρが１×１０の１３乗Ωｃｍ以上、抗折強度が１
４０００ｋｇｆ／ｍｍ２（キログラム重／平方ミリメー
トル）以上の特性を有し、かつ、比抵抗の加速寿命時間
が長い非還元性の誘電体組成物として提供することがで
きる。

【００２５】請求項９の発明は、誘電体組成物からなる
１又は２以上の誘電体層とこの誘電体層を挟持している
内部電極とを備えたセラミックコンデンサにおいて、前
記誘電体層の組成物が、（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）ｋ（Ｚｒ
１−ｙＴｉｙ）Ｏ３、（但し、ＭｅはＣａ及び／又はＳ
ｒ、ｘは０．７≦ｘ≦０．９５、ｋは０．９≦ｋ≦１．
１、ｙは０．０２≦ｙ≦０．１を満足する数値）で表わ
される主成分物質と、副成分物質として少なくともＳｉ
の酸化物とＭｎの酸化物とＣｒの酸化物を含有する第一
の添加物と、ＳｃおよびＹを含む希土類元素（Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕ）あるいはＮｂ、Ｍ
ｏ、ＴａおよびＷの酸化物を１種または２種以上含有す
る第二の添加物を有し、該誘電体組成物中のＳｉの酸化
物 の含有割合ｓが０．５ａｔｍ％≦ｓ≦２．０ａｔｍ
％の範囲にあり、Ｍｎの酸化物の含有割合ｔが、０．５
ａｔｍ％≦ｔ≦３．０ａｔｍ％の範囲にあり、Ｃｒの酸
化物の含有割合ｕが、０．０６ａｔｍ％≦ｕ≦０．５ａ
ｔｍ％の範囲にあり、ＳｃおよびＹを含む希土類元素
（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、
Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕ）あるいはＮ
ｂ、Ｍｏ、ＴａおよびＷの酸化物を１種または２種以上
含有する第二の添加物の含有割合ｖが０．２ａｔｍ％≦
ｖ≦１．０ａｔｍ％の範囲にある誘電体組成物として誘
電体層に配されているセラミックコンデンサである。

【００２６】このようなセラミックコンデンサは、上述
のように高い比誘電率及びその他の優れた電気特性や優
れた機械的特性を有し、かつ、比抵抗の加速寿命時間が
長い誘電体組成物を用いているので、誘電体層を薄膜や
薄層化し、セラミックコンデンサの小型化と大容量化お
よび高信頼性化を図ることができる。

【００２７】請求項１０の発明は、誘電体組成物からな
る１又は２以上の誘電体層とこの誘電体層を挟持してい
る内部電極とを備えたセラミックコンデンサにおいて、
前記誘電体層の組成物が、（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）ｋ（Ｚ
ｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３、（但し、ＭｅはＣａ及び／又は
Ｓｒ、ｘは０．７≦ｘ≦０．９５、ｋは０．９≦ｋ≦
１．１、ｙは０．０２≦ｙ≦０．１を満足する数値）で
表わされる物質からなる主成分物質と、少なくとも副成
分物質としてＳｉの酸化物とＭｎの酸化物とＣｒの酸化
物からなる第一の添加物と、ＳｃおよびＹを含む希土類
元素（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕ）あるい
はＮｂ、Ｍｏ、ＴａおよびＷの酸化物を１種または２種
以上含有する第二の添加物を有し、誘電体組成物は、該
誘電体組成物中のＳｉの酸化物 の含有割合ｓが０．５
ａｔｍ％≦ｓ≦２．０ａｔｍ％の範囲、Ｍｎの酸化物の
含有割合ｔが、０．５ａｔｍ％≦ｔ≦３．０ａｔｍ％の
範囲、Ｃｒの酸化物の含有割合ｕが、０．０６ａｔｍ％
≦ｕ≦０．５ａｔｍ％の範囲にあり、ＳｃおよびＹを含
む希土類元素（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、
Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬ
ｕ）あるいはＮｂ、Ｍｏ、ＴａおよびＷの酸化物を１種
または２種以上含有する第二の添加物の含有割合ｖが
０．２ａｔｍ％≦ｖ≦１．０ａｔｍ％の範囲にある誘電
体組成物として誘電体層に配され、かつ、前記内部電極
が卑金属を主成分とする金属で形成されていることを特
徴とするセラミックコンデンサである。

【００２８】このようなセラミックコンデンサは、コン
デンサの性能の低下を抑制しつつセラミックコンデンサ
の内部電極に卑金属材料を用いてセラミックコンデンサ
の低価格化を実現することができる。なお、内部電極を
形成する卑金属としてＮｉ（ニッケル）を用いている
が、これ以外に、Ｎｉ合金、Ｃｕ（銅）、Ｃｕ合金、そ
の他の卑金属を使用することもできる。

【００２９】請求項１１の発明は、主成分物質の組成
が、（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ
３、（但し、ＭｅはＣａ及び／又はＳｒ）で表わされる
主成分物質と、副成分物質として少なくともＳｉの酸化
物とＭｎの酸化物とＣｒの酸化物とを含有する第一の添
加物を、Ｓｉ、Ｍｎ及び／又はＣｒの酸化物或いはＳ
ｉ、Ｍｎ及び／又はＣｒ水酸化物又は酢酸塩、硝酸塩若
しくは硫酸塩等の塩のいずれかの形態で混合し、Ｓｃお
よびＹを含む希土類元素（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ
およびＬｕ）あるいはＮｂ、Ｍｏ、ＴａおよびＷの酸化
物を１種または２種以上を含有する第二の添加物を、酸
化物或いは水酸化物又は酢酸塩、硝酸塩若しくは硫酸塩
等の塩のいずれかの形態で混合し、混合物として非酸化
性雰囲気中乃至は還元性雰囲気中で焼成した後、酸化雰
囲気中で熱処理して、焼成物とし、該焼成物中における
Ｍｅと（Ｍｅ＋Ｂａ）との比ｘの値を０．７≦ｘ≦０．
９５の範囲、（Ｂａ＋Ｍｅ）と（Ｚｒ＋Ｔｉ）との比ｋ
の値を０．９≦ｋ≦１．１の範囲、Ｔｉと（Ｔｉ＋Ｚ
ｒ）との比ｙの値がを０．０２≦ｙ≦０．１の範囲に
し、かつ、該誘電体組成物中のＳｉの酸化物 の含有割
合ｓを０．５ａｔｍ％≦ｓ≦２．０ａｔｍ％の範囲、Ｍ
ｎの酸化物の含有割合ｔを０．５ａｔｍ％≦ｔ≦３．０
ａｔｍ％の範囲、Ｃｒの酸化物の含有割合ｕを０．０６
ａｔｍ％≦ｕ≦０．５ａｔｍ％の範囲にし、Ｓｃおよび
Ｙを含む希土類元素（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、
Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂおよ
びＬｕ）あるいはＮｂ、Ｍｏ、ＴａおよびＷの酸化物を
１種または２種以上含有する第二の添加物の含有割合ｖ
を０．２ａｔｍ％≦ｖ≦１．０ａｔｍ％の範囲にあるよ
うにした誘電体組成物の製造方法である。

【００３０】このような誘電体組成物の製造方法を用い
ることにより、従来と同様な製造工程を用いつつ、上述
のように高い比誘電率で優れた諸電気特性や優れた機械
的特性を有し、かつ、比抵抗の加速寿命時間が長い誘電
体組成物を製造し、高性能のセラミックコンデンサの提
供を実現することができる。

【００３１】請求項１２の発明は、主成分の組成が、
（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３、
（但し、ＭｅはＣａ及び／又はＳｒ、ｘは０．７≦ｘ≦
０．９５、ｋは０．９≦ｋ≦１．１、ｙは０．０２≦ｙ
≦０．１を満足する数値）で表わされる物質からなり、
副成分物質が少なくともＳｉの酸化物とＭｎの酸化物と
Ｃｒの酸化物とを含有する第一の添加物と、Ｓｃおよび
Ｙを含む希土類元素（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、
Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂおよ
びＬｕ）あるいはＮｂ、Ｍｏ、ＴａおよびＷの酸化物を
１種または２種以上含有する第二の添加物とであること
を特徴とする誘電体組成物である。

【００３２】このような組成の誘電体組成物は還元雰囲
気中において焼結し、静電容量の温度係数が安定した範
囲にあり、比誘電率及び比抵抗が高く、抗折強度も良好
な特性を有し、かつ、比抵抗の加速寿命時間が長い非還
元性の誘電体組成物として提供することができる。

