WO2013057824A1 - レーザイオン化質量分析装置 - Google Patents

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light source
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藤井　正明
哲夫 坂本
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国立大学法人東京工業大学
学校法人工学院大学
株式会社トヤマ
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    • H01J49/10—Ion sources; Ion guns
    • H01J49/16—Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field-, thermionic- or photo-emission
    • H01J49/161—Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field-, thermionic- or photo-emission using photoionisation, e.g. by laser

Definitions

  • the present invention relates to a mass spectrometer, and more particularly to a mass spectrometer that ionizes a solid polymer material and analyzes its mass.
  • an ion beam is applied to the polymer material, and secondary ions released from the surface of the polymer material by using an ion beam are detected using a mass spectrometer. What is detected is known (for example, Patent Document 1).
  • a secondary ion mass spectrometer using an ion beam is known as a metal atom mass spectrometer. Since secondary ions have low generation efficiency and large element dependency, the secondary ion intensity is not proportional to the element concentration in the sample, and there is a problem in quantitativeness. For this reason, a laser ionization mass spectrometer has also been developed that performs mass analysis by ionizing neutral particles emitted from a sample simultaneously with secondary ions with a high-intensity laser (for example, Patent Document 2).
  • the measurement efficiency is low because the generation efficiency of the secondary ions is low.
  • various secondary ions are simultaneously generated from the polymer material by irradiation with the ion beam, there is a problem that it is difficult to associate the mass spectrum with the polymer type.
  • the detection target is limited to metal atoms, and neutral particles (molecules) released from a polymer material are the same as metal atoms. Since it was not clear how it was released or how it was released, it was not possible to analyze the polymer material.
  • the present invention is intended to provide a laser ionization mass spectrometer capable of analyzing a polymer material with high sensitivity and having high selectivity of a mass spectrum and a polymer type.
  • a laser ionization mass spectrometer includes a sample table on which a polymer material is disposed, and an ion beam that irradiates the polymer material disposed on the sample table with an ion beam.
  • a laser light source that irradiates a laser beam parallel to the surface of the source and the sample stage, and lasers the molecules derived from the polymer material disposed on the sample stage by the ion beam from the ion beam source.
  • the laser light source which irradiates light and ionizes the molecule
  • a delay control unit that delays the irradiation timing of the laser light source with respect to the irradiation timing of the ion beam source may be provided so that the laser beam from the laser light source is irradiated to the molecules derived from the polymer material.
  • the laser light source may be any one that irradiates a laser beam having an emission intensity with high ionization efficiency of molecules derived from the polymer material.
  • the laser light source may be any laser light source that irradiates a laser beam having a wavelength that can be absorbed by a polymer-derived molecule.
  • a manipulator that moves the sample stage or the ion beam source so that the polymer material arranged on the sample stage can be scanned, and the polymer material is scanned by the ion beam by moving the sample stage or the ion beam source by the manipulator, And an imaging unit that forms an image of the polymer material using the result of mass spectrometry of the analysis unit.
  • the laser ionization mass spectrometer of the present invention has an advantage that it can analyze a polymer material with high sensitivity and has high selectivity of a mass spectrum and a polymer type.
  • FIG. 1 is a schematic block diagram for explaining the configuration of a laser ionization mass spectrometer of the present invention.
  • FIG. 2 is a conceptual diagram for explaining the irradiation timing of the laser light source and the irradiation timing of the ion beam source and the positional relationship of the molecules derived from the polymer material in the laser ionization mass spectrometer of the present invention.
  • FIG. 3 is an ionization spectrum of polystyrene obtained by the laser ionization mass spectrometer of the present invention.
  • FIG. 4 is a graph showing the detected styrene signal intensity change with respect to the delay time from the irradiation timing of the ion beam source to the irradiation timing of the laser light source.
  • FIG. 5 is a graph showing the detected signal intensity change of styrene with respect to the laser energy of the laser light source.
