JPS5875004A - 光電式変位検出装置の反射型スケ−ルの製造方法 - Google Patents
光電式変位検出装置の反射型スケ−ルの製造方法Info
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- JPS5875004A JPS5875004A JP17423381A JP17423381A JPS5875004A JP S5875004 A JPS5875004 A JP S5875004A JP 17423381 A JP17423381 A JP 17423381A JP 17423381 A JP17423381 A JP 17423381A JP S5875004 A JPS5875004 A JP S5875004A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/26—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
- G01D5/32—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light
- G01D5/34—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light the beams of light being detected by photocells
- G01D5/347—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light the beams of light being detected by photocells using displacement encoding scales
- G01D5/34707—Scales; Discs, e.g. fixation, fabrication, compensation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光電式変位検出装置の反射型スケール及びその
製造方法に係り、特に、２個の相対的に移岬する物体の
相対的移！１１量或いは相対的位置関係を検出するため
の光電式１位検出装置のメインスケールとして用いるに
好適な、入射光を反射するための光反射部と、入射光を
吸収又は反射防止するための非反射部とが交互に形成き
れてなる光電式変位検出装置の反射型スケール及びその
製造方法の改良に関する。
製造方法に係り、特に、２個の相対的に移岬する物体の
相対的移！１１量或いは相対的位置関係を検出するため
の光電式１位検出装置のメインスケールとして用いるに
好適な、入射光を反射するための光反射部と、入射光を
吸収又は反射防止するための非反射部とが交互に形成き
れてなる光電式変位検出装置の反射型スケール及びその
製造方法の改良に関する。
一般に、物体の長ざ等を測定する変位測定機において、
その本体に対する測定子の移動量、コラムに対するスラ
イダーの移動量等のように、相対移動するものの移動量
を測定する場合、一方にメインスケール、他方にインデ
ックススケールヲ含む検出器を固定し、メインスケール
と検出器の相対変位量を光電的に読取る光電式変位測定
機が知られている。
その本体に対する測定子の移動量、コラムに対するスラ
イダーの移動量等のように、相対移動するものの移動量
を測定する場合、一方にメインスケール、他方にインデ
ックススケールヲ含む検出器を固定し、メインスケール
と検出器の相対変位量を光電的に読取る光電式変位測定
機が知られている。
との光電式変位測定機においては、通常、透過型或いは
反射型の光電式変位検出装置が用いらｔｌており、この
うち反射型の光電式変位検出装置は、第１図に示す如く
、ランプ等の発光源１０と、該発光源１０かも照射され
た光線を平行光線とテるためのコリメータレンズ１２と
、例えばガラス製の基板上に光の透過部１４１と！ｉ！
Ｆｒ部１４ｂが交互に形成づれてなるインデックススケ
ール１４と、基板上に光の透過部１６ｍと反射部１６ｂ
が交互に形成されてなるメインスケール１６と、メイン
スケール１６によって反射されインデックススケール１
４を再び透過した光を集光する集光レンズ１８と、該集
光レンズ１８によって集められた光を受光する受光素子
２０とを有してなる。前記発光１１１０．コリメータレ
ンズ１２、インデックススケール１４、集光レンズ１８
、受光素子２０は、例えば略密閉構造のケースに固定さ
