JPH0574185B2 - - Google Patents

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JPH0574185B2
JPH0574185B2 JP63228281A JP22828188A JPH0574185B2 JP H0574185 B2 JPH0574185 B2 JP H0574185B2 JP 63228281 A JP63228281 A JP 63228281A JP 22828188 A JP22828188 A JP 22828188A JP H0574185 B2 JPH0574185 B2 JP H0574185B2
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primary beam
pulses
sample
primary
analysis
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Fuanderufuorusuto Uiirufuriito
Raseeru Berunaaru
Do Bishotsupu Peteeru
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ANTERYUNIBERUSHITEERU MIKUROER
ANTERYUNIBERUSHITEERU MIKUROEREKUTORONIKA SANTOROMU IMETSUKU
APURIKASHION MEKANIKU A REREKU
APURIKASHION MEKANIKU A REREKUTORONITSUKU OOSHINEMA E RATOMISUTEITSUKU CO
Original Assignee
ANTERYUNIBERUSHITEERU MIKUROER
ANTERYUNIBERUSHITEERU MIKUROEREKUTORONIKA SANTOROMU IMETSUKU
APURIKASHION MEKANIKU A REREKU
APURIKASHION MEKANIKU A REREKUTORONITSUKU OOSHINEMA E RATOMISUTEITSUKU CO
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    • G01N23/2255—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident ion beams, e.g. proton beams
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    • H01J49/061—Ion deflecting means, e.g. ion gates

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、粒子ビームを用いたスパツタリング
によりサンプルを分析する方法とこの方法を実施
するための装置に関するものである。
従来の技術 粒子ビームを用いたスパツタリングにより固体
の化学分析を行う方法が従来からいくつか知られ
ている。例えば二次イオン質量分析法では、分析
すべきサンプルの表面を走査して平坦な底面を有
するクレータを形成する機能をもつ一次ビームと
呼ばれるイオンビームによつて、分析すべきアン
プルから粒子が放出され、このクレータの平坦な
底面から放出された物質が質量分析計によつて同
定される。
固体サンプルの深さ方向に信頼性のある分析を
行うためには、分析される面、すなわち高さがは
つきりときまつた「分析面」を形成する目的でス
パツタリングによつて平坦な底面を有するクレー
タを生成させる必要がある。一般に、一次ビーム
は連続ビームである。巨大分子の分析などの特殊
な用途では、飛行時間法によつて質量スペクトル
が測定できるようにパルス状の一次ビームを用い
る。
最近になつて新しい様々な方法が利用されるよ
うになつている。これらの方法では、一次ビーム
によつて放出された中性粒子をレーザビームによ
つてさらに「後イオン化」する。このレーザビー
ムは比較的パワーが大きい必要がある。これは、
レーザパルスビームを使用することを意味する。
一次ビームは、連続源によつて生成されたイオン
またはフオトンからなるビームである。このビー
ムは、ビーム源とサンプルの間の粒子の通路内に
設置された偏向板にパルス電圧を印加することに
よつてパルスにチヨツプされる。一次ビームのパ
ルスはレーザビームのパルスと同期させ、一次ビ
ームによつて中性粒子がサンプルから放出された
直後にレーザパルスがこれら粒子をイオン化でき
るようにする。
このタイプの公知の方法は例えば以下の参考文
献に記載されている。
−ハースト（Hurst）他「スツパツタにより開始
される共鳴イオン化分析法（Sputter Initiated
Resonance Ionization Spectrometry）」アメ
リカ合衆国特許第4442354号、1984年４月10日。
−ジエイ．イー．パークス（J.E.Parks）他、
Thin.Solid Films、第８巻、1983年、69ペー
ジ。
−エフ．エム．キモツク（F.M.Kimock）他、
Anal.Chem.第56巻、1984年、2782ページ。
−エム．ジエイ．ペラン（M.J.Pellin）他、Surf.
Science第144巻、1984年、619ページ。
−シー．ベツカー（C.Becker）他、Anal.Chem.
