JP5846686B2 - 光電式エンコーダのスケールの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、リニアエンコーダ、ロータリエンコーダ等に使用される光電式エンコーダのスケール及びその製造方法に関する。
光電式エンコーダは、例えば測定軸に沿って延びるメインスケールと、このメインスケールに対して相対移動可能に配置されたインデックススケールとを有し、光源からインデックススケールを介してメインスケールに照射され、メインスケールから反射された光を、インデックススケールを介して受光部で受光するように構成される。メインスケールとインデックススケールには、それぞれ所定ピッチの格子（目盛り）が形成されている。このメインスケール及びインデックススケールの格子形成方法には、従来から種々の方法が提案されている（特許文献１〜８）。
しかしながら、これらの従来技術は、格子形成のための成膜装置に真空容器を必要とするため製造コストが非常に高い（特許文献１，２，５，６）、格子を高精度に形成することが困難（特許文献３，４，６，８）、反射光量の低下による検出精度低下（特許文献７）という問題があった。
本発明は、このような問題点に鑑みされたもので、製造コストが低く、特性、膜厚分布及び形成膜の密着性が良好であり、格子形状の精度も高い光電エンコーダのスケール及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る光電式エンコーダのスケールは、表面が導電性で光反射面が形成されたベース材と、前記ベース材の表面にめっき法によって形成され、前記ベース材に所定のピッチで配列された光吸収性の格子とを備えたことを特徴とする。
また、本発明に係る光電式エンコーダのスケールは、表面が黒化処理されたベース材と、前記ベース材の表面にめっき法によって形成され、前記ベース材に所定のピッチで配列された光反射性の金属格子とを備えたことを特徴とする。
また、本発明に係る光電式エンコーダのスケールは、表面が粗化されたベース材と、前記ベース材の表面にめっき法によって形成され、前記ベース材に所定のピッチで配列された光反射性の金属格子とを備えたことを特徴とする。
また、本発明に係る光電式エンコーダのスケールは、表面に導電性の光透過膜が形成された光吸収性又は光透過性のベース材と、前記ベース材の表面に電気めっき法によって形成され、前記ベース材に所定のピッチで配列された光反射性の金属格子とを備えたことを特徴とする。
本発明に係る光電式エンコーダのスケールの製造方法は、ベース材の表面に下地処理を施す工程と、前記下地処理が施されたベース材の表面にめっき法によって金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に所定のピッチで配列されたレジストを形成する工程と、前記レジストをマスクとして前記金属膜をエッチングして前記ベース材に所定のピッチで配列された金属格子を形成する工程とを備えることを特徴とする。
本発明に係る光電式エンコーダのスケールの製造方法は、ベース材の表面に下地処理を施す工程と、前記下地処理が施されたベース材の表面に所定のピッチで配列されたレジストを形成する工程と、めっき法によって前記レジストの間のベース材の表面に金属膜を形成する工程と、前記レジストを除去して前記ベース材に所定のピッチで配列された金属格子を形成する工程とを備えることを特徴とする。
この発明によれば、製造コストが低く、特性、膜厚分布及び形成膜の密着性が良好であり、格子形状の精度も高い光電エンコーダのスケール及びその製造方法を提供できる。
次に、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
図１は、第１の実施の形態に係る光電式エンコーダの概略構成を示す斜視図である。光電式エンコーダ１は、メインスケール１０、インデックススケール２０、光源３０、及び受光部４０を有する。メインスケール１０は、測定軸Ｘに沿って延びる。インデックススケール２０は、メインスケール１０に対して相対的に移動する。光源３０は、このインデックススケール２０を介してメインスケール１０に光を照射する。受光部４０は、メインスケール１０から反射された光を、インデックススケール２０を介して受光する。メインスケール１０とインデックススケール２０には、それぞれ目盛りを形成する所定ピッチの格子１２，２２が形成される。メインスケール１０とインデックススケール２０の相対移動に伴い両スケール１０、２０に形成された格子１２，２２の位相は変化する。この変化を受光部４０は光学的に検出し、メインスケール１０に対するインデックススケール２０の位置が検出される。