  • FIG. 6 shows the result of imaging a polymer material using the laser ionization mass spect
  • FIG. 1 is a schematic block diagram for explaining the configuration of a laser ionization mass spectrometer of the present invention.
  • the laser ionization mass spectrometer of the present invention ionizes a polymer material and analyzes its mass.
  • a sample stage 10 an ion beam source 20, a laser light source 30, an analysis unit 40, Consists mainly of.
  • the irradiation timing, irradiation position, etc. of these are controlled by the control part 50.
  • FIG. 1 is a schematic block diagram for explaining the configuration of a laser ionization mass spectrometer of the present invention.
  • the laser ionization mass spectrometer of the present invention ionizes a polymer material and analyzes its mass.
  • a sample stage 10 an ion beam source 20
  • a laser light source 30 an analysis unit 40
  • Consists Consists mainly of.
  • the irradiation timing, irradiation position, etc. of these are controlled by the
  • a solid polymer material is disposed on the sample stage 10.
  • the sample stage 10 preferably has a manipulator that can appropriately adjust the ion beam irradiation position to the target polymer material.
  • the sample stage 10 may be provided in a vacuum chamber and placed in a vacuum state.
  • the ion beam source 20 irradiates the polymer material disposed on the sample stage 10 with an ion beam.
  • the ion beam source 20 may be any beam that emits molecules from a polymer material.
  • a generally available source such as a focused ion beam (FIB) apparatus may be used.
  • FIB focused ion beam
  • an ion beam may be extracted from a liquid metal gallium ion source and focused, and then the sample may be irradiated in a pulse shape with nanoscale accuracy.
  • FIB focused ion beam
  • the laser light source 30 irradiates the laser beam parallel to the surface of the sample stage 10.
  • the laser light source 30 irradiates laser light to molecules derived from the polymer material emitted from the polymer material placed on the sample stage 10 to ionize the molecules derived from the polymer material.
  • the laser light source 30 only needs to be capable of irradiating a laser beam having a light emission intensity with high ionization efficiency of molecules derived from the polymer material.
  • the wavelength of the laser light from the laser light source 30 may be any wavelength that can be absorbed by molecules derived from the polymer material.
  • an ultraviolet laser generator can be used as the laser light source 30, and the laser light source 30 is an apparatus that can irradiate laser light in the ultraviolet region in a pulsed manner.
  • the laser light source 30 may be adjusted so that the laser beam can be irradiated to a position as close to the surface as possible with respect to the surface of the sample stage 10.
  • the distance between the laser beam and the sample table surface may be about 1 mm.
  • the analyzing unit 40 performs mass analysis on the sample ionized by the laser light from the laser light source 30.
  • Various devices such as a sector magnetic field mass spectrometer, a time-of-flight mass spectrometer (TOF-MS), and a quadrupole mass spectrometer (QMS) can be applied to the analysis unit 40.
  • TOF-MS time-of-flight mass spectrometer
  • QMS quadrupole mass spectrometer
  • FIG. 2 is a conceptual diagram for explaining the irradiation timing of the laser light source and the irradiation timing of the ion beam source and the positional relationship of the molecules derived from the polymer material in the laser ionization mass spectrometer of the present invention.
  • 2A shows the positional relationship of molecules derived from a polymer material when the delay time of the irradiation timing of the laser light source with respect to the irradiation timing of the ion beam source is short
  • FIG. 2B shows the ion beam source.
  • numerator derived from a polymeric material when the delay time of the irradiation timing of a laser light source with respect to the irradiation timing of this is long is represented.
  • atomic and molecular particle groups are emitted into the vacuum from the surface of the polymer material and the surface of the metal substrate on which the polymer material is placed.
  • the inventor of the present application considered that the flight time of the metal atom and the molecule derived from the polymer at this time are different. That is, it was considered that a molecule derived from a polymer had a lower release rate than a metal atom.
