JP5848765B2 - イオン源の少なくとも一つの表面をクリーニングする方法及び装置 - Google Patents
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Description
前記イオン源の前記少なくとも一つの表面にUV光を当てることで、汚染物材料を前記少なくとも一つの表面から剥離させる段階を有する方法を提供することができる。
イオン源の少なくとも一つの表面上にUV光を当てることで、汚染物材料を前記少なくとも一つの表面から剥離させる手段を有するイオン源を提供することができる。
イオン源の少なくとも一つの表面上に前記サンプル材料をイオン化するためのレーザー装置によって発生した光を当てることで、前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる操作を含む方法を提供することができる。
前記サンプル材料に光を発射することによりサンプル材料をイオン化するためのレーザー装置;および
イオン源の少なくとも一つの表面上に前記サンプル材料をイオン化するためのレーザー装置によって発生させた光を当てて、前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる手段
を有するイオン源を提供することができる。
前記イオン源の少なくとも一つの表面上に光を当てることで、前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる操作を含み、前記第2の波長が前記第1の波長とほぼ等しいかそれより短い方法を提供することができる。
サンプル材料に第1の波長の光を発することにより前記サンプル材料をイオン化するためのレーザー装置;および
イオン源の少なくとも一つの表面上に第2の波長の光を当てて、前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる手段であって、前記第2の波長が前記第1の波長とほぼ等しいかそれより短い手段
を有するイオン源を提供することができる。
イオン源の少なくとも一つの表面上に光を当てることで、その光がイオン源の少なくとも一つの表面上の汚染物材料に直接エネルギーを加えることで、汚染物材料をその表面から剥離させる操作を含む方法を提供することができる。
イオン源の少なくとも一つの表面上に光を当てることで、その光が前記イオン源の少なくとも一つの表面上の汚染物材料に直接エネルギーを加えて、汚染物材料を当該表面から剥離させる手段を有するイオン源を提供することができる。
イオン源の少なくとも一つの表面上に光を当てて、前記少なくとも一つの表面の加熱がほとんどないように前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる操作を有する方法を提供することができる。
前記イオン源の少なくとも一つの表面上に光を当てて、前記少なくとも一つの表面に実質的に加熱がないように前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる手段を有するイオン源を提供することができる。
前記イオン源の少なくとも一つの表面上に光を当てて、前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる操作であって、前記イオン源の少なくとも一つの表面上に当てられる光が、前記汚染物材料が吸収性である波長を有する操作を有する方法を提供することができる。
前記イオン源の少なくとも一つの表面上に光を当てて、前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる操作であって、前記イオン源の少なくとも一つの表面に当てられる光が、前記汚染物材料が吸収性である波長を持つ操作を有するイオン源を提供することができる。
添付の図面を参照して、これらの提案の実施形態について下記で説明する。
Claims (33)
- 質量分析計においてサンプル材料のイオンを発生させるためのイオン源の少なくとも一つの表面をクリーニングする方法であって、
前記イオン源の前記少なくとも一つの表面にUV光を当てることで、汚染物材料を前記少なくとも一つの表面から剥離させる段階を含む方法。 - イオン源の少なくとも一つの表面に当てられたUV光が、サンプル材料をイオン化するためのレーザー装置によって発せられる光の第1の波長と、100nm以下で異なる、第2の波長からなる、請求項1に記載の方法。
- 前記イオン源の前記少なくとも一つの表面が前記イオン源の電極の表面を含む、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記イオン源が、前記サンプル材料に光を発射することによりサンプル材料をイオン化するためのレーザー装置を含む、請求項1から3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記イオン源の前記少なくとも一つの表面上に当てられる前記UV光が、サンプル材料をイオン化するためのレーザー装置によって発せられる光の第1の波長とほぼ等しいかそれより短い第2の波長のものである、請求項1から4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記イオン源の前記少なくとも一つの表面に当てられる前記UV光が、サンプル材料をイオン化するために前記サンプル材料に光を発射することによりレーザー装置によって発生する請求項1から5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記イオン源の前記少なくとも一つの表面上にUV光を当てる前記操作が、反射性表面を介して前記イオン源の少なくとも一つの表面上に前記UV光を反射する操作を含む、請求項1から6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記イオン源の前記少なくとも一つの表面上にUV光を当てる前記操作が、UV光の光路に前記反射性表面を移動させることで、前記反射性表面に前記UV光を反射させる操作を含む、請求項7に記載の方法。
- 前記反射性表面が凹面である、請求項7又は8に記載の方法。
- 前記方法が、前記反射性表面を移動させて、前記イオン源の前記少なくとも一つの表面全体にわたりUV光源からのUV光を走査させる操作を含む、請求項7から9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記反射性表面が、前記イオン源によってイオン化されるべきサンプル材料を保持するためのサンプル保持手段上に設けられている、請求項7から10のいずれか1項に記載の方法。
- 前記方法が、前記反射性表面を用いて、前記イオン源の前記少なくとも一つの表面上に存在する汚染物材料の量を肉眼で評価する操作を含む、請求項7から11のいずれか1項に記載の方法。
- 前記方法が、前記UV光を集光させて、前記UV光が前記イオン源の前記少なくとも一つの表面で所定のエネルギー密度を有するようにする操作を含む、請求項1から12のいずれか1項に記載の方法。
