JP2022041152A - 半導体装置の製造方法、半導体装置、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体装置の製造方法において、比較的短時間で安価に外部接続端子を形成することを可能とし、実装基板に対する実装信頼性を向上する。【解決手段】板状のフレーム本体部、およびフレーム本体部の両側の板面に板面視で少なくとも一部同士を重ねるように対で設けられた複数の端子部を有するリードフレームを準備する工程と、フレーム本体部の一方の板面の端子部を、半導体素子を含む半導体装置本体の電極部に接合することで、リードフレームを半導体装置本体に実装する工程と、フレーム本体部の他方の板面の端子部をマスクとしたエッチングにより、フレーム本体部を部分的に除去することで、半導体装置本体の電極部から突出した柱状端子を形成する工程と、を備える。【選択図】図４

Description

本開示は、半導体装置の製造方法、半導体装置、および電子機器に関する。

近年、半導体装置のパッケージ構造として、ＷＬ－ＣＳＰ（ウェーハレベルチップサイズ（またはスケール）パッケージ）と呼ばれる構造が普及している。ＷＬ－ＣＳＰは、ウェーハ状態でパッケージを作り込む加工が施された後に、チップの大きさで個片化されて製造されるものであり、装置の小型化に大きく寄与する。

特許文献１には、ＷＬ－ＣＳＰの構造として、支持基板に対して、半導体基板の一方の面に回路素子等を設けた半導体素子を接合した構成が開示されている。半導体基板には、回路素子の周囲に形成された電極パッドと電気的に接続された貫通電極が設けられており、半導体基板の他方の面には、貫通電極と電気的に接続された外部配線層が設けられている。

このような構成において、半導体基板の他方の面には、ＷＬ－ＣＳＰに対する外部端子との接続を容易に行うための接続部としての金属ポストが設けられている。金属ポストは、外部配線層に電気的に接続された状態で、半導体基板の他方の面を被覆する保護膜の表面から突出するように設けられている。

このようにＷＬ－ＣＳＰにおいて外部接続端子として設けられる金属ポストについては、その形成方法として、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等のメッキを用いた方法が用いられている。具体的には、例えば、外部配線層を被覆する電気絶縁性を有する保護膜が、金属ポストの形成部位について、フォトリソグラフィを用いたパターニングにより部分的に除去され、その除去部分から外部配線層が露出した状態となる。そして、金属材料によって保護膜の除去部分を埋めるようにメッキが用いられ、金属ポストとして、保護膜から突出した柱状の電極が形成される。

特開２００９－１９４３９６号公報

上述したようにメッキを用いて外部接続端子としての金属ポストを形成する技術によれば、次のような問題がある。

まず、メッキを行うに際して、保護膜を部分的に除去する工程として、フォトリソグラフィによる露光・現像等の工程が必要となるため、工程数が増えるという問題がある。また、メッキの工程では、メッキの積み上げにより工程数が多くなるという問題がある。特に、金属ポストの高さが高いほど、メッキの工程数が増え、時間とコストが増大することになる。

また、金属ポストの高さが低い（例えば数１０μｍ）と、ＷＬ－ＣＳＰの材料と、ＷＬ－ＣＳＰが実装される実装基板の材料との線膨張係数の差に起因して生じる応力を吸収しきれないことがある。このようにパッケージと実装基板との間の応力が十分に吸収できない場合、温度サイクル試験等によって評価される基板実装の信頼性が不十分となる。

本技術の目的は、比較的短時間で安価に外部接続端子を形成することができるとともに、実装基板に対する実装信頼性を向上することができる半導体装置の製造方法、半導体装置、および電子機器を提供することである。

本技術に係る半導体装置の製造方法は、板状のフレーム本体部、および前記フレーム本体部の両側の板面に板面視で少なくとも一部同士を重ねるように対で設けられた複数の端子部を有するリードフレームを準備する工程と、前記フレーム本体部の一方の板面の前記端子部を、半導体素子を含む半導体装置本体の電極部に接合することで、前記リードフレームを前記半導体装置本体に実装する工程と、前記フレーム本体部の他方の板面の前記端子部をマスクとしたエッチングにより、前記フレーム本体部を部分的に除去することで、前記電極部から突出した柱状端子を形成する工程と、を備えるものである。

本技術に係る半導体装置の製造方法の他の態様は、前記半導体装置の製造方法において、前記実装する工程の前に、前記フレーム本体部の一方の板面側に対する前記端子部をマスクとしたエッチングにより、前記フレーム本体部をその板厚方向について部分的に除去する工程をさらに備え、前記実装する工程の後、かつ前記柱状端子を形成する工程の前に、前記リードフレームと前記半導体装置本体との間の空間に、絶縁性を有する流動体を充填する工程をさらに備えるものである。

本技術に係る半導体装置の製造方法の他の態様は、前記半導体装置の製造方法において、前記半導体装置本体として、集合状態で形成された複数の前記半導体素子を含む一体の板状体を用い、前記除去する工程の後に、前記リードフレームを前記半導体素子に対応した複数のチップに個片化する工程をさらに備え、前記実装する工程は、前記複数のチップを前記半導体装置本体に実装するものである。

本技術に係る半導体装置の製造方法の他の態様は、前記半導体装置の製造方法において、前記充填する工程では、前記流動体として、フォトレジストを用いるものである。

本技術に係る半導体装置の製造方法の他の態様は、前記半導体装置の製造方法において、前記準備する工程は、前記フレーム本体部に対するメッキにより、前記複数の端子部を形成する工程を含み、前記複数の端子部を形成する工程では、前記フレーム本体部の一方の板面に形成する前記端子部を、前記フレーム本体部の他方の板面に形成する前記端子部よりも大きく形成するものである。

本技術に係る半導体装置の製造方法の他の態様は、前記半導体装置の製造方法において、前記複数の端子部を形成する工程では、前記フレーム本体部の一方の板面に形成する前記端子部を楕円形状とするとともに、前記フレーム本体部の他方の板面に形成する前記端子部を円形状とし、前記楕円形状の前記端子部を、楕円形状の長径方向を前記半導体素子の中央部に向けるように形成するものである。

本技術に係る半導体装置は、半導体素子を含み、一側の面に外部接続用の複数の電極部を有する半導体基体と、前記半導体基体に対して前記電極部から突出するように設けられ、リードフレームの一部により形成された柱状端子と、を備えるものである。

本技術に係る半導体装置の他の態様は、前記半導体装置において、前記電極部に対する前記柱状端子の接合面は、前記柱状端子の先端側の端面よりも大きいものである。

本技術に係る半導体装置の他の態様は、前記半導体装置において、前記電極部に対する前記柱状端子の接合面は楕円形状であり、前記柱状端子の先端側の端面は円形状であり、複数の前記柱状端子は、前記電極部に対する接合面の楕円形状の長径方向を前記半導体基体の中央部に向けるように設けられているものである。

本技術に係る半導体装置の他の態様は、前記半導体装置において、前記半導体基体の一側の面に設けられ、前記リードフレームの一部により形成された放熱用パッドをさらに備えるものである。

本技術に係る半導体装置の他の態様は、前記半導体装置において、前記半導体基体の一側の面に設けられ、前記リードフレームの一部により形成された補強部をさらに備えるものである。

本技術に係る半導体装置の他の態様は、前記半導体装置において、前記半導体基体の一側の面に設けられ、前記リードフレームの一部により形成されたＧＮＤプレーンをさらに備えるものである。

本技術に係る半導体装置の他の態様は、前記半導体装置において、前記半導体基体の一側の面に設けられた第２の半導体素子と、前記半導体基体の一側の面に設けられ、前記リードフレームの一部により前記第２の半導体素子を覆うように形成されたシールド部と、をさらに備えるものである。

本技術に係る電子機器は、半導体素子を含み、一側の面に外部接続用の複数の電極部を有する半導体基体と、前記半導体基体に対して前記電極部から突出するように設けられ、リードフレームの一部により形成された柱状端子と、を備える半導体装置を備えたものである。

本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す断面図である。 本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置の裏面側を示す図である。 本技術の第１実施形態に係る柱状端子の構成および基板実装の態様を示す断面図である。 本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置の製造方法についての説明図である。 本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置の製造方法についての説明図である。 本技術の第１実施形態に係るウェーハＣＳＰに対するリードフレームの実装態様を示す図である。 本技術の第１実施形態に係る固体撮像素子の変形例１の構成を示す図である。図７Ａは断面図、図７Ｂは底面図である。 本技術の第１実施形態に係る固体撮像素子の変形例１に係るリードフレームの構成を示す図である。図８Ａは断面図、図８Ｂは底面図である。 本技術の第１実施形態に係る固体撮像素子の変形例２の構成を示す図である。図９Ａは断面図、図９Ｂは底面図である。 本技術の第１実施形態に係る固体撮像素子の変形例２に係るリードフレームの構成を示す図である。図１０Ａは断面図、図１０Ｂは底面図である。 本技術の第１実施形態に係る固体撮像素子の変形例３の構成を示す図である。図１１Ａは断面図、図１１Ｂは底面図である。 本技術の第１実施形態に係る固体撮像素子の変形例３に係るリードフレームの構成を示す図である。図１２Ａは断面図、図１２Ｂは底面図である。 本技術の第１実施形態に係る固体撮像素子の変形例４の構成を示す図である。図１３Ａは断面図、図１３Ｂは底面図である。 本技術の第１実施形態に係る固体撮像素子の変形例４に係るリードフレームの構成を示す図である。図１４Ａは断面図、図１４Ｂは底面図である。 本技術の第１実施形態に係る固体撮像素子の変形例５の構成を示す図である。図１５Ａは断面図、図１５Ｂは底面図である。 本技術の第１実施形態に係る固体撮像素子の変形例５の柱状端子の構成を示す図である。図１６Ａは底面図、図１６Ｂは図１６ＡにおけるＡ－Ａ断面図、図１６Ｃは図１６ＡにおけるＢ－Ｂ断面図である。 本技術の第１実施形態に係る固体撮像素子の変形例５に係るリードフレームの構成を示す図である。図１７Ａは断面図、図１７Ｂは底面図である。 本技術の第２実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す断面図である。 本技術の第２実施形態に係る固体撮像装置の製造方法についての説明図である。 本技術の第２実施形態に係る固体撮像装置の製造方法についての説明図である。 本技術の第２実施形態に係る有機基板パッケージに対するリードフレームの実装態様を示す図である。 本技術の第３実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す断面図である。 本技術の第３実施形態に係る固体撮像装置の製造方法についての説明図である。 本技術の第３実施形態に係る固体撮像装置の製造方法についての説明図である。 本技術の第３実施形態に係るセラミックパッケージに対するリードフレームの実装態様を示す図である。 本技術の第４実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。 本技術の第４実施形態に係る半導体装置の製造方法についての説明図である。 本技術の第４実施形態に係る半導体装置の製造方法についての説明図である。 本技術の第４実施形態に係るウェーハＦＯＷＬＰに対するリードフレームの実装態様を示す図である。 本技術の第５実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す断面図である。 本技術の第５実施形態に係る固体撮像装置の製造方法についての説明図である。 本技術の第５実施形態に係る固体撮像素子の変形例１の構成を示す図である。図３２Ａは断面図、図３２Ｂは底面図である。 本技術の第５実施形態に係る固体撮像素子の変形例２の構成を示す図である。図３３Ａは断面図、図３３Ｂは底面図である。 本技術の第５実施形態に係る固体撮像素子の変形例３の構成を示す図である。図３４Ａは断面図、図３４Ｂは底面図である。 本技術の第５実施形態に係る固体撮像素子の変形例４の構成を示す図である。図３５Ａは断面図、図３５Ｂは底面図である。 本技術の第５実施形態に係る固体撮像素子の変形例５の構成を示す図である。図３６Ａは断面図、図３６Ｂは底面図である。 本技術の第６実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す断面図である。 本技術の第６実施形態に係る固体撮像装置の製造方法についての説明図である。 本技術の第７実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す断面図である。 本技術の第７実施形態に係る固体撮像装置の製造方法についての説明図である。 本技術の第７実施形態に係る固体撮像装置の製造方法についての説明図である。 本技術の第８実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。 本技術の第８実施形態に係る半導体装置の製造方法についての説明図である。 本技術の第９実施形態に係る固体撮像装置の製造方法についての説明図である。 本技術の第９実施形態に係る固体撮像装置の製造方法についての説明図である。 本技術の第９実施形態に係るウェーハＣＳＰに対するリードフレームの実装態様を示す図である。 本技術の第１０実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す断面図である。 本技術の第１０実施形態に係る柱状端子の構成および基板実装の態様を示す断面図である。 本技術の第１０実施形態に係る固体撮像装置の製造方法についての説明図である。 本技術の実施形態に係る半導体装置を備えた電子機器の構成例を示すブロック図である。