【００３３】請求項１３の発明は、誘電体組成物からな
る１又は２以上の誘電体層とこの誘電体層を挟持してい
る内部電極とを備えたセラミックコンデンサにおいて、
前記誘電体層の組成物が、（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）ｋ（Ｚ
ｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３、（但し、ＭｅはＣａ及び／又は
Ｓｒ、ｘは０．７≦ｘ≦０．９５、ｋは０．９≦ｋ≦
１．１、ｙは０．０２≦ｙ≦０．１を満足する数値）で
表わされる主成分物質に少なくとも副成分物質として、
Ｓｉの酸化物とＭｎの酸化物とＣｒの酸化物とを含有す
る第一の添加物と、ＳｃおよびＹを含む希土類元素（Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕ）あるいはＮ
ｂ、Ｍｏ、ＴａおよびＷの酸化物を１種または２種以上
含有する第二の添加物とを有した誘電体組成物であるこ
とを特徴とするセラミックコンデンサである。

【００３４】このようなセラミックコンデンサは、上述
のように高い比誘電率及びその他の優れた電気特性や優
れた機械的特性を有し、かつ、比抵抗の加速寿命時間が
長い誘電体組成物を用いているので、誘電体層を薄膜や
薄層化し、セラミックコンデンサの小型化と大容量化お
よび高信頼性化を図ることができる。

【００３５】請求項１４の発明は、主成分物質の組成
が、（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３
（但し、ＭｅはＣａ及び／又はＳｒ）で表わされる物質
に、副成分物質として少なくともＳｉの酸化物とＭｎの
酸化物とＣｒの酸化物とを、Ｓｉ、Ｍｎ及び／又はＣｒ
の酸化物或いはＳｉ、Ｍｎ及び／又はＣｒ水酸化物又は
酢酸塩、硝酸塩若しくは硫酸塩等の塩のいずれかの形態
で加え、これらの物質を非酸化性雰囲気中乃至は還元性
雰囲気中で混合焼成した後、酸化雰囲気中で熱処理する
ことにより、焼成物とし、該焼成物中における上記組成
中のＭｅと（Ｍｅ＋Ｂａ）との比ｘの値を０．７≦ｘ≦
０．９５の範囲、（Ｂａ＋Ｍｅ）と（Ｚｒ＋Ｔｉ）との
比ｋの値を０．９≦ｋ≦１．１の範囲、Ｔｉと（Ｔｉ＋
Ｚｒ）との比ｙの値を０．０２≦ｙ≦０．１の範囲にし
た誘電体組成物の製造方法である。

【００３６】このような誘電体組成物の製造方法を用い
ることにより、従来と同様な製造工程を用いつつ、高い
比誘電率で優れた諸電気特性や優れた機械的特性を有
し、かつ、比抵抗の加速寿命時間が長い誘電体組成物を
製造し、高性能のセラミックコンデンサの提供を実現す
ることができる。

【００３７】ここで、主成分の組成式（Ｂａ１−ｘＭｅ
ｘ ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３において、Ｍｅと
（Ｍｅ＋Ｂａ）との比であるｘの値は、０．７≦ｘ≦
０．９５が好ましい。ｘの値が０．９５を超えると比誘
電率εsが低下し、また、ｘの値が０．７未満になると
温度係数ＴＣがマイナス側に大きくなり過ぎるという不
都合を生ずるからである。

【００３８】なお、ＭｅはＣａ及び／又はＳｒを意味
し、ＣａとＳｒは、両材料の組み合わせでも良いし、い
ずれか一方の材料だけでも良い。

【００３９】また、主成分の組成式（Ｂａ１−ｘＭｅ
ｘ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３において、（Ｂａ＋Ｍ
ｅ）と（Ｚｒ＋Ｔｉ）との比ｋの値は、０．９≦ｋ≦
１．１が好ましい。ｋの値が０．９未満になったり、
１．１を超えると誘電体組成物を積層した積層体の焼結
性が悪化し、１２５０℃以下で緻密な焼結体が得られな
くなるからである。

【００４０】また、主成分の組成式（Ｂａ１−ｘＭｅ
ｘ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３において、Ｔｉと（Ｔ
ｉ＋Ｚｒ）との比ｙの値は、０．０２≦ｙ≦０．１が好
ましい。ｙの値が０．０２未満になると比誘電率εsが
低下し、また、ｙの値が０．１を超えると温度係数ＴＣ
がマイナス側に大きくなり過ぎるという不都合を生ずる
からである。

【００４１】誘電体組成物中におけるＳｉの酸化物 の
含有割合であるｓは、０．５ａｔｍ％≦ｓ≦２．０ａｔ
ｍ％が望ましい。ｓが０．５０ａｔｍ％未満になると、
積層体の焼結性が悪化し、２．０ａｔｍ％を超えると、
焼結性を阻害し積層体の強度が低下するからである。

【００４２】また、誘電体組成物中におけるＭｎの酸化
物の含有割合tは、０．５ａｔｍ％≦ｔ≦３．０ａｔｍ
％が望ましい。tが０．５ａｔｍ％未満になると、積層
体の焼結性が悪化し、３．０ａｔｍ％を超えると、積層
体の強度が低下するためである。

【００４３】また、誘電体組成物中におけるＣｒの酸化
物の含有割合ｕは、０．０６ａｔｍ％≦ｕ≦０．５ａｔ
ｍ％が望ましい。０．０６ａｔｍ％未満になると、積層
体の強度が低下し、０．５ａｔｍ％を超えると、１５０
℃における比抵抗が低下するためである。

【００４４】また、誘電体組成物中におけるＳｃおよび
Ｙを含む希土類元素（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、
Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂおよ
びＬｕ）あるいはＮｂ、Ｍｏ、ＴａおよびＷの酸化物を
１種または２種以上含有する割合ｖは、０．２ａｔｍ％
≦ｖ≦１．０ａｔｍ％が望ましい。０．２ａｔｍ％未満
になると、比抵抗の加速寿命時間延長効果が得難くな
り、１．０ａｔｍ％を超えると、積層体の焼結性が悪化
するためである。

【００４５】この発明の誘電体組成物及びセラミックコ
ンデンサの製造方法の一例を説明する。

【００４６】誘電体組成物の原材料として、ＭｅＣＯ
３、ＢａＣＯ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２等を秤量して、焼
成後の主成分物質の組成が、（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）ｋ
（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３、（但し、ＭｅはＣａ及び／
又はＳｒ、ｘは０．７≦ｘ≦０．９５、ｋは０．９≦ｋ
≦１．１、ｙは０．０２≦ｙ≦０．１を満足する数値）
で表わされる物質となるように混ぜるとともに、この原
材料を分散媒、水、ビーズの入った容器に入れて混合
し、これらの主成分物質を粉砕し、混合させつつ微細粉
末化する。主成分物質が均質に微細粉末化され混合され
たら、これを容器から取り出し、乾燥させた後、約１２
００℃で仮焼成して誘電体のベース材を作る。

【００４７】次に、この主成分物質のベース材に副成分
物質として、Ｓｉ酸化物とＭｎ酸化物とＣｒ酸化物とを
含有する第一の添加物が上述した所定の含有量の範囲で
得られるように、ＳｉＯ２等のＳｉの酸化物その他のＳ
ｉの酸化物及び／又は水酸化物又は酢酸塩、硝酸塩若し
くは硫酸塩等の塩をこれらのいずれかの形態で加え、Ｍ
ｎ２Ｏ３等のＭｎの酸化物その他のＭｎの酸化物及び／
又は水酸化物又は酢酸塩、硝酸塩若しくは硫酸塩等の塩
をこれらのいずれかの形態で加え、Ｃｒ２Ｏ３等のＣｒ
の酸化物その他のＣｒの酸化物及び／又は水酸化物、酢
酸塩、硝酸塩若しくは硫酸塩等の塩をこれらのいずれか
の形態で秤量して加え、第二の添加物として、Ｓｃおよ
びＹを含む希土類元素（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ
およびＬｕ）、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａあるいは、Ｗの酸化物
のうちの１種または２種以上を、酸化物或いは水酸化物
又は酢酸塩、硝酸塩若しくは硫酸塩等の塩のいずれかの
形態で上述した所定の含有量の範囲で得られるように秤
量して加え、これらを分散媒、水、ビーズの入った容器
に入れて混合して粉砕し、主成分物質と第一の添加物お
よび第二の添加物からなる副成分物質とを均質に混合さ
せつつ微細粉末化する。