  • the laser pulse When the delay time of the irradiation timing of the laser light source is short, as shown in FIG. 2A, the laser pulse is applied to the metal atoms, and the metal atoms are ionized and detected by the analysis unit. On the other hand, when the delay time of the irradiation timing of the laser light source is long, as shown in FIG. 2B, the laser pulse is irradiated to the molecule derived from the polymer material, and the molecule derived from the polymer material is ionized, and the analysis unit Will be detected.
  • a delay control unit that delays the irradiation timing of the laser light source with respect to the irradiation timing of the ion beam source may be provided so that the laser beam can be irradiated to the molecule derived from the polymer material.
  • the delay control unit may be provided in the control unit 50, and may be controlled to irradiate the laser pulse after being delayed by a predetermined time in synchronization with the beam pulse of the ion beam source.
  • FIG. 3 shows an ionization spectrum of polystyrene obtained by the laser ionization mass spectrometer of the present invention.
  • the horizontal axis represents the mass-to-charge ratio (m / z)
  • the vertical axis represents the detection intensity.
  • a focused ion beam was irradiated at 100 ns and 1 kHz as an ion beam source to polystyrene formed by spin coating on a substrate.
  • the observation visual field was 100 ⁇ m ⁇ 100 ⁇ m.
  • a 266 nm pulse laser was used as the laser light source. Further, as a comparative example, the same focused ion beam was used, and an ionization spectrum of polystyrene by a time-of-flight secondary ion mass spectrometer (SIMS) was shown by a gray line at the same scale.
  • SIMS time-of-flight secondary ion mass spectrometer
  • the main peak appears near the mass to charge ratio of 104, and in the comparative example, the main peak appears near the mass to charge ratio of 91. It was.
  • the main peak near the mass to charge ratio of 104 is considered to correspond to the styrene monomer. That is, since the main peak appeared for the styrene monomer, it can be seen that a unique peak can be detected for each polymer species.
  • the monomer is not known at all.
  • the laser ionization mass spectrometer of the present invention is 6 times more sensitive. Therefore, according to the laser ionization mass spectrometer of the present invention, monomers can be detected with extremely high sensitivity, and even an organic structure such as a blend polymer or copolymer can be analyzed with high selectivity, so that the internal structure can be clearly analyzed. .
  • FIG. 4 is a graph showing the detected styrene signal intensity change with respect to the delay time from the irradiation timing of the ion beam source to the irradiation timing of the laser light source.
  • the signal intensity change of indium atoms is indicated by a gray line.
  • the delay time is preferably about 3 to 15 ⁇ sec, more preferably about 5 ⁇ sec.
  • FIG. 5 is a graph showing a change in the detected signal intensity of styrene with respect to the laser energy of the laser light source.
  • the figure shows the measurement result of the signal intensity of styrene (mass-to-charge ratio 104) when a laser light source having a wavelength of 250 nm is used and the delay time of the irradiation timing of the laser light source is 4 ⁇ sec.
  • the signal intensity of styrene becomes high when the laser energy is about 70 ⁇ J / pulse to 300 ⁇ J / pulse, and the peak appears near 150 ⁇ J / pulse. Therefore, the laser power of the laser light source is preferably about 70 ⁇ J / pulse to 300 ⁇ J / pulse, more preferably about 100 ⁇ J / pulse to 200 ⁇ J / pulse.
  • the wavelength of the laser light source may be in a region where molecules derived from the polymer material can be absorbed, and may be in the ultraviolet region. For example, it may be about 200 nm to 350 nm.
  • the laser ionization mass spectrometer of the present invention having such a configuration can analyze a polymer material with high sensitivity, and also has high selectivity between a mass spectrum and a polymer type.
  • the sample stage 10 is moved by the manipulator so that the polymer material is scanned.
  • the ion beam source 20 irradiates the ion beam while moving the polymer material to scan the polymer material.
  • the sample stage may be fixed and the ion beam source may be moved by a manipulator to scan the polymer material.
