JPH07318552A - ガスクロマトグラフ質量分析計およびガスクロマトグラフ - Google Patents
ガスクロマトグラフ質量分析計およびガスクロマトグラフInfo
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- JPH07318552A JPH07318552A JP6114793A JP11479394A JPH07318552A JP H07318552 A JPH07318552 A JP H07318552A JP 6114793 A JP6114793 A JP 6114793A JP 11479394 A JP11479394 A JP 11479394A JP H07318552 A JPH07318552 A JP H07318552A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】レーザー光もしくは赤外線を局所的に集光し、
局所部分の汚染物等を脱離させ、前記脱離成分のみを分
析できるＧＣ／ＭＳを提供することができる。 【構成】粒子を脱離のため集光させたレーザー光６を用
い、試料４の表面から脱離させた粒子をＧＣで成分分離
し、そののち質量分析するＧＣ／ＭＳ１において、前記
脱離粒子を付着させる清浄な表面部材として試料室３の
窓を用い、前記粒子を前記窓表面に吸着させたのち、前
記試料４を試料室３外に取り出し、前記付着粒子を遊離
させるため前記試料室３全体を加熱するようにし、前記
遊離させた粒子をＧＣ部に送りこむようにしたものであ
る。
局所部分の汚染物等を脱離させ、前記脱離成分のみを分
析できるＧＣ／ＭＳを提供することができる。 【構成】粒子を脱離のため集光させたレーザー光６を用
い、試料４の表面から脱離させた粒子をＧＣで成分分離
し、そののち質量分析するＧＣ／ＭＳ１において、前記
脱離粒子を付着させる清浄な表面部材として試料室３の
窓を用い、前記粒子を前記窓表面に吸着させたのち、前
記試料４を試料室３外に取り出し、前記付着粒子を遊離
させるため前記試料室３全体を加熱するようにし、前記
遊離させた粒子をＧＣ部に送りこむようにしたものであ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体等の電子部品を
汚染した微小有機物の分析ができる装置であって、特
に、レーザ等を用いて微小部の粒子を脱離させ、その分
析を行うガスクロマトグラフ（以下、ＧＣという）およ
びガスクロマトグラフ質量分析計（以下、ＧＣ／ＭＳと
いう）に関するものである。
汚染した微小有機物の分析ができる装置であって、特
に、レーザ等を用いて微小部の粒子を脱離させ、その分
析を行うガスクロマトグラフ（以下、ＧＣという）およ
びガスクロマトグラフ質量分析計（以下、ＧＣ／ＭＳと
いう）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子部品に付着している有機物を
ＧＣ／ＭＳにより分析をするには、まず、電子部品全体
を加熱し、そこから脱離してくる粒子をすべて検出して
いた。これに関連するものとしては、例えば、特開平５
−１５７７４２号公報記載の技術があった。前記技術
は、試料台に試料を載置させて試料室に挿入し、前記試
料室を加熱し、前記試料から分析成分を熱脱離させる。
この熱脱離した成分は、トラップ管に送られ冷却トラッ
プされる。そののち、急速昇温して遊離させ、ＧＣ／Ｍ
Ｓに導入され、分析されていた。
ＧＣ／ＭＳにより分析をするには、まず、電子部品全体
を加熱し、そこから脱離してくる粒子をすべて検出して
いた。これに関連するものとしては、例えば、特開平５
−１５７７４２号公報記載の技術があった。前記技術
は、試料台に試料を載置させて試料室に挿入し、前記試
料室を加熱し、前記試料から分析成分を熱脱離させる。
この熱脱離した成分は、トラップ管に送られ冷却トラッ
プされる。そののち、急速昇温して遊離させ、ＧＣ／Ｍ
Ｓに導入され、分析されていた。
【０００３】このような従来装置は、試料全体を加熱し
てしまうため、試料全体から成分が遊離し、特定部分に
付着する成分のみの分析情報を得ることができない。し
たがって、従来技術では、電子部品の特定部分を選択
し、そこに付着している汚染物または異物のみを分析す
ることができなかった。
てしまうため、試料全体から成分が遊離し、特定部分に
付着する成分のみの分析情報を得ることができない。し
たがって、従来技術では、電子部品の特定部分を選択
し、そこに付着している汚染物または異物のみを分析す
ることができなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一般に電子部品などで
は、特定部分に付着している汚染物または異物を分析す
ることが重要であるが、従来装置では、電子部品全体を
加熱するため、局所的な特定部分または汚染物または異
物を分析をすることが不可能であった。本発明は、上記
従来技術の問題点を解決するためになされたもので、レ
ーザー光あるいは赤外線を局所的に集光し、照射した局
所部分の汚染物および異物を脱離し、前記脱離成分のみ
を分析できるＧＣ／ＭＳおよびＧＣを提供することをそ
の目的とする。
は、特定部分に付着している汚染物または異物を分析す