【００４８】主成分物質と第一の添加物および第二の添
加物からなる副成分物質とが微細粉末化され均質に混合
されたら、この混合物を容器から取り出し、乾燥させる
と主成分物質と副成分物質とからなる未焼結の磁器粉末
からなる誘電体の混合物材料が得られる。

【００４９】この誘電体の混合物材料を、バインダ、溶
剤、分散剤、ビーズの入った容器に入れ、混合、再粉砕
してスラリー化し、このスラリーを、ドクターブレード
法等によって薄膜状のセラミック未焼結シート（セラミ
ックグリーンシート）に成形し、乾燥させて巻き取る。

【００５０】この後、セラミック未焼結シート上には、
金属粉末を糊状にした導電ペーストで内部電極のパター
ンを印刷する。

【００５１】導電ペーストとしては、樹脂中にＮｉ、Ｎ
ｉ合金やＣｕその他の安価な卑金属粉末を分散させた導
電ペーストが用いられる。

【００５２】内部電極が印刷されたセラミック未焼結シ
ートを複数、積み重ねることにより、誘電体層は、積み
重ねられた数の内部電極で挟持された構造のセラミック
シートの積層体が得られる。

【００５３】このようにして積み重ねられたセラミック
未焼結シートの積層体は加圧圧着された後、セラミック
コンデンサの大きさの素子（積層体チップ）に分割され
る。

【００５４】積層体チップは、さらに、非酸化性雰囲気
中乃至はＨ２（水素）等が混入されて、やや還元性の雰
囲気となるように調整された雰囲気中において、導電ペ
ースト内の金属が酸化されないようにしつつ、バインダ
ーが加熱除去され、１２５０℃以下の温度で焼成、焼結
などの熱処理が施される。

【００５５】ここで、非酸化性雰囲気乃至は還元性の雰
囲気としては、Ｈ２やＣＯ（一酸化炭素）等の還元性雰
囲気のみならず、Ｎ２（窒素）やＡｒ（アルゴン）など
の中性雰囲気であってもよい。

【００５６】また、非酸化性雰囲気中における焼成温度
は、内部電極の金属材料の種類を考慮して種々変更する
ことができる。Ｎｉを内部電極の材料とする場合には、
１０５０〜１２５０℃の範囲であればニッケル粒子の凝
集をほとんど生じさせることなく焼成、焼結させること
ができる。

【００５７】バインダーが除去された積層体チップは、
さらに、酸化性雰囲気中において熱処理されることによ
りセラミックコンデンサの素子（チップ）が得られる。

【００５８】酸化性雰囲気中における熱処理温度は、非
酸化性雰囲気中における焼成温度より低い温度であれば
よく、５００℃〜１０００℃の範囲が好ましい。

【００５９】酸化性雰囲気としては、大気雰囲気に限定
することなく、例えば、Ｎ２に数ｐｐｍのＯ２（酸素）
を混合したような低酸素濃度の雰囲気から任意の酸素濃
度の雰囲気を使用することができる。

【００６０】どのような温度あるいはどのような酸素濃
度の雰囲気にするかは、内部電極（ニッケル等）の酸化
と誘電体層の酸化とを考慮して種々変更する必要があ
る。

【００６１】後述した実施例ではこの熱処理の温度を６
００℃としたが、この温度に限定されるものではない。

【００６２】このようにして酸化性雰囲気中において熱
処理されたセラミックコンデンサ素子は、この後、その
端部に外部電極を取付けられてセラミックコンデンサが
得られる。

【００６３】また、後述する実施例では、非酸化性雰囲
気中における熱処理と、酸化性雰囲気中における熱処理
を一つの連続した焼成プロファイルの中で行なっている
が、もちろん非酸化性雰囲気中における焼成工程と、酸
化性雰囲気における熱処理工程とを独立した工程に分け
て行なうことも可能である。

【００６４】さらにまた、誘電体組成物を形成する出発
原料は、後述する実施例で示したもの以外の、酸化物、
水酸化物又はその他の化合物としてもよい。

【００６５】また、外部電極としてＮｉ電極を使用して
いるが、電極焼付け条件を選択することによりＮｉ合
金、Ａｇ（銀）、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｐｄ（パラジウ
ム）、Ａｇ／Ｐｄ（銀パラジウム）等の電極を用いるこ
とができるのはもちろん、Ｎｉ外部電極を未焼結積層体
の端面に塗布して積層体の焼成と外部電極の焼付けを同
時に行うことも可能である。

【００６６】このようにして焼成、焼結された誘電体組
成物は、主成分の組成が、（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）ｋ（Ｚ
ｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３、（但し、ＭｅはＣａ及び／又は
Ｓｒ、ｘは０．７≦ｘ≦０．９５、ｋは０．９≦ｋ≦
１．１、ｙは０．０２≦ｙ≦０．１を満足する数値）で
表わされる物質からなり、該主成分の物質にＳｉとＭｎ
とＣｒとの酸化物等の第一の添加物とＳｃおよびＹを含
む希土類元素（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、
Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬ
ｕ）あるいはＮｂ、Ｍｏ、ＴａおよびＷの酸化物を１種
または２種以上含有する第二の添加物からなる副成分物
質とを混合、焼成して得られる誘電体組成物であって、
誘電体組成物中におけるＳｉの酸化物 の含有割合ｓが
０．５ａｔｍ％≦ｓ≦２．０ａｔｍ％の範囲、Ｍｎの酸
化物の含有割合ｔが０．５ａｔｍ％≦ｔ≦３．０ａｔｍ
％の範囲、Ｃｒの酸化物の含有割合ｕが０．０６ａｔｍ
％≦ｕ≦０．５ａｔｍ％の範囲で、かつ、ＳｃおよびＹ
を含む希土類元素（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅ
ｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂおよび
Ｌｕ）Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ或いはＷの酸化物を１種または
２種以上含有する第二の添加物の含有割合ｖが０．２ａ
ｔｍ％≦ｖ≦１．０ａｔｍ％の範囲にある誘電体組成物
となる。

【００６７】図１は、積層セラミックコンデンサの構成
を模式的に示す断面図である。

【００６８】上述のようにして得られた誘電体組成物を
誘電体層１に有するセラミックコンデンサ素子２の端面
に導電ペースト３を焼き付け、内部電極４が誘電体層１
を挟んで外部電極５、５に交互に電気的に連通するよう
に外部電極５を対向して形成させてセラミックコンデン
サが完成する。

【００６９】なお、この発明は積層タイプのセラミック
コンデンサ以外の一般的な単層のセラミックコンデンサ
にも勿論適用可能である。

【００７０】

【実施例】純度９９．９％の炭酸カルシウム（ＣａＣＯ
３）炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）、炭酸バリウム
（ＢａＣＯ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化
チタン（ＴｉＯ２）を主成分の出発原料として用意し、
これらを混合、焼結した後に得られる誘電体組成物が、
表１の試料Ｎｏ．１１および表３の試料Ｎｏ．８２に示
された条件を満足するように、各々秤量した。

【００７１】ここで、表１、表２（表１の続き）及び表
３（表２の続き）のｘの欄は主成分の組成式（Ｂａ１−
ｘＭｅｘ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３におけるＭｅと
（Ｍｅ＋Ｂａ）との比ｘを、ｙの欄は主成分の組成式に
おけるＴｉと（Ｔｉ＋Ｚｒ）との比ｙを、ｋの欄は主成
分の組成式における（Ｂａ＋Ｍｅ）と（Ｚｒ＋Ｔｉ）の
比ｋを示している。なお、ＭｅはＣａ及び／又はＳｒを
意味している。

【００７２】

【表１】

【００７３】

【表２】

【００７４】

【表３】

【００７５】次に、これら主成分の出発原料１００重量
部とジルコニアボール３００重量部と純水３００重量部
をポットミルに入れ、湿式で１５時間撹拌し、得られた
スラリーをステンレスバットに移し、これを熱風乾燥機
に入れ、１５０℃で４時間乾燥させた。

【００７６】この乾燥によって得られた固形物を粗粉砕
し、得られた粗粉をトンネル炉に入れ、大気雰囲気中に
おいて、１２００℃で、２時間仮焼して主成分材料（誘
電体のベース材）を得た。