図１は、第１の実施の形態に係る光電式エンコーダの概略構成を示す斜視図である。光電式エンコーダ１は、メインスケール１０、インデックススケール２０、光源３０、及び受光部４０を有する。メインスケール１０は、測定軸Ｘに沿って延びる。インデックススケール２０は、メインスケール１０に対して相対的に移動する。光源３０は、このインデックススケール２０を介してメインスケール１０に光を照射する。受光部４０は、メインスケール１０から反射された光を、インデックススケール２０を介して受光する。メインスケール１０とインデックススケール２０には、それぞれ目盛りを形成する所定ピッチの格子１２，２２が形成される。メインスケール１０とインデックススケール２０の相対移動に伴い両スケール１０、２０に形成された格子１２，２２の位相は変化する。この変化を受光部４０は光学的に検出し、メインスケール１０に対するインデックススケール２０の位置が検出される。
次に、図２を参照して、メインスケール１０について具体的に説明する。図２（ａ）は、メインスケール１０の一部を拡大して示す平面図、図２（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ′断面図である。
メインスケール１０は、反射型振幅格子として用いられる。メインスケール１０は、図２に示すように、ベース材１１、及び複数の黒色格子１２を有する。ベース材１１は、導電性で表面に光反射面が形成された金属（例えば、ステンレス、鉄、アルミニウム等）により構成される。黒色格子１２は、ベース材１１の一方の面上に形成され、ベース材１１の長手方向に所定のピッチで配列される。この黒色格子１２により、ベース材１１上には、その長手方向に目盛りとして働く明暗部が形成される。黒色格子１２は、例えば黒色めっき（黒ニッケル、黒クロム）や黒化処理等の光吸収材により構成され、その反射率は、ベース材１１の光の反射率よりも低い。
以上のように、黒色めっき等からなる黒色格子１２は導電性の金属からなるベース材１１の上に形成されるので、黒色格子１２はベース材１１上に無電解めっき法だけでなく、電気めっき法でも形成できる。
次に、図３を参照して、第１の実施の形態に係るメインスケール１０の第１の製造方法について説明する。図３（ａ）に示すように、先ず、ベース材１１上に黒色薄膜１２’が形成される。ここで、黒色薄膜１２’は、電気めっき法を用いた黒ニッケルめっき、黒クロムめっき等により、１０μm以下の薄膜として形成される。
次に、図３（ｂ）に示すように、黒色薄膜１２’上にベース材１１の長手方向に所定のピッチで配列されたレジスト５１が形成される。続いて、図３（ｃ）に示すように、レジスト５１を介して黒色薄膜１２’がエッチングされる。このエッチングに際して、黒色薄膜１２’が黒ニッケルの場合、エッチング液は硝酸系が用いられ、黒色薄膜１２’が黒クロムの場合、硝酸第二セリウムアンモンが用いられる。エッチング後に残存した黒色薄膜１２’は、ベース材１１の長手方向に所定のピッチで配列される複数の黒色格子１２となる。そして、図３（ｄ）に示すように、レジスト５１は除去される。
次に、図４を参照して、第１の実施の形態に係るメインスケール１０の第２の製造方法について説明する。図４（ａ）に示すように、先ず、ベース材１１上にベース材１１の長手方向に所定のピッチで配列されたレジスト５１が形成される。続いて、図４（ｂ）に示すように、上述した黒色めっき等によりレジスト５１の間を埋める複数の黒色格子１２が形成される。そして、図４（ｃ）に示すように、レジスト５１は除去される。
第１の実施形態によれば、黒色格子１２が金属のベース材１１の上にめっき法により形成されるので、真空容器を使用する必要が無く、製造コストを低く抑えることができる。また、形成膜の密着性も膜厚分布も良好で、光透過膜等を介さないため、反射効率も良好である。更に、黒色格子１２は、フォトリソグラフィ技術により形成されるので、格子形状の精度も高いという利点がある。
特に、第１の製造方法によれば、使用するレジスト５１にめっき、前処理薬品の耐性等による制限がなく、簡単なプロセスで成膜可能であるという効果がある。