本技術は、半導体装置のパッケージ構造において、板状のリードフレームをエッチング等によって加工したものを柱状の外部接続端子とすることで、製造コストの低減を図るとともに、基板実装信頼性の向上を図ろうとするものである。

以下、図面を参照して、本技術を実施するための形態（以下「実施形態」と称する。）を説明する。なお、実施形態の説明は以下の順序で行う。
１．第１実施形態に係る半導体装置の構成例
２．第１実施形態に係る半導体装置の製造方法
３．第１実施形態に係る半導体装置の変形例
４．第２実施形態に係る半導体装置の構成例
５．第２実施形態に係る半導体装置の製造方法
６．第３実施形態に係る半導体装置の構成例
７．第３実施形態に係る半導体装置の製造方法
８．第４実施形態に係る半導体装置の構成例
９．第４実施形態に係る半導体装置の製造方法
１０．第５実施形態に係る半導体装置の構成例
１１．第５実施形態に係る半導体装置の製造方法
１２．第５実施形態に係る半導体装置の変形例
１３．第６実施形態に係る半導体装置の構成例
１４．第６実施形態に係る半導体装置の製造方法
１５．第７実施形態に係る半導体装置の構成例
１６．第７実施形態に係る半導体装置の製造方法
１７．第８実施形態に係る半導体装置の構成例
１８．第８実施形態に係る半導体装置の製造方法
１９．第９実施形態に係る半導体装置の製造方法
２０．第１０実施形態に係る半導体装置の構成例
２１．第１０実施形態に係る半導体装置の製造方法
２２．電子機器の構成例

＜１．第１実施形態に係る半導体装置の構成例＞
本技術の第１実施形態に係る半導体装置の構成例について、図１、図２および図３を参照して説明する。本実施形態では、半導体装置の一例として、半導体素子であるイメージセンサを含む固体撮像装置１を例にとって説明する。なお、図１における上下方向を固体撮像装置１における上下方向とする。

図１に示すように、固体撮像装置１は、固体撮像素子としてのイメージセンサ２と、透光性部材としてのガラス３と、イメージセンサ２上にガラス３を支持する支持部としてのリブ部４とを備える。固体撮像装置１は、イメージセンサ２上にリブ部４を介してガラス３をマウントし、イメージセンサ２とガラス３との間に中空部として空隙状のキャビティ５を有するパッケージ構造を備えている。固体撮像装置１は、パッケージ構造としていわゆるＷＬ－ＣＳＰ構造を採用したものである。

イメージセンサ２は、半導体の一例であるシリコン（Ｓｉ）により構成された半導体基板を含む矩形板状のチップであり、一方の板面である表面２ａ側を受光側とし、その反対側の板面を裏面２ｂとする。イメージセンサ２の表面２ａ側には、複数の受光素子が形成されている。イメージセンサ２は、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）型のイメージセンサである。ただし、イメージセンサ２はＣＣＤ（Charge Coupled Device）型のイメージセンサであってもよい。

イメージセンサ２の表面２ａ側には、イメージセンサ素子が形成されている。イメージセンサ２は、表面２ａ側に、受光部として、例えばベイヤ（Ｂａｙｅｒ）配列等の所定の配列で形成された多数の画素を含む受光領域である画素領域を有し、画素領域の周囲の領域を周辺領域とする。画素領域は、各画素における光電変換により信号電荷の生成、増幅、および読み出しを行う有効画素領域を含む。画素領域の画素は、光電変換機能を有する光電変換部としてのフォトダイオードと、複数の画素トランジスタとを有する。

イメージセンサ２の表面２ａ側においては、半導体基板に対して、酸化膜等からなる反射防止膜や、有機材料により形成された平坦化膜等を介して、カラーフィルタおよびオンチップレンズが各画素に対応して形成されている。オンチップレンズに入射した光が、カラーフィルタや平坦化膜等を介してフォトダイオードで受光される。

イメージセンサ２の構成としては、例えば、半導体基板の表面側に画素領域を形成した表面照射型（Front Side Illumination）のものや、光の透過率を向上させるためにフォトダイオード等を逆に配置し半導体基板の裏面側を受光面側とした裏面照射型（Back Side Illumination）のものや、画素群の周辺回路を積層した１つのチップとしたもの等がある。ただし、本技術に係るイメージセンサ２は、これらの構成のものに限定されない。

ガラス３は、透明部材の一例であり、矩形板状の外形を有し、平面視でイメージセンサ２と略同じ外形寸法を有する。ガラス３は、イメージセンサ２の受光側において、平面視でイメージセンサ２の外形に略一致するように、かつ、イメージセンサ２に対して平行状に所定の間隔を隔てて設けられている。ガラス３は、イメージセンサ２に対向する側の板面である下面３ｂと、その反対側の面である上面３ａとを有する。ガラス３は、イメージセンサ２に対してリブ部４により固定状態で支持されている。

ガラス３は、その上方に位置するレンズ等の光学系から入射する各種光を透過させる。ガラス３を透過した光は、キャビティ５を介してイメージセンサ２の受光面に到達する。ガラス３は、イメージセンサ２の受光面側を保護する機能を有する。なお、ガラス３の代わりに、例えば、プラスチック板、あるいは赤外光のみを透過するシリコン板等を用いることができる。

リブ部４は、イメージセンサ２の表面２ａにおいて画素領域を囲むように、画素領域を除いた周辺領域に設けられている。リブ部４は、イメージセンサ２の表面２ａとガラス３の下面３ｂとの間に介在し、イメージセンサ２とガラス３との間にキャビティ５を形成する。リブ部４は、キャビティ５の周囲を封止する封止部として機能し、ガラス３とともに、キャビティ５に対する外部からの水分（水蒸気）やダスト等の侵入を遮断する。

リブ部４は、ガラス３の外形に沿って全周にわたって壁状に形成されており、平面視で矩形枠状をなすように設けられている。リブ部４は、平面視でガラス３の外縁に沿うようにガラス３の外形の範囲内の位置に設けられている。リブ部４は、例えば、その外側面をガラス３の外側面と略面一とするように設けられる。

リブ部４の材料は、例えば、アクリル系樹脂であるＵＶ（紫外線）硬化性樹脂等の感光性接着剤や、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはこれらの混合剤である。リブ部４は、イメージセンサ２の表面２ａに対して、ディスペンサによる塗布や、フォトリソグラフィを用いたパターニング等により形成される。リブ部４の材料としては、一般的にパターンをフォトリソグラフィで自由に形成できる感光性樹脂が好適に用いられる。

リブ部４が樹脂材料からなるものである場合、リブ部４は、イメージセンサ２とガラス３とを互いに離間した状態で接着させる接着剤として機能する。ただし、リブ部４は、樹脂製のものに限らず、例えばガラス等のセラミックスや金属やシリコン等の無機材料からなる構造体を接着剤等でイメージセンサ２およびガラス３に貼り付けることで設けられた構成であってもよい。

キャビティ５は、イメージセンサ２とガラス３との間における扁平矩形状の空間部分である。キャビティ５は、イメージセンサ２の表面２ａと、ガラス３の下面３ｂと、リブ部４の内側面４ａとにより形成されている。

また、固体撮像装置１において、イメージセンサ２の表面２ａ側には、外部に対する信号の送受信のための端子として、複数の電極パッド６が設けられている。電極パッド６は、イメージセンサ２の表面２ａ側における周辺領域に設けられるものであり、例えば、リブ部４の直下の部位に設けられる。ただし、電極パッド６の配置位置は特に限定されない。電極パッド６の材料としては、例えばアルミニウム材料等が用いられる。

一方、イメージセンサ２の裏面２ｂ側には、外部接続用の複数の電極部として、複数の電極端子７が設けられている。電極端子７は、円形の層状の部分として形成されている。複数の電極端子７は、例えば、イメージセンサ２の矩形状の外形に沿うように２次元的に格子点状に配置される（図２参照）。電極端子７は、例えばニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等のメッキにより形成されている。電極端子７に対して、電極パッド６が電気的に接続されている。

電極パッド６は、不図示の配線部により電極端子７に接続されている。電極パッド６は、例えば、イメージセンサ２において裏面２ｂ側から形成された貫通ビア（TSV：Through Silicon Via）に埋め込むように形成された配線層を介して、電極端子７に接続されている。

貫通ビアに対して設けられた配線層は、例えば銅（Ｃｕ）等の低抵抗金属材料により形成されている。配線層は、貫通ビア内に配されて電極パッド６の裏面側に接続された孔内配線部と、孔内配線部から延出して裏面２ｂに沿うように形成され電極端子７に接続された平面状配線部とを有する。なお、配線層は、イメージセンサ２をなすシリコン基板との間に絶縁膜を介在させる。

また、イメージセンサ２の裏面２ｂ側には、電極端子７を露出させながら裏面２ｂ全体をカバーするように、絶縁性の樹脂からなる不図示のソルダーレジスト（ソルダーマスク）が形成されている。ソルダーレジストは、貫通ビア内に埋め込まれ、配線層を覆うように形成される。

以上のような構成を備えた固体撮像装置１においては、イメージセンサ２を実装するための外部接続端子として、複数の柱状端子１０が設けられている。柱状端子１０は、板状のリードフレームを加工することにより形成されたものである。

柱状端子１０は、イメージセンサ２の板厚方向を中心軸方向とする略筒状の外形を有する部分であり、イメージセンサ２の裏面２ｂ側に設けられた各電極端子７から突出した状態で設けられている。柱状端子１０は、その中心軸を回転軸とした略回転体の形状を有する。