れ、一方、メインスケール１６は、その先端が測定対象
に当接され、測定対象の変位と共に往復動するスピンド
ル等と連動して往復動するようにされている。
反射型の光電式変位検出装置が用いらｔｌており、この
うち反射型の光電式変位検出装置は、第１図に示す如く
、ランプ等の発光源１０と、該発光源１０かも照射され
た光線を平行光線とテるためのコリメータレンズ１２と
、例えばガラス製の基板上に光の透過部１４１と！ｉ！
Ｆｒ部１４ｂが交互に形成づれてなるインデックススケ
ール１４と、基板上に光の透過部１６ｍと反射部１６ｂ
が交互に形成されてなるメインスケール１６と、メイン
スケール１６によって反射されインデックススケール１
４を再び透過した光を集光する集光レンズ１８と、該集
光レンズ１８によって集められた光を受光する受光素子
２０とを有してなる。前記発光１１１０．コリメータレ
ンズ１２、インデックススケール１４、集光レンズ１８
、受光素子２０は、例えば略密閉構造のケースに固定さ
れ、一方、メインスケール１６は、その先端が測定対象
に当接され、測定対象の変位と共に往復動するスピンド
ル等と連動して往復動するようにされている。
このような光電式変位検出装置を備えた光電式変位測定
機によれば、測定対象の変位に応じてメインスケール１
６が第１図の矢印入方向に変位すると、受光素子２０に
おける受光量が周期的に変化するため、この受光蓋の変
化からメインスクール１６とケースの相対移動ｔを検出
できるものであり、測定対象の変位をデジタル的に測定
できるという特徴を１゛する。しかし従来は、前記メイ
ンスケール１６を、例えばガラス基板上に光反射性塗付
し、次いで、エツチングにより前記光反射膜のエツチン
グレジストが塗付されていない部分を除去し、更に反射
膜上に残存するエツチングレジストを最終的に剥離して
反射部と非反射部とすることにより製造するよ５Ｋして
い九ため、光反射性を向上させるためには比較的厚い反
射膜を形成する必要があり、結果としてエツチング時に
おけるサイドエツチングが大きくなり、光反射部の寸法
精度が低下して、近年精密測定に対して要求されつつあ
る１ Ｇ ｐｍ以下の幅の狭い縞を形成することは一難
であるという問題点を有した。
機によれば、測定対象の変位に応じてメインスケール１
６が第１図の矢印入方向に変位すると、受光素子２０に
おける受光量が周期的に変化するため、この受光蓋の変
化からメインスクール１６とケースの相対移動ｔを検出
できるものであり、測定対象の変位をデジタル的に測定
できるという特徴を１゛する。しかし従来は、前記メイ
ンスケール１６を、例えばガラス基板上に光反射性塗付
し、次いで、エツチングにより前記光反射膜のエツチン
グレジストが塗付されていない部分を除去し、更に反射
膜上に残存するエツチングレジストを最終的に剥離して
反射部と非反射部とすることにより製造するよ５Ｋして
い九ため、光反射性を向上させるためには比較的厚い反
射膜を形成する必要があり、結果としてエツチング時に
おけるサイドエツチングが大きくなり、光反射部の寸法
精度が低下して、近年精密測定に対して要求されつつあ
る１ Ｇ ｐｍ以下の幅の狭い縞を形成することは一難
であるという問題点を有した。
そこで出願人は、既に、反射型メインスケールにおける
前記欠点を解消するべく、基材表面の全面に渡って光反
射性に富んだ材料の薄膜を形成し、次いで、これに重ね
て光反射性に劣る材料の薄膜を形成し、更に、エツチン
グによって前記非反射薄膜を縞状に剥離して、縞を形成
する方法を提案している。この方法によれば、サイドエ
ツチングが小さくなり、数＃肩幅の縞を形成することが
可能となるが、光反射性に富んだ材料からなる反射膜を
基材の全面に渡って形成する必要があるため、例えば、
該反射膜を金により形成する場合には、極めて不経済で
あるという問題点を有していた。
前記欠点を解消するべく、基材表面の全面に渡って光反
射性に富んだ材料の薄膜を形成し、次いで、これに重ね
て光反射性に劣る材料の薄膜を形成し、更に、エツチン
グによって前記非反射薄膜を縞状に剥離して、縞を形成
する方法を提案している。この方法によれば、サイドエ
ツチングが小さくなり、数＃肩幅の縞を形成することが
可能となるが、光反射性に富んだ材料からなる反射膜を
基材の全面に渡って形成する必要があるため、例えば、
該反射膜を金により形成する場合には、極めて不経済で
あるという問題点を有していた。
又、この方法においては、反射膜−ヒに形成された非反
射膜をエツチングにより剥離する際に、エツチング時間
の選定を誤まると反射膜も腐食してしまい、反射膜の反
