JP6024292B2 - 二次イオン質量分析装置および二次イオン質量分析方法 - Google Patents
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Description
(付記1)イオンビームを試料表面に照射する照射部と、前記イオンビームにより前記試料表面から放出された二次イオンを検出する検出部と、前記試料表面内のイオンビームが照射される第1領域を時間とともに連続的に縮小させるように前記照射部を制御する制御部と、を具備することを特徴とする二次イオン質量分析装置。
(付記2)前記制御部は、前記検出部が前記二次イオンを検出する前記試料表面の第2領域を前記第1領域より小さくすることを特徴とする付記1記載の二次イオン質量分析装置。
(付記3)前記制御部は、前記第1領域を縮小させる際に、前記第2領域を変えないことを特徴とする付記2記載の二次イオン質量分析装置。
(付記4)前記制御部は、前記第2領域を前記第1領域の最も小さい領域より小さくすることを特徴とする付記3記載の二次イオン質量分析装置。
(付記5)前記照射部は、前記イオンビームが前記試料表面をエッチングする速度を変化させないように前記イオンビームを前記試料表面に照射することを特徴とする付記1から4のいずれか一項記載の二次イオン質量分析装置。
(付記6)前記照射部は、前記イオンビームを前記試料表面にスキャンさせるスキャン機構と、前記イオンビームの前記試料表面への照射を遮断する遮断機構と、を備えることを特徴とする付記1から5のいずれか一項記載の二次イオン質量分析装置。
(付記7)前記遮断機構が前記イオンビームを遮断しないときに前記スキャン機構が前記イオンビームをスキャンされる前記試料表面が前記第1領域であることを特徴とする付記6記載の二次イオン質量分析装置。
(付記8)前記スキャン機構は、前記第1領域が縮小する際に、前記イオンビームが前記試料表面をスキャンする速度を変化させないことを特徴とする付記6または7記載の二次イオン質量分析装置。
(付記9)前記スキャン機構は、前記イオンビームを前記試料表面にラスタースキャンさせることを特徴とする付記6から8のいずれか一項記載の二次イオン質量分析装置。
(付記10)イオンビームを試料表面に照射し、前記イオンビームにより前記試料表面から放出された二次イオンを検出する二次イオン質量分析方法であって、前記試料表面内のイオンビームが照射される領域を時間とともに連続的に縮小させることを特徴とする二次イオン質量分析方法。
14 一次イオンガン
16 一次イオンビーム
18 質量分析器
20 二次イオン
50 スキャン領域
62 照射領域
64 計測領域
90 制御部
92 照射部
94 検出部
Claims (7)
- イオンビームを試料表面に照射し、前記イオンビームを前記試料表面にスキャンさせるスキャン機構と、前記イオンビームの前記試料表面への照射を遮断する遮断機構と、を備える照射部と、
前記イオンビームにより前記試料表面から放出された二次イオンを検出する検出部と、
前記試料表面内のイオンビームが照射される第1領域を時間とともに連続的に縮小させるように前記照射部を制御する制御部と、
を具備し、
前記スキャン機構は、前記イオンビームをスキャンさせる領域を一定とし、
前記遮断機構が前記イオンビームを遮断しないときに前記スキャン機構が前記イオンビームをスキャンさせる前記試料表面が前記第1領域であることを特徴とする二次イオン質量分析装置。 - 前記制御部は、前記検出部が前記二次イオンを検出する前記試料表面の第2領域を前記第1領域より小さくすることを特徴とする請求項1記載の二次イオン質量分析装置。
- 前記制御部は、前記第1領域を縮小させる際に、前記第2領域を変えないことを特徴とする請求項2記載の二次イオン質量分析装置。
- 前記制御部は、前記第2領域を前記第1領域の最も小さい領域より小さくすることを特徴とする請求項3記載の二次イオン質量分析装置。
- 前記照射部は、前記イオンビームが前記試料表面をエッチングする速度を変化させないように前記イオンビームを前記試料表面に照射することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の二次イオン質量分析装置。
- 前記照射部は、前記第1領域に単位時間に単位面積に照射される前記イオンビームのイオンの数を時間によらず一定とすることで、前記イオンビームが前記試料表面をエッチングする速度を変化させないように前記イオンビームを前記試料表面に照射することを特徴とする請求項5記載の二次イオン質量分析装置。
- イオンビームを試料表面に照射し、前記イオンビームにより前記試料表面から放出された二次イオンを検出する二次イオン質量分析方法であって、
前記イオンビームを前記試料表面にスキャンさせるスキャン機構は前記イオンビームをスキャンさせる領域を一定とし、前記イオンビームの前記試料表面への照射を遮断する遮断機構が前記イオンビームを遮断しないときに前記スキャン機構が前記イオンビームをスキャンさせる前記試料表面が前記試料表面内のイオンビームが照射される領域であり、前記領域を時間とともに連続的に縮小させることを特徴とする二次イオン質量分析方法。
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