【００７７】次に、試料Ｎｏ．１１については、この主
成分材料と副成分物質材料とを混合、焼結した後の誘電
体組成物が表１の試料Ｎｏ．１１に示された割合となる
ように各々の材料の量を秤量し、混合した。

【００７８】試料Ｎｏ．８２についてはこの主成分材料
と副成分物質としての第一の添加物の材料と第二の添加
物の材料とを混合、焼結した後の誘電体組成物が表３の
試料Ｎｏ．８２に示された割合となるように各々の材料
の量を秤量し、混合した。

【００７９】試料Ｎｏ．１１および試料Ｎｏ．８２にお
いて、副成分物質の材料の酸化珪素（ＳｉＯ２）は純度
９９％のものを、三二酸化マンガン（Ｍｎ２Ｏ３）、酸
化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）はいずれも、純度９９．９％の
ものを使用した。

【００８０】また、添加物質の材料の酸化ホルミウム
（Ｈｏ２Ｏ３）は、純度９９％のものを使用した。

【００８１】次に、試料Ｎｏ．１１および試料Ｎｏ．８
２、それぞれの誘電体材料１００重量部に対して、有機
バインダーとしてポリブチルフタレートを１５重量部、
可塑剤としてジオクチルフタレート（ＤＯＰ）を４０重
量部、溶剤としてトルエンを１５０重量部添加し、ボー
ルミルを用いて１５時間、撹拌混合し、スラリーを作成
した。

【００８２】次に、このスラリーを真空脱泡機に入れて
脱泡し、このスラリーをリバースコーターによってポリ
エステルフィルム上に薄膜状に塗布し、これを１００℃
で乾燥し、厚さ約６μｍのセラミック未焼結シート（セ
ラミックグリーンシート）を得た。

【００８３】一方、平均粒径０．５μｍのＮｉ粉末と、
エチルセルロースをブチルカルビトールに溶解させたも
のとを撹拌器に入れ、十分に混合、混練して内部電極用
の導電ペーストを得た。

【００８４】そして、この導電ペーストを用いて、未焼
結シート上に、短冊状の導電パターンをスクリーン印刷
した。この時、導電パターンが、長手方向に約１／３ず
れるよう、２種類の導電パターンを印刷した。

【００８５】次に、２種類の導電パターンを印刷した２
種類の未焼結シートを交互に５１枚（誘電体５０層）積
層し、この積層によって得られた積層物の上下に、導電
パターンが印刷されていない未焼結シートを積層した。

【００８６】そして、この積層体を７０℃の温度の下で
５０ＭＰａの圧力を加えて押圧し、これらを圧着した。
その後、この積層体を格子状に切断し、試料Ｎｏ．１１
の積層体チップ（素子）および試料Ｎｏ．８２の積層体
チップ（素子）を得た。

【００８７】次に、これらの積層体チップを大気雰囲気
中において１００℃／時間の速度で６００℃まで昇温さ
せ、積層体チップの内部に含まれている有機バインダを
加熱除去させた。そして、炉の雰囲気を大気雰囲気から
Ｈ２（２体積％）＋Ｎ２（９８体積％）の混合雰囲気に
切り替え、１００℃／時間の速度で１２５０℃（焼成温
度）まで昇温させ、２時間保持した後、１００℃／時間
の速度で６００℃まで降温し、雰囲気を大気雰囲気に切
り替え、６００℃で３０分間保持して酸化処理を行な
い、その後、室温まで冷却した。

【００８８】このようにして、積層体チップを焼成し、
電極が露出した状態で焼結された焼結体チップの側面
に、Ｎｉ粉末とガラスフリットとビヒクルからなる導電
ペーストを塗布して乾燥し、大気中５５０℃、１５分間
焼き付けてＮｉ電極層を形成する。

【００８９】更に、この上に無電解メッキによりＣｕを
被着させ、この上に電解メッキによりＰｂ−Ｓｎ半田層
を被着させて、一対の外部電極を形成して試料Ｎｏ．１
１の積層セラミックコンデンサと試料Ｎｏ．８２の積層
セラミックコンデンサを得た。

【００９０】なお、得られたそれぞれの積層セラミック
コンデンサは、２ｍｍ（Ｌ）×１．２５ｍｍ（Ｗ）×１
ｍｍ（Ｔ）（２１２タイプ）であり、内部電極の交差面
積は１ｍｍ2 、誘電体層の１層当たりの厚みは４μｍで
あった。

【００９１】次に、完成した積層セラミックコンデンサ
の比誘電率εs 、温度係数ＴＣ、比抵抗ρ、抗折強度を
測定したところ、試料Ｎｏ．１１の積層セラミックコン
デンサは、表４の試料Ｎｏ．１１に示すように、比誘電
率εs が３８、温度係数ＴＣが＋１２、比抵抗ρが２．
１９×１０の１３乗 Ωｃｍ（表４では２．１９Ｅ＋１
３と表示してある。）、抗折強度が１５３００ｋｇｆ／
ｍｍ2、比抵抗の加速寿命時間が６３３分であった。

【００９２】一方、試料Ｎｏ．８２の積層セラミックコ
ンデンサは、表６の試料Ｎｏ．８２に示すように、比誘
電率εs が３８、温度係数ＴＣが＋１３、比抵抗ρが
２．４０×１０の１３乗 Ωｃｍ（表６では２．１９Ｅ
＋１３と表示してある。）、抗折強度が１４９００ｋｇ
ｆ／ｍｍ2、比抵抗の加速寿命時間が１０００分以上で
あった。

【００９３】なお、電気的特性及び機械的特性は次の要
領で測定した。

【００９４】（Ａ）比誘電率εs ＬＣＲメータを用い、温度２５℃、周波数１ＭＨｚ、交
流電圧１Ｖ（実効値）の条件で、静電容量を測定した。
得られた静電容量と内部電極の交差面積と誘電体層１層
当りの厚みから、比誘電率εs を算出した。

【００９５】（Ｂ）温度係数ＴＣ ２５℃および１２５℃の場合の静電容量を上記のように
して測定し、この静電容量から温度変化に対する容量変
化率を算出した。

【００９６】（Ｃ）比抵抗ρ 温度１５０℃、測定電圧１００ｋＶの条件から、メガオ
ームメータにより抵抗値を測定し、内部電極の交差面積
と誘電体層１層当たりの厚みから算出した。 （Ｄ）抗折強度 グリーンシートのみを積層した積層体を、上述の積層体
チップと同条件で焼成し、試料を作製した。これを用い
て3点曲げ試験を行い、抗折強度（ｋｇｆ／ｍｍ２）を
求めた。

【００９７】（Ｅ）比抵抗の加速寿命時間 温度２００℃にて、６０Ｖ／μｍの直流電界下で加速試
験を行ない、比抵抗が１．００×１０の１２乗Ωｃｍ以
下になるまでの時間を寿命時間とした。

【００９８】以上、試料Ｎｏ．１１と試料Ｎｏ．８２の
試料の場合について述べたが、試料番号１〜１０、１２
〜８１及び８３〜１２３についても、主成分及び副成分
および添加物の組成及び割合を表１、表２及び表３に示
すように変えた他は、試料Ｎｏ．１１および試料Ｎｏ．
８２の試料の場合と同様にして積層セラミックコンデン
サを作成し、同一の方法で電気的特性及び機械的特性を
測定した。

【００９９】焼成温度及び電気的特性並びに機械的特性
は表４、表５（表４の続き）及び表６（表５の続き）に
示す通りとなった。

【０１００】

【表４】

【０１０１】

【表５】

【０１０２】

【表６】

【０１０３】以上の結果から明らかなように、この発明
に従う試料によれば、還元雰囲気中における１２５０℃
以下の焼成により、２５℃基準で１２５℃の静電容量の
温度係数ＴＣが−３０ｐｐｍ／℃〜＋３０ｐｐｍ／℃の
範囲にあり、２５℃での比誘電率εs が３５以上、１５
０℃での比抵抗ρが１×１０の１３乗Ωｃｍ以上の電気
的諸特性および機械的特性を有する非還元性の誘電体磁
器組成物及びこれを用いたセラミックコンデンサを得る
ことができるものである。