ることが重要であるが、従来装置では、電子部品全体を
加熱するため、局所的な特定部分または汚染物または異
物を分析をすることが不可能であった。本発明は、上記
従来技術の問題点を解決するためになされたもので、レ
ーザー光あるいは赤外線を局所的に集光し、照射した局
所部分の汚染物および異物を脱離し、前記脱離成分のみ
を分析できるＧＣ／ＭＳおよびＧＣを提供することをそ
の目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るＧＣ／ＭＳの構成は、粒子を脱離させ
る手段として集光させたレーザー光を用い、試料表面か
ら脱離させた粒子をＧＣ部で成分分離し、そののち質量
分析するＧＣ／ＭＳにおいて、前記脱離させた粒子を付
着させる清浄な表面部材と、前記付着粒子を遊離させる
加熱手段と、前記遊離させた粒子をＧＣ部に送りこむ手
段とを具備したことを特徴とする。
め、本発明に係るＧＣ／ＭＳの構成は、粒子を脱離させ
る手段として集光させたレーザー光を用い、試料表面か
ら脱離させた粒子をＧＣ部で成分分離し、そののち質量
分析するＧＣ／ＭＳにおいて、前記脱離させた粒子を付
着させる清浄な表面部材と、前記付着粒子を遊離させる
加熱手段と、前記遊離させた粒子をＧＣ部に送りこむ手
段とを具備したことを特徴とする。
【０００６】前項記載のＧＣ／ＭＳにおいて、前記表面
部材として試料室の窓を用い、脱離させた粒子を前記窓
表面に吸着させたのち、前記試料を試料室外に取り出
し、前記加熱手段として前記試料室全体を加熱するよう
に構成したことを特徴とする。前項記載のＧＣ／ＭＳに
おいて、前記表面部材として基板を用い、前記加熱手段
として前記基板のみを加熱するするように構成したこと
を特徴とする。
部材として試料室の窓を用い、脱離させた粒子を前記窓
表面に吸着させたのち、前記試料を試料室外に取り出
し、前記加熱手段として前記試料室全体を加熱するよう
に構成したことを特徴とする。前項記載のＧＣ／ＭＳに
おいて、前記表面部材として基板を用い、前記加熱手段
として前記基板のみを加熱するするように構成したこと
を特徴とする。
【０００７】本発明に係るＧＣ／ＭＳの他の構成は、粒
子を脱離させる手段として集光させたレーザー光を用
い、試料表面から脱離させた粒子をガスクロマトグラフ
部で成分分離し、そののち質量分析するＧＣ／ＭＳにお
いて、前記脱離させた粒子を捕集させる吸着手段と、前
記捕集分子を遊離させる加熱手段と、前記遊離させた粒
子を前記ガスクロマトグラフ部に送りこむ手段とを具備
したことを特徴とする。
子を脱離させる手段として集光させたレーザー光を用
い、試料表面から脱離させた粒子をガスクロマトグラフ
部で成分分離し、そののち質量分析するＧＣ／ＭＳにお
いて、前記脱離させた粒子を捕集させる吸着手段と、前
記捕集分子を遊離させる加熱手段と、前記遊離させた粒
子を前記ガスクロマトグラフ部に送りこむ手段とを具備
したことを特徴とする。
【０００８】本発明に係るＧＣ／ＭＳのさらに他の構成
は、粒子を脱離させる手段として集光させたレーザー光
を用い、前記レーザー光により試料表面から脱離させた
粒子を、ガスクロマトグラフ部で成分分離し、そののち
質量分析するＧＣ／ＭＳにおいて、前記脱離させた粒子
を冷却トラップする冷却濃縮手段と、前記冷却濃縮手段
からトラップされている粒子を遊離する急速加熱手段
と、前記遊離された粒子を前記ＧＣ部に送り込む手段を
具備したことを特徴とする。
は、粒子を脱離させる手段として集光させたレーザー光
を用い、前記レーザー光により試料表面から脱離させた
粒子を、ガスクロマトグラフ部で成分分離し、そののち
質量分析するＧＣ／ＭＳにおいて、前記脱離させた粒子
を冷却トラップする冷却濃縮手段と、前記冷却濃縮手段
からトラップされている粒子を遊離する急速加熱手段
と、前記遊離された粒子を前記ＧＣ部に送り込む手段を
具備したことを特徴とする。
【０００９】前項記載のＧＣ／ＭＳにおいて、前記ＧＣ
部に送り込む手段は、前記急速加熱手段により遊離させ
た粒子を付着させる清浄な表面部材と、前記付着粒子を
遊離させる加熱手段とを具備したことを特徴とする。前
項記載のＧＣ／ＭＳにおいて、前記表面部材として試料
室の窓を用い、脱離させた粒子を前記窓表面に吸着させ
たのち、前記試料を試料室外に取り出し、前記加熱手段
として前記試料室全体を加熱するように構成したことを
特徴とする。前項記載のＧＣ／ＭＳにおいて、前記ＧＣ
部に送り込む手段は、前記表面部材として基板を用い、
前記加熱手段として前記基板のみを加熱するように構成
したことを特徴とする。
部に送り込む手段は、前記急速加熱手段により遊離させ
た粒子を付着させる清浄な表面部材と、前記付着粒子を
遊離させる加熱手段とを具備したことを特徴とする。前
項記載のＧＣ／ＭＳにおいて、前記表面部材として試料
室の窓を用い、脱離させた粒子を前記窓表面に吸着させ
たのち、前記試料を試料室外に取り出し、前記加熱手段
として前記試料室全体を加熱するように構成したことを
特徴とする。前項記載のＧＣ／ＭＳにおいて、前記ＧＣ
部に送り込む手段は、前記表面部材として基板を用い、
前記加熱手段として前記基板のみを加熱するように構成
したことを特徴とする。
【００１０】前項記載のいずれかのＧＣ／ＭＳにおい
て、前記粒子を脱離させる手段には持続波レーザー光を
用い、微小温度測定のための赤外線温度計を具備したこ
