JPS61102095A

JPS61102095A - 多層配線基板

Info

Publication number: JPS61102095A
Application number: JP59224978A
Authority: JP
Inventors: 金原　広治
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1984-10-25
Filing date: 1984-10-25
Publication date: 1986-05-20

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は電子装置などに用いられる多層配線基板に関す
るもので、特に試作時および設計変更時に使用される設
計変更電極を有する多層配線基板に関するものである。

従来の技術従来、この種の多層配線基板の表面に形成される設計変
更ｔｍは、第２図に示すように、導体配の接続部２１と
からなり、第５図に示すように、多層配線基板５２の内
層導電層５３からグイアホール配線を介して接続する表
面電極パターンの上に、一方の接続部を配置して形成さ
れている。設計変更電極５１の他方の接続部は、多層配
線基板５２上に搭載された電子部品チップ５４の端子と
ワイヤ５５で接続されている。すなわち、内層導電層５
３からグイアホール配線９表面電極パターン、設計変更
電極５１を経てワイヤ５５で電子部品チップ５４の端子
に至る接続が得られる。したがって、この多層配線基板
上の配線接続の変更又は電子部品の取り換えなどの設計
変更時には、この設計変更電極の切断部２２を切り離し
て内層導電層と電子部品チップとの接続を切断し、あ゛
らたにこの接続部２１に設計変更用のワイヤをボンディ
ングで接続することが可能になっている。そして、この
設計変更電極の切断部２２と接続部２１とは多層配線基
板の表面絶縁層上に同一工程で形成されているため、構
造上の差異はなく特に厚みは全く同一であった。（例え
ば、Ａ、Ｊ、　Ｂｌｏｄｇｅ−ｔｔ、＆　Ｄ、　Ｒ，Ｂ
ａｒｂｏｕｒ　、　［Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｃｏｎｄｕｃｔ
ｉｏｎＭｏｄｕｌｅ　：　Ａ　Ｈｉｇｈ−Ｐｅｒｆｏｒ
ｍａｎｃｅ　ＭｕｌｔｉｌａｙｅｒＣｅｒａｍｉｃ　Ｐ
ａｃｋａｇｅ　Ｊ　ＩＢＭ　Ｊ、　Ｒｅ５ｅａｒｃｈ　
＆Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　Ｖｏｌ　２６　、　Ｐ２Ｏ
〜３６　＋　１９８２　）しかし、本来、接続部と切断
部とは、その目的機能が異なっている。すなわち、接続
部は設計変更用の布線やＩ（１−ドが接続される部分で
あり、半田付けや熱圧着、超音波圧着などに対してすぐ
れた特性を有する必要がある。一方切断部は通常は高信
頼度な導体であるとともに、必要時には容易に切断でき
るものでなければならない。このように異なる機能を有
する接続部と切断部とを同一の構造で形成しているので
、それぞれの必要とする特性を十分に得ることができな
いという問題点があった。

発明が解決しようとする問題点本発明の目的は、上記の設計変更電極の接続部と切断部
とが同一構造のため、それぞれの機能。

特性を十分にもつことができないという問題点を解決す
る多層配線基板を提供することにある。

問題点を解決するための手段本発明は上述の問題点を解決するために、多層配線基板
の表面絶縁層の上に、接続部と切断部とを有する設計変
更電極が設けられ、かつ切断部が多層配線基板の表面絶
縁層より浮いた形に形成された構成を採用するものであ
る。

作用本発゛明は上述のように構成したので、多層配線基板の
表面絶縁層上に設けられた接続部と切断部とからなる設
計変更電極の接続部は表面絶縁層に密着して良好な接続
機能が得られるとともに、切断部は表面絶縁層から浮い
た形で形成されているため、切断機能が確実かつ容易に
できる。

実施例次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。

本発明の実施例を示す第１図を参照すると、本発明の多
層配線基板上に形成された設計変更電極は２つの接続部
１１と、これをつなぐ切断部１２とからなシ、その寸法
の一例は０．２　ｍ　Ｘ　０．５　ｒｍ程度のごく小さ
なものである。この電極材料は一般に金メッキが用いら
れるが、ワイヤを接続する方法（半田付け、熱圧着、超
音波接続など）および製造工程のエツチングにおける耐
薬品性によって種々のものを選ぶことができる。以下金
メッキの場合について述べる。

まず接続部１１は多層配線板の上面の絶縁層上にクロム
およびパラジウムの２層薄膜を形成し、その上に金メッ
キが行われる。この場合、クロムの厚さは５００Ａ〜１
００ＯＡ　、パラジウムの厚さは３００Ａ〜３００ＯＡ
程度とし、金メッキの厚さｄ１０μｍ程度である。切断
部１２の金の厚さは５μｍ１幅は５０μｍ樺度であり、
絶縁層より浮いて形成されている。したがつて設計変更
時に超硬合金等で作られた針で行う切断が容易かつ確実
に行われる。