【０１０４】特に、このような本発明の組成物に、さら
に、ＳｃおよびＹを含む希土類元素あるいはＮｂ、Ｍ
ｏ、Ｔａ、Ｗの酸化物の１種または２種以上を添加し、
これらを混合焼成して得らた試料によれば、還元雰囲気
中における１２５０℃以下の焼成により、２５℃基準で
１２５℃の静電容量の温度係数ＴＣが−３０ｐｐｍ／℃
〜＋３０ｐｐｍ／℃の範囲にあり、２５℃での比誘電率
εs が３５以上、１５０℃での比抵抗ρが１×１０の１
３乗Ωｃｍ以上の電気的諸特性及び抗折強度が１４００
０ｋｇｆ／ｍｍ２以上の機械的特性を有し、かつ、比抵
抗の加速寿命時間が長い非還元性の誘電体磁器組成物及
びこれを用いたセラミックコンデンサを得ることができ
るものである。

【０１０５】次に、この発明に係るセラミックコンデン
サに用いられている誘電体組成物の組成範囲の限定理由
について、実験結果を参照しながら説明する。

【０１０６】この組成限定理由は、主成分物質と副成分
物質としての第一の添加物と第二の添加物との混合物を
還元雰囲気中において１２５０℃以下で焼結して得られ
た誘電体組成物が、２５℃基準で１２５℃の静電容量の
温度係数が±３０ｐｐｍ／℃の範囲にあり、２５℃での
比誘電率が３５以上、１５０℃での比抵抗ρが１×１０
の１３乗Ωｃｍ以上、抗折強度が１４０００ｋｇｆ／ｍ
ｍ２以上の特性を有した非還元性の誘電体組成物として
提供されるような組成の組合わせとして設定したもので
ある。

【０１０７】これを表１、表２及び表３に示す組成並び
に表１、表２及び表３の各試料Ｎｏ．に対応する実験結
果を示す表４、表５及び表６を参照しながら説明する。

【０１０８】ｘの値の範囲は、表１及び表４の試料Ｎ
ｏ．１〜８で示すように、ｘの値を変えて試料を得る
と、試料Ｎｏ．1（ｘ＝１．００）では比誘電率εsが３
４で比誘電率εsが３５という特性に満たず、試料Ｎ
ｏ．８（ｘ＝０．６５）では温度係数ＴＣが−４７の値
となって、いずれも温度係数ＴＣが−３０〜＋３０の範
囲外の特性となる。試料Ｎｏ．２〜７（０．７≦ｘ≦
０．９５）では上述した全ての特性を満足する。これら
のことから、ｘの範囲は０．７≦ｘ≦０．９５の範囲が
良い。

【０１０９】ｋの値の範囲は、表１及び表４の試料Ｎ
ｏ．１１、１４〜１７で示すように、試料Ｎｏ．１４
（ｋ＝０．８５）と試料Ｎｏ．１７（ｋ＝１．１５）で
は１２５０℃で焼成しても緻密な焼結体が得られない。
試料Ｎｏ．１１、１５、１６（０．９≦ｋ≦１．１）で
は表４にみられるように、全ての特性を満足する。よっ
てｋの範囲は０．９≦ｋ≦１．１の範囲が良い。

【０１１０】ｙの値の範囲は、表１及び表４の試料Ｎ
ｏ．９〜１３で示すように、試料Ｎｏ．９（ｙ＝０．０
０）では比誘電率εsが３３で比誘電率εsが３５に満た
ない特性であり、試料Ｎｏ．１３（ｙ＝０．１５）では
温度係数ＴＣが−５９の値で−３０〜＋３０の範囲外と
なる。試料Ｎｏ．１０〜１２（０．０２≦ｙ≦０．１）
では表４に示すように全ての特性を満足する。よってｙ
の範囲は０．０２≦ｙ≦０．１の範囲が良い。

【０１１１】ｓの値の範囲は、表１及び表２並びに表４
及び表５の試料Ｎｏ．１１、３０〜３６、４７〜５２、
５４〜６１で示すように、試料Ｎｏ．３０、４７、５４
（ｓ＝０．２０）では１２５０℃で焼成しても緻密な焼
結体が得られない。試料Ｎｏ．３６、５２、６１（ｓ＝
２．３０）では抗折強度が、それぞれ、１２１００ｋｇ
ｆ／ｍｍ２（平方ミリメートル）、１３５００ｋｇｆ／
ｍｍ２、１３７００ｋｇｆ／ｍｍ２で１４０００ｋｇｆ
／ｍｍ２に満たない。

【０１１２】試料Ｎｏ．１１、３１〜３５、４８〜５
１、５５〜６０（０．５≦ｓ≦２．０）では全ての特性
を満足する。よってｓの値は０．５ａｔｍ％≦ｓ≦２．
０ａｔｍ％の範囲が良い。

【０１１３】tの値は、同様に、表１及び表２並びに表
４及び表５の試料Ｎｏ．１１、２４〜２９、３７〜４
３、６５〜７４で示すように、試料Ｎｏ．２４、３７、
６５、７０（ｔ＝０．２５）では１２５０℃で焼成して
も緻密な焼結体が得られない。

【０１１４】試料Ｎｏ．２９、４３、６９、７４（ｔ＝
４．０）では抗折強度が、それぞれ、１３５００ｋｇｆ
／ｍｍ２、１２１００ｋｇｆ／ｍｍ２、１３４００ｋｇ
ｆ／ｍｍ２、１３９００ｋｇｆ／ｍｍ２でいずれも所期
の抗折強度１４０００ｋｇｆ／ｍｍ２に満たない値であ
る。

【０１１５】試料Ｎｏ．１１、２５〜２８、３８〜４
２、６６〜６８、７１〜７３（０．５≦ｔ≦３．０）で
は全ての電気的特性及び機械的特性を満足している。よ
ってｔの範囲は０．５ａｔｍ％≦ｔ≦３．０ａｔｍ％の
範囲が良い。

【０１１６】ｕの値は、同様に、試料Ｎｏ．１１、１８
〜２３で示すように、試料Ｎｏ．１８（ｕ＝０．０５）
では抗折強度が１３８００ｋｇｆ／ｍｍ２で１４０００
ｋｇｆ／ｍｍ２に満たない。試料Ｎｏ．２３（ｕ＝０．
６）では１５０℃での比抵抗ρが１・６２×１０の１２
乗Ωｃｍで１．０×１０の１３乗Ωｃｍ以下となる。

【０１１７】試料Ｎｏ．１１、１９〜２２（０．１≦ｕ
≦０．５）では全ての電気的特性及び機械的特性を満足
している。よつてｕの範囲は０．１ａｔｍ％≦ｕ≦０．
５ａｔｍ％の範囲が良い。

【０１１８】ｖの値は、表１及び表３並びに表４及び表
６の試料Ｎｏ．１１、８１〜１２３で示すように、資料
Ｎｏ．８４、８７、８９、９１、９３、９５、９７、９
９、１０１、１０３、１０５、１０７、１０９、１１
１、１１３、１１５、１１７、１１９、１２１、１２３
（ｖ＝１．５０）では１２５０℃で焼成しても緻密な焼
結体が得られない。

【０１１９】試料Ｎｏ．８１〜８３、８５、８６、８
８、９０、９２、９４、９６、９８、１００、１０２、
１０４、１０６、１０８、１１０、１１２、１１４、１
１６、１１８、１２０、１２２（０．０２≦ｖ≦１．
０）では全ての電気的特性および機械的特性を満足し、
かつ、試料Ｎｏ．１１（添加物なし）より比抵抗の加速
寿命が長い。よって、ｖの範囲は、０．２ａｔｍ％≦ｖ
≦１．０ａｔｍ％の範囲が良い。