とを特徴とする。前項記載のいずれかのＧＣ／ＭＳにお
いて、前記粒子を脱離させる手段には赤外ランプを用
い、局所的に加熱するように構成したことを特徴とす
る。
て、前記粒子を脱離させる手段には持続波レーザー光を
用い、微小温度測定のための赤外線温度計を具備したこ
とを特徴とする。前項記載のいずれかのＧＣ／ＭＳにお
いて、前記粒子を脱離させる手段には赤外ランプを用
い、局所的に加熱するように構成したことを特徴とす
る。
【００１１】上記目的を達成するため、本発明に係るＧ
Ｃの構成は、粒子を脱離させる手段として集光させたレ
ーザー光を用い、試料表面から脱離させた粒子を分析す
るＧＣにおいて、前記脱離させた粒子を付着させる清浄
な表面部材と、前記付着粒子を遊離させる加熱手段とを
具備したことを特徴とする。前項記載のＧＣにおいて、
前記表面部材として試料室の窓を用い、脱離させた粒子
を前記窓表面に吸着させたのち、前記試料を試料室外に
取り出し、前記加熱手段として前記試料室全体を加熱す
るように構成したことを特徴とする。前項記載のＧＣに
おいて、前記表面部材として基板を用い、前記加熱手段
として前記基板のみを加熱するするように構成したこと
を特徴とする。
Ｃの構成は、粒子を脱離させる手段として集光させたレ
ーザー光を用い、試料表面から脱離させた粒子を分析す
るＧＣにおいて、前記脱離させた粒子を付着させる清浄
な表面部材と、前記付着粒子を遊離させる加熱手段とを
具備したことを特徴とする。前項記載のＧＣにおいて、
前記表面部材として試料室の窓を用い、脱離させた粒子
を前記窓表面に吸着させたのち、前記試料を試料室外に
取り出し、前記加熱手段として前記試料室全体を加熱す
るように構成したことを特徴とする。前項記載のＧＣに
おいて、前記表面部材として基板を用い、前記加熱手段
として前記基板のみを加熱するするように構成したこと
を特徴とする。
【００１２】本発明に係るＧＣの他の構成は、粒子を脱
離させる手段として集光させたレーザー光を用い、試料
表面から脱離させた粒子を分析するＧＣにおいて、前記
脱離させた粒子を捕集させる吸着手段と、前記捕集分子
を遊離する遊離手段とを具備したことを特徴とする。本
発明に係るＧＣのさらに他の構成は、粒子を脱離させる
手段として集光させたレーザー光を用い、試料表面から
脱離させた粒子を分析するＧＣにおいて、前記脱離させ
た粒子を冷却トラップする冷却濃縮手段と、前記冷却濃
縮手段からトラップされている粒子を遊離する急速加熱
手段とを特徴とする。
離させる手段として集光させたレーザー光を用い、試料
表面から脱離させた粒子を分析するＧＣにおいて、前記
脱離させた粒子を捕集させる吸着手段と、前記捕集分子
を遊離する遊離手段とを具備したことを特徴とする。本
発明に係るＧＣのさらに他の構成は、粒子を脱離させる
手段として集光させたレーザー光を用い、試料表面から
脱離させた粒子を分析するＧＣにおいて、前記脱離させ
た粒子を冷却トラップする冷却濃縮手段と、前記冷却濃
縮手段からトラップされている粒子を遊離する急速加熱
手段とを特徴とする。
【００１３】前項記載のＧＣにおいて、前記急速加熱手
段により遊離させた粒子を付着させる清浄な表面部材
と、前記付着粒子を遊離させる加熱手段とを具備したこ
とを特徴とする。前項記載のＧＣにおいて、前記表面部
材として試料室の窓を用い、脱離させた粒子を前記窓表
面に吸着させたのち、前記試料を試料室外に取り出し、
前記加熱手段として前記試料室全体を加熱するように構
成したことを特徴とする。前項記載のＧＣにおいて、前
記表面部材として基板を用い、前記加熱手段として前記
基板のみを加熱するように構成したことを特徴とする。
段により遊離させた粒子を付着させる清浄な表面部材
と、前記付着粒子を遊離させる加熱手段とを具備したこ
とを特徴とする。前項記載のＧＣにおいて、前記表面部
材として試料室の窓を用い、脱離させた粒子を前記窓表
面に吸着させたのち、前記試料を試料室外に取り出し、
前記加熱手段として前記試料室全体を加熱するように構
成したことを特徴とする。前項記載のＧＣにおいて、前
記表面部材として基板を用い、前記加熱手段として前記
基板のみを加熱するように構成したことを特徴とする。
【００１４】前項記載のいずれかのＧＣにおいて、前記
粒子を脱離させる手段には集光させた持続波レーザー光
を用い、微小温度測定のための赤外線温度計を具備した
ことを特徴とする。前項記載のいずれかのＧＣにおい
て、前記粒子を脱離させる手段には赤外ランプを用い、
局所的に加熱するように構成したことを特徴とする。
粒子を脱離させる手段には集光させた持続波レーザー光
を用い、微小温度測定のための赤外線温度計を具備した
ことを特徴とする。前項記載のいずれかのＧＣにおい
て、前記粒子を脱離させる手段には赤外ランプを用い、
局所的に加熱するように構成したことを特徴とする。
【００１５】より具体的に説明する。上記目的を達成す
るために、顕微鏡で観察した部位にレーザー光を対物レ
ンズで集光し、局所部にある分子のみを脱離させＧＣ／
ＭＳに送るようにした。また、同じ目的を達成するため
に、やはり顕微鏡で観察した部位にレーザー光を対物レ
ンズで集光し、局所部にある分子のみを脱離させ、脱離
させた分子を他の清浄な基板に再付着させる。その後、
付着させた基板のみを、加熱部に導入し、付着した分子