第56巻、1984年、1671ページ。
発明が解決しようとする課題 これら公知の方法を実施するには２つの問題点
がある。
第１の問題点は、例えばサンプル中の所定の不
純物の深さ方向の濃度分布を測定するにあたつて
サンプルからかなりの量の物質を遊離させる必要
がある場合に測定に要する時間に関する。実際、
分析の効率とこの分析の実行速度の間に大きな差
がある。サンプルから放出された中性粒子の後イ
オン化はレーザパルスビームを用いて行う。とい
うのは、比較的パワーの大きなレーザが必要とさ
れ、しかもこのタイプのレーザはパルスレーザだ
からである。高出力レーザパルスの周波数は一般
に10〜200Hzである。２つの連続したレーザパル
スの間に一次ビームによつて放出された粒子は明
らかにイオン化されず、従つて検出されない。高
い検出効率が必要な場合には、このタイプの情報
ロスは容認しがたい。これが、一次ビームをレー
ザビームと同期してパルス化する理由である。
検出効率を最大にするには、各レーザパルスの
前に一次ビームのパルスが１つしかないことが必
要であろう。このようにすると分析が極めて遅く
なる可能性がある。例えば、一次ビームのパルス
の持続時間が１マイクロ秒で周波数が100Hzであ
ると、そのパルス比は10-4となる。分析速度はス
パツタリングの速度の正比例するため、この場合
の分析速度は、連続一次ビームを用いた「後イオ
ン化」を行わない２次質量分析法における分析速
度よりも数桁小さくなろう。１ミクロンまでの深
さの濃度分布測定には時間が多くかかる可能性が
ある。このような長時間は容認できない。
分析時間を短くするため、公知の方法では、連
続一次ビームを用いてサンプルを所定の深さまで
スパツタする。この場合、濃度の測定は行わな
い。所定の深さに達すると、この深さでの濃度測
定を行うために一次ビームを後イオン化用レーザ
ビームのパルスと同期してパルスにチヨツプす
る。そのあとで再び一次ビームを用いて別の測定
を行う次のレベルまでサンプルのスパツタを行
う。このように、レベルを変化させることによつ
てこの方法を用いて不純物の濃度の深さ方向の分
布を測定し、しかも分析時間を最小にすることが
できる。しかし、この濃度分布測定方法によつて
は深さ方向の各レベルの間での情報は得られない
のが明らかである。
本発明の目的は、情報量を実質的に失うことな
く分析時間を最小にすることのできる分析方法を
提供することである。
第２の問題点は分析装置の製造に関する。この
分析装置は、以下の性能特性を有する一次ビーム
チヨツピング装置を備えている必要がある。
−任意のパルス形状を得ることができ、しかもパ
ルスはサンプルの表面の任意の点に向けて照射
することができなくてはならない。
−一次ビームの照射面は、一次ビームがオンのと
きとオフのときにサンプル上の同じ位置にとど
まつていなくてはならない。すなわち、このビ
ームをオンにしたりオフにしたりする偏向制御
用電圧パルスの効果によつてビームがサンプル
上で変位することがあつてはならない。
−サンプルに到達する一次ビームの流れは、一次
ビームのパルス間では厳密にゼロ、すなわちこ
の間には一次ビームが完全にオフになつていな
くてはならない。
本発明の第２の目的は従つて、本発明の上記
の方法を実施することができ、しかも上記の性
能特性を有する分析装置を提供することであ
る。
課題を解決するための手段 本発明の方法は、本質的には、各レーザパルス
の前に本来の分析面を構成する底面をスパツタ
し、しかも本来の分析面を構成しないが２つの連
続したパルスの間の残りの時間にクレータの側面
をスパツタしてクレータが存在できるようにする
ことからなる。
本発明によれば、一次ビームと呼ばれるパルス
状の粒子ビームを用いたスパツタリングによりサ
ンプルを分析する方法であつて、 −サンプル上の走査面と呼ばれる面上を中心が仮
想的に走査するように一次ビームを偏向させ
て、分析面と呼ばれる面を構成する平坦な底面
を有するクレータを形成し、 −上記分析面から放出された粒子を上記一次ビー
ムと同期したパルス状レーザビームを用いてイ
オン化させ、このとき上記一次ビームのパルス
の周波数は上記レーザビームのパルスの周波数
よりも大きくし、上記レーザビームのパルス間
の大部分の時間は上記走査面の一部で上記分析
面の外部に位置する部分を上記一次ビームの中
心が走査し、上記一次ビームのパルスのうちで