射率が低下する恐れもあった。
射膜をエツチングにより剥離する際に、エツチング時間
の選定を誤まると反射膜も腐食してしまい、反射膜の反
射率が低下する恐れもあった。
更に、いずれの方法においても、工程が複雑であるだけ
でな（、反射膜と非反射膜が基板の異なる面上に形成さ
れることとなるため、サイドエツチングを極小とするこ
とはできず、精度の高い縞を形成することは困難であっ
た。
でな（、反射膜と非反射膜が基板の異なる面上に形成さ
れることとなるため、サイドエツチングを極小とするこ
とはできず、精度の高い縞を形成することは困難であっ
た。
本発明は、前記従来の欠点を解消するべくなされ雷もの
で、サイドエツチングが極めて少なく、精度の高い微小
縞を単純な工程により形成することができる光電式変位
検出装置の反射型スケール及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
で、サイドエツチングが極めて少なく、精度の高い微小
縞を単純な工程により形成することができる光電式変位
検出装置の反射型スケール及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
本発明は、入射光を反射するための反射部と、入射光を
吸収又は反射防止する九めの非反射部とが交互に形成こ
れてなる充電式変位検出装置の反射型スケールにおいて
、基材の同一面上に、非反射部として作用する非反射膜
と、反射部として作用する反射膜を、交互に形成するよ
うにして、前記目的を達成したものである。
吸収又は反射防止する九めの非反射部とが交互に形成こ
れてなる充電式変位検出装置の反射型スケールにおいて
、基材の同一面上に、非反射部として作用する非反射膜
と、反射部として作用する反射膜を、交互に形成するよ
うにして、前記目的を達成したものである。
本発明は、又、前記のような充電式変位検出装置の反射
型スケールを、基材上に、非反射部として作用し、且つ
、非鍍金性を有する非反射膜を縞状に配設する第１工程
と、該第１工程で配設された縞状の非反射膜をメツキレ
シストとして、基材露出面に反射部として作用する反射
膜を選択的にメッキする第２工程とを用いて製造するよ
うにして、同じく前記目的を達成したものである。
型スケールを、基材上に、非反射部として作用し、且つ
、非鍍金性を有する非反射膜を縞状に配設する第１工程
と、該第１工程で配設された縞状の非反射膜をメツキレ
シストとして、基材露出面に反射部として作用する反射
膜を選択的にメッキする第２工程とを用いて製造するよ
うにして、同じく前記目的を達成したものである。
又、前記基材を導電体とし、酸化クロ為からなる前記非
反射膜及び金からなる前記反射膜を、該導電体基材の表
面上に直接形成するようにしたものである。
反射膜及び金からなる前記反射膜を、該導電体基材の表
面上に直接形成するようにしたものである。
或いは、前記基材を非導電体とし、酸化クロムからなる
前記非反射膜及び金からなる前記反射膜を、前記非導電
体基材上に形成されたニッケル膜上に形成するよ５ＫＬ
、たものである。
前記非反射膜及び金からなる前記反射膜を、前記非導電
体基材上に形成されたニッケル膜上に形成するよ５ＫＬ
、たものである。
以下図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
まず、基材が、ステンレス等の導電体であり、該導電体
基材の表面に酸化クロムからなる非反射膜と金からなる
反射膜が形成されてなる充電式変位検出装置の反射型ス
ケールの第１実施例について説明する。この第１実施例
においては、まず、鮪２図（ム）に示す如く、ステンレ
ス等の導電体基材３０表面の全ｆｉｌｉＫ渡って、非反
射部として作用し、且つ、非鍍金性を有する酸化クロム
からなる非反射膜３２を形成し、次いで、例えばエツチ
ングによりこの非反射膜３２の一部を剥離して縞状の非
反射膜を導電体基材３ｏの表面上に残す。次いで１第２
図（Ｂ）に示す如く、前記工程で配設これた縞状の非反
射膜３２をメツキレシストとして、基材３０の露出面に
、反射部として作用する金からなる反射膜３４を選択的
にメッキする・本実施例においては、基材３ｏが導電体
とされているため、該基材３０の表面上に非反射膜３２
及び反射膜３４を直接形成することができ、製造工程が
極めて単純である。
基材の表面に酸化クロムからなる非反射膜と金からなる
反射膜が形成されてなる充電式変位検出装置の反射型ス
ケールの第１実施例について説明する。この第１実施例
