JPH04102385A - 膜状抵抗体を備えた電気基板 - Google Patents
膜状抵抗体を備えた電気基板Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、基板の表面に膜状の抵抗体が形成された電気
基板に関し、特に集積回路用パッケージの終端抵抗体に
用いて好適なものである。
基板に関し、特に集積回路用パッケージの終端抵抗体に
用いて好適なものである。
［従来の技術］
従来技術の一例として、集積回路用パッケージの終端抵
抗体を例に説明する。
抗体を例に説明する。
集積回路用パッケージの終端抵抗体は、信号配線のイン
ピーダンスをマツチングするために、絶縁基板の表面に
形成されたもので、信号配線の端部で信号の反射を抑え
、ノイズの発生や信号の劣化を防ぐものである。
ピーダンスをマツチングするために、絶縁基板の表面に
形成されたもので、信号配線の端部で信号の反射を抑え
、ノイズの発生や信号の劣化を防ぐものである。
終端抵抗体は、絶縁基板の表面にメタライズされた抵抗
体として働く抵抗膜、この抵抗膜の表面に形成されたバ
リヤ膜、このバリヤ膜の表面に形成された導電性に優れ
る導電膜からなる。そして、抵抗膜としては、一般に”
Ｉ’ａ、Ｎが用いられている。導電膜は、一般にＡｕが
用いられる。また、バリヤ膜は、導電膜と抵抗膜との接
合部分に、不具合な合金が発生するのを防ぐもので、一
般にＰｄが用いられている。
体として働く抵抗膜、この抵抗膜の表面に形成されたバ
リヤ膜、このバリヤ膜の表面に形成された導電性に優れ
る導電膜からなる。そして、抵抗膜としては、一般に”
Ｉ’ａ、Ｎが用いられている。導電膜は、一般にＡｕが
用いられる。また、バリヤ膜は、導電膜と抵抗膜との接
合部分に、不具合な合金が発生するのを防ぐもので、一
般にＰｄが用いられている。
バリヤ膜のＰｄは、通常Ｔａ、Ｎの表面にスパッタリン
グ等の薄膜形成手段で形成され、不要な部分を酸系のエ
ツチング処理によって取り除いていた。
グ等の薄膜形成手段で形成され、不要な部分を酸系のエ
ツチング処理によって取り除いていた。
なお、バリヤ膜としては、Ｐｄ以外に、Ｔｉや、Ｔｉと
Ｗの合金や、Ｃｒや、ＣｒとＮｉの合金などもある。
Ｗの合金や、Ｃｒや、ＣｒとＮｉの合金などもある。
［発明が解決しようとする課題］
バリヤ膜のＰｄを除去するためには、酸系のエツチング
液を用いる必要がある。すると、集積回路用パッケージ
の外部接続用のピンやリード類に使用される例えばコバ
ールや接合用のろう材が、酸系のエツチング液によって
浸蝕されてしまう。
液を用いる必要がある。すると、集積回路用パッケージ
の外部接続用のピンやリード類に使用される例えばコバ
ールや接合用のろう材が、酸系のエツチング液によって
浸蝕されてしまう。
なお、コバールがＡｕメツキにより保護されていても、
Ａｕメツキ膜に希に存在するピンホールから酸系のエツ
チング液が下地メツキ（例えばＮｉ）に達し、この下地
メツキとＡｕとの電位差またはコバールとＡｕとの電位
差によって、コバールおよび下地メツキの浸蝕度合が大
きくなってしまう。
Ａｕメツキ膜に希に存在するピンホールから酸系のエツ
チング液が下地メツキ（例えばＮｉ）に達し、この下地
メツキとＡｕとの電位差またはコバールとＡｕとの電位
差によって、コバールおよび下地メツキの浸蝕度合が大
きくなってしまう。
また、Ｐｄ以外のバリヤ膜を除去するには、酸系のエツ
チング液を用いるか、高温に加熱したアルカリ系のエツ
チング液を用いる必要があった。
チング液を用いるか、高温に加熱したアルカリ系のエツ
チング液を用いる必要があった。
高温のアルカリ系のエツチング液を用いても、腐食度合
いが大きく、電気基板に使用される金属を浸蝕してしま
う場合があった。
いが大きく、電気基板に使用される金属を浸蝕してしま
う場合があった。
本発明の目的は、バリヤ膜を抵抗膜の表面から取り除く
際に、他の金属を腐食することを無くした膜状抵抗体を
備えた電気基板の提供にある。
際に、他の金属を腐食することを無くした膜状抵抗体を
備えた電気基板の提供にある。
［課題を解決するための手段］
上記の目的を達成するために、本発明の膜状抵抗体を備
えた電気基板は、次の技術的手段を採用する。
えた電気基板は、次の技術的手段を採用する。
電気基板は、絶縁性の基板の表面に、抵抗体として働く
抵抗膜、この抵抗膜の表面に形成されたバリヤ膜、この
バリヤ膜の表面に形成された導電性に優れる導電膜から
なる膜状抵抗体を備えたものである。