柱状端子１０は、半田部９を介して、電極端子７に電気的に接続されている。半田部９は、円形の層部分であり、電極端子７と略同じ大きさを有する。

柱状端子１０は、柱状端子１０の基端側（イメージセンサ２側）の端部をなす基端側端子部１１と、柱状端子１０の先端側の端部をなす先端側端子部１２と、基端側端子部１１と先端側端子部１２との間の部分であって柱状端子１０の本体部分をなす端子本体部１３とを有する。

基端側端子部１１および先端側端子部１２は、いずれも電極端子７に対応して円形の薄層状の部分として形成されている。基端側端子部１１および先端側端子部１２は、例えばニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等のメッキにより形成されている。基端側端子部１１が、半田部９を介して電極端子７の接続を受ける部分となる。すなわち、柱状端子１０は、電極端子７に対して基端側端子部１１を対向させており、電極端子７と基端側端子部１１との間に電気的な接続部として半田部９を介在させている。

端子本体部１３は、柱状端子１０の大部分を構成する柱状の部分である。端子本体部１３は、基端側端子部１１に対する接合面である上面１３ａの形状・寸法を、基端側端子部１１の下面１１ｂに略一致させており、先端側端子部１２に対する接合面である下面１３ｂの形状・寸法を、先端側端子部１２の上面１２ｂに略一致させている。

端子本体部１３は、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金等、抵抗値が低く高速信号の伝送に有利な低抵抗金属材料により形成されている。なお、端子本体部１３の材料としては、銅等のほか、例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、チタンタングステン合金（ＴｉＷ）、ポリシリコン等が挙げられる。

端子本体部１３は、上側（基端側）の略半分の部分を基端側部１４とし、下側（先端側）の略半分の部分を先端側部１５としている。基端側部１４および先端側部１５は、それぞれ、上下方向について両端部から中央部にかけて外径を徐々に小さくした中細りの形状を有する。したがって、柱状端子１０の縦断面視において、基端側部１４の外周面である上部外周面１４ａ、および先端側部１５の外周面である下部外周面１５ａの各外周面は、柱状端子１０の中心軸側を凸側とした凹状の曲線をなす。

このように上部および下部のそれぞれを中細り形状とした端子本体部１３においては、基端側部１４と先端側部１５の境界部に、柱状端子１０の縦断面視で径方向外側を凸側とした山形状をなす拡径部１６が形成されている。拡径部１６は、柱状端子１０の中心軸回りに円形状に沿う稜線１６ａを形成している。

以上のように、固体撮像装置１は、半導体素子であるイメージセンサ２を含む半導体基体１Ａと、リードフレームの一部により形成された柱状端子１０とを備える。本実施形態において、半導体基体１Ａは、イメージセンサ２の表面２ａ側にリブ部４を介してガラス３を設けた構造体であり、一側の面であるイメージセンサ２の裏面２ｂに外部接続用の複数の電極端子７を有する。そして、柱状端子１０は、半導体基体１Ａに対して各電極端子７から突出するように設けられている。

また、柱状端子１０に関し、電極端子７に対する柱状端子１０の接合面は、柱状端子１０の先端側の端面よりも大きくなっている。本実施形態では、柱状端子１０の電極端子７に対する接合面は、基端側端子部１１の上面１１ａであり、柱状端子１０の先端側の端面は、先端側端子部１２の下面１２ａである。

基端側端子部１１および先端側端子部１２は、いずれもメッキにより形成された薄膜状の部分であり、各端子部の両面は実質的に同一の大きさである。したがって、基端側端子部１１の上面１１ａと先端側端子部１２の下面１２ａの大小関係によると、柱状端子１０においては、基端側端子部１１の面積が、先端側端子部１２の面積よりも大きくなっている。

このような端子部同士の大小関係によれば、基端側端子部１１および先端側端子部１２は、いずれも円形状を有し互いに同心配置された部分であるため、柱状端子１０の軸方向視において、基端側端子部１１は、その周縁部を先端側端子部１２の外側に円環状にはみ出させることになる。あくまでも一例であるが、基端側端子部１１は、その直径Ｄ１が先端側端子部１２の直径Ｄ２の１．５～２倍の大きさとなるように形成される。

以上のような構成を備えた固体撮像装置１は、図３に示すように、柱状端子１０を接続端子として実装基板２０に実装される。実装基板２０は、例えば、インターポーザ基板や、半導体チップのベアチップ実装を受ける半導体パッケージの基板等である。実装基板２０は、固体撮像装置１の接続を受ける側の板面である実装面２０ａに、ランド電極２１を有する。

ランド電極２１は、柱状端子１０の接合を受ける導電体である。ランド電極２１は、例えば、銅（Ｃｕ）を材料として形成されており、円形状または矩形状を有する。ランド電極２１は、例えば電極端子７と略同じ大きさを有する。ランド電極２１は、実装基板２０の実装面２０ａにおいて、固体撮像装置１が有する複数の柱状端子１０の配置に対応した位置に設けられている。複数のランド電極２１は、実装基板２０に設けられた所定の配線により互いに接続されている。

柱状端子１０は、半田によりランド電極２１に接合されている。このため、柱状端子１０とランド電極２１との間には、半田部２５が存在する。半田部２５は、柱状端子１０およびランド電極２１に対する半田の濡れ性により、所定の隙間を隔てて対向した基端側端子部１１とランド電極２１の間を埋めるとともに、下広がりの形状をなしながら柱状端子１０の下部を被覆している。詳細には、半田部２５は、柱状端子１０とランド電極２１との間に介在する端子間介在部２５ａと、端子間介在部２５ａの外側の下端外周部２５ｂと、下端外周部２５ｂから柱状端子１０の下部の周面に沿って上側に延びた筒状の周壁部２５ｃとを有する。

以上のような柱状端子１０による固体撮像装置１の実装態様によれば、イメージセンサ２の電極端子７と実装基板２０のランド電極２１との間の電気的な接続部として、上下の中間部に対して上下の両端側を拡径させた形態を有する導体部が形成されている。すなわち、この導体部は、電極端子７とランド電極２１とを繋ぐ部分であって、半田部９、柱状端子１０、および半田部２５からなる柱状の部分であり、縦断面視において、拡径部１６を中心として略上下対称の形状を有する。

＜２．第１実施形態に係る半導体装置の製造方法＞
本技術の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図４、図５および図６を参照して説明する。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、主に、固体撮像装置１が有する柱状端子１０を形成する方法であり、リードフレームによるパッケージ端子の形成方法である。

本実施形態の固体撮像装置１の製造方法は、大きく分けると次のような工程を備える。すなわち、固体撮像装置１の製造方法は、リードフレームを準備する工程と、準備したリードフレームに所定の加工を施して、あるいは加工せずにそのままの状態で、イメージセンサ２を含む半導体装置本体に実装する工程と、半導体装置本体に実装したリードフレームに所定の加工を施すことで柱状端子１０を形成する工程とを備える。本実施形態の固体撮像装置１の製造方法について詳細に説明する。

固体撮像装置１の製造方法においては、図４Ａに示すように、まず、リードフレーム３０を準備する工程が行われる。リードフレーム３０は、全体として板状の部材であり、板状のフレーム本体部３３と、フレーム本体部３３の両側の板面に形成された複数の端子部としてのメッキ端子部３１，３２とを有する。

フレーム本体部３３は、銅（Ｃｕ）や銅合金等、抵抗値が低く高速信号の伝送に有利な低抵抗金属材料により形成されている。フレーム本体部３３は、例えばイメージセンサ２またはガラス３と同程度の板厚を有する。フレーム本体部３３は、柱状端子１０において端子本体部１３を形成する部分となる。フレーム本体部３３は、一方の板面を、半導体装置本体側に対向する対向面３３ａとし、その反対側の他方の板面を反対向面３３ｂとする。

メッキ端子部３１，３２は、例えばニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等のメッキにより、円形の薄層状の部分として形成されている。メッキ端子部３１，３２のうち、フレーム本体部３３の対向面３３ａ側に設けられた第１メッキ端子部３１は、柱状端子１０において基端側端子部１１を形成する部分となる。また、メッキ端子部３１，３２のうち、フレーム本体部３３の反対向面３３ｂ側に設けられた第２メッキ端子部３２は、柱状端子１０において先端側端子部１２を形成する部分となる。

メッキ端子部３１，３２は、フレーム本体部３３の両側の板面に板面視で少なくとも一部同士を重ねるように対で設けられている。すなわち、第１メッキ端子部３１および第２メッキ端子部３２は、リードフレーム３０の板面視において、対応するメッキ端子部３１，３２同士で少なくとも一部同士を重複させるように設けられている。

本実施形態では、メッキ端子部３１，３２は、いずれも円形状のメッキ部であり、リードフレーム３０の板面に垂直な方向を中心軸方向として同心配置されている。また、メッキ端子部３１，３２は、第１メッキ端子部３１の外径が第２メッキ端子部３２の外径よりも大きくなるように形成されている。複数のメッキ端子部３１，３２は、イメージセンサ２が有する複数の電極端子７に対応するように、例えば２次元的に格子点状に配置されている。

リードフレーム３０を準備する工程は、フレーム本体部３３に対するメッキにより、複数のメッキ端子部３１，３２を形成する工程を含む。そして、複数のメッキ端子部３１，３２を形成する工程では、フレーム本体部３３の対向面３３ａに形成するメッキ端子部３１が、フレーム本体部３３の反対向面３３ｂに形成する第２メッキ端子部３２よりも大きく形成される。メッキ端子部３１，３２は、フォトリソグラフィ等を用いた公知のパターニング技術により、所定の形状パターンのメッキ部分として形成することができる。

また、固体撮像装置１の製造方法においては、ウェーハ状態のＷＬ－ＣＳＰであるウェーハＣＳＰ４０を準備する工程が行われる。ウェーハＣＳＰ４０は、固体撮像装置１の半導体基体１Ａの集合状態のものであり、図６に示すように、例えば半導体基板であるシリコンウェーハの形状に対応して円板形状を有する。

図４Ｃおよび図６に示すように、ウェーハＣＳＰ４０は、イメージセンサ２を形成するための各種工程を経たシリコンウェーハ４２に対し、リブ部４となる壁部４４を介して、ガラス３となる円形状のガラス板４３を貼り付けた構成を有する。シリコンウェーハ４２は、イメージセンサ２となる部分が所定の配列で複数形成された半導体ウェーハである。シリコンウェーハ４２のガラス板４３側と反対側の板面４２ｂには、外部接続端子となる複数の電極端子７が所定の配列で形成されている。

シリコンウェーハ４２に対し、壁部４４の形成、およびガラス板４３の貼付けが行われる。ここでは、シリコンウェーハ４２の表面４２ａに壁部４４を形成した後、ガラス板４３を貼り付けてもよく、ガラス板４３側に予め壁部４４を形成したものを、シリコンウェーハ４２の表面４２ａに貼り付けてもよい。