をＧＣ／ＭＳに送るようにした。また、同じ目的を達成
するために、脱離した分子を今度は、試料室壁面に再付
着させ、その後試料室から試料をとりだす。そして試料
室全体を加熱し、壁面から分子を脱離させ、ＧＣ／ＭＳ
におくりこむようにした。さらに、同じ目的を達成する
ために、局所部に赤外線を照射しながら脱離してくる分
子をトラップ管に冷却濃縮する。そしてトラップ管を急
速昇温して、ＧＣ／ＭＳにおくりこむようにした。
るために、顕微鏡で観察した部位にレーザー光を対物レ
ンズで集光し、局所部にある分子のみを脱離させＧＣ／
ＭＳに送るようにした。また、同じ目的を達成するため
に、やはり顕微鏡で観察した部位にレーザー光を対物レ
ンズで集光し、局所部にある分子のみを脱離させ、脱離
させた分子を他の清浄な基板に再付着させる。その後、
付着させた基板のみを、加熱部に導入し、付着した分子
をＧＣ／ＭＳに送るようにした。また、同じ目的を達成
するために、脱離した分子を今度は、試料室壁面に再付
着させ、その後試料室から試料をとりだす。そして試料
室全体を加熱し、壁面から分子を脱離させ、ＧＣ／ＭＳ
におくりこむようにした。さらに、同じ目的を達成する
ために、局所部に赤外線を照射しながら脱離してくる分
子をトラップ管に冷却濃縮する。そしてトラップ管を急
速昇温して、ＧＣ／ＭＳにおくりこむようにした。
【００１６】
【作用】上記各技術的手段は下記のとおりである。本発
明の構成によれば、試料表面の例えば特定部位のみに、
例えば対物レンズにより集光させたレーザー光を照射
し、その部分のみに付着する汚染物質のみを脱離させ、
脱離した成分を清浄な基板あるいは十分に清浄化した試
料室壁面に再付着させる。そののち、再付着させた基板
または試料室壁面のみを加熱して、前記汚染物質をガス
化させてＧＣあるいはＧＣ／ＭＳに送りこむ手段を備え
ているので、前記試料の特定部位の微小箇所に付着して
いる微量汚染物質のみを分析することができる。
明の構成によれば、試料表面の例えば特定部位のみに、
例えば対物レンズにより集光させたレーザー光を照射
し、その部分のみに付着する汚染物質のみを脱離させ、
脱離した成分を清浄な基板あるいは十分に清浄化した試
料室壁面に再付着させる。そののち、再付着させた基板
または試料室壁面のみを加熱して、前記汚染物質をガス
化させてＧＣあるいはＧＣ／ＭＳに送りこむ手段を備え
ているので、前記試料の特定部位の微小箇所に付着して
いる微量汚染物質のみを分析することができる。
【００１７】
【実施例】以下本発明の各実施例を図１ないし図６を参
照して説明する。 〔実施例 １〕図１は、本発明の一実施例に係るＧＣ／
ＭＳの略示構成図、図２は、図１の実施例に係るＧＣ／
ＭＳによるガスクロマトグラムである。
照して説明する。 〔実施例 １〕図１は、本発明の一実施例に係るＧＣ／
ＭＳの略示構成図、図２は、図１の実施例に係るＧＣ／
ＭＳによるガスクロマトグラムである。
【００１８】図１において、１はＧＣ／ＭＳ、２は冷却
濃縮部、３は試料室、４は試料、５はレーザー光源、６
はレーザー光、７は対物レンズ、８ａ、８ｂは光反射ミ
ラー、９は試料照明用光源、１０は試料照明光、１１
ａ、１１ｂはハーフミラー、１２はＴＶカメラ、１３は
カメラレンズ、１４は試料搬送用マニュピュレーター、
１５はゲートバルブ、２０は加熱ヒータ付きの試料台、
２３は液体窒素用デュワー瓶、２４は微小温度測定用の
赤外線温度計、２８は加熱電極である。
濃縮部、３は試料室、４は試料、５はレーザー光源、６
はレーザー光、７は対物レンズ、８ａ、８ｂは光反射ミ
ラー、９は試料照明用光源、１０は試料照明光、１１
ａ、１１ｂはハーフミラー、１２はＴＶカメラ、１３は
カメラレンズ、１４は試料搬送用マニュピュレーター、
１５はゲートバルブ、２０は加熱ヒータ付きの試料台、
２３は液体窒素用デュワー瓶、２４は微小温度測定用の
赤外線温度計、２８は加熱電極である。
【００１９】図１に示す如く、試料４を導入前に試料室
３内が清浄になるまで加熱する。そののち、前試料４
が、試料搬送用のマニュピュレーター１４により前記試
料室３に導入され、ゲートバルブ１５により外部と遮断
される。そして、ＴＶカメラ１２により前記試料４の表
面を観察し、特定部に対し対物レンズ７を用いてレーザ
ー光６を集光し照射する。
３内が清浄になるまで加熱する。そののち、前試料４
が、試料搬送用のマニュピュレーター１４により前記試
料室３に導入され、ゲートバルブ１５により外部と遮断
される。そして、ＴＶカメラ１２により前記試料４の表
面を観察し、特定部に対し対物レンズ７を用いてレーザ
ー光６を集光し照射する。
【００２０】このとき赤外線温度計２４で前記レーザー
光６の照射部の温度を観測しながら、あらかじめ定めら
れている特定温度になるように、このレーザー光６の強
さを調整する。前記レーザー光６が集光された照射部か
ら脱離した粒子は、前記試料室３の壁面に付着する。そ
の次に、前記試料搬送用マニュピュレーター１４により
前記試料室３から試料４を取り出し、前記試料室３全体
を前記試料台２０に付けてあるヒータで加熱し、壁面に
付着している粒子をガス化して遊離させ、冷却濃縮部２
に導き、液体窒素用デュワー瓶２３より液体窒素をおく
り、冷却濃縮するようにトラップさせる。
光６の照射部の温度を観測しながら、あらかじめ定めら