抵抗膜、この抵抗膜の表面に形成されたバリヤ膜、この
バリヤ膜の表面に形成された導電性に優れる導電膜から
なる膜状抵抗体を備えたものである。
そして、前記バリヤ膜は、常温のアルカリ溶液に溶ける
材料よりなる。
材料よりなる。
［作用および発明の効果１
バリヤ膜は、常温のアルカリ溶液によって溶けるため、
電気基板に設けられた例えば鉄系の端子や、ろう材など
を腐食する腐食度合いが小さい。
電気基板に設けられた例えば鉄系の端子や、ろう材など
を腐食する腐食度合いが小さい。
この結果、不要なバリヤ膜は、電気基板に設けられた他
の金属へ影響を与えること無く取り除かれるため、不要
なバリヤ膜を取り除く際に生じる腐食による電気基板の
不良の発生を抑えることができる。
の金属へ影響を与えること無く取り除かれるため、不要
なバリヤ膜を取り除く際に生じる腐食による電気基板の
不良の発生を抑えることができる。
［実施例］
次に、本発明を集積回路用パッケージの終端抵抗体に適
用した一実施例に基づき、図面を用いて説明する。
用した一実施例に基づき、図面を用いて説明する。
（実施例の構成）
第１図は集積回路用パッケージの終端抵抗体部分の要１
部断面図、第２図は終端抵抗体部分の拡大平面図を示す
。
部断面図、第２図は終端抵抗体部分の拡大平面図を示す
。
集積回路用パッケージ１は、集積回路（図示しない）が
搭載される絶縁性の基板２を備える。本実施例の基板２
は、複数のセラミック板を積層してなる積層基板で、内
部に集積回路と電気的に接続される信号配線３を備える
。
搭載される絶縁性の基板２を備える。本実施例の基板２
は、複数のセラミック板を積層してなる積層基板で、内
部に集積回路と電気的に接続される信号配線３を備える
。
一方、基板２の表面には、信号配ｆｆ１３のインピーダ
ンスをマツチングする終端抵抗体４を備える。
ンスをマツチングする終端抵抗体４を備える。
この終端抵抗体４は、基板２０表面に形成された本発明
の膜状抵抗体で、２つの電極部５．６と、この２つの電
極部５．６に挟まれた抵抗部７とからなる。２つの電極
部５．６の一方の電極部５は、基板２内に形成された導
体柱８を介して、基板２内の信号配線３に接続され、他
方の電極部６は、基板２内に形成された導体柱９を介し
て、グランドに接続されるとともに、第２図に示すよう
に他の電極とも電気的に接続される。
の膜状抵抗体で、２つの電極部５．６と、この２つの電
極部５．６に挟まれた抵抗部７とからなる。２つの電極
部５．６の一方の電極部５は、基板２内に形成された導
体柱８を介して、基板２内の信号配線３に接続され、他
方の電極部６は、基板２内に形成された導体柱９を介し
て、グランドに接続されるとともに、第２図に示すよう
に他の電極とも電気的に接続される。
終端抵抗体４は、基板２の表面に形成された抵抗体とし
て働く抵抗膜１０、この抵抗膜１０の表面に形成された
バリヤ膜１１、このバリヤＭ１１の表面に形成された導
電性に優れる導電膜１２からなる。なお、バリヤ膜１１
は、抵抗膜１０を形成する材料と、導電膜１２を形成す
る材料とが、反応して合金を作るのを防ぐとともに、抵
抗膜１０と導電膜１２どの接合強度を高めるためのもの
である。そして、本実施例の抵抗膜１０にはＴａ、Ｎを
適用し、バリヤ膜１１にはＭｏを適用し、導電Ｍ１２に
はＡｕを適用した。
て働く抵抗膜１０、この抵抗膜１０の表面に形成された
バリヤ膜１１、このバリヤＭ１１の表面に形成された導
電性に優れる導電膜１２からなる。なお、バリヤ膜１１
は、抵抗膜１０を形成する材料と、導電膜１２を形成す
る材料とが、反応して合金を作るのを防ぐとともに、抵
抗膜１０と導電膜１２どの接合強度を高めるためのもの
である。そして、本実施例の抵抗膜１０にはＴａ、Ｎを
適用し、バリヤ膜１１にはＭｏを適用し、導電Ｍ１２に
はＡｕを適用した。
次に、終端抵抗体４の製造方法を簡単に説明する。
１）まず、基板２の表面にスパッタリングによって厚さ
が例えばＳＯＯ〜１０００Ａはどの’Ｉ’ａ２Ｎの膜を
形成し、次いでスパッタリングによって厚さが例えば３
０００＾はどのＭｏの膜を形成し、さらにスパッタリン
グによって厚さが例えば２０００〜３０００＾はどのＡ
ｕの膜を形成する。
が例えばＳＯＯ〜１０００Ａはどの’Ｉ’ａ２Ｎの膜を
形成し、次いでスパッタリングによって厚さが例えば３
０００＾はどのＭｏの膜を形成し、さらにスパッタリン
グによって厚さが例えば２０００〜３０００＾はどのＡ
ｕの膜を形成する。
２）フォトレジストを塗布し、露光、現像処理を行って
、電極部５．６が形成される部分、つまり導電膜１２が