レーザビームの各パルスの直前の１つのパルス
に対応する期間は上記分析面を上記一次ビーム
の中心が走査するように上記一次ビームを偏向
させ、 −サンプルから放出されてイオン化された粒子の
種類を質量分析計を用いて同定することを特徴
とする方法が提供される。
実施例 第１図では、サンプル１がスパツタされて平坦
な底面２と傾斜した壁面３を有するクレータが形
成されている。本当の分析面は平坦な底面２だけ
である。というのは、この底面２だけが一定の深
さｚに位置しているからである。傾斜壁面３はス
パツタリングによる必然的な結果であるが、サン
プル１内で深さが変化しているために分析面には
なりえない。信頼性の高い分析を行うためには、
クレータの底面２がクレータの形成中およびクレ
ータが形成されたときに完全に平坦でなくてはな
らない。このためには壁面３と底面２を同時にス
パツタする必要がある。
本実施例では、上方から見てクレータがほぼ正
方形であり、一次ビームの照射領域４が半径ｒの
円形であることを仮定する。一次ビームの各パル
スの位置は、照射領域４の中心７の位置から知る
ことができる。一次ビームの照射領域の中心７は
すべて走査面と呼ばれる正方形領域６の内部に位
置している。この走査面が、サンプル内にスパツ
タにより形成されるクレータの全幅dcを規定して
いる。従つて、スパツタされる面の全体は、はつ
きりしない境界線をもつ面積がdc×dcの正方形で
ある。この面積は走査面６の面積よりも明らかに
大きい。平坦な底面２をスパツタするための照射
領域４の中心７は、面積Saが走査面６の面積Ssよ
りもはるかに小さい分析面と呼ばれる正方形領域
５内に位置している。
別の実施態様では、クレータは正方形でなくて
もよく、例えば長方形や円形にすることが可能で
ある。
第２図は、上記のクレータを形成するために本
発明の方法に従つて一次ビームを仮想的に走査す
る経路を示す図である。この図面では、白丸は、
走査面６上ではあるが分析面５の外部に位置する
場合の照射領域４の中心７を表し、黒丸は、分析
面５の内部に位置する場合の照射領域４の中心７
を表す。分析面５は斜線で表示されている。ビー
ムは移動中（走査中）はオフにされるため、走査
は仮想的であると言うことができる。照射領域４
の中心は、水平方向と垂直方向に距離Ａ離れた状
態で走査面６上に均等に分布している。距離Ａは
各照射領域の半径ｒに比べて十分小さくして、照
射領域４の重なりによつて走査面が均一にスパツ
タされるようにしてある。一次ビームのパルスの
うちで中心が走査面６内に含まれるものの数と、
一次ビームのパルスのうちで中心が分析面５内に
含まれるものの全数の比Ｒは、Ｒ＝Ss／Saであ
る。
分析面５の組成に関する情報を最大限に得るた
めには、レーザ光源がレーザパルスを一次ビーム
のパルスの直後に発生させうるのでなければ一次
ビームのパルスを分析面に照射してはならない。
このような条件下では、分析面に照射される一次
ビームのパルスの周波数がレーザパルスの周波数
と正確に一致している場合に最大のスパツタリン
グ速度が得られる。高出力レーザのパルスの周波
数は比較的小さいため（せいぜい数ｋHz）、２つ
の連続したレーザパルスの間隔は一次ビームのパ
ルスを付加的に発生させるのに十分な長さであ
る。これら付加パルスは、照射領域４の中心７が
走査面６の周辺部で分析面５の外部に位置するよ
うに照射する。これら付加パルスを用いると、ク
レータの壁面のスパツタリングを行うことができ
る。この操作は、引き続いてこのクレータの平坦
な底面を深くするのに必要である。
以上の説明からわかるように、一次ビームのパ
ルスはレーザパルスの周波数よりもＲ倍大きな一
定の周波数で照射される。一次ビームの走査経路
は以下の通りである。すなわち、（Ｒ−１）番目
までのパルスの一次ビームの中心は走査面６を分
析面５の外側で仮想的に走査し、次にこの一次ビ
ームのＲ番目のパルスの一次ビームの中心は分析
面５に入り、次に（Ｒ＋１）番目から（2R−１）
番目のパルスの一次ビームの中心は分析面５の外
側に戻り、次に2R番目のパルスの一次ビームの
中心は分析面５の内側に戻り、次に（2R＋１）
番目から（3R−１）番目のパルスの一次ビーム
の中心は分析面５の外側に戻り、次に3R番目の
パルスの一次ビームの中心は分析面５の内側に戻
り、次に（3R＋１）番目のパルスの一次ビーム
の中心は分析面５の外側に戻るという操作を走査