また、第２の製造方法によれば、黒色薄膜１２’のエッチングが不要であるため、更なるコストダウンが可能であり、また、サイドエッチングによる格子形状の劣化という問題も生じないという利点がある。
特に、第１の製造方法によれば、使用するレジスト５１にめっき、前処理薬品の耐性等による制限がなく、簡単なプロセスで成膜可能であるという効果がある。
また、第２の製造方法によれば、黒色薄膜１２’のエッチングが不要であるため、更なるコストダウンが可能であり、また、サイドエッチングによる格子形状の劣化という問題も生じないという利点がある。
［第２の実施の形態］
次に、図５を参照して、第２の実施の形態に係る光電式エンコーダについて説明する。第２の実施の形態においては、図５に示すメインスケール１０ａが第１の実施の形態と異なる。メインスケール１０ａ以外の他の構成は、第１の実施形態と同様であるため、第２の実施の形態においてはその説明を省略する。
次に、図５を参照して、第２の実施の形態に係る光電式エンコーダについて説明する。第２の実施の形態においては、図５に示すメインスケール１０ａが第１の実施の形態と異なる。メインスケール１０ａ以外の他の構成は、第１の実施形態と同様であるため、第２の実施の形態においてはその説明を省略する。
メインスケール１０ａにおいて、ベース材１１ａは金属やガラス、セラミック、カーボンコンポジット等により構成され、図５に示すように、その上面を粗化されている。なお、ベース材１１ａは、その下面を粗化されていても良いし、その表面全体を粗化されていても良い。金属格子１２ａは、粗化されたベース材１１ａの上面に光反射膜として形成され、下地が粗化されているため、レベリング性のあるめっき、例えばニッケル、クロムめっきに光沢剤を加えたもの等により形成される。金属格子１２ａは、ベース材１１ａの長手方向に所定のピッチで配列される。
次に、図６を参照して、第２の実施の形態に係るメインスケール１０ａの第１の製造方法について説明する。図６（ａ）に示すように、先ず、下地処理としてベース材１１ａの上面を粗化する。この粗化は、サンドブラスト又は薬品を用いて行うことができる。続いて、図６（ｂ）に示すように、粗化されたベース材１１ａの表面に、粗面を平坦化できる程度に厚い膜厚で金属薄膜１２ａ’を電気めっきまたは無電解めっき法により形成する。以下、図３（ｂ）〜（ｄ）と同様に、レジスト５１の形成（図６（ｃ））、金属薄膜１２ａ’のエッチング（図６（ｄ））、レジスト５１の除去（図６（ｅ））を順次実行し、メインスケール１０ａを製造する。
次に、図７を参照して、第２の実施の形態に係るメインスケール１０ａの第２の製造方法について説明する。図７（ａ）に示すように、先ず、ベース材１１ａの上面を粗化する。続いて、図７（ｂ）に示すように、粗化されたベース材１１ａの表面に、ベース材１１の長手方向に所定のピッチで配列されたレジスト５１を形成する。続いて、図７（ｃ）に示すように、電気めっきまたは無電解めっき法によりレジスト５１の間を埋める複数の金属格子１２ａを形成する。金属格子１２ａは、ベース材１１ａの粗面を平坦化できる程度に厚い膜厚で形成する。そして、図７（ｄ）に示すように、レジスト５１を除去する。
第２の実施形態によれば、めっきからなる金属格子１２ａは粗化されたベース材１１ａの上に形成されるので、アンカー効果により金属格子１２ａのベース材１１ａに対する密着性が高くなる。また光反射膜となる金属格子１２ａは粗面が金属からなるベース材１１ａの上に形成される場合、金属格子１２ａはベース材１１ａ上に電気めっき法で形成できる。
また、本実施形態のうち、粗面がガラス等の反射率の低い材料の場合、乱反射による迷光の影響が小さいという効果がある。
また、本実施形態のうち、粗面がガラス等の反射率の低い材料の場合、乱反射による迷光の影響が小さいという効果がある。
［第３の実施の形態］
次に、図８を参照して、第３の実施の形態に係る光電式エンコーダについて説明する。第３の実施の形態においては、図８に示すメインスケール１０ｂが第１の実施の形態と異なる。メインスケール１０ｂ以外の他の構成は、第１の実施形態と同様であるため、第３の実施の形態においてはその説明を省略する。また、メインスケール１０ｂにおいて、上記実施の形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