においては、まず、鮪２図（ム）に示す如く、ステンレ
ス等の導電体基材３０表面の全ｆｉｌｉＫ渡って、非反
射部として作用し、且つ、非鍍金性を有する酸化クロム
からなる非反射膜３２を形成し、次いで、例えばエツチ
ングによりこの非反射膜３２の一部を剥離して縞状の非
反射膜を導電体基材３ｏの表面上に残す。次いで１第２
図（Ｂ）に示す如く、前記工程で配設これた縞状の非反
射膜３２をメツキレシストとして、基材３０の露出面に
、反射部として作用する金からなる反射膜３４を選択的
にメッキする・本実施例においては、基材３ｏが導電体
とされているため、該基材３０の表面上に非反射膜３２
及び反射膜３４を直接形成することができ、製造工程が
極めて単純である。
次に１基材が、ガラス或いはプラスチック等の゛非導電
体であり、酸化クロムからなる非反射膜及び金からなる
反射膜が、該非導電体基材上に形成されたニッケル膜上
に形成されてなる充電式変位検出装置の反射型スケール
の第２実施例について説明する。
体であり、酸化クロムからなる非反射膜及び金からなる
反射膜が、該非導電体基材上に形成されたニッケル膜上
に形成されてなる充電式変位検出装置の反射型スケール
の第２実施例について説明する。
この第２実施例においては、まず、第３図（Ａ）に示す
如く、ガラス或いはプラスチックからなる非導電体基材
３６表面の全面に渡って、無電解によりニッケル膜３８
を形成する。次いで該ニッケル膜３８表面の全面に渡っ
て、前記第１実施例と同様にしてクロムからなる非反射
膜３２を形成し、更に該非反射膜３２の一部をエツチン
グにより除去して、縞状の非反射膜をニッケル膜３８の
表面上に残す、更に、第３図（ＩＩ）に示す如り、ニッ
ケル膜３８上の非反射膜３２が除去された部分圧、金か
らなる反射膜３４ｔ−選択的にメッキする。
如く、ガラス或いはプラスチックからなる非導電体基材
３６表面の全面に渡って、無電解によりニッケル膜３８
を形成する。次いで該ニッケル膜３８表面の全面に渡っ
て、前記第１実施例と同様にしてクロムからなる非反射
膜３２を形成し、更に該非反射膜３２の一部をエツチン
グにより除去して、縞状の非反射膜をニッケル膜３８の
表面上に残す、更に、第３図（ＩＩ）に示す如り、ニッ
ケル膜３８上の非反射膜３２が除去された部分圧、金か
らなる反射膜３４ｔ−選択的にメッキする。
本実施例においては、光吸収性に優れた非導電体基材を
基材として用いることができるので、特性が改Ｉ１１ば
れ、且つ、非反射膜の厚づを波長の１／４ 程度の薄さ
に形成することができる。
基材として用いることができるので、特性が改Ｉ１１ば
れ、且つ、非反射膜の厚づを波長の１／４ 程度の薄さ
に形成することができる。
同、前記実施例においては、いずれも、基材がステンレ
ス、ガラス、或いはプラスチックとされ、非反射膜が酸
化クロムとされ、反射膜が金とされていたが、基材、非
反射膜、及び反射膜の材質はこれに限定されない。例え
ば、非反射膜を、酸化ニッケル、酸化チタン、或いは、
酸化マグネシウムとし、反射膜を、銀、アルミニウム、
或いは、ロジウムとすることも可能である。又、非反射
膜を金属以外の物質とし、印刷或いは写真発色の方法郷
により、基材上に縞状に形成して、非反射膜の一部管エ
ッチングにより除去する工程を省略することも可能であ
る。
ス、ガラス、或いはプラスチックとされ、非反射膜が酸
化クロムとされ、反射膜が金とされていたが、基材、非
反射膜、及び反射膜の材質はこれに限定されない。例え
ば、非反射膜を、酸化ニッケル、酸化チタン、或いは、
酸化マグネシウムとし、反射膜を、銀、アルミニウム、
或いは、ロジウムとすることも可能である。又、非反射
膜を金属以外の物質とし、印刷或いは写真発色の方法郷
により、基材上に縞状に形成して、非反射膜の一部管エ
ッチングにより除去する工程を省略することも可能であ
る。
又、前記冥施例においては、いずれも、反射膜がメッキ
により形成されていたが、°反射膜を形成する方法は、
これに限定されず、電解、無電解、蒸着等能の方法によ
り付着ζせることも可能である。
により形成されていたが、°反射膜を形成する方法は、
これに限定されず、電解、無電解、蒸着等能の方法によ
り付着ζせることも可能である。
以上説明した通り、本発明に係る光電式変位検出装置の
反射型スケールによれば、基材の同一面上に、非反射膜
と反射膜が交互に形成されているので、サイドエツチン
グ等による線形状の（ずれを最小限として、精密な微細
線を形成することができる。又、同じ（本発明に係る光
電式変位検出装置の反射型スケールの製造方法によれば