面６の走査が終了するまで繰り返すという経路を
一次ビームの走査経路はたどる。続いてこの走査
経路を再度繰り返し走査する。走査のステツプ数
は例えば256×256に固定しておく。ユーザーは、
測定する最小濃度と到達する最大深度とに応じて
比Ｒを選択する。
第３図は、このようなクレータを形成するため
レーザパルスと一次ビームのパルスのタイミング
チヤートである。中心が分析面５内に位置する主
パルスは斜線で表示されているのに対し、中心が
分析面５の外側に位置する主パルスは白抜で表示
してある。このタイミングチヤートから、レーザ
パルスが一次ビームのＲ番目のパルスごとに一次
ビームのパルスの立ち上がり時刻から遅延時間td
で発生することがわかる。
ミクロン／分の単位で表示されるスパツタリン
グ速度は、一次ビームの強度Ipと、一次ビームの
パルスの持続時間Tpと、レーザパルスの周波数
ｆとに比例し、分析面５の面積Saに反比例すると
言うことができる。強度Ipと周波数ｆは実用上の
理由から制約があり、面積Saは固定値である。ス
パツタリング速度を大きくするためにはユーザー
が一次ビームのパルスの持続時間Tpを調節する
ことが可能であるが、すると測定可能な最小濃度
が大きくなつてしまう。つまり、感度が低下す
る。さらに、不均一なスパツタリングがなされる
ことや測定が不正確であることを避けるためには
移動中は一次ビームを絶対にオフにしておく必要
があるため、一次ビームを移動させるための所定
の時間を確保しておかなくてはならない。
従つて、一次ビームのチヨツピング装置は、ビ
ームの移動開始前にビームを完全に阻止できなく
てはならず、照射領域が所定の位置に仮想経路を
通つて到達するまでビームを再度オンにしてはな
らない。さらに、一次ビームがオンの期間は、こ
のチヨツピング装置はビームを照射領域からわず
かでも変位させてはならない。
第４図は、本発明の方法を実施するための本発
明の装置の実施例の概略図である。この実施例の
装置は、イオン源１１と、ビーム伝達装置１２
と、ビームチヨツピング装置１３と、ビームの位
置決め装置１４と、ビーム伝達装置１５と、質量
分析計１７と、レーザ光源１８と、制御装置１９
とを備えている。
一次ビーム１０は、例えば希ガス（アルゴンま
たはキセノン）または他の元素（ガリウム、イン
ジウム）のイオンによつて形成され、イオン源
は、典型的な値として数マイクロアンペアの電流
を出力する例えばデユオプラズマトロンや液体金
属源によつて形成される。イオンは約数KeVの
エネルギに加速される。
ビーム伝達装置１２は少なくともいくつかの集
束要素を備えているが、さらに、マグネツト、質
量選択アパーチヤ、少なくとも１つの静電偏向装
置を備えていてもよい。
ビーム伝達装置１２は、ビーム伝達ライン内で
ビームチヨツピング装置１３の中心に対応する位
置でひとみＣを生成させる。ビームチヨツピング
装置１３を用いると、制御装置１９の制御のもと
に一次ビームを所定の確定した瞬間にのみサンプ
ル２１の方向に通過させることができる。ビーム
チヨツピング装置１３から出力される一次ビーム
のパルスは、ビーム伝達装置１５によつて整形さ
れ、ビームの位置決め装置１４によつてサンプル
２１上での位置を決められる。ビーム伝達装置１
５は、例えば１つ以上のレンズ、アパーチヤ、ス
テイグメータ、偏向装置を備えていてもよい。ビ
ーム伝達装置１２によつて生成された本当のひと
みＣは、サンプル２１の表面に形成される像C′を
有する。
サンプル２１からスパツタされた物質の粒子２
１は、制御装置１９の制御のもとにレーザ光源１
８から出力されたレーザパルスビーム２２によつ
てイオン化される。これら粒子は、やはり制御装
置１９によつて制御される質量分析計１７で同定
される。
第５図は、一次ビーム１０のチヨツピング装置
１３と、このビームを位置決めする装置１４と、
ビーム伝達装置１５の一実施例の詳細図である。
ビームチヨツピング装置１３は、一次ビーム１０
のひとみＣのそれぞれの側に設置された静電偏向
板２４，２４′と、この一次ビーム１０の経路の
下流に位置する絞り２５とを備えている。静電偏
向板２４，２４′には電位差VBBが印加されてい
るため、角度θの偏向が起こる。この偏向によつ
てサンプル２１の表面に対する一次ビーム１０の
入射角がθ′変化する。先に説明したように、点Ｃ
の像C′はサンプル２１の表面に形成される。従つ