ガラス板４３は、透光性を有する板材の一例である。壁部４４は、各イメージセンサ２の画素領域を囲むように所定の配列に沿って形成される。壁部４４は、最終的に固体撮像装置１となる矩形状の領域に対応して、平面視で所定の幅を持って格子状に形成される。壁部４４の形成方法としては、例えば、フォトリソグラフィを用いたパターニング、スクリーン印刷、エッチング、ディスペンサによる塗布等が用いられる。壁部４４を介してシリコンウェーハ４２とガラス板４３を接合することで、各固体撮像装置１においてキャビティ５となる空間部４５が形成される。

このように、本実施形態では、リードフレーム３０の実装を受ける半導体装置本体として、集合状態で形成された複数のイメージセンサ２を含む一体の板状体であるウェーハＣＳＰ４０が用いられる。

次に、図４Ｂに示すように、リードフレーム３０に対し、フレーム本体部３３の対向面３３ａ側から、片面ハーフエッチングが行われる。ここでは、フレーム本体部３３の対向面３３ａ側に対する第１メッキ端子部３１をマスクとしたエッチングにより、フレーム本体部３３をその板厚方向について部分的に除去する工程が行われる。

本工程は、リードフレームをウェーハＣＳＰ４０に実装する工程の前に行われる。このハーフエッチングの工程では、ドライエッチングあるいはウエットエッチングにより、フレーム本体部３３が、第１メッキ端子部３１の形成部位以外の部分について、元の厚さの半分程度の厚さとなるように対向面３３ａ側から薄くされる。

本工程により、図４Ｂに示すように、リードフレーム３０において、第１メッキ端子部３１の形成部位が、第１メッキ端子部３１の非形成部位に対して相対的に突出し、第１メッキ端子部３１を端面部とする突起部３４が形成される。すなわち、リードフレーム３０は、反対向面３３ｂを保持するとともにフレーム本体部３３の元の板厚に対して略半分の板厚となった薄板部３５により、複数の突起部３４を繋げた態様をなす。本工程のエッチングにより、柱状端子１０において基端側部１４の上部外周面１４ａとなる面が、突起部３４の外周面３４ａとして形成される。

ハーフエッチングの工程の後に、図４Ｃに示すように、エッチングを受けたリードフレーム３０をイメージセンサ２に対応した複数のチップに個片化する工程が行われる。

この個片化の工程では、リードフレーム３０が、格子状の所定のダイシングラインに沿ってダイシングされ、シリコンウェーハ４２に形成された各イメージセンサ２に対応する個片に分割される。本工程により、リードフレーム３０は、複数のリードフレーム片３０Ｘに分割される。リードフレーム片３０Ｘは、固体撮像装置１のサイズに対応した大きさの矩形板状のチップとなる（図６参照）。

次に、図４Ｄに示すように、ウェーハＣＳＰ４０に対して、複数のリードフレーム片３０Ｘを実装する工程が行われる。すなわち、各リードフレーム片３０Ｘの第１メッキ端子部３１を、ウェーハＣＳＰ４０の端子である電極端子７に接合することで、リードフレーム片３０ＸをウェーハＣＳＰ４０に実装する工程が行われる。

本工程では、まず、リードフレーム片３０Ｘの第１メッキ端子部３１、および電極端子７の少なくともいずれか一方に対して、印刷等の方法でフラックス入りの半田ペーストが塗布される。その後、複数のリードフレーム片３０Ｘが、ウェーハＣＳＰ４０に対して、チップマウンタ等によって、各第１メッキ端子部３１が電極端子７に対応する所定の位置に搭載され、所定の温度でリフローが行われる。

本工程によれば、複数のリードフレーム片３０Ｘが、半田ペーストが固化した半田部９を介して、各第１メッキ端子部３１を電極端子７に接合させた状態となる。このように、本実施形態では、リードフレーム３０を実装する工程は、リードフレーム３０を個片化した複数のチップであるリードフレーム片３０ＸをウェーハＣＳＰ４０にリフロー実装する（図６参照）。図６は、本実施形態でのリードフレーム３０の搭載イメージを示している。

図４Ｄに示すように、リードフレーム片３０Ｘは、突起部３４の突出形状により、薄板部３５をシリコンウェーハ４２に対して離した状態となる。すなわち、複数のリードフレーム片３０ＸがウェーハＣＳＰ４０に実装された状態において、リードフレーム片３０Ｘとシリコンウェーハ４２との間に空間部３６が形成される。

続いて、図５Ａに示すように、リードフレーム片３０ＸとウェーハＣＳＰ４０との間の空間である空間部３６に、絶縁性を有する流動体であるレジスト３７を充填する工程が行われる。このレジスト３７を充填する工程は、リードフレーム３０を実装する工程の後、かつ柱状端子１０を形成する工程の前に行われる。

レジスト３７は、所定の感光性材料からなるフォトレジストである。レジスト３７は、例えば、ディスペンサのノズルから吐出され、隣り合うリードフレーム片３０Ｘ間の隙間３０Ｙ（図４Ｄ参照）から、リードフレーム片３０Ｘとシリコンウェーハ４２との間の隙間である空間部３６を埋めるように塗布される。レジスト３７は、毛細管現象等により流動して空間部３６内に充填される。このように、本実施形態では、リードフレーム片３０Ｘとシリコンウェーハ４２との間の隙間を埋める流動体として、レジスト３７が用いられている。

次に、図５Ｂに示すように、ウェーハＣＰＳ４０に実装されたリードフレーム片３０Ｘに対し、反対向面３３ｂ側からエッチングが行われる。すなわち、フレーム本体部３３の反対向面３３ｂの第２メッキ端子部３２をマスクとしたエッチングにより、リードフレーム片３０Ｘのフレーム本体部３３を部分的に除去することで、電極端子７から突出した柱状端子１０を形成する工程が行われる。

この反対面エッチングの工程では、ドライエッチングあるいはウエットエッチングにより、各リードフレーム片３０Ｘにおいて、フレーム本体部３３のうちの薄板部３５が除去される。すなわち、リードフレーム３０がまだエッチングを受けていない反対面側からのエッチングにより、複数の突起部３４を繋ぐ部分が除去される。

本工程により、図５Ｂに示すように、薄板部３５が除去されることで、リードフレーム片３０Ｘのフレーム本体部３３のうち、第１メッキ端子部３１と第２メッキ端子部３２の間の部分が柱状部３８として残る。すなわち、リードフレーム片３０Ｘのフレーム本体部３３が、上下のメッキ端子部３１，３２間に残存した複数の柱状部３８に分離した状態となる。

この上下のメッキ端子部３１，３２および柱状部３８によって形成された柱状の部分が、半田部９を介して電極端子７上に立設された柱状端子１０となる。本工程のエッチングにより、柱状端子１０において先端側部１５の下部外周面１５ａとなる面が、柱状部３８の第２メッキ端子部３２側の部分の外周面３８ａとして形成される。すなわち、第１メッキ端子部３１が基端側端子部１１となり、第２メッキ端子部３２が先端側端子部１２となり、柱状部３８が端子本体部１３となり、柱状端子１０が形成される。

次に、図５Ｃに示すように、レジスト３７を除去する工程が行われる。ここでは、例えば専用の剥離液やリンス液等が用いられ、シリコンウェーハ４２上に残存するレジスト３７が除去される。これにより、柱状端子１０の全体が露出した状態となる。

以上の工程を経た後、図５Ｄに示すように、柱状端子１０が形成された状態のウェーハＣＳＰ４０をダイシングして個片化する工程が行われる。この工程では、柱状端子１０が形成されたシリコンウェーハ４２、壁部４４、およびガラス板４３が、イメージセンサ２の配列に対応した格子状の所定のダイシングラインに沿ってダイシングブレードにより切断されて個片化される。

このダイシングの工程により、複数の固体撮像装置１が得られる。すなわち、シリコンウェーハ４２が複数のイメージセンサ２に分離され、ガラス板４３が複数のガラス３に分離され、壁部４４が複数のリブ部４に分離され、イメージセンサ２とガラス３との間にキャビティ５をなすとともに各電極端子７に対して形成された柱状端子１０を有する複数の固体撮像装置１が得られる。

以上のような本実施形態に係る固体撮像装置１およびその製造方法によれば、比較的短時間で安価に外部接続端子を形成することができるとともに、実装基板２０に対する実装信頼性を向上することができる。

外部接続端子の形成に関し、例えばメッキの積み上げによって外部接続端子としての柱状の金属端子を形成する場合、工程数が多くなり、柱状の金属端子の高さが高いほど時間とコストが増大する。一方で、柱状の金属端子の高さが十分でない場合（例えば数１０μｍの場合）、金属端子が、イメージセンサ２の材料と実装基板２０の材料との線膨張係数の差に起因して生じる応力を吸収しきれないため、十分な基板実装信頼性を得ることが困難となる。

これに対し、本実施形態に係る固体撮像装置１は、外部接続端子として、金属製のリードフレーム３０に対してエッチング等の加工を施すことにより形成された柱状端子１０を備える。このため、外部接続端子をエッチング工法によって一括して安価かつ短時間で形成することができる。

また、本技術によれば、柱状端子１０の高さは、リードフレーム３０の板厚（例えば１５０～２００μｍ程度）となるため、柱状端子１０の高さを容易に確保することができる。これにより、複数の柱状端子１０を、半導体基体１Ａと実装基板２０との間において緩衝部として作用させることができ、イメージセンサ２の材料と実装基板２０の材料との線膨張係数の差に起因して生じる応力を吸収することができる。結果として、固体撮像装置１の基板実装信頼性を大幅に向上させることができる。

また、本実施形態に係る製法は、リードフレーム３０に対し、一側からのハーフエッチングと反対側からのエッチングとの２段階のエッチングを施すことにより、柱状端子１０を形成している。また、本実施形態に係る製法は、ウェーハＣＳＰ４０にリードフレーム片３０Ｘを実装した後に空間部３６内にレジスト３７を充填する工程を有する。このような製法によれば、リードフレーム３０の両面側からの２段階のエッチングの作用として、柱状端子１０において端子本体部１３に拡径部１６を形成することができる。これにより、柱状端子１０の強度を向上させることができる。

また、本実施形態に係る製法は、リードフレーム３０の実装を受ける構成を、ウェーハ状態のウェーハＣＳＰ４０とし、ウェーハＣＳＰ４０に対して、リードフレーム３０を個片化したリードフレーム片３０Ｘを実装する。このような製法によれば、空間部３６内にレジスト３７を充填させるに際し、隣り合うリードフレーム片３０Ｘ間の隙間３０Ｙを利用することができるので、レジスト３７を容易に充填させることができる。これにより、固体撮像装置１の生産効率を向上することが可能となる。

また、本実施形態に係る製法は、空間部３６に充填させる流動体として、レジスト３７を用いている。このような製法によれば、流動体について、空間部３６に充填させるために適した性質（例えば流動性や浸透性等）を有する材料の選択を比較的容易に行うことが可能となる。

また、本実施形態では、リードフレーム３０において、第１メッキ端子部３１が、第２メッキ端子部３２よりも大きく形成され、柱状端子１０は、電極端子７に対する接合面をなす基端側端子部１１を、先端面をなす先端側端子部１２に対して大きくした構成を有する。