- 前記イオン源の前記少なくとも一つの表面上にUV光のパルスを当てる操作;及び
UV光の前記パルスを集光させて、各UV光のパルスが、前記イオン源の前記少なくとも一つの表面で1μJ/mm2以上、10μJ/mm2以上、100μJ/mm2以上、200μJ/mm2以上、400μJ/mm2以上又は500μJ/mm2以上;及び/又は2000μJ/mm2以下、1000μJ/mm2以下、800μJ/mm2以下又は600μJ/mm2以下であるエネルギー密度を有するようにする操作
を含む、請求項1から13のいずれか1項に記載の方法。 - 第1の焦点と第2の焦点の間に前記UV光の焦点を調節する操作;及び
前記イオン源の第1の表面上に前記第1の焦点を有するUV光を当て、前記イオン源の前記第2の表面上に前記第2の焦点を有するUV光を当てる操作
を含む、請求項1から14のいずれか1項に記載の方法。 - 各凹面反射性表面が異なる曲面を有する少なくとも二つの凹面反射性表面を用いて、前記イオン源の前記少なくとも一つの表面上にUV光を当てることで、前記UV光の焦点を調節する、請求項15に記載の方法。
- UV光の光路におけるレンズの位置を調節することで前記UV光の焦点を調節する、請求項15に記載の方法。
- イオン源が、サンプル材料に光を発射することによりサンプル材料をイオン化するためのレーザー装置を有する、質量分析計において前記サンプル材料のイオンを発生させるための前記イオン源の少なくとも一つの表面のクリーニング方法であって、
前記イオン源の少なくとも一つの表面上に前記サンプル材料をイオン化するためのレーザー装置によって発生させた光を当てることで、前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる操作を含む、方法。 - イオン源が、サンプル材料の第1の波長の光を発射することにより前記サンプル材料をイオン化するためのレーザー装置を有する、質量分析計においてサンプル材料のイオンを発生させるための前記イオン源の少なくとも一つの表面をクリーニングする方法であって、
前記イオン源の少なくとも一つの表面上に第2の波長の光を当てることで前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる操作を含み、前記第2の波長は前記第1の波長とほぼ等しいかそれより短い波長である、方法。 - 質量分析計においてサンプル材料のイオンを発生させるイオン源の少なくとも一つの表面のクリーニング方法であって、
前記イオン源の前記少なくとも一つの表面上に光を当てることで、前記光が前記イオン源の前記少なくとも一つの表面上の汚染物材料に直接エネルギーを結合し、前記表面から汚染物材料を剥離させる操作を含む、方法。 - 質量分析計においてサンプル材料のイオンを発生させるイオン源の少なくとも一つの表面のクリーニング方法であって、
前記イオン源の少なくとも一つの表面上に光を当てることで、前記少なくとも一つの表面の加熱が実質的にないように、前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる操作を含む、方法。 - 質量分析計においてサンプル材料のイオンを発生させるイオン源の少なくとも一つの表面のクリーニング方法であって、
前記イオン源の少なくとも一つの表面上に光を当てて前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる操作を含み、前記イオン源の少なくとも一つの表面上に当てられる前記光は前記汚染物材料が吸収性である波長を有する、方法。 - 前記イオン源がMALDIイオン源である、請求項1から22のいずれか1項に記載の方法。
- 前記イオン源の前記少なくとも一つの表面が前記イオン源の第1の電極の表面を含む、請求項1から23のいずれか1項に記載の方法。
- 前記イオン源がTOF質量分析計に含まれる、請求項1から24のいずれか1項に記載の方法。
- 質量分析計においてイオンを発生させるイオン源であって、
前記イオン源の少なくとも一つの表面上にUV光を当てて、前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる手段を有する、イオン源。 - イオン源の少なくとも一つの表面に当てられたUV光が、サンプル材料をイオン化するためのレーザー装置によって発せられる光の第1の波長と、100nm以下で異なる、第2の波長からなる、請求項26に記載のイオン源。
- 請求項25に記載のイオン源であって、前記イオン源が、前記サンプル材料に光を発射することによりサンプル材料をイオン化するためのレーザー装置を含み、;及び
UV光を当てる手段は、前記イオン源の少なくとも一つの表面上に前記レーザー装置によって発生したUV光を当てて、前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる手段である、イオン源。 - 質量分析計においてサンプル材料のイオンを発生させるイオン源であって、
前記サンプル材料に光を発射することによりサンプル材料をイオン化するためのレーザー装置;及び
前記イオン源の少なくとも一つの表面上に前記サンプル材料をイオン化するためのレーザー装置によって発生した光を当てて、前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる手段
を有する、イオン源。 - 質量分析計においてイオンを発生させるイオン源であって、
前記サンプル材料に第1の波長の光を発射することによりサンプル材料をイオン化するためのレーザー装置;及び
前記イオン源の少なくとも一つの表面上に第2の波長の光を当てて、前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる手段を有し、前記第2の波長は前記第1の波長とほぼ等しいかそれより短い波長である、
イオン源。 - 質量分析計においてイオンを発生させるイオン源であって、
前記イオン源の前記少なくとも一つの表面上に光を当てて、前記光が前記イオン源の少なくとも一つの表面上の汚染物材料に直接エネルギーを結合し、前記表面から汚染物材料を剥離させる手段を有する、イオン源。 - 質量分析計においてイオンを発生させるイオン源であって、
前記イオン源の少なくとも一つの表面上に光を当てて、前記少なくとも一つの表面の加熱が実質的にないように、前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる手段を有する、イオン源。 - 質量分析計においてイオンを発生させるイオン源であって、
前記イオン源の前記少なくとも一つの表面上に光を当てて、前記少なくとも一つの表面から汚染物材料を剥離させる手段を有し、前記イオン源の少なくとも一つの表面上に当てられた前記光は前記汚染物材料が吸収性である波長を有する、イオン源。
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