次に、図８を参照して、第３の実施の形態に係る光電式エンコーダについて説明する。第３の実施の形態においては、図８に示すメインスケール１０ｂが第１の実施の形態と異なる。メインスケール１０ｂ以外の他の構成は、第１の実施形態と同様であるため、第３の実施の形態においてはその説明を省略する。また、メインスケール１０ｂにおいて、上記実施の形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
第１及び第２の実施形態が反射型振幅格子であったのに対し、第３の実施形態のメインスケール１０ｂは、反射型位相格子として用いられる。メインスケール１０ｂは、図８に示すように、ベース材１１ｂの表面に下地処理として導電膜１３ｂが形成されている。金属格子１２ａは導電膜１３ｂを介してベース材１１ｂの上面に形成される。ベース材１１ｂは、ガラスにより構成される。導電膜１３ｂは、光を反射し、金属格子１２ａと同じ金属（例えば、ニッケル）にて構成される。また、金属格子１２ａも反射膜として形成される。なお、第３の実施の形態では、位相格子を形成するため、金属格子１２ａの厚みは、メインスケール１０ｂに照射される光の波長の１／４に設定される。
以上のように、めっきからなる金属格子１２ａは同種金属からなる導電膜１３ｂ上に形成されるので、金属格子１２ａは導電膜１３ｂに上に電気めっきまたは無電解めっき法で密着性良く形成することができる。
次に、図９を参照して、第３の実施の形態に係るメインスケール１０ｂの製造方法について説明する。先ず、図９（ａ）に示すように、無電解めっき法を用いて、ベース材１１ｂの上面に下地処理として導電膜１３ｂを形成する。続いて、図９（ｂ）に示すように、導電膜１３ｂ上に、ベース材１１ｂの長手方向に所定のピッチで配列されたレジスト５１を形成する。次に、図９（ｃ）に示すように、電気めっきまたは無電解めっき法により導電膜１３ｂと同様の金属により、レジスト５１の間を埋める複数の金属格子１２ａを形成する。そして、図９（ｄ）のように、レジスト５１を除去する。
第３の実施形態によれば、メインスケール１０ｂが位相格子を構成しているので、金属格子１２ａの膜厚管理がシビアであるという課題はあるが、電気めっきまたは無電解めっきのいずれかにより形成可能であるうえ、反射光量の低下がなく、形成膜の膜厚分布及び密着性が良好であり、金属格子の形成精度も良好であるという効果がある。
［第４の実施の形態］
次に、図１０を参照して、第４の実施の形態に係る光電式エンコーダについて説明する。第４の実施の形態においては、図１０に示すメインスケール１０ｃが第１の実施の形態と異なる。メインスケール１０ｃ以外の他の構成は、第１の実施形態と同様であるため、第４の実施の形態においてはその説明を省略する。また、メインスケール１０ｃにおいて、上記実施の形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
次に、図１０を参照して、第４の実施の形態に係る光電式エンコーダについて説明する。第４の実施の形態においては、図１０に示すメインスケール１０ｃが第１の実施の形態と異なる。メインスケール１０ｃ以外の他の構成は、第１の実施形態と同様であるため、第４の実施の形態においてはその説明を省略する。また、メインスケール１０ｃにおいて、上記実施の形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
メインスケール１０ｃは、図１０に示すように、ベース材１１ｃの表面に下地処理として透明導電膜１３ｃが形成されている。ベース材１１ｃは、光を吸収する材料（例えば、黒めっき処理された金属・ガラス・セラミック・カーボンコンポジット等）又は光を透過する材料（例えば、ガラス）により構成される。透明導電膜１３ｃは、例えば、インジウムすず酸化物（ＩＴＯ）、すず酸化物(ＳｎＯ２)、酸化亜鉛（ＺｎＯ等）により構成される。この透明導電膜１３ｃ上に光反射膜である金属格子１２ａが形成されている。ベース材１１ｃは、光を吸収又は透過する材料であるため、金属格子１２ａに照射されなかった光は、透明導電膜１３ｃを透過してベース材１１ｃで吸収されるか、ベース材１１ｃを透過する。従って、受光部４０は、金属格子１２ａで反射された光のみを検出する。
次に、図１１を参照して、第４の実施形態の第１の製造方法について説明する。図１１（ａ）に示すように、先ず、ベース材１１ｃ上に、下地処理として透明導電膜１３ｃを、例えばコストが安い塗布法により形成する。続いて図１１（ｂ）に示すように、透明導電膜１３ｃをシード層としてベース材１１ｃの上に、金属薄膜１２ａ’を電気めっき法により形成する。以下、図３（ｂ）〜（ｄ）と同様に、レジスト５１の形成（図１１（ｃ））、金属薄膜１２ａ’のエッチング（図１１（ｄ））、レジスト５１の除去（図１１（ｅ））が順次実行され、メインスケール１０ｃが製造される。