このような構成によれば、イメージセンサ２の電極端子７と実装基板２０のランド電極２１とを接続させる導体部について、強度を向上することができる。具体的には、図３に示すように、固体撮像装置１を実装基板２０に実装した状態において、柱状端子１０に対して濡れ上がった半田部２５を含む導体部を全体的に略上下対称の形状とすることができる。これにより、導体部について上下の断面サイズをバランスさせることができ、導体部を破壊しにくい構造とすることができる。

＜３．第１実施形態に係る半導体装置の変形例＞
リードフレーム３０において、第１メッキ端子部３１および第２メッキ端子部３２のメッキの形成パターンを工夫することで、リードフレーム３０の一部により、種々の機能部を形成したり、柱状端子１０の形状を調整したりすることができる。以下では、固体撮像装置１の変形例として、リードフレーム３０によって形成される各種機能部のバリエーションおよび柱状端子１０の他の形状について説明する。

（変形例１）
図７Ａおよび図７Ｂに示すように、変形例１では、固体撮像装置１は、リードフレーム３０の一部により形成された機能部として、半導体基体１Ａの一側の面に設けられた放熱用パッド５０を備える。図７Ａおよび図７Ｂに示す例では、放熱用パッド５０は、イメージセンサ２の裏面２ｂの中央部に、複数の柱状端子１０とともに、矩形状の突出部分として設けられている。

放熱用パッド５０は、柱状端子１０と同様の層構造を有する。すなわち、放熱用パッド５０は、柱状端子１０の層構造に対応して、基端側端子部１１と同じ層部分である第１層部５１と、先端側端子部１２と同じ層部分である第２層部５２と、これらの層部の間の部分であって端子本体部１３と同じ層部分である中間層部５３とを有する。第１層部５１および第２層部５２は、平面的に互いに略同じ大きさを有し、平面視で重なるように設けられている。

放熱用パッド５０は、例えば電極端子７と同じ層部分としてイメージセンサ２の裏面２ｂ側に形成された矩形状のパッド接続部５７に、半田部５９を介して接続されている。パッド接続部５７は、放熱用パッド５０の平面視の形状・寸法に整合するように形成されている。

放熱用パッド５０の中間層部５３は、四方の外周側面部において、縦断面視で凹状の曲線をなす上部外周面５３ａおよび下部外周面５３ｂを有する。上部外周面５３ａおよび下部外周面５３ｂは、上下それぞれの略半分の部分の外周面であり、柱状端子１０の上部外周面１４ａおよび下部外周面１５ａと同様に、リードフレーム３０の両面側からのエッチングの作用として形成される。上部外周面５３ａおよび下部外周面５３ｂにより、外周側に凸の稜線部５６が中間層部５３の全周にわたって形成されている。

変形例１の構成の製造には、リードフレーム３０として、図８Ａおよび図８Ｂに示す放熱用パッド５０形成用のリードフレーム３０Ａが用いられる。

図８Ａおよび図８Ｂに示すように、リードフレーム３０Ａは、第１メッキ端子部３１が形成されるフレーム本体部３３の対向面３３ａに、第１メッキ端子部３１と共通のメッキ層部分として、第１メッキ層部６１を有する。第１メッキ層部６１は、放熱用パッド５０において第１層部５１となる部分である。第１メッキ層部６１は、第１メッキ端子部３１を形成する工程において、メッキのパターン形状として、第１メッキ端子部３１と同時的に形成される。

リードフレーム３０Ａは、第２メッキ端子部３２が形成されるフレーム本体部３３の反対向面３３ｂに、第２メッキ端子部３２と同様のメッキ層部分として、第２メッキ層部６２を有する。第２メッキ層部６２は、放熱用パッド５０において第２層部５２となる部分である。第２メッキ層部６２は、第２メッキ端子部３２を形成する工程において、メッキのパターン形状として、第２メッキ端子部３２と同時的に形成される。

第１メッキ層部６１および第２メッキ層部６２は、フレーム本体部３３の板面視で互いに外形を一致させるように形成されている。フレーム本体部３３のうち、第１メッキ層部６１と第２メッキ層部６２に挟まれた部分により、放熱用パッド５０の中間層部５３が形成される。

以上のような構成を有するリードフレーム３０Ａが用いられ、上述した本実施形態の製法と同様の製法が行われることで、放熱用パッド５０を備えた変形例１の構成が得られる。

変形例１の構成によれば、リードフレーム３０Ａにより、放熱用パッド５０を、複数の柱状端子１０とともに同時的に形成することが可能となる。これにより、放熱板やヒートシンク等の放熱用の部品を別途設けることなく、低コストかつ簡略な製法により、半導体基体１Ａに対して放熱部を設けることができる。これにより、イメージセンサ２の発熱への対応を容易に行うことができる。

（変形例２）
図９Ａおよび図９Ｂに示すように、変形例２では、固体撮像装置１は、リードフレーム３０の一部により形成された機能部として、半導体基体１Ａの一側の面に設けられた補強部７０を備える。図９Ａおよび図９Ｂに示す例では、補強部７０は、イメージセンサ２の裏面２ｂの周縁部に沿う枠状の突出部分として設けられている。

補強部７０は、底面視形状として、イメージセンサ２の長手方向（図９Ｂにおける左右方向）に沿う一対の長辺部７０ａと、イメージセンサ２の短手方向（図９Ｂにおける上下方向）に沿う一対の短辺部７０ｂとを有する。補強部７０は、これら４つの辺部により、イメージセンサ２の外形に沿った矩形枠状の部分として形成されている。

補強部７０は、柱状端子１０の上半部と同様の層構造を有する。すなわち、補強部７０は、柱状端子１０の上半部の層構造に対応して、基端側端子部１１と同じ層部分である第１層部７１と、端子本体部１３の上半部と同じ層部分である第２層部７３とを有する。

補強部７０は、例えば電極端子７と同じ層部分としてイメージセンサ２の裏面２ｂ側に形成された矩形枠状の補強枠接続部７７に、半田部７９を介して接続されている。補強枠接続部７７は、補強部７０の平面視の形状・寸法に整合するように形成されている。

補強部７０は、下側の端面を、フレーム本体部３３により形成された第２層部７３の下面７３ｃとしている。また、第２層部７３は、四方の内周側面部において、縦断面視で凹状の曲線をなす内周面７３ａを有する。内周面７３ａは、柱状端子１０の上部外周面１４ａと同様に、リードフレーム３０のハーフエッチングの作用として形成される。

変形例２の構成の製造には、リードフレーム３０として、図１０Ａおよび図１０Ｂに示す補強部７０形成用のリードフレーム３０Ｂが用いられる。

図１０Ａおよび図１０Ｂに示すように、リードフレーム３０Ｂは、第１メッキ端子部３１が形成されるフレーム本体部３３の対向面３３ａに、第１メッキ端子部３１と共通のメッキ層部分として、第１メッキ層部８１を有する。第１メッキ層部８１は、補強部７０において第１層部７１となる部分である。

第１メッキ層部８１は、最終的に固体撮像装置１となる矩形状の領域に対応して、平面視で所定の幅を持って格子状に形成される。すなわち、第１メッキ層部８１は、互いに直交して格子状をなす複数の直線状の部分として、イメージセンサ２の長手方向に対応する方向に沿う第１直線部８１ａと、イメージセンサ２の短手方向に対応する方向に沿う第２直線部８１ｂａとを有する。

第１メッキ層部８１によって囲まれた領域内に、第１メッキ端子部３１が形成されている。第１メッキ層部８１は、第１メッキ端子部３１を形成する工程において、メッキのパターン形状として、第１メッキ端子部３１と同時的に形成される。

リードフレーム３０Ｂにおいて、第２メッキ端子部３２が形成されるフレーム本体部３３の反対向面３３ｂのうち、第１メッキ層部８１の反対側の領域部分は、メッキ層部の非形成部位となる。すなわち、フレーム本体部３３において、第１メッキ層部８１の反対側には、第２メッキ端子部３２その他のメッキ層部が形成されていない。

以上のような構成を有するリードフレーム３０Ｂが用いられ、上述した本実施形態の製法と同様の製法が行われることで、補強部７０を備えた変形例２の構成が得られる。

変形例２の構成の場合、ハーフエッチングの工程（図４Ｂ参照）において、第１メッキ層部８１がマスクとして機能し、フレーム本体部３３により、第２層部７３となる部分が格子状に相対的に突出した部分として形成される。その後、リードフレーム３０Ｂを個片化する工程（図４Ｃ参照）により、各リードフレーム片３０Ｘにおいて、第２層部７３となる部分が矩形枠状の突出部分となる。

そして、反対面エッチングの工程（図５Ｂ参照）により、フレーム本体部３３のうち、第１メッキ層部８１の形成部位に対応する部分が、略半分の厚さとなるように部分的に除去される。これにより、下面７３ｃをなす矩形枠状の第２層部７３が形成され、補強部７０が形成される。

変形例２の構成によれば、リードフレーム３０Ｂにより、補強部７０を、複数の柱状端子１０とともに同時的に形成することが可能となる。これにより、補強用の部品を別途設けることなく、低コストかつ簡略な製法により、半導体基体１Ａに対して補強構造部を設けることができる。これにより、固体撮像装置１の強度の確保を容易に行うことができ、パッケージの剛性を向上させることができ、反り等の変形を抑制することができる。なお、補強部７０としては、枠形状の部分に限らず、例えば直線状の部分や曲線状の部分等であってもよい。

（変形例３）
図１１Ａおよび図１１Ｂに示すように、変形例３では、固体撮像装置１は、リードフレーム３０の一部により形成された機能部として、半導体基体１Ａの一側の面に設けられたＧＮＤ（グランド）プレーン９０を備える。すなわち、リードフレーム３０により形成された層部分の一部が、ＧＮＤプレーン９０を含むＧＮＤ層となっている。図１１Ａおよび図１１Ｂに示す例では、ＧＮＤプレーン９０は、イメージセンサ２の裏面２ｂの周縁部に沿う枠状の突出部分として設けられている。

ＧＮＤプレーン９０は、底面視形状として、イメージセンサ２の長手方向（図１１Ｂにおける左右方向）に沿う一対の長辺部９０ａと、イメージセンサ２の短手方向（図１１Ｂにおける上下方向）に沿う一対の短辺部９０ｂとを有する。ＧＮＤプレーン９０は、これら４つの辺部により、イメージセンサ２の外形に沿った矩形枠状の部分として形成されている。

ＧＮＤプレーン９０は、柱状端子１０の上半部と同様の層構造を有する。すなわち、ＧＮＤプレーン９０は、柱状端子１０の上半部の層構造に対応して、基端側端子部１１と同じ層部分である第１層部９１と、端子本体部１３の上半部と同じ層部分である第２層部９３とを有する。

ＧＮＤプレーン９０は、例えば電極端子７と同じ層部分としてイメージセンサ２の裏面２ｂ側に形成された矩形枠状のＧＮＤプレーン接続部９７に、半田部９９を介して接続されている。ＧＮＤプレーン接続部９７は、ＧＮＤプレーン９０の平面視の形状・寸法に整合するように形成されている。