【０１２０】誘電体組成物が、その主成分の組成を、
（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３、
（但し、ＭｅはＣａ及び／又はＳｒ）で表わされる物質
とし、該主成分の物質にＳｉの酸化物とＭｎの酸化物と
Ｃｒの酸化物等を含有する第一の添加物を有する副成分
物質を混合、焼成して得られる誘電体組成物であって、
該誘電体組成物中における前記主成分の組成の、Ｍｅと
（Ｍｅ＋Ｂａ）との比を表すｘの値の範囲、（Ｂａ＋Ｍ
ｅ）と（Ｚｒ＋Ｔｉ）との比を表わすｋの値の範囲及び
Ｔｉと（Ｔｉ＋Ｚｒ）との比を表すｙの値の範囲を上記
のように決め、さらに、Ｓｉの酸化物 の含有割合ｓが
０．５ａｔｍ％≦ｓ≦２．０ａｔｍ％の範囲にあり、Ｍ
ｎの酸化物の含有割合ｔが、０．５ａｔｍ％≦ｔ≦３．
０ａｔｍ％の範囲にあり、かつ、Ｃｒの酸化物の含有割
合ｕが、０．０６ａｔｍ％≦ｕ≦０．５ａｔｍ％の範囲
にあり、さらに、ＳｃおよびＹを含む希土類元素（Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕ）あるいはＮ
ｂ、Ｍｏ、ＴａおよびＷの酸化物を１種または２種以上
含有する第二の添加物の含有割合ｖが０．２ａｔｍ％≦
ｖ≦１．０ａｔｍ％の範囲となるように、材料組成を最
適化することで、還元雰囲気中において１２５０℃以下
で焼結し、２５℃基準で１２５℃の静電容量の温度係数
が−３０ｐｐｍ／℃〜＋３０ｐｐｍ／℃の範囲にあり、
２５℃での比誘電率εsが３５以上、１５０℃での比抵
抗ρが１×１０の１３乗Ωｃｍ以上、抗折強度が１４０
００ｋｇｆ／ｍｍ２以上の特性を有し、かつ、比抵抗の
加速寿命時間が長い非還元性の誘電体組成物或いはこれ
を用いたセラミックコンデンサも提供することができ
る。

【０１２１】このように本発明の構成によれば、ＥＩＡ
規格の最高水準であるＣ０Ｇを実現できるようなセラミ
ックコンデンサ或いはＪＩＳ規格の温度補償用材に相当
するような性能の誘電体組成物やセラミックコンデンサ
を得ることができる。

【０１２２】また、これにより、容量精度の要求が厳し
い用途（高周波回路等）にも十分対応が可能となり、か
つ、Ｎｉ（又は卑金属）内部電極を用いて高積層化する
ことで、従来の貴金属系電極を使用したセラミックコン
デンサより、Ａｇのマイグレーションがなく、高容量を
実現したセラミックコンデンサを提供できるものであ
る。

【０１２３】

【発明の効果】この発明によれば、高い比誘電率並びに
その他の優れた電気的特性及び優れた機械的特性を有
し、かつ、比抵抗の加速寿命時間が長いセラミック誘電
体組成物及びこの誘電体組成物を用いたセラミックコン
デンサを得ることができる。

【０１２４】また、この誘電体組成物材料を用いれば内
部電極としてＮｉ等の卑金属を使用した温度補償用の積
層コンデンサ材料（誘電体組成物）を提供することがで
き、これにより、積層コンデンサの大容量化に伴う電極
コストの増大を軽減し、低価格の積層セラミックコンデ
ンサを提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】積層セラミックコンデンサの構成を模式的に示
す断面図である。

【符号の説明】

１ 誘電体層 ２ コンデンサ素子 ３ 導電ペースト ４ 内部電極 ５ 外部電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿部 紳一 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 上田 周作 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 Ｆターム(参考） 4G031 AA04 AA06 AA07 AA09 AA14 AA15 AA16 AA17 AA19 AA28 BA09 GA08 GA09 GA10 GA17 5E001 AB03 AC09 AE00 AE01 AE02 AE03 AE04

