JP5776968B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
まず、図1乃至図4により、本発明の一実施の形態による半導体装置について説明する。図1乃至図4は、本発明の一実施の形態による半導体装置を示す図である。
次に、図1乃至図4に示す半導体装置20の製造方法について、図5(a)−(f)および図6(a)−(g)を用いて説明する。
本実施の形態によれば、リード部16は、ダイパッド15側から外方に向けて放射状に延びる複数の放射状部分41、42と、放射状部分41、42周囲に位置する中継部分(外部中継部分43、内部中継部分44)とを含んでいる。また、半導体素子21の各端子部21aは、ボンディングワイヤ22により第2の放射状部分42、外部中継部分43、および内部中継部分44に接続されている。さらに、放射状部分41、42および内部中継部分44の裏面にハーフエッチング部17を形成し、外部中継部分43およびダイパッド支持部15aの裏面に、基板側端子51と接続可能なはんだ部29を設けている。
なお、図1乃至図6に示す実施の形態においては、本発明の要旨の範囲内で種々の変形が可能である。
11 金属基板
15 ダイパッド
15a ダイパッド支持部
16 リード部
17 ハーフエッチング部
19 めっき層
20、20A−20D 半導体装置
21 半導体素子
21a 端子部
22 ボンディングワイヤ(導電部)
23 封止樹脂部
24 中央領域
25 周縁領域
26 固着剤
27 補強部材
28 切欠
29 はんだ部(接続端子部)
41 第1の放射状部分
42 第2の放射状部分
43 外部中継部分(中継部分)
44 内部中継部分(中継部分)
45 実装基板
51 基板側端子
Claims (13)
- ダイパッドとダイパッド周囲に配置されたリード部とを有するリードフレームと、
リードフレームのダイパッド上に載置され、複数の端子部を有する半導体素子と、
リードフレームのリード部と半導体素子の各端子部とを電気的に接続する導電部と、
リードフレーム、半導体素子、および導電部を封止する封止樹脂部とを備え、
リード部は、ダイパッド側から外方に向けて放射状に延びる複数の放射状部分と、放射状部分周囲に位置する複数の中継部分とを含み、
半導体素子の各端子部は、導電部により放射状部分または中継部分に接続され、
放射状部分または中継部分の裏面に、ハーフエッチング部を形成し、
放射状部分、中継部分、またはダイパッドのうちいずれかの裏面に、基板側端子と接続可能な接続端子部が設けられており、
複数の中継部分は、リードフレームの全厚に対応する厚みを有する外部中継部分と、リードフレームの全厚より薄い内部中継部分とを含み、
外部中継部分と内部中継部分とが円周上で交互に配置されていることを特徴とする半導体装置。 - ダイパッドは、半導体素子を支持する複数のダイパッド支持部からなることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 各ダイパッド支持部の裏面に、基板側端子と接続可能な接続端子部が設けられていることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 各ダイパッド支持部に、ダイパッド支持部から外方に向けて放射状に延びる放射状部分が連結されていることを特徴とする請求項2または3記載の半導体装置。
- 複数の外部中継部分が設けられ、各外部中継部分は平面円形状をもち、各外部中継部分の中心は、それぞれ平面から見て同心円上に配置されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項記載の半導体装置。
- 複数の内部中継部分が設けられ、各内部中継部分は平面円弧形状をもち、各内部中継部分を構成する円弧は、それぞれ平面から見て同心円上に配置されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項記載の半導体装置。
- 封止樹脂部は、半導体素子および半導体素子周囲に設けられた中央領域と、中央領域周縁に位置する周縁領域とを有し、中央領域の厚みは、周縁領域の厚みより厚いことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項記載の半導体装置。
- 封止樹脂部の周縁領域内部に、周縁領域を補強する複数の補強部材が埋設されていることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。
- 封止樹脂部の中央領域は、截頭円錐形状からなることを特徴とする請求項7または8記載の半導体装置。
- 封止樹脂部に複数の補強部材が埋設され、各補強部材は、封止樹脂部の周縁部においてそれぞれ封止樹脂部の裏面側まで延びていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項記載の半導体装置。
- 封止樹脂部の断面形状は、台形形状を有していることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項記載の半導体装置。
- 放射状部分または中継部分の上面に、他の半導体装置の裏面に接続可能な外部突出端子が形成されていることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項記載の半導体装置。
- 半導体装置の製造方法において、
金属基板を準備する工程と、
金属基板の表面側からハーフエッチングを施すことにより、金属基板に、リードフレームのダイパッドに対応するダイパッド対応部分と、ダイパッド対応部分周囲に配置され、リード部に対応するリード部対応部分とを形成する工程と、
金属基板のうちダイパッド対応部分に、複数の端子部を有する半導体素子を載置する工程と、
半導体素子の各端子部と金属基板のリード部対応部分とを、導電部により接続する工程と、
金属基板の表面側、半導体素子、および導電部を封止樹脂部により封止する工程と、
金属基板の裏面側からハーフエッチングを施すことにより、ダイパッド対応部分およびリード部対応部分からそれぞれダイパッドおよびリード部を形成する工程であって、リード部は、ダイパッド側から外方に向けて放射状に延びる複数の放射状部分と、放射状部分周囲に位置する複数の中継部分とを含み、かつ放射状部分または中継部分の裏面にハーフエッチング部が形成される、工程と、
放射状部分、中継部分、またはダイパッドのうちいずれかの裏面に、基板側端子と接続可能な接続端子部を設ける工程とを備え、
複数の中継部分は、リードフレームの全厚に対応する厚みを有する外部中継部分と、リードフレームの全厚より薄い内部中継部分とを含み、
外部中継部分と内部中継部分とが円周上で交互に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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