て、入射角の変化θ′によつてサンプル２１の表面
上でビームの照射領域でがシフトすることはな
い。電位差VBBが十分に大きければ、角度θが十
分な大きさになつて一次ビーム１０が絞り２５に
よつて阻止される。一次ビームは、望ましからぬ
シフトがない状態で点C′でオフにされる。同様
に、一次ビーム１０はシフトがない状態で点C′で
再びオンにすることができる。
ところでビームの位置決め装置１４を用いる
と、点Ｃの像が形成されている点C′をシフトさせ
ることができる。ビームの位置決め装置１４は第
１の偏向板対２６，２６′と第２の偏向板対２７，
２７′を備えている。第１と第２の偏向板対には
それぞれ電位差VBP，V′BPが印加されて、上記の
走査を行いながらビームの位置を決定する。これ
ら２対の偏向板は互いに垂直な対称面を有する。
この結果、２組の偏向板対は二次元的に位置が決
められる。電位差VBP，V′BP，VBBは、制御装置
１９によつて与えられる。ビーム伝達装置１５
は、本実施例では単一のレンズで形成されてい
る。別の実施態様では、ビームの位置決め装置１
４は、それぞれの偏向装置がサンプルから等距離
の点に位置する互いに直交した２対の板を有する
二重偏向装置を備えていてもよい。
第６図は、本実施例の制御装置１９が出力する
制御信号のタイミングチヤートである。周波数ｆ
のクロツク（トリガ）信号が遅延時間t′dでレー
ザパルスをトリガする。本実施例では、電位差
VBBが小さいときにはビームがビームチヨツピン
グ装置１３により伝達され、電位差VBBが大きい
ときにはビームは阻止される。この電圧は周期的
であり、その周波数はｆ・Ｒである。この周波数
はトリガ信号によつて同期される。電圧VBBがＲ
回目にロウレベルから立ち上がる際には必ずトリ
ガ信号に対して固定された遅延時間t″dが存在し
ている。電圧VBBがロウレベルになるごとに、一
次ビームが所定の期間Tpオンになる。
一次ビームのＲ番目ごとのパルスば分析面に照
射されるのに対し、一次ビームの他のパルスは分
析面の外側に照射される。分析面に照射されるパ
ルスは図面では斜線で表示し、他のパルスは白抜
で表示してある。
第６図には電位差VBPのタイミングチヤートも
示されている。電位差V′BPのタイミングチヤート
は同様であるため図示していない。電位差VBPに
関するこのタイミングチヤートは、一次ビームの
各パルスの後に電位差VBPが変化して一次ビーム
の次のパルスが新しい位置に送られることを示し
ている。１番目から（Ｒ−１）番目のパルス、
（Ｒ＋１）番目から（2R−１）番目のパルス、
（2R＋１）番目から（3R−１）番目のパルスに
対しては、走査領域が分析面５の外部に位置する
ことに対応して電位差VBPはハイレベルである。
Ｒ番目、2R番目、3R番目…のパルスに対して
は、走査領域が分析面５の内部に位置することに
対応して電位差VBPはロウレベルである。
このタイプの制御信号を発生させる制御装置１
９の製造法は当業者には公知である。電圧VBPと
V′BPは、メモリに記憶させることができる特殊な
一連のデイジタル値の形態である。これらの値は
順番に読まれ、Ｄ／Ａ変換器によつて電位差に変
換される。ユーザーが望みの感度と最大到達深度
とに応じて値Ｒを変化させるため、２つの異なつ
た数値系列を比Ｒの各整数値に対して記憶させ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の方法の一実施例で得られたク
レータの概略断面図であり、この図にはこのクレ
ータに対応する走査面と分析面も図示されてい
る。第２図は、本発明の方法に従つてこのクレー
タを形成するために一次ビームのパルスを走査さ
せる経路を示す図である。第３図は、本発明の方
法の一実施例におけるレーザパルスと一次ビーム
のパルスのタイミングチヤートである。第４図
は、本発明の装置の一実施例の概略図である。第
５図は、第４図の実施例の詳細な図である。第６
図は、この第５図の実施例の制御信号のタイミン
グチヤートである。 （主な参照番号）１，２１……サンプル、２…
…底面、３……壁面、４……照射領域、５……分
析面、６……走査面、７……中心、１０……一次
ビーム、１１……イオン源、１２，１５……ビー
ム伝達装置、１３……ビームチヨツピング装置、
１４……ビームの位置決め装置、１７……質量分
析計、１８……レーザ光源、１９……制御装置、