れている特定温度になるように、このレーザー光６の強
さを調整する。前記レーザー光６が集光された照射部か
ら脱離した粒子は、前記試料室３の壁面に付着する。そ
の次に、前記試料搬送用マニュピュレーター１４により
前記試料室３から試料４を取り出し、前記試料室３全体
を前記試料台２０に付けてあるヒータで加熱し、壁面に
付着している粒子をガス化して遊離させ、冷却濃縮部２
に導き、液体窒素用デュワー瓶２３より液体窒素をおく
り、冷却濃縮するようにトラップさせる。
【００２１】そして、前記冷却濃縮部２を加熱電極２８
により急速加熱して、トラップした粒子を遊離し、ＧＣ
／ＭＳ１に送りこみ、分析が行われる。これにより、前
記レーザー光６を照射した局所部位から脱離した粒子の
ガスクロマトグラフ質量スペクトルを得ることができ
る。本実施例においては、前記対物レンズ７が試料室３
の外部に設置されているので、照射する局所部の特定が
容易であり、他の光学系との組合せも自由である。
により急速加熱して、トラップした粒子を遊離し、ＧＣ
／ＭＳ１に送りこみ、分析が行われる。これにより、前
記レーザー光６を照射した局所部位から脱離した粒子の
ガスクロマトグラフ質量スペクトルを得ることができ
る。本実施例においては、前記対物レンズ７が試料室３
の外部に設置されているので、照射する局所部の特定が
容易であり、他の光学系との組合せも自由である。
【００２２】図２は、図１に実施例に係るＧＣ／ＭＳに
よる磁気ディスク部品の微小部における汚れを分析した
マススペクトルグラムを示す。前記スペクトルグラム
は、全質量数を検出しながら測定したマスクロマトグラ
フィースペクトルである。図２に示すように非常にＳ／
Ｎ比の高いスペクトルが得られる。
よる磁気ディスク部品の微小部における汚れを分析した
マススペクトルグラムを示す。前記スペクトルグラム
は、全質量数を検出しながら測定したマスクロマトグラ
フィースペクトルである。図２に示すように非常にＳ／
Ｎ比の高いスペクトルが得られる。
【００２３】〔実施例 ２〕本発明の他の一実施例に係
るＧＣ／ＭＳを説明する。図３は、本発明の他の一実施
例に係るＧＣ／ＭＳの略示構成図である。図中、図１と
同一符号は、同等部分であるので説明を省略し、新たな
符号のみを説明する。１６は、レーザー光照射により脱
離してきた粒子を再付着させる基板、１７は、基板１６
を搬送するマニュピューレータ、１８は、基板加熱用セ
ルである。
るＧＣ／ＭＳを説明する。図３は、本発明の他の一実施
例に係るＧＣ／ＭＳの略示構成図である。図中、図１と
同一符号は、同等部分であるので説明を省略し、新たな
符号のみを説明する。１６は、レーザー光照射により脱
離してきた粒子を再付着させる基板、１７は、基板１６
を搬送するマニュピューレータ、１８は、基板加熱用セ
ルである。
【００２４】まず、試料４の直上に基板１６を載置さ
せ、レーザー光６を前記基板１６ごしに前記試料４に照
射し、脱離してくる粒子を基板１６に付着させる。その
のち、前記基板１６を基板加熱用セル１８に搬送し、前
記基板１６を加熱し、遊離した粒子を前記冷却濃縮部２
を経てＧＣ／ＭＳ１に導入する。このようにして〔実施
例 １〕と同様の効果が得られた。
せ、レーザー光６を前記基板１６ごしに前記試料４に照
射し、脱離してくる粒子を基板１６に付着させる。その
のち、前記基板１６を基板加熱用セル１８に搬送し、前
記基板１６を加熱し、遊離した粒子を前記冷却濃縮部２
を経てＧＣ／ＭＳ１に導入する。このようにして〔実施
例 １〕と同様の効果が得られた。
【００２５】〔実施例３〕本発明のさらに他の一実施例
に係るＧＣ／ＭＳを説明する。図４は、本発明の他の一
実施例に係るＧＣ／ＭＳの略示構成図である。図中、図
１と同一符号は、同等部分であるので説明を省略し、新
たな符号のみを説明する。１９は真空ポンプである。
に係るＧＣ／ＭＳを説明する。図４は、本発明の他の一
実施例に係るＧＣ／ＭＳの略示構成図である。図中、図
１と同一符号は、同等部分であるので説明を省略し、新
たな符号のみを説明する。１９は真空ポンプである。
【００２６】前記真空ポンプ１９で試料室３の圧力を１
／１０2Ｐａ程度にする。そののちは、〔実施例 ２〕
と同様な方法で、遊離させた粒子をＧＣ／ＭＳ１に導入
する。この方法では、レーザー光６によって試料４から
脱離してくる粒子は、他の粒子と衝突せず、直接前記基
板１６に到達するので、前記脱離した粒子がより多く前
記基板１６に付着し感度が向上する。
／１０2Ｐａ程度にする。そののちは、〔実施例 ２〕
と同様な方法で、遊離させた粒子をＧＣ／ＭＳ１に導入
する。この方法では、レーザー光６によって試料４から
脱離してくる粒子は、他の粒子と衝突せず、直接前記基
板１６に到達するので、前記脱離した粒子がより多く前
記基板１６に付着し感度が向上する。
【００２７】〔実施例 ４〕本発明のさらに他の一実施
例に係るＧＣ／ＭＳを説明する。図５は、本発明のさら
に他の一実施例に係るＧＣ／ＭＳの略示構成図である。
図中、図１と同一符号は、同等部分であるので説明を省
略し、新たな符号のみを説明する。図５において、２１
は赤外線ランプ、２２は赤外線集光用の赤外線反射ミラ
ーである。
例に係るＧＣ／ＭＳを説明する。図５は、本発明のさら
に他の一実施例に係るＧＣ／ＭＳの略示構成図である。