  • the polymer material emitted at this time is irradiated with laser light from a laser light source to ionize molecules derived from the polymer material as described above.
  • an imaging unit images the position where the ion beam is irradiated and the signal intensity at that time.
  • the imaging unit may be provided in the control unit 50.
  • FIG. 6 shows the result of imaging the polymer material in this way.
  • FIG. 6A shows the total ion image
  • FIG. 6B shows the image of the mass-to-charge ratio 91 of the measurement result by the prior art
  • FIG. 6C shows the mass-to-charge ratio 78 of the measurement result by the present invention
  • FIG. 6D shows an image of the mass-to-charge ratio 104 of the measurement result according to the present invention.
  • the object to be measured is the one in which polystyrene particles of 100 nm are placed on an indium plate and masked with the number “3” type (grid), and this is irradiated with a focused ion beam at 266 nm.
  • the laser is ionized by a 1 kHz pulse laser.
  • the number “3” mask could not be distinguished at all.
  • the mass-to-charge ratio 78 that is considered to correspond to the benzene ring a mask of the number “3” can be distinguished slightly.
  • the mask “3” can be clearly distinguished.
  • the laser ionization mass spectrometer of the present invention can perform analysis with high sensitivity and high accuracy, and also has high selectivity of the mass spectrum and the type of polymer, so that the structure can be clearly defined by imaging. It can be analyzed.
  • the laser ionization mass spectrometer of the present invention is not limited to the illustrated example described above, and it is needless to say that various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

Abstract