形成される部分のフォトレジストを除去する。
、電極部５．６が形成される部分、つまり導電膜１２が
形成される部分のフォトレジストを除去する。
３）フォトレジストの除去された部分に、Ａｕメツキを
施し、フォトレジストの除去された部分に厚さが例えば
２〜３μｍはどのＡｕ層を形成する。
施し、フォトレジストの除去された部分に厚さが例えば
２〜３μｍはどのＡｕ層を形成する。
４）フォトレジストを除去する。
５）シアン化カリウム系のエツチング液で、ＡＵを薄く
除去する。この結果、抵抗部７の上方およびその他不要
部のＡｕが除去され、導電膜１２のＡｕはほとんど残る
。
除去する。この結果、抵抗部７の上方およびその他不要
部のＡｕが除去され、導電膜１２のＡｕはほとんど残る
。
６）フェリシアン化カリウム系のエツチング液で、Ｍｏ
（バリヤ膜１１）を除去する。この結果、抵抗部７の表
面およびその他不要部のＭｏが除去され、抵抗部７には
Ｔａｚ Ｎのみが残る。
（バリヤ膜１１）を除去する。この結果、抵抗部７の表
面およびその他不要部のＭｏが除去され、抵抗部７には
Ｔａｚ Ｎのみが残る。
７）フォトレジストを塗布し、露光、現像処理を行って
、電極部５．６および抵抗部７を残して他のフォトレジ
ストを除去する。
、電極部５．６および抵抗部７を残して他のフォトレジ
ストを除去する。
８）フッ化水素酸系と硝酸系との混合エツチング液で、
不要部のＴａ２Ｎを除去する。この結果、抵抗部７には
Ｔａ２Ｎのみが残る。
不要部のＴａ２Ｎを除去する。この結果、抵抗部７には
Ｔａ２Ｎのみが残る。
９）最後に、フォトレジストを除去することにより、第
１図に示すように終端抵抗体４が基板２上に形成された
。
１図に示すように終端抵抗体４が基板２上に形成された
。
（実施例の効果）
Ａｕを除去するために使用したシアン化カリウム系のエ
ツチング液は、アルカリ性で、かつ常温で使用された。
ツチング液は、アルカリ性で、かつ常温で使用された。
このため、集積回路用パッケージ１に設けられた外部電
極接続用のピンやリードなどの鉄系金属（例えばコバー
ル）よりなる端子類（図示しない）や、この端子類を基
板２に接続するために使用される銀ろう（図示しない）
は、シアン化カリウム系のエツチング液ではほとんど腐
食されなかった。
極接続用のピンやリードなどの鉄系金属（例えばコバー
ル）よりなる端子類（図示しない）や、この端子類を基
板２に接続するために使用される銀ろう（図示しない）
は、シアン化カリウム系のエツチング液ではほとんど腐
食されなかった。
また、バリヤ膜１１を形成するために、抵抗膜１０の表
面に形成したＭｏ（不要なバリヤ膜１１）を除去する目
的で使用したフェリシアン化カリウム系のエツチング液
も、アルカリ性で、かつ常温で使用された。このため、
端子類や銀ろうは、フェリシアン化カリウム系のエツチ
ング液ではほとんど腐食されなかった。
面に形成したＭｏ（不要なバリヤ膜１１）を除去する目
的で使用したフェリシアン化カリウム系のエツチング液
も、アルカリ性で、かつ常温で使用された。このため、
端子類や銀ろうは、フェリシアン化カリウム系のエツチ
ング液ではほとんど腐食されなかった。
なお、不要なＴａ２Ｎを除去する目的で使用されたフッ
化水素酸系と硝酸系との混合エツチング液は、酸性であ
るが、鉄系金属やろう材に対する耐蝕性は弱く、しかも
上記に示した３回のエツチング処理の内、酸性のエツチ
ング液を使用したエツチング処理は１回のみであった。
化水素酸系と硝酸系との混合エツチング液は、酸性であ
るが、鉄系金属やろう材に対する耐蝕性は弱く、しかも
上記に示した３回のエツチング処理の内、酸性のエツチ
ング液を使用したエツチング処理は１回のみであった。
しかるに、従来技術であれば、酸性のエツチング液を使
用したエツチング処理が、３回のエツチング処理の内、
２回行われていた。この結果、本実施例では、従来技術
に比較して、端子類や銀ろうの腐食度合いを抑えること
ができた。これにより、完成度の高い集積回路用パッケ
ージ１が製造できた。
用したエツチング処理が、３回のエツチング処理の内、
２回行われていた。この結果、本実施例では、従来技術
に比較して、端子類や銀ろうの腐食度合いを抑えること
ができた。これにより、完成度の高い集積回路用パッケ
ージ１が製造できた。
（変形例）
本実施例では、抵抗膜にはＴａ２Ｎを適用し、バリヤ膜
にはＭＯを適用し、導電膜にはＡｕを適用した例を示し
たが、抵抗膜にはＣｒとＮｉの合金を適用したり、バリ
ヤ膜にはＷを適用したり、導電膜にはＮｉＪ？？Ｃｕを