次に本実施例の設計変更電極の製造方法の第１の例を、
行程図で示す第３図を参照して説明する。

（１）基板３７の絶縁層上にクロムと、その上にパラジ
ウムの２層薄膜導体をスパッタリングで形成する。更に
この薄膜導体層上に７オトレジスト３１を塗布し％露光
、現像の工程を経て接続部のパターンを形成して、接続
部の第１の金メッキ３２を行う（第３図ａ）。

（２）次に切断部の絶縁層から浮かすためのレジストパ
ターン３１を上記の接続部と同様な工程で形成し、銅メ
ッキ３３を行う（第３図ｂ）。

（３）接続部と切断部を除いた部分にレジストパターン
３１を形成し、第２の金メッキ３４を行う（第３図Ｃ）
。

（４）　　レジストを剥離し、エツチングを行い、銅メ
ッキ３３およびパターン以外の薄膜専体層を除去する。

これで接続部金メッキ３６と絶縁層より浮いた構造の切
断部金層３５をもつ設計変更電極が形成される（第３図
ｄ）。

次に本実施例の設計変更電極の製造方法の他の例を第４
図を参照して説明する。

（１）　　第１の例と同様に２層薄膜導体を形成し、フ
ォトレジスト４１を５μｍの厚さに塗布し露光。

現像の工程を経て接続部のパターンを形成し、金メッキ
４２を７オトレジストと同じ厚さまで行う（第４図ａ）
。

（２）金の薄膜導体層４６をレジスト４１および金メツ
キ４２上に蒸着により形成する（第４図ｂ）。

（３）フォトレジスト４１を塗布し、露光、現像の工程
を経て、接続部および切断部のパターンを形成して金メ
ッキ４４を行う（第４図Ｃ）。

（４）　　フォトレジストを剥離し、絶縁層上の不要な
２層薄膜導体をエツチングにより除去する（第４図ｄ）
。　。

これにより第１の例と同様に切断部４５が絶縁層より浮
いた設計変更電極が形成される。

なお以上の説明では、電極の材料として金を用いて説明
したが、その他の金属材料のパラジウム。

第４図の場合には銅などを用いることも可能である。こ
の場合エツチング液を適当に選び、これらの金属をとか
さないようにする必要がある。又薄膜層の材料としてク
ロムを用いたが、絶縁層になじみ易い材料として、クロ
ム以外にチタン、タングステン、ニクロム、アルミニウ
ム、り／タル等の金属も用いられる。

第５図は本発明の多層配線基板に電子部品チップを搭載
した状態の一例を示１ものである。

図から明らかなように、設計変更電極５１の中央部にあ
る切断部が絶縁層から浮いて形成されているため、設計
変更時にこの切断部全切断し、谷接続部にあらたな配線
を行うことが容易になる。

発明の詳細な説明したように、本発明によれば設計変更電極の切断
部を多層配線基板より浮かして形成することにより、接
続部は絶縁層への密着がよく、切断部は切断が容易な設
計変更電極が形成される効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は不発明の実施例の設計変更電極を示す図であり
、第２図は従来技術の一例を示す図であり、第３図、第
４図は本発明の実施例の２つの製造方法の例の工程図、
第５図は本発明の多層配線基板に電子部品を搭載した状
態の一例を示す図である。１１．２１・・・・・・接続部、１２．２２・・・・・
・切断部、３１・・・・・・フォトレジスト、３２，３
４・・・・・・金メッキ、３３・・・・・・銅メッキ、
３５・・・・・・切断部金層、３６・・・・・・接合部
金メッキ、３７・・・・・・多層配線基板、４１・・・
・・・フォトレジスト、４２．４４・・・・・・金メッ
キ。４３・・・・・・多層配線基板、４５・・・・・・切断
部金層、４６・・・・・・金の薄膜、４７・・・・・・
接続部金メッキ、５１．・・・　。・・・設計変更電極、５２・・・・・・多層配線基板、
５３・・・・・・内層導電層、５４・・・・・・電子部
品チップ、５５・・・・・・ボンディングワイヤ。第　２　図第　３　図＄　４−　凹

Claims

【特許請求の範囲】

多層配線基板の表面絶縁層上に形成された設計変更電極
が、接続部と切断部とよりなり、前記切断部が前記表面
絶縁層より浮いた形で形成されていることを特徴とする
多層配線基板。