高分子材料を高感度に分析可能であり、且つ、質量スペクトルと高分子の種類の選択性も高いレーザイオン化質量分析装置を提供する。高分子材料をイオン化してその質量を分析するレーザイオン化質量分析装置は、試料台（１０）とイオンビーム源（２０）とレーザ光源（３０）と分析部（４０）とからなる。試料台（１０）は、高分子材料が配置される。イオンビーム源（２０）は、試料台に配置される高分子材料にイオンビームを照射する。レーザ光源（３０）は、試料台の表面に平行にレーザ光を照射するものであり、イオンビーム源からのイオンビームにより試料台に配置される高分子材料から放出される高分子材料由来の分子にレーザ光を照射し、高分子材料由来の分子をイオン化する。分析部（４０）は、レーザ光源からのレーザ光によりイオン化される試料を質量分析する。

Description

レーザイオン化質量分析装置
　本発明は質量分析装置に関し、特に、固体高分子材料をイオン化し、その質量を分析する質量分析装置に関する。
　従来から、高分子材料の分子構造の同定を行うための分析装置として、イオンビームを高分子材料に照射し、これにより高分子材料表面から放出される２次イオンを、質量分析計を用いて検出するものが知られている（例えば特許文献１等）。
　また、金属原子の質量分析装置として、イオンビームによる２次イオン質量分析装置が知られている。２次イオンは発生効率が低く、また元素依存性が大きいため、２次イオン強度が試料中の元素濃度に比例せず、定量性に問題があった。このため、２次イオンと同時に試料から放出される中性粒子を高輝度レーザによりイオン化して質量分析するレーザイオン化質量分析装置も開発されている（例えば特許文献２等）。
国際公開第ＷＯ２００７／１４５２３２号 特開平５－２５１０３７号公報
　しかしながら、高分子材料の２次イオンによる質量分析装置では、２次イオンの生成効率が低いため、測定感度が低いものであった。また、イオンビームの照射により高分子材料から多種の２次イオンが同時に発生するため、質量スペクトルと高分子の種類を対応付けることが難しいという問題もあった。
　さらに、金属物質を対象としたレーザイオン化質量分析装置においては、あくまでも検出対象が金属原子に限定されたものであり、高分子材料から放出される中性粒子（分子）が金属原子と同じように放出されるのか、さらにはどのように放出されるのかも明らかでなかったため、高分子材料の分析を行えるものでは無かった。
　本発明は、斯かる実情に鑑み、高分子材料を高感度に分析可能であり、且つ、質量スペクトルと高分子の種類の選択性も高いレーザイオン化質量分析装置を提供しようとするものである。
　上述した本発明の目的を達成するために、本発明によるレーザイオン化質量分析装置は、高分子材料が配置される試料台と、試料台に配置される高分子材料にイオンビームを照射するイオンビーム源と、試料台の表面に平行にレーザ光を照射するレーザ光源であって、イオンビーム源からのイオンビームにより試料台に配置される高分子材料から放出される高分子材料由来の分子にレーザ光を照射し、高分子材料由来の分子をイオン化するレーザ光源と、レーザ光源からのレーザ光によりイオン化される試料を質量分析する分析部と、を具備するものである。
　さらに、レーザ光源からのレーザ光が高分子材料由来の分子に照射されるように、レーザ光源の照射タイミングを、イオンビーム源の照射タイミングに対して遅延制御する遅延制御部を具備しても良い。
　また、レーザ光源は、高分子材料由来の分子のイオン化効率が高い発光強度のレーザ光を照射するものであれば良い。
　また、レーザ光源は、高分子材料由来の分子が吸収可能な波長のレーザ光を照射するものであれば良い。
　さらに、試料台に配置される高分子材料を走査可能なように試料台又はイオンビーム源を移動させるマニピュレータと、マニピュレータにより試料台又はイオンビーム源を移動させイオンビームで高分子材料を走査し、分析部の質量分析の結果を用いて高分子材料を画像化するイメージング部と、を具備するものであっても良い。
　本発明のレーザイオン化質量分析装置には、高分子材料を高感度に分析可能であり、且つ、質量スペクトルと高分子の種類の選択性も高いという利点がある。
図１は、本発明のレーザイオン化質量分析装置の構成を説明するための概略ブロック図である。 図２は、本発明のレーザイオン化質量分析装置におけるレーザ光源の照射タイミング及びイオンビーム源の照射タイミングと、高分子材料由来の分子の位置関係について説明するための概念図である。 図３は、本発明のレーザイオン化質量分析装置により得たポリスチレンのイオン化スペクトルである。 図４は、イオンビーム源の照射タイミングからレーザ光源の照射タイミングまでの遅延時間に対する、検出されたスチレンの信号強度変化を表すグラフである。 図５は、レーザ光源のレーザエネルギに対する検出されたスチレンの信号強度変化を表すグラフである。 図６は、本発明のレーザイオン化質量分析装置を用いて高分子材料を画像化した結果である。