図中、図１と同一符号は、同等部分であるので説明を省
略し、新たな符号のみを説明する。図５において、２１
は赤外線ランプ、２２は赤外線集光用の赤外線反射ミラ
ーである。
【００２８】図５において、赤外線ランプ２１からでた
赤外線を試料４の表面に一定時間照射する。その間前記
試料４の表面から生成するガスを冷却濃縮部２に吸着さ
せる。その後、前記冷却濃縮部２を加熱電極２８にて急
速加熱し、吸着させたガスを遊離し、ＧＣ／ＭＳ１に導
入する。この方法により磁気ディスクの記録膜側、液晶
ディスプレイの表示素子側など選択的に分析したい面の
みの分析が可能となった。
赤外線を試料４の表面に一定時間照射する。その間前記
試料４の表面から生成するガスを冷却濃縮部２に吸着さ
せる。その後、前記冷却濃縮部２を加熱電極２８にて急
速加熱し、吸着させたガスを遊離し、ＧＣ／ＭＳ１に導
入する。この方法により磁気ディスクの記録膜側、液晶
ディスプレイの表示素子側など選択的に分析したい面の
みの分析が可能となった。
【００２９】〔実施例５〕本発明のさらに他の一実施例
に係るＧＣ／ＭＳを説明する。図６は、本発明の他の一
実施例に係るＧＣ／ＭＳの略示構成図である。図中、図
１と同一符号は、同等部分であるので説明を省略し、新
たな符号のみを説明する。２６は切り替えバルブ、２７
はテナックス吸着剤、２９は温度コントローラである。
に係るＧＣ／ＭＳを説明する。図６は、本発明の他の一
実施例に係るＧＣ／ＭＳの略示構成図である。図中、図
１と同一符号は、同等部分であるので説明を省略し、新
たな符号のみを説明する。２６は切り替えバルブ、２７
はテナックス吸着剤、２９は温度コントローラである。
【００３０】切り替えバルブ２６を真空ポンプ１９側に
し、ＧＣ／ＭＳ１を真空にする。そののち、試料４の表
面にレーザ光６を照射し、脱離してくる粒子をテナック
ス吸着剤２７に吸着させる。次いで、前記切り替えバル
ブ２６をＧＣ／ＭＳ１側にし、加熱電極２８によりテナ
ックス吸着剤を加熱させ、吸着粒子を遊離させ、遊離さ
せた粒子を冷却濃縮部２にて冷却濃縮し、さらに冷却濃
縮部２を加熱し、前記粒子をＧＣ／ＭＳ１に導入する。
このようにして〔実施例 １〕と同様の効果が得られ
る。上記実施例は、ＧＣ／ＭＳについて説明したが、同
様にしてＧＣにも適用することができる。
し、ＧＣ／ＭＳ１を真空にする。そののち、試料４の表
面にレーザ光６を照射し、脱離してくる粒子をテナック
ス吸着剤２７に吸着させる。次いで、前記切り替えバル
ブ２６をＧＣ／ＭＳ１側にし、加熱電極２８によりテナ
ックス吸着剤を加熱させ、吸着粒子を遊離させ、遊離さ
せた粒子を冷却濃縮部２にて冷却濃縮し、さらに冷却濃
縮部２を加熱し、前記粒子をＧＣ／ＭＳ１に導入する。
このようにして〔実施例 １〕と同様の効果が得られ
る。上記実施例は、ＧＣ／ＭＳについて説明したが、同
様にしてＧＣにも適用することができる。
【００３１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、レーザー光もしくは赤外線を試料の微小領域に局
所的に集光し、照射した局所部分の汚染物および異物の
みを脱離し、前記試料の微小箇所の脱離成分のみを分析
できるＧＣ／ＭＳおよびＧＣを提供することができる。
また、レーザー光によって脱離した粒子を清浄な基板に
付着させ、試料とこの基板を完全に分離し、基板のみか
ら昇温游離した粒子をＧＣ／ＭＳに送り込むことにより
選択的に脱離粒子を分析するＧＣ／ＭＳおよびＧＣを提
供することができる。
れば、レーザー光もしくは赤外線を試料の微小領域に局
所的に集光し、照射した局所部分の汚染物および異物の
みを脱離し、前記試料の微小箇所の脱離成分のみを分析
できるＧＣ／ＭＳおよびＧＣを提供することができる。
また、レーザー光によって脱離した粒子を清浄な基板に
付着させ、試料とこの基板を完全に分離し、基板のみか
ら昇温游離した粒子をＧＣ／ＭＳに送り込むことにより
選択的に脱離粒子を分析するＧＣ／ＭＳおよびＧＣを提
供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係るＧＣ／ＭＳの略示構成
図である。
図である。
【図２】図１の実施例に係るＧＣ／ＭＳによるガスクロ
マトグラムである。
マトグラムである。
【図３】本発明の他の一実施例に係るＧＣ／ＭＳの略示
構成図である。
構成図である。
【図４】本発明のさらに他の一実施例に係るＧＣ／ＭＳ
の略示構成図である。
の略示構成図である。
【図５】本発明のさらに他の一実施例に係るＧＣ／ＭＳ
の略示構成図である。
の略示構成図である。
【図６】本発明のさらに他の一実施例に係るＧＣ／ＭＳ
の略示構成図である。
の略示構成図である。
１…ＧＣ／ＭＳ ２…冷却濃縮部 ３…試料室 ４…試料 ５…レーザー光源 ６…レーザー光 ７…対物レンズ ８ａ、８ｂ…光反射ミラー ９…試料照明用光源 １０…試料照明光 １１ａ、１１ｂ…ハーフミラー １２…ＴＶカメラ １３…カメラレンズ １４…試料搬送用マニュピュレーター １５…ゲートバルブ １６…基板 １７…マニュピューレータ １８…基板加熱用セル １９…真空ポンプ ２０…加熱ヒータ付きの試料台 ２１…赤外線ランプ ２２…赤外線反射ミラー ２３…液体窒素用デュワー瓶 ２４…微小温度測定用の赤外線温度計 ２６…切り替えバルブ ２７…テナックス吸着剤 ２８…加熱電極 ２９…温度コントローラ