２２……レーザパルスビーム、２４，２４′，２
６，２６′，２７，２７′……静電偏向板、２５…
…絞り。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 一次ビームと呼ばれるパルス状の粒子ビーム
    を用いたスパツタリングによりサンプルを分析す
    る方法であつて、 −サンプル上の走査面と呼ばれる面上を中心が仮
    想的に走査するように一次ビームを偏向させ
    て、分析面と呼ばれる面を構成する平坦な底面
    を有するクレータを形成し、 −上記分析面から放出された粒子を上記一次ビー
    ムと同期したパルス状レーザビームを用いてイ
    オン化させ、このとき上記一次ビームのパルス
    の周波数は上記レーザビームのパルスの周波数
    よりも大きくし、上記一次ビームは、上記レー
    ザビームのパルス間の大部分の時間は上記走査
    面の一部で上記分析面の外部に位置する部分を
    走査し、上記一次ビームのパルスのうちでレー
    ザビームの各パルスの直前の１つのパルスに対
    応する期間は上記分析面を走査するように中心
    を偏向させ、 −サンプルから放出されてイオン化された粒子の
    種類を質量分析計を用いて同定することを特徴
    とする方法。 ２ 上記レーザパルスビームの周波数よりもＲ倍
    （ただし、Ｒは１よりも大きな整数であり、上記
    走査面の所望の面積と上記分析面の所望の面積の
    比に等しい）大きな一定の周波数を有する一次ビ
    ームのパルスを発生させることを特徴とする請求
    項１に記載の方法。 ３ サンプルの仮想走査を実行するためには、上
    記一次ビームをオフにした後に仮想的にシフトさ
    せ、新しい位置に固定した後にこの一次ビームを
    オンにして、上記一次ビームのパルスを発生させ
    るために連続ビームをチヨツプすることを特徴と
    する請求項１に記載の方法。 ４ −一次ビームと呼ばれるパルス状粒子ビーム
    を分析するサンプル上に照射してこのサンプル
    から粒子を放出させる手段と、 −上記一次ビームを制御信号に従つて偏向させる
    手段と、 −パルス状レーザビームを照射して上記サンプル
    から放出された粒子をイオン化させるレーザ光
    源と、 −上記サンプルから放出されてイオン化された粒
    子を同定する質量分析計と、 −制御手段とを備え、 この制御手段は、 −上記偏向手段を制御することによつて上記サン
    プル上で上記一次ビームの中心が走査面と呼ば
    れる面を仮想走査させて分析面と呼ばれる面を
    構成する平坦な底面を有するクレータを形成さ
    せ、 −上記一次ビーム照射手段を制御して、一次ビー
    ムを上記レーザビームのパルスの周波数よりも
    大きくてしかもこれらレーザビームのパルスと
    同期して発生させるとともに、一次ビームのパ
    ルスをレーザビームの各パルスの直前に１つ発
    生させ、 −上記偏向手段を制御して、上記一次ビームの中
    心が上記レーザビームのパルス間の大部分の時
    間は上記走査面の一部で上記分析面の外部に位
    置する部分を仮想的に走査させ、上記一次ビー
    ムのパルスのうちでレーザビームの各パルスの
    直前の１つのパルスに対応する期間は上記分析
    面を仮想的に走査させることを特徴とする分析
    装置。 ５ パルス状粒子ビームを発生させる上記手段
    が、 −連続粒子ビームを発生させる源と、 −この連続粒子ビームのこのビームのひとみのま
    わりに偏向させる一対の静電偏向板と、 −上記連続粒子ビームが所定の固定角を越えて偏
    向したときにこの連続粒子ビームの全粒子を阻
    止する絞りと、 −サンプル上に上記ひとみの像を形成するために
    ビームを移動させる手段と を備えることを特徴とする請求項４に記載の装
    置。
JP63228281A 1987-09-11 1988-09-12 粒子ビームを用いたスパッタリングによりサンプルを分析する方法とこの方法を実施するための装置 Granted JPH01265154A (ja)

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