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 主成分の組成が、（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）
   ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３、（但し、ＭｅはＣａ及び
   ／又はＳｒ、ｘは０．７≦ｘ≦０．９５、ｋは０．９≦
   ｋ≦１．１、ｙは０．０２≦ｙ≦０．１を満足する数
   値）で表わされる物質からなり、副成分物質が少なくと
   もＳｉの酸化物とＭｎの酸化物とＣｒの酸化物とである
   ことを特徴とする誘電体組成物。
2. 【請求項２】 誘電体組成物からなる１又は２以上の誘
   電体層とこの誘電体層を挟持している内部電極とを備え
   たセラミックコンデンサにおいて、前記誘電体層の組成
   物が、（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ
   ３、（但し、ＭｅはＣａ及び／又はＳｒ、ｘは０．７≦
   ｘ≦０．９５、ｋは０．９≦ｋ≦１．１、ｙは０．０２
   ≦ｙ≦０．１を満足する数値）で表わされる主成分物質
   に少なくとも副成分物質として、Ｓｉの酸化物とＭｎの
   酸化物とＣｒの酸化物とを有した誘電体組成物であるこ
   とを特徴とするセラミックコンデンサ。
3. 【請求項３】 主成分物質の組成が、（Ｂａ１−ｘＭｅ
   ｘ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３（但し、ＭｅはＣａ及
   び／又はＳｒ）で表わされる物質に、副成分物質として
   少なくともＳｉの酸化物とＭｎの酸化物とＣｒの酸化物
   とをＳｉ、Ｍｎ及び／又はＣｒの酸化物或いはＳｉ、Ｍ
   ｎ及び／又はＣｒ水酸化物又は酢酸塩、硝酸塩若しくは
   硫酸塩等の塩のいずれかの形態で加え、これらの物質を
   非酸化性雰囲気中乃至は還元性雰囲気中で混合焼成した
   後、酸化雰囲気中で熱処理することにより、焼成物と
   し、該焼成物中における上記組成中のＭｅと（Ｍｅ＋Ｂ
   ａ）との比ｘの値を０．７≦ｘ≦０．９５の範囲、（Ｂ
   ａ＋Ｍｅ）と（Ｚｒ＋Ｔｉ）との比ｋの値を０．９≦ｋ
   ≦１．１の範囲、Ｔｉと（Ｔｉ＋Ｚｒ）との比ｙの値を
   ０．０２≦ｙ≦０．１の範囲にした誘電体組成物の製造
   方法。
4. 【請求項４】 主成分の組成が、（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）
   ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３、（但し、ＭｅはＣａ及び
   ／又はＳｒ）で表わされる物質と、該主成分の物質に副
   成分物質として少なくともＳｉの酸化物とＭｎの酸化物
   とＣｒの酸化物とをＳｉ、Ｍｎ及び／又はＣｒの酸化物
   或いはＳｉ、Ｍｎ及び／又はＣｒ水酸化物又は酢酸塩、
   硝酸塩若しくは硫酸塩等の塩のいずれかの形態で添加
   し、これらを混合焼成して得られる誘電体組成物であっ
   て、該誘電体組成物中におけるＭｅと（Ｍｅ＋Ｂａ）と
   の比ｘの値が０．７≦ｘ≦０．９５の範囲、（Ｂａ＋Ｍ
   ｅ）と（Ｚｒ＋Ｔｉ）との比ｋの値が０．９≦ｋ≦１．
   １の範囲、Ｔｉと（Ｔｉ＋Ｚｒ）との比ｙの値が０．０
   ２≦ｙ≦０．１の範囲にあり、かつ、該誘電体組成物中
   のＳｉの酸化物 の含有割合ｓが０．５ａｔｍ％≦ｓ≦
   ２．０ａｔｍ％の範囲にあり、Ｍｎの酸化物の含有割合
   ｔが、０．５ａｔｍ％≦ｔ≦３．０ａｔｍ％の範囲にあ
   り、Ｃｒの酸化物の含有割合ｕが、０．０６ａｔｍ％≦
   ｕ≦０．５ａｔｍ％の範囲にある誘電体組成物。
5. 【請求項５】 誘電体組成物からなる１又は２以上の誘
   電体層とこの誘電体層を挟持している内部電極とを備え
   たセラミックコンデンサにおいて、前記誘電体組成物
   が、（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ
   ３、（但し、ＭｅはＣａ及び／又はＳｒ、ｘは０．７≦
   ｘ≦０．９５、ｋは０．９≦ｋ≦１．１、ｙは０．０２
   ≦ｙ≦０．１を満足する数値）で表わされる主成分物質
   と、副成分物質として少なくともＳｉの酸化物とＭｎの
   酸化物とＣｒの酸化物を有し、該誘電体組成物の中のＳ
   ｉの酸化物の含有割合ｓが０．５ａｔｍ％≦ｓ≦２．０
   ａｔｍ％の範囲、Ｍｎの酸化物の含有割合ｔが０．５ａ
   ｔｍ％≦ｔ≦３．０ａｔｍ％の範囲、Ｃｒの酸化物の含
   有割合ｕが、０．０６ａｔｍ％≦ｕ≦０．５ａｔｍ％の
   範囲にある誘電体組成物として前記誘電体層に配されて
   いるセラミックコンデンサ。
6. 【請求項６】 誘電体組成物からなる１又は２以上の誘
   電体層とこの誘電体層を挟持している内部電極とを備え
   たセラミックコンデンサにおいて、前記誘電体組成物
   が、（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ
   ３、（但し、ＭｅはＣａ及び／又はＳｒ、ｘは０．７≦
   ｘ≦０．９５、ｋは０．９≦ｋ≦１．１、ｙは０．０２
   ≦ｙ≦０．１を満足する数値）で表わされる物質からな
   る主成分物質と、少なくとも副成分物質としてＳｉの酸
   化物とＭｎの酸化物とＣｒの酸化物からなり、誘電体組
   成物は、該誘電体組成物中のＳｉの酸化物 の含有割合
   ｓが０．５ａｔｍ％≦ｓ≦２．０ａｔｍ％の範囲、Ｍｎ
   の酸化物の含有割合ｔが、０．５ａｔｍ％≦ｔ≦３．０
   ａｔｍ％の範囲、Ｃｒの酸化物の含有割合ｕが、０．０
   ６ａｔｍ％≦ｕ≦０．５ａｔｍ％の範囲の誘電体組成物
   として誘電体層に配され、かつ、前記内部電極が卑金属
   を主成分とする金属で形成されていることを特徴とする
   セラミックコンデンサ。
7. 【請求項７】 主成分物質の組成が、（Ｂａ１−ｘＭｅ
   ｘ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３（但し、ＭｅはＣａ及
   び／又はＳｒ）で表わされる主成分物質と、副成分物質
   として少なくともＳｉの酸化物とＭｎの酸化物とＣｒの
   酸化物とをＳｉ、Ｍｎ及び／又はＣｒの酸化物或いはＳ
   ｉ、Ｍｎ及び／又はＣｒ水酸化物又は酢酸塩、硝酸塩若
   しくは硫酸塩等の塩のいずれかの形態の混合物として非
   酸化性雰囲気中乃至は還元性雰囲気中で焼成した後、酸
   化雰囲気中で熱処理して、焼成物とし、該焼成物中にお
   けるＭｅと（Ｍｅ＋Ｂａ）との比ｘの値を０．７≦ｘ≦
   ０．９５の範囲、（Ｂａ＋Ｍｅ）と（Ｚｒ＋Ｔｉ）との
   比ｋの値を、０．９≦ｋ≦１．１の範囲、Ｔｉと（Ｔｉ
   ＋Ｚｒ）との比をｙの値を０．０２≦ｙ≦０．１の範囲
   にし、かつ、前記誘電体組成物中のＳｉの酸化物の含有
   割合ｓを０．５ａｔｍ％≦ｓ≦２．０ａｔｍ％の範囲、
   Ｍｎの酸化物の含有割合ｔを０．５ａｔｍ％≦ｔ≦３．
   ０ａｔｍ％の範囲、Ｃｒの酸化物の含有割合ｕを０．０
   ６ａｔｍ％≦ｕ≦０．５ａｔｍ％の範囲にした誘電体組
   成物の製造方法。
8. 【請求項８】 主成分の組成が、（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）
   ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３、（但し、ＭｅはＣａ及び
   ／又はＳｒ）で表わされる物質と、該主成分の物質に副
   成分物質として少なくともＳｉの酸化物とＭｎの酸化物
   とＣｒの酸化物とをＳｉ、Ｍｎ及び／又はＣｒの酸化物
   或いはＳｉ、Ｍｎ及び／又はＣｒ水酸化物又は酢酸塩、
   硝酸塩若しくは硫酸塩等の塩のいずれかの形態で添加す
   る第一の添加物と、ＳｃおよびＹを含む希土類元素（Ｌ
   ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
   ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕ）あるいはＮ
   ｂ、Ｍｏ、ＴａおよびＷの酸化物を１種または２種以
   上、酸化物或いは水酸化物又は酢酸塩、硝酸塩若しくは
   硫酸塩等の塩のいずれかの形態で添加する第二の添加物
   とを添加し、これらを混合焼成して得られる誘電体組成
   物であって、該誘電体組成物中におけるＭｅと（Ｍｅ＋
   Ｂａ）との比ｘの値が０．７≦ｘ≦０．９５の範囲、
   （Ｂａ＋Ｍｅ）と（Ｚｒ＋Ｔｉ）との比ｋの値が０．９
   ≦ｋ≦１．１の範囲、Ｔｉと（Ｔｉ＋Ｚｒ）との比ｙの
   値が０．０２≦ｙ≦０．１の範囲にあり、かつ、該誘電
   体組成物中のＳｉの酸化物 の含有割合ｓが０．５ａｔ
   ｍ％≦ｓ≦２．０ａｔｍ％の範囲にあり、Ｍｎの酸化物
   の含有割合ｔが、０．５ａｔｍ％≦ｔ≦３．０ａｔｍ％
   の範囲にあり、Ｃｒの酸化物の含有割合ｕが、０．０６
   ａｔｍ％≦ｕ≦０．５ａｔｍ％の範囲にあり、Ｓｃおよ
   びＹを含む希土類元素（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓ
   ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ
   およびＬｕ）あるいはＮｂ、Ｍｏ、ＴａおよびＷの酸化
   物を１種または２種以上含有する第二の添加物の含有割
   合ｖが０．２ａｔｍ％≦ｖ≦１．０ａｔｍ％の範囲にあ
   る誘電体組成物。
9. 【請求項９】 誘電体組成物からなる１又は２以上の誘
   電体層とこの誘電体層を挟持している内部電極とを備え
   たセラミックコンデンサにおいて、前記誘電体層の組成
   物が、（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ
   ３、（但し、ＭｅはＣａ及び／又はＳｒ）で表わされる
   物質と、該主成分の物質に副成分物質として少なくとも
   Ｓｉの酸化物とＭｎの酸化物とＣｒの酸化物とをＳｉ、
   Ｍｎ及び／又はＣｒの酸化物或いはＳｉ、Ｍｎ及び／又
   はＣｒ水酸化物又は酢酸塩、硝酸塩若しくは硫酸塩等の
   塩のいずれかの形態で添加する第一の添加物と、Ｓｃお
   よびＹを含む希土類元素（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓ
   ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ
   およびＬｕ）あるいはＮｂ、Ｍｏ、ＴａおよびＷの酸化
   物を１種または２種以上、酸化物或いは水酸化物又は酢
   酸塩、硝酸塩若しくは硫酸塩等の塩のいずれかの形態で
   添加する第二の添加物とを添加し、これらを混合焼成し
   て得られる誘電体組成物であって、該誘電体組成物中に
   おけるＭｅと（Ｍｅ＋Ｂａ）との比ｘの値が０．７≦ｘ
   ≦０．９５の範囲、（Ｂａ＋Ｍｅ）と（Ｚｒ＋Ｔｉ）と
   の比ｋの値が０．９≦ｋ≦１．１の範囲、Ｔｉと（Ｔｉ
   ＋Ｚｒ）との比ｙの値が０．０２≦ｙ≦０．１の範囲に
   あり、かつ、該誘電体組成物中のＳｉの酸化物 の含有
   割合ｓが０．５ａｔｍ％≦ｓ≦２．０ａｔｍ％の範囲に
   あり、Ｍｎの酸化物の含有割合ｔが、０．５ａｔｍ％≦
   ｔ≦３．０ａｔｍ％の範囲にあり、Ｃｒの酸化物の含有
   割合ｕが、０．０６ａｔｍ％≦ｕ≦０．５ａｔｍ％の範
   囲にあり、ＳｃおよびＹを含む希土類元素（Ｌａ、Ｃ
   ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈ
   ｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕ）あるいはＮｂ、Ｍ
   ｏ、ＴａおよびＷの酸化物を１種または２種以上含有す
   る第二の添加物の含有割合ｖが０．２ａｔｍ％≦ｖ≦
   １．０ａｔｍ％の範囲にある誘電体組成物として誘電体
   層に配されているセラミックコンデンサ。
10. 【請求項１０】 誘電体組成物からなる１又は２以上の
    誘電体層とこの誘電体層を挟持している内部電極とを備
    えたセラミックコンデンサにおいて、前記誘電体層の組
    成物が、（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）
    Ｏ３、（但し、ＭｅはＣａ及び／又はＳｒ）で表わされ
    る物質と、該主成分の物質に副成分物質として少なくと
    もＳｉの酸化物とＭｎの酸化物とＣｒの酸化物とをＳ
    ｉ、Ｍｎ及び／又はＣｒの酸化物或いはＳｉ、Ｍｎ及び
    ／又はＣｒ水酸化物又は酢酸塩、硝酸塩若しくは硫酸塩
    等の塩のいずれかの形態で添加する第一の添加物と、Ｓ
    ｃおよびＹを含む希土類元素（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
    ｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔ
    ｍ、ＹｂおよびＬｕ）あるいはＮｂ、Ｍｏ、Ｔａおよび
    Ｗの酸化物を１種または２種以上、酸化物或いは水酸化
    物又は酢酸塩、硝酸塩若しくは硫酸塩等の塩のいずれか
    の形態で添加する第二の添加物とを添加し、これらを混
    合焼成して得られる誘電体組成物であって、該誘電体組
    成物中におけるＭｅと（Ｍｅ＋Ｂａ）との比ｘの値が
    ０．７≦ｘ≦０．９５の範囲、（Ｂａ＋Ｍｅ）と（Ｚｒ
    ＋Ｔｉ）との比ｋの値が０．９≦ｋ≦１．１の範囲、Ｔ
    ｉと（Ｔｉ＋Ｚｒ）との比ｙの値が０．０２≦ｙ≦０．
    １の範囲にあり、かつ、該誘電体組成物中のＳｉの酸化
    物 の含有割合ｓが０．５ａｔｍ％≦ｓ≦２．０ａｔｍ
    ％の範囲にあり、Ｍｎの酸化物の含有割合ｔが、０．５
    ａｔｍ％≦ｔ≦３．０ａｔｍ％の範囲にあり、Ｃｒの酸
    化物の含有割合ｕが、０．０６ａｔｍ％≦ｕ≦０．５ａ
    ｔｍ％の範囲にあり、ＳｃおよびＹを含む希土類元素
    （Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、
    Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕ）あるいはＮ
    ｂ、Ｍｏ、ＴａおよびＷの酸化物を１種または２種以上
    含有する第二の添加物の含有割合ｖが０．２ａｔｍ％≦
    ｖ≦１．０ａｔｍ％の範囲にある誘電体組成物として誘
    電体層に配され、かつ、前記内部電極が卑金属を主成分
    とする金属で形成されていることを特徴とするセラミッ
    クコンデンサ。
11. 【請求項１１】 主成分物質の組成が、（Ｂａ１−ｘＭ
    ｅｘ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３、（但し、ＭｅはＣ
    ａ及び／又はＳｒ）で表わされる物質と、該主成分の物
    質に副成分物質として少なくともＳｉの酸化物とＭｎの
    酸化物とＣｒの酸化物とをＳｉ、Ｍｎ及び／又はＣｒの
    酸化物或いはＳｉ、Ｍｎ及び／又はＣｒ水酸化物又は酢
    酸塩、硝酸塩若しくは硫酸塩等の塩のいずれかの形態で
    添加する第一の添加物と、ＳｃおよびＹを含む希土類元
    素（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
    ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕ）あるい
    はＮｂ、Ｍｏ、ＴａおよびＷの酸化物を１種または２種
    以上、酸化物或いは水酸化物又は酢酸塩、硝酸塩若しく
    は硫酸塩等の塩のいずれかの形態で添加する第二の添加
    物とを添加し、これらを混合したものを、非酸化性雰囲
    気中乃至は還元性雰囲気中で焼成した後、酸化雰囲気中
    で熱処理して、焼成物とし、該誘電体組成物中における
    Ｍｅと（Ｍｅ＋Ｂａ）との比ｘの値が０．７≦ｘ≦０．
    ９５の範囲、（Ｂａ＋Ｍｅ）と（Ｚｒ＋Ｔｉ）との比ｋ
    の値が０．９≦ｋ≦１．１の範囲、Ｔｉと（Ｔｉ＋Ｚ
    ｒ）との比ｙの値が０．０２≦ｙ≦０．１の範囲にあ
    り、かつ、該誘電体組成物中のＳｉの酸化物 の含有割
    合ｓが０．５ａｔｍ％≦ｓ≦２．０ａｔｍ％の範囲にあ
    り、Ｍｎの酸化物の含有割合ｔが、０．５ａｔｍ％≦ｔ
    ≦３．０ａｔｍ％の範囲にあり、Ｃｒの酸化物の含有割
    合ｕが、０．０６ａｔｍ％≦ｕ≦０．５ａｔｍ％の範囲
    にあり、ＳｃおよびＹを含む希土類元素（Ｌａ、Ｃｅ、
    Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
    ｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕ）あるいはＮｂ、Ｍｏ、Ｔａ
    およびＷの酸化物を１種または２種以上含有する第二の
    添加物の含有割合ｖが０．２ａｔｍ％≦ｖ≦１．０ａｔ
    ｍ％の範囲にある誘電体組成物の製造方法。
12. 【請求項１２】 主成分の組成が、（Ｂａ１−ｘＭｅ
    ｘ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３、（但し、ＭｅはＣａ
    及び／又はＳｒ、ｘは０．７≦ｘ≦０．９５、ｋは０．
    ９≦ｋ≦１．１、ｙは０．０２≦ｙ≦０．１を満足する
    数値）で表わされる物質からなり、副成分物質が少なく
    ともＳｉの酸化物とＭｎの酸化物とＣｒの酸化物とを含
    有する第一の添加物と、ＳｃおよびＹを含む希土類元素
    （Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、
    Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕ）あるいはＮ
    ｂ、Ｍｏ、ＴａおよびＷの酸化物を１種または２種以上
    含有する第二の添加物とであることを特徴とする誘電体
    組成物。
13. 【請求項１３】 誘電体組成物からなる１又は２以上の
    誘電体層とこの誘電体層を挟持している内部電極とを備
    えたセラミックコンデンサにおいて、前記誘電体層の組
    成物が、（Ｂａ１−ｘＭｅｘ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）
    Ｏ３、（但し、ＭｅはＣａ及び／又はＳｒ、ｘは０．７
    ≦ｘ≦０．９５、ｋは０．９≦ｋ≦１．１、ｙは０．０
    ２≦ｙ≦０．１を満足する数値）で表わされる主成分物
    質に少なくとも副成分物質として、Ｓｉの酸化物とＭｎ
    の酸化物とＣｒの酸化物とを含有する第一の添加物と、
    ＳｃおよびＹを含む希土類元素（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
    ｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔ
    ｍ、ＹｂおよびＬｕ）あるいはＮｂ、Ｍｏ、Ｔａおよび
    Ｗの酸化物を１種または２種以上含有する第二の添加物
    とを有した誘電体組成物であることを特徴とするセラミ
    ックコンデンサ。
14. 【請求項１４】 主成分物質の組成が、（Ｂａ１−ｘＭ
    ｅｘ）ｋ（Ｚｒ１−ｙＴｉｙ）Ｏ３（但し、ＭｅはＣａ
    及び／又はＳｒ）で表わされる物質に、副成分物質とし
    て少なくともＳｉの酸化物とＭｎの酸化物とＣｒの酸化
    物とを含有する第一の添加物を、Ｓｉ、Ｍｎ及び／又は
    Ｃｒの酸化物或いはＳｉ、Ｍｎ及び／又はＣｒ水酸化物
    又は酢酸塩、硝酸塩若しくは硫酸塩等の塩のいずれかの
    形態で加え、ＳｃおよびＹを含む希土類元素（Ｌａ、Ｃ
    ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈ
    ｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕ）あるいはＮｂ、Ｍ
    ｏ、ＴａおよびＷの酸化物を１種または２種以上を含有
    する第２の添加物を、酸化物或いは水酸化物又は酢酸
    塩、硝酸塩若しくは硫酸塩等の塩のいずれかの形態で加
    え、これらの物質を非酸化性雰囲気中乃至は還元性雰囲
    気中で混合焼成した後、酸化雰囲気中で熱処理すること
    により、焼成物とし、該焼成物中における上記組成中の
    Ｍｅと（Ｍｅ＋Ｂａ）との比ｘの値を０．７≦ｘ≦０．
    ９５の範囲、（Ｂａ＋Ｍｅ）と（Ｚｒ＋Ｔｉ）との比ｋ
    の値を０．９≦ｋ≦１．１の範囲、Ｔｉと（Ｔｉ＋Ｚ
    ｒ）との比ｙの値を０．０２≦ｙ≦０．１の範囲にした
    誘電体組成物の製造方法。