Claims (20)
- 【請求項１】 粒子を脱離させる手段として集光させた
レーザー光を用い、試料表面から脱離させた粒子をガス
クロマトグラフ部で成分分離し、そののち質量分析する
ガスクロマトグラフ質量分析計において、 前記脱離させた粒子を付着させる清浄な表面部材と、前
記付着粒子を遊離させる加熱手段と、前記遊離させた粒
子をガスクロマトグラフ部に送りこむ手段とを具備した
ことを特徴とするガスクロマトグラフ質量分析計。 - 【請求項２】 請求項１記載のガスクロマトグラフ質量
分析計において、 前記表面部材として試料室の窓を用い、脱離させた粒子
を前記窓表面に吸着させたのち、前記試料を試料室外に
取り出し、前記加熱手段として前記試料室全体を加熱す
るように構成したことを特徴とするガスクロマトグラフ
質量分析計。 - 【請求項３】 請求項１記載のガスクロマトグラフ質量
分析計において、 前記表面部材として基板を用い、前記加熱手段として前
記基板のみを加熱するするように構成したことを特徴と
するガスクロマトグラフ質量分析計。 - 【請求項４】 粒子を脱離させる手段として集光させた
レーザー光を用い、試料表面から脱離させた粒子をガス
クロマトグラフ部で成分分離し、そののち質量分析する
ガスクロマトグラフ質量分析計において、 前記脱離させた粒子を捕集させる吸着手段と、前記捕集
分子を遊離させる加熱手段と、前記遊離させた粒子を前
記ガスクロマトグラフ部に送りこむ手段とを具備したこ
とを特徴とするガスクロマトグラフ質量分析計。 - 【請求項５】 粒子を脱離させる手段として集光させた
レーザー光を用い、前記レーザー光により試料表面から
脱離させた粒子を、ガスクロマトグラフ部で成分分離
し、そののち質量分析するガスクロマトグラフ質量分析
計において、 前記脱離させた粒子を冷却トラップする冷却濃縮手段
と、前記冷却濃縮手段からトラップされている粒子を遊
離する急速加熱手段と、前記遊離された粒子を前記ガス
クロマトグラフ部に送り込む手段を具備したことを特徴
とするガスクロマトグラフ質量分析計。 - 【請求項６】 請求項５記載のガスクロマトグラフ質量
分析計において、 前記ガスクロマトグラフ部に送り込む手段は、前記急速
加熱手段により遊離させた粒子を付着させる清浄な表面
部材と、前記付着粒子を遊離させる加熱手段とを具備し
たことを特徴とするガスクロマトグラフ質量分析計。 - 【請求項７】 請求項６記載のガスクロマトグラフ質量
分析計において、 前記表面部材として試料室の窓を用い、脱離させた粒子
を前記窓表面に吸着させたのち、前記試料を試料室外に
取り出し、前記加熱手段として前記試料室全体を加熱す
るように構成したことを特徴とするガスクロマトグラフ
質量分析計。 - 【請求項８】 請求項６記載のガスクロマトグラフ質量
分析計において、 前記ガスクロマトグラフ部に送り込む手段は、前記表面
部材として基板を用い、前記加熱手段として前記基板の
みを加熱するように構成したことを特徴とするガスクロ
マトグラフ質量分析計。 - 【請求項９】 請求項１ないし８記載のいずれかのガス
クロマトグラフ質量分析計において、 前記粒子を脱離させる手段には集光させた持続波レーザ
ー光を用い、微小温度測定のための赤外線温度計を具備
したことを特徴とするガスクロマトグラフ質量分析計。 - 【請求項１０】 請求項１ないし９記載のいずれかのガ
スクロマトグラフ質量分析計において、 前記粒子を脱離させる手段には赤外ランプを用い、局所
的に加熱するように構成したことを特徴とするガスクロ
マトグラフ質量分析計。 - 【請求項１１】 粒子を脱離させる手段として集光させ
たレーザー光を用い、試料表面から脱離させた粒子を分
析するガスクロマトグラフにおいて、 前記脱離させた粒子を付着させる清浄な表面部材と、前
記付着粒子を遊離させる加熱手段とを具備したことを特
徴とするガスクロマトグラフ。 - 【請求項１２】 請求項１１記載のガスクロマトグラフ
において、 前記表面部材として試料室の窓を用い、脱離させた粒子
を前記窓表面に吸着させたのち、前記試料を試料室外に
取り出し、前記加熱手段として前記試料室全体を加熱す
るように構成したことを特徴とするガスクロマトグラ
フ。 - 【請求項１３】 請求項１１記載のガスクロマトグラフ
において、 前記表面部材として基板を用い、前記加熱手段として前
記基板のみを加熱するするように構成したことを特徴と
するガスクロマトグラフ。 - 【請求項１４】 粒子を脱離させる手段として集光させ
たレーザー光を用い、試料表面から脱離させた粒子を分
析するガスクロマトグラフにおいて、 前記脱離させた粒子を捕集させる吸着手段と、前記捕集
分子を遊離させる加熱手段とを具備したことを特徴とす
るガスクロマトグラフ。 - 【請求項１５】 粒子を脱離させる手段として集光させ
たレーザー光を用い、試料表面から脱離させた粒子を分
析するガスクロマトグラフにおいて、 前記脱離させた粒子を冷却トラップする冷却濃縮手段
と、前記冷却濃縮手段からトラップされている粒子を遊
離する急速加熱手段とを特徴とするガスクロマトグラ
フ。 - 【請求項１６】 請求項１５記載のガスクロマトグラフ
において、 前記急速加熱手段により遊離させた粒子を付着させる清
浄な表面部材と、前記付着粒子を遊離させる加熱手段と