　以下、本発明を実施するための形態を図示例と共に説明する。図１は、本発明のレーザイオン化質量分析装置の構成を説明するための概略ブロック図である。本発明のレーザイオン化質量分析装置は、高分子材料をイオン化してその質量を分析するものであり、図示の通り、試料台１０と、イオンビーム源２０と、レーザ光源３０と、分析部４０とから主に構成されている。そして、これらは、制御部５０により、その照射タイミングや照射位置等が制御される。
　試料台１０には、固体の高分子材料が配置される。試料台１０は、ターゲットとなる高分子材料へのイオンビーム照射位置を適宜調整可能なマニピュレータを有していることが好ましい。また、試料台１０は真空チャンバ内に提供され、真空状態に置かれれば良い。
　イオンビーム源２０は、試料台１０に配置される高分子材料にイオンビームを照射するものである。イオンビーム源２０としては、高分子材料から分子が放出されるビームであれば良く、例えば集束イオンビーム（ＦＩＢ）装置等、一般に入手可能なものを用いることができる。例えば、液体金属のガリウムイオン源からイオンビームを取り出し、集束させた上で、ナノスケールの精度で試料にパルス状に照射させれば良い。イオンビーム源２０により試料台１０に配置される高分子材料にイオンビームを照射すると、高分子材料から高分子材料由来の分子が放出される。
　レーザ光源３０は、試料台１０の表面に平行にレーザ光を照射するものである。レーザ光源３０により、試料台１０に配置される高分子材料から放出される高分子材料由来の分子にレーザ光を照射して、高分子材料由来の分子をイオン化する。レーザ光源３０は、高分子材料由来の分子のイオン化効率が高い発光強度のレーザ光を照射可能なものであれば良い。また、レーザ光源３０からのレーザ光の波長は、高分子材料由来の分子が吸収可能な波長であれば良い。例えば、レーザ光源３０としては、紫外線レーザ発生装置を用いることが可能であり、紫外光域のレーザ光をパルス状に照射させることができる装置である。また、レーザ光源３０は、試料台１０の表面に対してなるべく表面に近い位置にレーザ光を照射できるように調整されれば良い。例えば、レーザ光と試料台表面の間隔は、１ｍｍ程度であれば良い。
　そして、分析部４０は、レーザ光源３０からのレーザ光によりイオン化される試料を質量分析するものである。分析部４０は、例えばセクター磁場型質量分析装置、飛行時間型質量分析装置（ＴＯＦ－ＭＳ）、四重極型質量分析装置（ＱＭＳ）等、種々の装置が適用可能である。
　このように構成された本発明のレーザイオン化質量分析装置において、レーザ光源からのレーザ光を高分子材料由来の分子に照射する手法について、より詳細に説明する。図２は、本発明のレーザイオン化質量分析装置におけるレーザ光源の照射タイミング及びイオンビーム源の照射タイミングと、高分子材料由来の分子の位置関係について説明するための概念図である。図２（ａ）は、イオンビーム源の照射タイミングに対するレーザ光源の照射タイミングの遅延時間が短い場合の高分子材料由来の分子の位置関係を表しており、図２（ｂ）は、イオンビーム源の照射タイミングに対するレーザ光源の照射タイミングの遅延時間が長い場合の高分子材料由来の分子の位置関係を表している。図示の通り、イオンビームパルスが照射されると、高分子材料の表面や高分子材料が載せられる金属基板の表面から原子や分子の粒子群が真空中に放出される。本願発明者は、このときの金属原子と高分子由来の分子の飛行時間が異なると考えた。即ち、金属原子に比べて高分子由来の分子のほうが、放出速度が低速であると考えた。レーザ光源の照射タイミングの遅延時間が短い場合、図２（ａ）に示されるように、レーザパルスは金属原子に照射され、金属原子がイオン化され、分析部で検出されることになる。一方、レーザ光源の照射タイミングの遅延時間が長い場合、図２（ｂ）に示されるように、レーザパルスは高分子材料由来の分子に照射され、高分子材料由来の分子がイオン化され、分析部で検出されることになる。