次に、図１２を参照して、第４の実施形態の第２の製造方法について説明する。図１２（ａ）に示すように、先ず、ベース材１１ｃ上に、下地処理として透明導電膜１３ｃを塗布法により形成する。続いて、図１２（ｂ）に示すように、透明導電膜１３ｃの上に、ベース材１１ｃの長手方向に所定のピッチで配列されたレジスト５１を形成する。続いて、図１２（ｃ）に示すように、電気めっき法によりレジスト５１の間を埋める複数の金属格子１２ａを形成する。そして、図１２（ｄ）に示すように、レジスト５１を除去する。
第４の実施形態によっても上記第１〜第３の実施形態と同様の効果を奏する。更に、本実施形態によれば、透明導電膜１３ｃがめっき時のシード層となるので、電解めっきが容易であり、しかもシード層除去が不要であるという効果を奏する。更に、メインスケール１０ｃが反射型の場合、透明導電膜１３ｃの厚さをλ／４とすることで、よりベース材１１ｃからの影響を低減できる。
また、本実施形態によれば、ベース材１１ｃが透明部材である場合、メインスケール１０ｃが反射型、透過型のいずれの振幅格子としても使用可能であるという利点がある。
また、本実施形態によれば、ベース材１１ｃが透明部材である場合、メインスケール１０ｃが反射型、透過型のいずれの振幅格子としても使用可能であるという利点がある。
［第５の実施の形態］
次に、図１３を参照して、第５の実施の形態に係る光電式エンコーダについて説明する。第５の実施の形態においては、図１３に示すメインスケール１０ｄが第１の実施の形態と異なる。メインスケール１０ｄ以外の他の構成は、第１の実施形態と同様であるため、第５の実施の形態においてはその説明を省略する。また、メインスケール１０ｄにおいて、上記実施の形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
次に、図１３を参照して、第５の実施の形態に係る光電式エンコーダについて説明する。第５の実施の形態においては、図１３に示すメインスケール１０ｄが第１の実施の形態と異なる。メインスケール１０ｄ以外の他の構成は、第１の実施形態と同様であるため、第５の実施の形態においてはその説明を省略する。また、メインスケール１０ｄにおいて、上記実施の形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
メインスケール１０ｄは、図１３に示すように、ベース材１１の表面が下地処理として黒化処理されて黒化処理層１３ｄが形成されている。金属格子１２ａは、黒化処理層１３ｄの上に光反射膜として形成されている。黒化処理層１３ｄを形成する黒化処理としては、例えば、表面酸化処理等を用いることが出来る。
次に、図１４を参照して、第５の実施形態の製造方法について説明する。図１４（ａ）に示すように、先ず、ステンレス、鉄、アルミニウム等の金属のベース材１１の表面を下地処理として黒化処理（酸化処理、黒ニッケル処理等）して黒化処理層１３ｄを形成する。続いて図１４（ｂ）に示すように、黒化処理層１３ｄの上に、ベース材１１の長手方向に所定のピッチで配列されたレジスト５１を形成する。続いて、図１４（ｃ）に示すように、電気めっきまたは無電解めっき法によりレジスト５１の間を埋める複数の金属格子１２ａを形成する。そして、図１４（ｄ）に示すように、レジスト５１を除去する。
第５の実施の形態においては、先に述べた効果に加え、黒化処理により金属薄膜のベース材に対する密着性がより良好になるという効果を奏する。
［第６の実施の形態］
次に、図１５を参照して、第６の実施の形態に係る光電式エンコーダについて説明する。第６の実施の形態においては、図１５に示すメインスケール１０ｅが第１の実施の形態と異なる。メインスケール１０ｅ以外の他の構成は、第１の実施形態と同様であるため、第６の実施の形態においてはその説明を省略する。また、メインスケール１０ｅにおいて、上記実施の形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