ＧＮＤプレーン９０は、下側の端面を、フレーム本体部３３により形成された第２層部９３の下面９３ｃとしている。また、第２層部９３は、四方の内周側面部において、縦断面視で凹状の曲線をなす内周面９３ａを有する。内周面９３ａは、柱状端子１０の上部外周面１４ａと同様に、リードフレーム３０のハーフエッチングの作用として形成される。

また、変形例３の構成においては、リードフレーム３０の一部により形成されたＧＮＤ端子１００が設けられている。ＧＮＤ端子１００は、ＧＮＤ電位の供給を受ける端子であり、ＧＮＤプレーン９０に接続されている。図１１Ａおよび図１１Ｂに示す例では、ＧＮＤ端子１００は、底面視において、枠状のＧＮＤプレーン９０に対して、短辺部９０ｂと平行状に一対の長辺部９０ａ間に橋架された態様で直線状に形成されている。また、ＧＮＤ端子１００は、イメージセンサ２の長手方向について中心に対して一側（図１１Ｂにおいて左側）寄りの位置に形成されている。

ＧＮＤ端子１００は、柱状端子１０と同様の層構造を有する。すなわち、ＧＮＤ端子１００は、柱状端子１０の層構造に対応して、基端側端子部１１と同じ層部分である第１層部１０１と、先端側端子部１２と同じ層部分である第２層部１０２と、端子本体部１３と同じ層部分である第３層部１０３とを有する。

第１層部１０１および第３層部１０３は、ＧＮＤ端子１００の直線状の形状に対応して直線状に連続した層部分として形成されている。ＧＮＤ端子１００は、第１層部１０１および第３層部１０３によりＧＮＤプレーン９０と接続されている。一方、第２層部１０２は、先端側端子部１２と同様に円形状を有し、複数の柱状端子１０の配列に対応して所定の間隔をあけて直線状に配列されている。図１１Ｂに示す例では、５つの第２層部１０２がＧＮＤ端子１００の延伸方向に沿って一列に並んで配置されている。

ＧＮＤ端子１００は、例えば電極端子７と同じ層部分としてイメージセンサ２の裏面２ｂ側に形成された直線状のＧＮＤ端子接続部１０７に、半田部１０９を介して接続されている。ＧＮＤ端子接続部１０７は、ＧＮＤ端子１００の平面視の形状・寸法に整合するように形成されている。

ＧＮＤ端子１００の第３層部１０３は、その上部の左右両側方において、縦断面視で凹状の曲線をなす上部側面１０３ａを有する。上部側面１０３ａは、柱状端子１０の上部外周面１４ａと同様に、リードフレーム３０のハーフエッチングの作用として形成される。また、第３層部１０３は、ＧＮＤプレーン９０の下面９３ｃと面一状の面である下面１０３ｃを有する。また、第３層部１０３は、第２層部１０２の形成部位を、下面１０３ｃから突出させており、その突出部の外周面を、柱状端子１０の下部外周面１５ａと同様に縦断面視で凹状の曲線をなす下部外周面１０３ｂとしている。下部外周面１０３ｂは、リードフレーム３０の反対面エッチングの作用として形成される。

変形例３の構成の製造には、リードフレーム３０として、図１２Ａおよび図１２Ｂに示すＧＮＤプレーン９０およびＧＮＤ端子１００形成用のリードフレーム３０Ｃが用いられる。

図１２Ａおよび図１２Ｂに示すように、リードフレーム３０Ｃは、第１メッキ端子部３１が形成されるフレーム本体部３３の対向面３３ａに、第１メッキ端子部３１と共通のメッキ層部分として、第１メッキ層部１１１を有する。第１メッキ層部１１１は、ＧＮＤプレーン９０において第１層部９１となる部分と、ＧＮＤ端子１００において第１層部１０１となる部分とを含む。

第１メッキ層部１１１は、ＧＮＤプレーン９０の第１層部９１となる部分として、最終的に固体撮像装置１となる矩形状の領域に対応して、平面視で所定の幅を持って格子状に形成された部分を有する。すなわち、第１メッキ層部１１１は、第１層部９１となる部分として、互いに直交して格子状をなす複数の直線状の部分として、イメージセンサ２の長手方向に対応する方向に沿う第１直線部１１１ａと、イメージセンサ２の短手方向に対応する方向に沿う第２直線部１１１ｂとを有する。また、第１メッキ層部１１１は、ＧＮＤ端子１００の第１層部１０１となる部分として、第２直線部１１１ｂと平行な直線状の第３直線部１１１ｃを有する。

第１メッキ層部１１１によって囲まれた領域内に、第１メッキ端子部３１が形成されている。第１メッキ層部１１１は、第１メッキ端子部３１を形成する工程において、メッキのパターン形状として、第１メッキ端子部３１と同時的に形成される。

リードフレーム３０Ｃにおいて、第２メッキ端子部３２が形成されるフレーム本体部３３の反対向面３３ｂのうち、第１メッキ層部１１１の第１直線部１１１ａおよび第２直線部１１１ｂの反対側の領域部分は、メッキ層部の非形成部位となる。すなわち、フレーム本体部３３において、第１直線部１１１ａおよび第２直線部１１１ｂの反対側には、第２メッキ端子部３２その他のメッキ層部が形成されていない。

一方、反対向面３３ｂにおいて、第３直線部１１１ｃの形成部位の反対側には、第２メッキ端子部３２の配列に準じた配列で、円形状の第２メッキ層部１１２が形成されている。第２メッキ層部１１２は、ＧＮＤ端子１００において第２層部１０２となる部分である。

以上のような構成を有するリードフレーム３０Ｃが用いられ、上述した本実施形態の製法と同様の製法が行われることで、ＧＮＤプレーン９０およびＧＮＤ端子１００を備えた変形例３の構成が得られる。

変形例３の構成の場合、ハーフエッチングの工程（図４Ｂ参照）において、第１メッキ層部１１１がマスクとして機能し、フレーム本体部３３により、ＧＮＤプレーン９０の第２層部９３およびＧＮＤ端子１００の第３層部１０３となる部分が格子状に相対的に突出した部分として形成される。その後、リードフレーム３０Ｃを個片化する工程（図４Ｃ参照）により、各リードフレーム片３０Ｘにおいて、ＧＮＤプレーン９０の第２層部９３となる部分が矩形枠状の突出部分となり、ＧＮＤ端子１００の第３層部１０３となる部分が直線状の突出部分となる。

そして、反対面エッチングの工程（図５Ｂ参照）により、フレーム本体部３３のうち、第１メッキ層部１１１の第１直線部１１１ａおよび第２直線部１１１ｂの形成部位に対応する部分が、略半分の厚さとなるように部分的に除去される。また、フレーム本体部３３のうち、第３直線部１１１ｃの形成部位に対応する部分については、先端側端子部１２がマスクとして機能し、第２メッキ層部１１２の非形成部位が、略半分の厚さとなるように部分的に除去され、第２メッキ層部１１２の形成部位は、突出部分として残ることになる。これにより、ＧＮＤプレーン９０の下面９３ｃをなす矩形枠状の第２層部９３、およびＧＮＤ端子１００の下面１０３ｃをなす直線状の第３層部１０３が形成され、ＧＮＤプレーン９０およびＧＮＤ端子１００が形成される。

変形例３の構成によれば、リードフレーム３０Ｃにより、ＧＮＤプレーン９０およびＧＮＤ端子１００を、複数の柱状端子１０とともに同時的に形成することが可能となる。これにより、ＧＮＤプレーンおよびＧＮＤ端子を別途設けることなく、低コストかつ簡略な製法により、半導体基体１Ａに対してＧＮＤプレーンおよびＧＮＤ端子を設けることができる。結果として、固体撮像装置１における電気信号の伝送品質を高めることができる。また、リードフレーム３０Ｃにおけるメッキのパターン形状をＧＮＤプレーン９０およびＧＮＤ端子１００の形状として反映させることができるため、ＧＮＤプレーン９０およびＧＮＤ端子１００の形状について高い自由度を得ることができる。

（変形例４）
図１３Ａおよび図１３Ｂに示すように、変形例４では、固体撮像装置１は、半導体基体１Ａの一側の面に設けられた第２の半導体素子である内蔵チップ１２５を備える。内蔵チップ１２５は、例えば所定の集積回路を有するロジックチップやメモリチップ等の半導体チップである。

図１３Ａおよび図１３Ｂに示す例では、内蔵チップ１２５は、矩形板状の外形を有し、半田や接着剤による所定の接続層１２５ａを介して、イメージセンサ２の裏面２ｂの中央部に実装される。内蔵チップ１２５は、例えば、ウェーハＣＳＰ４０に対してリードフレーム３０をリフロー実装する工程において、リードフレーム３０とともに、シリコンウェーハ４２における所定の部位に実装される。なお、内蔵チップ１２５は、リードフレーム３０の実装工程に際して事前に実装されていてもよい。

このように内蔵チップ１２５を有する固体撮像装置１は、リードフレーム３０の一部により形成された機能部として、半導体基体１Ａの一側の面に内蔵チップ１２５を覆うように設けられたシールド部１２０を備える。シールド部１２０は、イメージセンサ２の裏面２ｂの中央部に、複数の柱状端子１０とともに、矩形状に突出したカバー部分として設けられている。

シールド部１２０は、イメージセンサ２の裏面２ｂと平行状に設けられた矩形状の平面部１２０ａと、平面部１２０ａの外形に沿うように設けられた周壁部１２０ｂとを有する。平面部１２０ａは、内蔵チップ１２５を下側から覆っている。周壁部１２０ｂは、イメージセンサ２の長手方向に沿う一対の長手状壁部と、イメージセンサ２の短手方向に沿う一対の短手状壁部とを有し、これらの壁部によって内蔵チップ１２５を四方から囲んでいる。シールド部１２０は、平面部１２０ａおよび周壁部１２０ｂにより扁平な箱状をなし、イメージセンサ２の裏面２ｂとともに、内蔵チップ１２５を収容した空間部１２０ｃを形成している。

シールド部１２０は、柱状端子１０と同様の層構造を有する。すなわち、シールド部１２０は、柱状端子１０の層構造に対応して、基端側端子部１１と同じ層部分である第１層部１２１と、先端側端子部１２と同じ層部分である第２層部１２２と、これらの層部の間の部分であって端子本体部１３と同じ層部分である中間層部１２３とを有する。

第１層部１２１は、所定の幅で形成された一対の長辺部および一対の短辺部を有し、これらの辺部によってシールド部１２０の外形に対応した矩形枠状をなしている。第２層部１２２は、シールド部１２０の下面部をなし、シールド部１２０の外形に対応した矩形状を有する。

中間層部１２３は、シールド部１２０の外形に対応した矩形板状の底面部１２３ｐと、底面部１２３ｐの外縁に沿って全周にわたって矩形枠状に突出形成された突縁部１２３ｑとを有する。突縁部１２３ｑの上側に、第１層部１２１が形成されており、底面部１２３ｐの下側に、第２層部１２２が形成されている。底面部１２３ｐは、第２層部１２２とともにシールド部１２０の平面部１２０ａをなす部分であり、突縁部１２３ｑは、第１層部１２１とともにシールド部１２０の周壁部１２０ｂをなす部分である。