　したがって、レーザ光源のレーザ光の照射タイミングを調整し、イオンビームにより高分子材料から放出される高分子材料由来の分子にレーザ光を照射するように調整することで、高分子材料由来の分子をレーザ光によりイオン化することが可能となる。即ち、高分子材料由来の分子にレーザ光を照射可能なように、レーザ光源の照射タイミングを、イオンビーム源の照射タイミングに対して遅延制御する遅延制御部を設ければ良い。遅延制御部は、制御部５０内に設けられれば良く、イオンビーム源のビームパルスに同期して所定の時間だけ遅延させた後にレーザパルスを照射するように制御すれば良い。
　以下、本発明のレーザイオン化質量分析装置を用いて、高分子材料としてポリスチレンを分析した結果を説明する。図３は、本発明のレーザイオン化質量分析装置により得たポリスチレンのイオン化スペクトルを表している。図中、横軸は質量電荷比（ｍ／ｚ）であり、縦軸は検出強度である。測定条件としては、基板上にスピンコートにより形成したポリスチレンに対して、イオンビーム源として集束イオンビームを１００ｎｓ、１ｋＨｚで照射した。なお、観察視野は１００μｍ×１００μｍとした。また、レーザ光源は２６６ｎｍのパルスレーザを用いた。また、比較例として、同じ集束イオンビームを用いて、飛行時間型２次イオン質量分析装置（ＳＩＭＳ）によるポリスチレンのイオン化スペクトルを同縮尺でグレー線で示した。
　図示の通り、同じ集束イオンビームの照射量に対して、本発明のレーザイオン化質量分析装置では質量電荷比が１０４付近に主ピークが現れ、比較例では質量電荷比が９１付近に主ピークが現れた。質量電荷比１０４付近の主ピークは、スチレンモノマーに対応するものと考えられる。即ち、スチレンモノマーに対して主ピークが現れたことから、高分子種毎に固有のピークを検出可能であることが分かる。一方、比較例では、モノマーはまったく分からない。また、主ピークのカウント数を比較例と比べると、本発明のレーザイオン化質量分析装置のほうが、６倍高感度であることが分かる。したがって、本発明のレーザイオン化質量分析装置によれば、モノマーを極めて感度良く検出でき、ブレンドポリマーやコポリマー等の有機構造体であっても選択性良く分析出来るので、内部構造を明確に分析出来得る。
　ここで、遅延制御部におけるレーザ光源の照射タイミングの遅延制御について、より具体的に説明する。図４は、イオンビーム源の照射タイミングからレーザ光源の照射タイミングまでの遅延時間に対する、検出されたスチレンの信号強度変化を表すグラフである。なお、比較例として、インジウム原子の信号強度変化をグレー線で示した。
　図示の通り、スチレンの信号強度は、３μ秒から１０μ秒程度の間で高強度となり、ピークは５μ秒付近に現れ、その後もある程度の信号強度が維持されていることが分かる。一方、３μ秒よりも短くなると、金属原子の影響が現れてくることが分かる。したがって、遅延時間としては、好ましくは３μ秒から１５μ秒程度の間、より好ましくは５μ秒前後であれば良い。
　次に、本発明のレーザイオン化質量分析装置に用いられるレーザ光源の、より具体的なレーザ照射条件について説明する。図５に、レーザ光源のレーザエネルギに対する検出されたスチレンの信号強度変化を表すグラフを示す。なお、同図は、レーザ光源としては波長が２５０ｎｍのものを用い、レーザ光源の照射タイミングの遅延時間を４μ秒とした場合のスチレン（質量電荷比１０４）の信号強度の測定結果である。図示の通り、スチレンの信号強度は、レーザエネルギが７０μＪ／ｐｕｌｓｅ～３００μＪ／ｐｕｌｓｅ程度の間で高強度となり、ピークは１５０μＪ／ｐｕｌｓｅ付近に現れることが分かる。したがって、レーザ光源のレーザパワーは、好ましくは７０μＪ／ｐｕｌｓｅ～３００μＪ／ｐｕｌｓｅ程度、より好ましくは１００μＪ／ｐｕｌｓｅ～２００μＪ／ｐｕｌｓｅ程度であれば良い。
　また、レーザ光源の波長は、高分子材料由来の分子が吸収可能な領域であれば良く、紫外光域の波長であれば良い。例えば、２００ｎｍ～３５０ｎｍ程度であれば良い。
　このような構成の本発明のレーザイオン化質量分析装置は、高分子材料を高感度に分析可能であり、且つ、質量スペクトルと高分子の種類の選択性も高いものとなる。