を具備したことを特徴とするガスクロマトグラフ。 - 【請求項１７】 請求項１６記載のガスクロマトグラフ
において、 前記表面部材として試料室の窓を用い、脱離させた粒子
を前記窓表面に吸着させたのち、前記試料を試料室外に
取り出し、前記加熱手段として前記試料室全体を加熱す
るように構成したことを特徴とするガスクロマトグラ
フ。 - 【請求項１８】 請求項１６記載のガスクロマトグラフ
において、 前記表面部材として基板を用い、前記加熱手段として前
記基板のみを加熱するように構成したことを特徴とする
ガスクロマトグラフ。 - 【請求項１９】 請求項１１ないし１８記載のいずれか
のガスクロマトグラフにおいて、 前記粒子を脱離させる手段には集光させた持続波レーザ
ー光を用い、微小温度測定のための赤外線温度計を具備
したことを特徴とするガスクロマトグラフ。 - 【請求項２０】 請求項１１ないし１９記載のいずれか
のガスクロマトグラフにおいて、 前記粒子を脱離させる手段には赤外ランプを用い、局所
的に加熱するように構成したことを特徴とするガスクロ
マトグラフ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6114793A JPH07318552A (ja) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | ガスクロマトグラフ質量分析計およびガスクロマトグラフ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6114793A JPH07318552A (ja) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | ガスクロマトグラフ質量分析計およびガスクロマトグラフ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07318552A true JPH07318552A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14646834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6114793A Pending JPH07318552A (ja) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | ガスクロマトグラフ質量分析計およびガスクロマトグラフ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07318552A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006047161A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Hitachi Ltd | 危険物探知装置及び試料採取装置 |
| JP2007263670A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 濃縮分離装置及び方法 |
| GB2486628A (en) * | 2010-08-02 | 2012-06-27 | Kratos Analytical Ltd | Methods and apparatus for cleaning at least one surface of an ion source |
-
1994
- 1994-05-27 JP JP6114793A patent/JPH07318552A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006047161A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Hitachi Ltd | 危険物探知装置及び試料採取装置 |
| JP2007263670A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 濃縮分離装置及び方法 |
| GB2486628A (en) * | 2010-08-02 | 2012-06-27 | Kratos Analytical Ltd | Methods and apparatus for cleaning at least one surface of an ion source |
| GB2486628B (en) * | 2010-08-02 | 2016-05-25 | Kratos Analytical Ltd | Methods and apparatuses for cleaning at least one surface of an ion source |
| US9468953B2 (en) | 2010-08-02 | 2016-10-18 | Kratos Analytical Limited | Methods and apparatuses for cleaning at least one surface of an ion source |
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