JP5781877B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
第1主面と該第1主面に対向する第2主面を有する基板本体と、
前記第1主面上に形成された抵抗体と、
該抵抗体上に形成され前記抵抗体よりも抵抗値の低い金属からなる下地金属層と該下地金属層上に形成された導電層を含む複数の第1主面側配線層と、
前記第2主面に形成された第2主面側配線層と、
前記基板本体内に形成され前記第1主面側配線層と第2主面側配線層との間を電気的に導通するビアとを有する配線基板であって、
前記複数の第1主面側配線層の上面と側面とを被覆する導電性被覆層を備え、該導電性被覆層が、前記第1主面側配線層同士が相対しない側面を被覆するように形成されていることを特徴とする、配線基板に関する。
第1主面と該第1主面に対向する第2主面を有する基板本体と、
前記第1主面上に形成された抵抗体と該抵抗体上に形成され前記抵抗体よりも抵抗値の低い金属からなる下地金属層と該下地金属層上に形成された導電層を含む2つの第1主面側配線層と、
前記第2主面に形成された第2主面側配線層と、
前記基板本体内に形成され前記第1主面側配線層と第2主面側配線層との間を電気的に導通するビアとを有する配線基板の製造方法であって、
前記第1主面上に前記ビアと電気的に接続する前記抵抗体を形成する工程と、
前記抵抗体上に該抵抗体よりも抵抗値の低い金属にて第1下地金属層を形成するともに、前記第2主面上に、前記ビアと電気的に接続する第2下地金属層を形成する工程と、
前記第1下地金属層上に第1マスク層を、前記第2下地金属層上に第2のマスク層を形成した後、前記第1下地金属層上に第1導電層を形成するとともに、前記第2下地金属層上に第2導電層を形成し、第1主面側配線層と第2主面側配線層とを形成する工程と、
前記第1マスク層及び前記第2マスク層を除去した後、前記2つの第1主面側配線層の間の前記第1下地金属層上に第3マスク層を形成する工程と、
前記ビアおよび第1下地金属層を通電経路として用い電解メッキにより、前記第1主面側配線層の上面及び側面を被覆する導電性被覆層を形成する工程と、
前記第3のマスクを除去した後、前記2つの第1主面側配線層の間の前記第1下地金属層を除去する工程と、
を備えることを特徴とする、配線基板の製造方法に関する。
(配線基板)
図1は、本実施形態における配線基板の概略構成を示す断面図である。
図1に示すように、本実施形態の配線基板10は、基板本体11と、基板本体11の第1主面11A上において、基板本体11内に形成されている内部配線層(例えばビア)と電気的に接続するようにして形成されてなる、例えばTa2Nからなる膜状の抵抗体12とを備えている。基板本体11は、例えばセラミック多層配線基板から構成することができる。
次に、図1に示す配線基板の製造方法について説明する。図2〜図17は、本実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
(配線基板)
図18は、本実施形態における配線基板の概略構成を示す断面図である。なお、図1に示す配線基板10の構成要素と類似あるいは同一の構成要素については同じ参照数字を用いている。
次に、図18に示す配線基板10’の製造方法について説明する。
図19は、本実施形態の配線基板10’の製造方法における工程図である。最初に、第1の実施形態の図2〜図8に示す工程に従って、図9に示すような構造体を得る。その後、図19に示すように、第1下地金属層14の、第1導電層の第1部分15A及び第2部分15B、並びに第1導電性接着層の第1部分16A及び16Bから露出する部分を無機酸あるいは有機酸によってエッチング除去する。
11 セラミック多層配線基板
12 抵抗体
13A、14A 第1下地金属層の第1部分
13B、14B 第1下地金属層の第2部分
15A 第1導電層の第1部分
15B 第1導電層の第2部分
16A 第1導電性接着層の第1部分
16B 第1導電性接着層の第2部分
18A、18B 導電性被覆層
19A、19B 第1主面側配線層
23 第2下地金属層
25 第2導電層
26 第2導電性接着層
27 第3導電層
29 第2主面側配線層
Claims (6)
- 第1主面と該第1主面に対向する第2主面を有する基板本体と、
前記第1主面上に形成された抵抗体と、
該抵抗体上に形成され前記抵抗体よりも抵抗値の低い金属からなる下地金属層と該下地金属層上に形成された導電層を含む2つの第1主面側配線層と、
前記第2主面に形成された第2主面側配線層と、
前記基板本体内に形成され前記第1主面側配線層と第2主面側配線層との間を電気的に導通するビアとを有する配線基板の製造方法であって、
前記第1主面上に前記ビアと電気的に接続する前記抵抗体を形成する工程と、
前記抵抗体上に該抵抗体よりも抵抗値の低い金属にて第1下地金属層を形成するともに、前記第2主面上に、前記ビアと電気的に接続する第2下地金属層を形成する工程と、
前記第1下地金属層上に第1マスク層を、前記第2下地金属層上に第2のマスク層を形成した後、前記第1下地金属層上に第1導電層を形成するとともに、前記第2下地金属層上に第2導電層を形成し、第1主面側配線層と第2主面側配線層とを形成する工程と、
前記第1マスク層及び前記第2マスク層を除去した後、前記2つの第1主面側配線層の間の前記第1下地金属層上に第3マスク層を形成する工程と、
前記ビアおよび第1下地金属層を通電経路として用い電解メッキにより、前記第1主面側配線層の上面及び側面を被覆する導電性被覆層を形成する工程と、
前記第3のマスクを除去した後、前記2つの第1主面側配線層の間の前記第1下地金属層を除去する工程と、
を備えることを特徴とする、配線基板の製造方法。 - 前記導電性被覆層は、前記第1主面側配線層の全側面を被覆するように形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の配線基板の製造方法。
- 前記導電性被覆層は、前記第1主面側配線層同士が相対しない側面を被覆するように形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の配線基板の製造方法。
- 前記下地金属層はCuもしくはCuとTiとで構成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載の配線基板の製造方法。
- 前記導電層はCu、Niの少なくとも1つの金属で構成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1つに記載の配線基板の製造方法。
- 前記導電性被覆層はNi、Auの少なくとも1つの金属で構成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1つに記載の配線基板の製造方法。
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