、非反射膜をメツキレシストとして利用できるため、工
程が極めて簡単となり、しかも非反射膜は薄（て良いの
で、サイドエツチングが小ζ（でき、微細線を形成する
ことができる。更に、反射性に富んだ材料を、例えば金
としても、極小な面積にメッキするのみで良いから、経
済的にも有利であり、しかも、エツチング過剰等による
反射＊表面腐食も防止できる郷の優れた効果を有する。
反射型スケールによれば、基材の同一面上に、非反射膜
と反射膜が交互に形成されているので、サイドエツチン
グ等による線形状の（ずれを最小限として、精密な微細
線を形成することができる。又、同じ（本発明に係る光
電式変位検出装置の反射型スケールの製造方法によれば
、非反射膜をメツキレシストとして利用できるため、工
程が極めて簡単となり、しかも非反射膜は薄（て良いの
で、サイドエツチングが小ζ（でき、微細線を形成する
ことができる。更に、反射性に富んだ材料を、例えば金
としても、極小な面積にメッキするのみで良いから、経
済的にも有利であり、しかも、エツチング過剰等による
反射＊表面腐食も防止できる郷の優れた効果を有する。
第１図は、反射型スケールが用いられた光電式変位検出
装置の原理的構成を示す断面図、第２図は、本発明に係
る光電式変位検出装置の反射型ス図、第３図は、同じ（
第２実施例及びその製造工程を示す断面図である。 ３０・・・導電体基材、３２・・・非反射膜、３４・・
・反射膜、３６・・・非導電体基材、３８・・・ニッケ
ル膜。 代理人 高 矢 論 （ほか１名） 第 ｌ ＠ ！０ 第２ 図 ４３ 図
装置の原理的構成を示す断面図、第２図は、本発明に係
る光電式変位検出装置の反射型ス図、第３図は、同じ（
第２実施例及びその製造工程を示す断面図である。 ３０・・・導電体基材、３２・・・非反射膜、３４・・
・反射膜、３６・・・非導電体基材、３８・・・ニッケ
ル膜。 代理人 高 矢 論 （ほか１名） 第 ｌ ＠ ！０ 第２ 図 ４３ 図
Claims (4)
- （１）入射光を反射するための反射部と、入射光を吸収
又は反射防止するための非反射部とが交互に形成されて
なる光電式変位検出装置の反射型スケールにおいて、基
材の同一面上に、非反射部として作用する非反射膜と、
反射部として作用する反射膜が、交互に形成されている
こと１７特徴とする光電式変位検出装置の反射型スケー
ル。 - （２）入射光を反射するための反射部と、入射光を吸収
又は反射防止するための非反射部とが交互に形成されて
なる光電式変位検出装置の反射型スケールの製造方法に
おいて、基材上に、非反射部として作用し、且つ、非鍍
金性を有する非反射膜を縞状に配設する第１工程と、該
第１工程で配設された縞状の非反射膜をメツキレシスト
として、基材露出７１１に反射部として作用する反射膜
を選択的にメッキする第２工程とを含むことを特徴とす
る光電式変位検出装置の反射型スケールの製造方法０ - （３）前記基材が導電体とされ、酸化クロムからなる前
記非反射膜及び金からなる前記反射膜が、該導電体基材
の表面上に１６接形成これている特許請求の範−第２項
に記載の光電式変位検出装置の反射型スケールの製造方
法。 - （４）前記基材が非導電体とされ、酸化クーロムからな
る前記非反射膜及び金からなる前記反射膜が、前記非導
電体基材−ヒに形成されたニッケル膜−ヒに形成されて
いる特許請求の範囲第２項に記載の光電式変位検出装置
の反射型スケールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17423381A JPS5875004A (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | 光電式変位検出装置の反射型スケ−ルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17423381A JPS5875004A (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | 光電式変位検出装置の反射型スケ−ルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5875004A true JPS5875004A (ja) | 1983-05-06 |
| JPS6311605B2 JPS6311605B2 (ja) | 1988-03-15 |
Family