シールド部１２０は、例えば電極端子７と同じ層部分としてイメージセンサ２の裏面２ｂ側に形成された矩形枠状のパッド接続部１２７に、半田部１２９を介して接続されている。パッド接続部１２７は、シールド部１２０の第１層部１２１の形状・寸法に整合するように形成されている。

シールド部１２０の中間層部１２３は、四方の外周側面部において、縦断面視で凹状の曲線をなす上部外周面１２３ａおよび下部外周面１２３ｂを有する。上部外周面１２３ａおよび下部外周面１２３ｂは、上下それぞれの略半分の部分の外側面であり、柱状端子１０の上部外周面１４ａおよび下部外周面１５ａと同様に、リードフレーム３０の両面側からのエッチングの作用として形成される。上部外周面１２３ａおよび下部外周面１２３ｂにより、外周側に凸の稜線部１２６が中間層部１２３の全周にわたって形成されている。

また、シールド部１２０の中間層部１２３は、突縁部１２３ｑの四方の内周側面部において、縦断面視で凹状の曲線をなす上部内周面１２３ｃを有する。さらに、シールド部１２０の中間層部１２３は、底面部１２３ｐの上面を、イメージセンサ２の裏面２ｂに対向する水平な底面１２３ｄとしている。上部内周面１２３ｃおよび底面１２３ｄは、リードフレーム３０に対するハーフエッチングの作用として形成される。

変形例４の構成の製造には、リードフレーム３０として、図１４Ａおよび図１４Ｂに示すシールド部１２０形成用のリードフレーム３０Ｄが用いられる。

図１４Ａおよび図１４Ｂに示すように、リードフレーム３０Ｄは、第１メッキ端子部３１が形成されるフレーム本体部３３の対向面３３ａに、第１メッキ端子部３１と共通のメッキ層部分として、第１メッキ層部１３１を有する。第１メッキ層部１３１は、シールド部１２０において第１層部１２１となる部分である。

第１メッキ層部１３１は、それぞれ所定の幅を有する一対の長辺部１３１ａおよび一対の短辺部１３１ｂを有し、矩形枠状の部分として形成されている。第１メッキ層部１３１の周囲を囲むように、第１メッキ端子部３１が形成されている。第１メッキ層部１３１は、第１メッキ端子部３１を形成する工程において、メッキのパターン形状として、第１メッキ端子部３１と同時的に形成される。

リードフレーム３０Ｄは、第２メッキ端子部３２が形成されるフレーム本体部３３の反対向面３３ｂに、第２メッキ端子部３２と同様のメッキ層部分として、第２メッキ層部１３２を有する。第２メッキ層部１３２は、シールド部１２０において第２層部１２２となる部分であり、矩形状の部分である。第２メッキ層部１３２の周囲を囲むように、第２メッキ端子部３２が形成されている。第２メッキ層部１３２は、第２メッキ端子部３２を形成する工程において、メッキのパターン形状として、第２メッキ端子部３２と同時的に形成される。

第１メッキ層部１３１および第２メッキ層部１３２は、フレーム本体部３３の板面視で互いに外形を一致させるように形成されている。フレーム本体部３３のうち、第１メッキ層部１３１および第２メッキ層部１３２の形成範囲の部分により、シールド部１２０の中間層部１２３が形成される。

以上のような構成を有するリードフレーム３０Ｄが用いられ、上述した本実施形態の製法と同様の製法が行われることで、シールド部１２０を備えた変形例４の構成が得られる。

変形例４の構成の場合、ハーフエッチングの工程（図４Ｂ参照）において、第１メッキ層部１３１がマスクとして機能し、フレーム本体部３３により、中間層部１２３において上部内周面１２３ｃおよび底面１２３ｄとなる面による矩形状の凹部が形成される。

そして、反対面エッチングの工程（図５Ｂ参照）により、第２メッキ層部１３２がマスクとして機能し、柱状端子１０の端子本体部１３とともに、中間層部１２３の上部外周面１２３ａおよび下部外周面１２３ｂが形成される。これにより、中間層部１２３が形成され、シールド部１２０が形成される。

以上のように、変形例４の構成は、リードフレーム３０によってイメージセンサ２の裏面２ｂ側に中空構造をなし、その内部に内蔵チップ１２５を設けてシールド部１２０によってシールドしたものである。変形例４の構成によれば、リードフレーム３０Ｄにより、シールド部１２０を、複数の柱状端子１０とともに同時的に形成することが可能となる。これにより、シールド構造用の部品を別途設けることなく、低コストかつ簡略な製法により、半導体基体１Ａの内蔵チップ１２５に対してシールド構造部を設けることができる。結果として、内蔵チップ１２５から発せられるノイズを低減することができるため、例えば、実装基板２０における配線の自由度の向上といった効果を得ることができる。

（変形例５）
変形例５は、柱状端子１０の形状についての変形例である。図１５Ａ、図１５Ｂ、図１６Ａ、図１６Ｂ、および図１６Ｃに示すように、変形例５では、柱状端子１０Ａ（１０）について、電極端子７に対する柱状端子１０Ａの接合面が楕円形状となっており、柱状端子１０の先端側の端面が円形状となっている。柱状端子１０Ａにおいて、円形状の先端面は、柱状端子１０Ａの軸方向視で、電極端子７に対する楕円形状の接合面の領域に含まれる大きさを有する。なお、図１６Ｂは、図１６ＡにおけるＡ－Ａ方向断面図であり、図１６Ｃは、図１６ＡにおけるＢ－Ｂ方向断面図である。

柱状端子１０Ａは、上面１１ａを電極端子７に対する接合面とする基端側端子部１１を楕円形状とし、下面１２ａを先端側の端面とする先端側端子部１２を円形状としている。先端側端子部１２は、柱状端子１０Ａの軸方向視で、基端側端子部１１の外形の範囲内に収まる大きさを有する。円形状の先端側端子部１２の直径は、楕円形状の基端側端子部１１の短径よりも短く、これらの端子部同士は同心配置されている。そして、柱状端子１０Ａは、基端側端子部１１と先端側端子部１２との間に、略先細り状の端子本体部１３を有する。

柱状端子１０Ａが接続される電極端子７は、例えば基端側端子部１１に対応して楕円形状を有する。基端側端子部１１および電極端子７の形状に対応し、これらの間に介在する半田部９は、楕円形の層部分となる。

変形例５の構成において、端子本体部１３の基端側部１４は、横断面形状を楕円形状とする。また、端子本体部１３の先端側部１５は、上側から下側にかけて横断面形状を楕円形状から円形状に徐々に変化させる形状を有する。柱状端子１０Ａにおいて、拡径部１６は、基端側端子部１１の外形に沿う楕円形状の稜線１６ａを形成している。

柱状端子１０Ａは、基端側端子部１１の底面視である楕円形状の長軸位置の縦断面視において、全体的に下窄まりのテーパ状の外形を有する（図１６Ｂ参照）。柱状端子１０Ａは、基端側端子部１１の底面視である楕円形状の短軸位置の縦断面視において、全体的に略円筒状の外形を有する（図１６Ｃ参照）。

変形例５の構成において、複数の柱状端子１０Ａは、基端側端子部１１の楕円形状の長径方向を半導体基体１Ａの中央部に向けるように設けられている。図１５Ｂに示すように、本実施形態では、柱状端子１０Ａは、基端側端子部１１の楕円形状の長径方向を、固体撮像装置１の底面視において半導体基体１Ａの中央部に位置する中心点Ｏ１に向けるように設けられている。

２次元的に格子点状に配置された複数の柱状端子１０Ａは、その配置位置に応じた傾斜角度で、基端側端子部１１の楕円形状の長径方向を中心点Ｏ１に指向させるように設けられている。言い換えると、複数の柱状端子１０Ａは、固体撮像装置１の底面視において中心点Ｏ１から放射状となるように、底面視形状である楕円形状の長径方向について、中心点Ｏ１に対する指向性を持って設けられている。すなわち、固体撮像装置１の底面視において、柱状端子１０Ａは、底面視形状である楕円形状の長径方向を、中心点Ｏ１を通る直線に沿わせるように設けられている。

変形例５の構成の製造には、リードフレーム３０として、図１７Ａおよび図１７Ｂに示すリードフレーム３０Ｅが用いられる。

図１７Ａおよび図１７Ｂに示すように、リードフレーム３０Ｅは、第１メッキ端子部３１を楕円形状とし、第２メッキ端子部３２を円形状としている。第２メッキ端子部３２の外径は、第１メッキ端子部３１の短径よりも小さく、メッキ端子部３１，３２は、リードフレーム３０の板面に垂直な方向を中心軸方向として同心配置されている。

そして、複数の第１メッキ端子部３１は、楕円形状の長径方向を、最終的に固体撮像装置１となる矩形状の領域の中心位置Ｏ２に向けるように形成されている。つまり、第１メッキ端子部３１は、楕円形状の長径方向を、中心位置Ｏ２を通る直線に沿わせるように設けられている。

以上のような構成を有するリードフレーム３０Ｅが用いられ、上述した本実施形態の製法と同様の製法が行われることで、変形例５の構成が得られる。

変形例５の構成の製法において、複数のメッキ端子部３１，３２を形成する工程では、フレーム本体部３３の対向面３３ａに形成する第１メッキ端子部３１が楕円形状とされるとともに、フレーム本体部３３の反対向面３３ｂに形成する第２メッキ端子部３２が円形状とされる。ここで、第２メッキ端子部３２は、対応する第１メッキ端子部３１の形成領域に含まれる大きさの円形状とされる。そして、第１メッキ端子部３１は、楕円形状の長径方向をイメージセンサ２の中央部に向けるように形成される。

変形例５の構成によれば、各柱状端子１０Ａについて、先端側端子部１２側から基端側端子部１１側にかけて円形状から楕円形状となるように徐々に太くした形状とすることができるため、根元部分を補強することができ、柱状端子１０Ａの強度を向上させることができる。また、複数の柱状端子１０Ａについて指向性を持った放射状の配置とすることにより、固体撮像装置１のパッケージ構造自体の機械的強度を上げることが可能となる。これにより、固体撮像装置１において、反り等の変形の抑制や温度サイクル耐性の向上を図ることができる。

以上説明した各変形例のように、本実施形態に係る固体撮像装置１およびその製法によれば、リードフレーム３０のエッチングにおいてマスクとして機能する、フレーム本体部３３の両面のメッキ部分のデザイン設計だけで、メッキプロセスでは形成できない様々な形状、構造体を作ることができる。

例えばメッキの積み上げによって外部接続端子としての柱状の金属端子を形成する場合、端子形状についてのデザインの自由度が比較的低いため、外部接続端子を色々な形状に加工したり、外部接続端子以外の機能を持たせたりすることが困難となる。この点、リードフレーム３０により柱状端子１０を形成する技術によれば、端子形状についてのデザインの自由度を向上させることができ、リードフレーム３０により柱状端子１０とともに種々の機能部を形成することが可能となる。