次に、図１５を参照して、第６の実施の形態に係る光電式エンコーダについて説明する。第６の実施の形態においては、図１５に示すメインスケール１０ｅが第１の実施の形態と異なる。メインスケール１０ｅ以外の他の構成は、第１の実施形態と同様であるため、第６の実施の形態においてはその説明を省略する。また、メインスケール１０ｅにおいて、上記実施の形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
メインスケール１０ｅは、図１５に示すように、ベース材１１表面に下地処理として光反射膜として例えばニッケルめっき、クロムめっきなどの導電膜１３ｅが形成されたものである。金属格子１２ｅは、光を吸収する黒色めっき（黒ニッケル、黒クロム）により構成される。ベース材１１は、金属、ガラス、樹脂等、任意のものを使用することができる。ベース材１１として非導電体を用いた場合には、導電膜１３ｅは無電解めっきにより形成することができる。
次に、図１６を参照して、第６の実施の形態に係るメインスケール１０ｅの第１の製造方法について説明する。図１６（ａ）に示すように、先ず、下地処理としてベース材１１の上面にめっきなどにより光反射膜としての導電膜１３ｅを形成する。続いて、図１６（ｂ）に示すように、導電膜１３ｅの表面に、光吸収膜としての金属薄膜１２ｅ’を黒色めっき等により形成する。以下、図３（ｂ）〜（ｄ）と同様に、レジスト５１の形成（図１６（ｃ））、金属薄膜１２ｅ’のエッチング（図１６（ｄ））、レジスト５１の除去（図１６（ｅ））を順次実行し、メインスケール１０ｅを製造する。
次に、図１７を参照して、第２の実施の形態に係るメインスケール１０ｅの第２の製造方法について説明する。図１７（ａ）に示すように、先ず、ベース材１１の上面めっきなどにより光反射膜としての導電膜１３ｅを形成する。続いて、図１７（ｂ）に示すように、導電膜１３ｅの表面に、ベース材１１の長手方向に所定のピッチで配列されたレジスト５１を形成する。続いて、図１７（ｃ）に示すように、黒色めっきによりレジスト５１の間を埋める複数の金属格子１２ｅを形成する。そして、図１７（ｄ）に示すように、レジスト５１を除去する。
第６の実施形態によれば、先に述べた効果に加え、金属格子１２ｅとして黒色めっきからなる光吸収層を使用しているので、膜厚制御が容易であるという効果を奏する。また、ベース材１１の材質を問わないため、目的に応じて最適な材料を選択できるメリットがある。
なお、以上の実施の形態では、リニアエンコーダを例にとって本発明を説明したが、本発明はロータリエンコーダにも適用可能であることはいうまでもない。
１…光電式エンコーダ、 １０、１０ａ〜１０ｅ…メインスケール、 １１、１１ａ〜１１ｃ…ベース材、 １２…黒色格子、 １２ａ、１２ｅ…金属格子、 １３ｂ…導電膜、 １３ｃ…透明導電膜、 ２０…インデックススケール、 ２２…格子、 ３０…光源、 ４０…受光部、 ５１…レジスト。
Claims (5)
- ベース材の表面に酸化処理を施して、黒化処理層を形成する工程と、
前記黒化処理層の表面に所定のピッチで配列されたレジストを形成する工程と、
めっき法によって前記レジストの間の黒化処理層の表面に金属膜を形成する工程と、
前記黒化処理層を残す様に前記レジストを除去して前記ベース材に所定のピッチで配列された光反射膜である金属格子を形成する工程と
を備えることを特徴とする光電式エンコーダのスケールの製造方法。 - ベース材の表面に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜の表面に所定のピッチで配列されたレジストを形成する工程と、
めっき法によって前記レジストの間の前記導電膜の表面に金属膜を形成する工程と、
前記導電膜を残す様に前記レジストを除去して前記ベース材に所定のピッチで配列された金属格子を形成する工程と
を備えることを特徴とする光電式エンコーダのスケールの製造方法。 - 前記導電膜は、導電性の金属反射膜であり、
前記金属格子は前記金属反射膜と同種金属の光反射膜である
ことを特徴とする請求項２記載の光電式エンコーダのスケールの製造方法。 - 前記ベース材は、光吸収性材料又は光透過性材料により形成され、
前記導電膜は、透明導電膜であり、
前記金属格子は光反射膜である
ことを特徴とする請求項２記載の光電式エンコーダのスケールの製造方法。 - 前記導電膜は、導電性の光反射膜であり、
前記金属格子は黒化処理された金属膜である
ことを特徴とする請求項２記載の光電式エンコーダのスケールの製造方法。
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