ID=15975043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17423381A Granted JPS5875004A (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | 光電式変位検出装置の反射型スケ−ルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5875004A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61197510U (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-10 | ||
| US4926566A (en) * | 1986-07-03 | 1990-05-22 | Renishaw Plc | Method of producing a metrological scale and scale produced by such method |
| JPH06288717A (ja) * | 1993-02-11 | 1994-10-18 | Dr Johannes Heidenhain Gmbh | 目盛担持体 |
| JP2001296146A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-10-26 | Dr Johannes Heidenhain Gmbh | 反射測定目盛およびこの測定目盛の製造方法 |
| JP2009121907A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Nikon Corp | 磁気回転体およびその製造方法ならびに磁気回転体を用いたエンコーダ装置 |
| JP2012063199A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Nikon Corp | 光学式エンコーダ用反射板、エンコーダ及び光学式エンコーダ用反射板の製造方法 |
| CN104236603A (zh) * | 2013-06-14 | 2014-12-24 | 株式会社三丰 | 用于光电编码器的标尺 |
| US9258007B2 (en) | 2011-11-22 | 2016-02-09 | Mitutoyo Corporation | Scale of photoelectric encoder including base member having roughened surface and manufacturing method of scale |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55152410U (ja) * | 1980-04-09 | 1980-11-04 |
-
1981
- 1981-10-30 JP JP17423381A patent/JPS5875004A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55152410U (ja) * | 1980-04-09 | 1980-11-04 |
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| US9258007B2 (en) | 2011-11-22 | 2016-02-09 | Mitutoyo Corporation | Scale of photoelectric encoder including base member having roughened surface and manufacturing method of scale |
| EP2597431B1 (en) * | 2011-11-22 | 2019-04-24 | Mitutoyo Corporation | Scale of photoelectric encoder and manufacturing method of the same |
| CN104236603A (zh) * | 2013-06-14 | 2014-12-24 | 株式会社三丰 | 用于光电编码器的标尺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6311605B2 (ja) | 1988-03-15 |
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