　また、このような本発明のレーザイオン化質量分析装置を用いて、高分子材料の構造をイメージ化することも可能である。即ち、高分子材料を走査しながら質量分析を行い、この結果を用いて信号強度を画像化する。例えば、図１に示される装置において、高分子材料が走査されるように、マニピュレータにより試料台１０が移動させられる。そして、高分子材料を移動させながらイオンビーム源２０によりイオンビームを照射し、高分子材料を走査する。なお、試料台は固定し、イオンビーム源をマニピュレータにより移動させて高分子材料を走査するように構成しても良い。このとき放出される高分子材料に対して、レーザ光源からのレーザ光を照射し、高分子材料由来の分子をイオン化するのは上述の通りである。そして、イオンビームが照射される位置とそのときの信号強度を、イメージング部にて画像化する。なお、イメージング部は、制御部５０内に設けられれば良い。
　図６は、このようにして高分子材料を画像化した結果を表している。ここで、図６（ａ）が全イオン像を、図６（ｂ）が従来技術による測定結果の質量電荷比９１のイメージを、図６（ｃ）が本発明による測定結果の質量電荷比７８のイメージを、図６（ｄ）が本発明による測定結果の質量電荷比１０４のイメージをそれぞれ表している。なお、測定対象は、インジウム板上に１００ｎｍのポリスチレン粒子を載せたものを、数字の「３」の型（グリッド）でマスクしたものであり、これに対して集束イオンビームを照射し、２６６ｎｍで１ｋＨｚのパルスレーザによりレーザイオン化したものである。
　図示の通り、レーザイオン化を行わなかった場合の主ピークである質量電荷比９１では、数字の「３」のマスクはまったく区別できなかった。これに対して、ベンゼン環に対応すると考えられる質量電荷比７８では、若干であるが数字の「３」のマスクが区別できる。さらに、本発明のレーザイオン化質量分析装置による主ピークでありモノマーに対応すると考えられる質量電荷比１０４では、はっきりと数字の「３」のマスクが区別できている。このように、本発明のレーザイオン化質量分析装置は、高感度に精度良く分析が可能であり、さらには質量スペクトルと高分子の種類の選択性も高いため、画像化することにより構造を明瞭に分析できることが分かる。
　なお、本発明のレーザイオン化質量分析装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
　１０　　試料台
　２０　　イオンビーム源
　３０　　レーザ光源
　４０　　分析部
　５０　　制御部

Claims (5)

  1. 　高分子材料をイオン化してその質量を分析するレーザイオン化質量分析装置であって、該レーザイオン化質量分析装置は、
    　高分子材料が配置される試料台と、
    　前記試料台に配置される高分子材料にイオンビームを照射するイオンビーム源と、
    　前記試料台の表面に平行にレーザ光を照射するレーザ光源であって、イオンビーム源からのイオンビームにより試料台に配置される高分子材料から放出される高分子材料由来の分子にレーザ光を照射し、高分子材料由来の分子をイオン化するレーザ光源と、
    　前記レーザ光源からのレーザ光によりイオン化される試料を質量分析する分析部と、
    　を具備することを特徴とするレーザイオン化質量分析装置。
  2. 　請求項１に記載のレーザイオン化質量分析装置であって、さらに、前記レーザ光源からのレーザ光が高分子材料由来の分子に照射されるように、レーザ光源の照射タイミングを、イオンビーム源の照射タイミングに対して遅延制御する遅延制御部を具備することを特徴とするレーザイオン化質量分析装置。
  3. 　請求項１又は請求項２に記載のレーザイオン化質量分析装置において、前記レーザ光源は、高分子材料由来の分子のイオン化効率が高い発光強度のレーザ光を照射することを特徴とするレーザイオン化質量分析装置。
  4. 　請求項１乃至請求項３の何れかに記載のレーザイオン化質量分析装置において、前記レーザ光源は、高分子材料由来の分子が吸収可能な波長のレーザ光を照射することを特徴とするレーザイオン化質量分析装置。
  5. 　請求項１乃至請求項４の何れかに記載のレーザイオン化質量分析装置であって、さらに、
    　前記試料台に配置される高分子材料を走査可能なように試料台又はイオンビーム源を移動させるマニピュレータと、
    　前記マニピュレータにより試料台又はイオンビーム源を移動させイオンビームで高分子材料を走査し、分析部の質量分析の結果を用いて高分子材料を画像化するイメージング部と、
    　を具備することを特徴とするレーザイオン化質量分析装置。
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