適用するなど、本実施例に限定されるものではない。な
お、バリヤ膜に用いられる材料は、常温のアルカリ溶液
に溶け、抵抗膜と導電膜とのバリヤの役割を果たすもの
であれば何でも良いが、抵抗膜はバリヤ膜を溶かすエツ
チング液に対して不溶な材料を用いる必要がある。
にはＭＯを適用し、導電膜にはＡｕを適用した例を示し
たが、抵抗膜にはＣｒとＮｉの合金を適用したり、バリ
ヤ膜にはＷを適用したり、導電膜にはＮｉＪ？？Ｃｕを
適用するなど、本実施例に限定されるものではない。な
お、バリヤ膜に用いられる材料は、常温のアルカリ溶液
に溶け、抵抗膜と導電膜とのバリヤの役割を果たすもの
であれば何でも良いが、抵抗膜はバリヤ膜を溶かすエツ
チング液に対して不溶な材料を用いる必要がある。
集積回路用パッケージの終端抵抗体に本発明を適用した
例を示したが、マザーボードや、配線基板の表面に形成
し、抵抗体として用いても良い。
例を示したが、マザーボードや、配線基板の表面に形成
し、抵抗体として用いても良い。
第１図は終端抵抗体の拡大平面図、第２図は第１図のＡ
−Ａ線に沿う断面図である。 図中 １・・・集積回路用パッケージ（電気基板）２・
・・基板 ４・・・終端抵抗体く膜状抵抗体） １０・・・抵抗膜 １１・・・バリヤ膜１２・・・
導電膜
−Ａ線に沿う断面図である。 図中 １・・・集積回路用パッケージ（電気基板）２・
・・基板 ４・・・終端抵抗体く膜状抵抗体） １０・・・抵抗膜 １１・・・バリヤ膜１２・・・
導電膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）絶縁性の基板の表面に、 抵抗体として働く抵抗膜、この抵抗膜の表面に形成され
たバリヤ膜、このバリヤ膜の表面に形成された導電性に
優れる導電膜からなる膜状抵抗体を備えた電気基板にお
いて、 前記バリヤ膜は、常温のアルカリ溶液に溶ける材料より
なることを特徴とする膜状抵抗体を備えた電気基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2220471A JPH04102385A (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 膜状抵抗体を備えた電気基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2220471A JPH04102385A (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 膜状抵抗体を備えた電気基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04102385A true JPH04102385A (ja) | 1992-04-03 |
Family
ID=16751628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2220471A Pending JPH04102385A (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 膜状抵抗体を備えた電気基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04102385A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103025057A (zh) * | 2011-09-22 | 2013-04-03 | 日本特殊陶业株式会社 | 布线基板及其制造方法 |
-
1990
- 1990-08-21 JP JP2220471A patent/JPH04102385A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103025057A (zh) * | 2011-09-22 | 2013-04-03 | 日本特殊陶业株式会社 | 布线基板及其制造方法 |
| US8933342B2 (en) | 2011-09-22 | 2015-01-13 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Wiring substrate and method of manufacturing the same |
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