＜４．第２実施形態に係る半導体装置の構成例＞
本技術の第２実施形態に係る半導体装置の構成例について、図１８を参照して説明する。本実施形態に係る固体撮像装置２０１は、半導体装置の一例であり、第１実施形態との対比において、半導体基体１Ａの構成が異なる。なお、図１８における上下方向を固体撮像装置２０１における上下方向とする。また、以下に説明する各実施形態の説明では、他の実施形態と共通の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。

図１８に示すように、固体撮像装置２０１は、固体撮像素子としてのイメージセンサ２０２と、ガラス２０３と、イメージセンサ２上にガラス２０３を支持する支持部としてのリブ樹脂部２０４とを備える。固体撮像装置２０１は、イメージセンサ２０２上にリブ樹脂部２０４を介してガラス２０３をマウントし、イメージセンサ２０２とガラス２０３との間にキャビティ２０５を有するパッケージ構造を備えている。

イメージセンサ２０２は、矩形板状のチップであり、上側を受光面側とする。イメージセンサ２０２は、例えばＣＭＯＳ型のイメージセンサである。ガラス２０３は、矩形板状の外形を有する透明部材であり、イメージセンサ２０２に対してリブ樹脂部２０４により固定状態で支持されている。

リブ樹脂部２０４は、イメージセンサ２０２の受光面において画素領域を囲むように、ガラス２０３の外形に沿って全周にわたって壁状に形成されており、平面視で矩形枠状をなすように設けられている。リブ樹脂部２０４は、キャビティ２０５の周囲を封止する封止部として機能する。

リブ樹脂部２０４の材料は、例えば、アクリル系樹脂であるＵＶ（紫外線）硬化性樹脂等の感光性接着剤や、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはこれらの混合剤である。リブ樹脂部２０４は、イメージセンサ２０２の表面に対して、ディスペンサによる塗布や、フォトリソグラフィを用いたパターニング等により形成される。

イメージセンサ２０２は、プラスチック等の有機材料等からなる有機基板２０６上に実装されている。有機基板２０６は、イメージセンサ２０２の実装を受ける表面２０６ａと、その反対側の板面である裏面２０６ｂとを有する。有機基板２０６の表面２０６ａ側には、イメージセンサ２０２が、絶縁性または導電性のペースト２０７によってダイボンドされている。

イメージセンサ２０２と有機基板２０６とは、複数のボンディングワイヤ２０８により電気的に接続されている。ボンディングワイヤ２０８は、例えばＡｕ（金）やＣｕ（銅）からなる金属細線であり、イメージセンサ２０２の上面に形成されたパッド電極と、有機基板２０６の表面に形成されたリード電極２１０とを電気的に接続する。

有機基板２０６上のリード電極２１０は、有機基板２０６内に形成された配線パターン等を介して、有機基板２０６の裏面２０６ｂ側に形成された複数の電極端子２１７に接続される。

有機基板２０６上におけるキャビティ２０５の外側の部分であるボンディングワイヤ２０８の周囲は、モールド樹脂２１３により覆われて封止されている。モールド樹脂２１３は、有機基板２０６の周縁部上であってイメージセンサ２０２およびガラス２０３の周縁部分を覆うように設けられている。

モールド樹脂２１３は、例えば、ケイ素酸化物を主成分とするフィラーを含有した熱硬化性樹脂である。モールド樹脂２１３は、例えばモールド金型を用いた射出成形等によって所定の形状に形成される。

以上のような構成を備えた固体撮像装置２０１において、固体撮像装置２０１が実装される所定の実装基板に対する電気的な接続を行うための外部接続端子として、リードフレーム３０により形成された複数の柱状端子１０が設けられている。

柱状端子１０は、有機基板２０６の裏面２０６ｂ側に設けられた各電極端子２１７から突出した状態で設けられている。柱状端子１０は、半田部２１９を介して、電極端子２１７に電気的に接続されている。

以上のように、固体撮像装置２０１は、半導体素子であるイメージセンサ２０２を含む半導体基体２０１Ａと、リードフレームの一部により形成された柱状端子１０とを備える。本実施形態において、半導体基体２０１Ａは、有機基板２０６上にイメージセンサ２０２を実装するとともにイメージセンサ２０２の表面側にリブ樹脂部２０４を介してガラス２０３を設けた構造体であり、一側の面である有機基板２０６の裏面２０６ｂに外部接続用の複数の電極端子２１７を有する。そして、柱状端子１０は、半導体基体２０１Ａに対して各電極端子２１７から突出するように設けられている。

＜５．第２実施形態に係る半導体装置の製造方法＞
本技術の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図１９、図２０および図２１を参照して説明する。

本実施形態の固体撮像装置２０１の製法は、第１実施形態の固体撮像装置１の製法との対比において、リードフレーム３０の実装態様の点で異なる。すなわち、第１実施形態の製法は、ウェーハ状態のＷＬ－ＣＳＰに、リードフレーム３０を個片化したリードフレーム片３０Ｘを実装するが（図６参照）、第２実施形態の製法は、集合状態の有機基板パッケージに、同じく集合状態のリードフレーム３０を搭載する（図２１参照）。他の工程は、第１実施形態と共通である。

固体撮像装置２０１の製造方法においては、図１９Ａに示すように、まず、リードフレーム３０を準備する工程が行われる。

また、固体撮像装置２０１の製造方法においては、集合状態の有機基板パッケージ２４０を準備する工程が行われる。有機基板パッケージ２４０は、固体撮像装置２０１の半導体基体２０１Ａの集合状態のものであり、図２１に示すように、リードフレーム３０と同様に矩形板状の外形を有する。

図１９Ｂおよび図２１に示すように、有機基板パッケージ２４０は、有機基板２０６の集合状態である有機基板体２４６に対し、イメージセンサ２０２、ガラス２０３、およびリブ樹脂部２０４を含む構成を所定の配列で複数実装し、各構成に対してボンディングワイヤ２０８を配し、モールド樹脂２１３となるモールド樹脂部２４３を形成したものである。モールド樹脂部２４３は、例えばモールド金型を用いた射出成形等によって所定の形状に形成される。有機基板体２４６のイメージセンサ２０２側と反対側の板面２４６ｂには、複数の電極端子２１７が所定の配列で形成されている。

このように、本実施形態では、リードフレーム３０の実装を受ける半導体装置本体として、集合状態で形成された複数のイメージセンサ２０２を含む一体の板状体である有機基板パッケージ２４０が用いられる。

次に、図１９Ｂに示すように、リードフレーム３０に対し、フレーム本体部３３の対向面３３ａ側から、片面ハーフエッチングが行われる。本工程は、リードフレーム３０を有機基板パッケージ２４０に実装する工程の前に行われる。本工程により、図１９Ｂに示すように、リードフレーム３０において、突起部３４および薄板部３５が形成される。

次に、図１９Ｃに示すように、有機基板パッケージ２４０に対して、リードフレーム３０（３０Ｐ）を実装する工程が行われる。すなわち、ハーフエッチングを受けたリードフレーム３０Ｐの第１メッキ端子部３１を、有機基板パッケージ２４０の端子である電極端子２１７に接合することで、リードフレーム３０Ｐを有機基板パッケージ２４０に実装する工程が行われる。

本工程では、リフロー半田実装により、リードフレーム３０Ｐが有機基板パッケージ２４０に実装される。ここでは、図２１に示すように、集合状態の有機基板パッケージ２４０に、同じく集合状態のリードフレーム３０Ｐが搭載される。図２１は、本実施形態でのリードフレーム３０の搭載イメージを示している。

本工程により、リードフレーム３０Ｐが、半田部２１９を介して、各第１メッキ端子部３１を電極端子２１７に接合させた状態となる。図１９Ｃに示すように、リードフレーム３０Ｐが有機基板パッケージ２４０に実装された状態において、リードフレーム３０Ｐと有機基板体２４６との間に空間部２３６が形成される。

続いて、図２０Ａに示すように、リードフレーム３０Ｐと有機基板パッケージ２４０との間の空間である空間部２３６に、レジスト３７を充填する工程が行われる。このレジスト３７を充填する工程は、リードフレーム３０Ｐを実装する工程の後、かつ柱状端子１０を形成する工程の前に行われる。

レジスト３７は、例えば、ディスペンサのノズルから吐出され、有機基板パッケージ２４０の外縁部におけるリードフレーム３０Ｐと有機基板体２４６との間の隙間から、空間部２３６を埋めるように塗布される。ここで、リードフレーム３０Ｐにおける所定の部位に、レジスト３７を空間部２３６内に供給するための開口部を形成してもよい。開口部は、リードフレーム３０Ｐにおいて例えば薄板部３５等にスリット状の貫通孔部として形成され、空間部２３６を外部空間に連通させる。レジスト３７は、リードフレーム３０Ｐの開口部から空間部２３６内に充填される。リードフレーム３０Ｐに開口部を形成することで、レジスト３７の塗布を容易にかつ効率的に行うことが可能となる。

このように、本実施形態では、リードフレーム３０Ｐと有機基板体２４６との間の隙間を埋める流動体として、レジスト３７が用いられている。

次に、図２０Ｂに示すように、有機基板パッケージ２４０に実装されたリードフレーム３０Ｐに対し、反対向面３３ｂ側からエッチングが行われる。本工程により、リードフレーム３０Ｐの薄板部３５が除去され、柱状部３８が形成される。すなわち、上下のメッキ端子部３１，３２および柱状部３８によって形成された柱状の部分が、半田部２１９を介して電極端子２１７上に立設された柱状端子１０となる。

次に、図２０Ｄに示すように、レジスト３７を除去する工程が行われた後、柱状端子１０が形成された状態の有機基板パッケージ２４０をダイシングして個片化する工程が行われる。ダイシングの工程では、柱状端子１０が形成された有機基板体２４６およびモールド樹脂部２４３が、イメージセンサ２０２の配列に対応した格子状の所定のダイシングラインに沿ってダイシングブレードにより切断されて個片化される。これにより、有機基板体２４６が複数の有機基板２０６に分離されるとともに、モールド樹脂部２４３が複数のモールド樹脂２１３に分離され、複数の固体撮像装置２０１が得られる。

以上のような本実施形態に係る固体撮像装置２０１およびその製造方法によれば、第１実施形態と同様に、短時間かつ安価に外部接続端子として柱状端子１０を形成することができ、固体撮像装置２０１の実装信頼性を向上することができる。

＜６．第３実施形態に係る半導体装置の構成例＞
本技術の第３実施形態に係る半導体装置の構成例について、図２２を参照して説明する。本実施形態に係る固体撮像装置３０１は、半導体装置の一例であり、第１実施形態との対比において、半導体基体１Ａの構成が異なる。なお、図２２における上下方向を固体撮像装置３０１における上下方向とする。

図２２に示すように、固体撮像装置３０１は、固体撮像素子としてのイメージセンサ３０２と、セラミックパッケージ３０６と、ガラス３０３とを備える。固体撮像装置３０１は、セラミックパッケージ３０６内にイメージセンサ３０２を実装するとともに、セラミックパッケージ３０６上にガラス３０３をマウントし、セラミックパッケージ３０６の内部空間を密閉状のキャビティ３０５としたパッケージ構造を備えている。

イメージセンサ３０２は、矩形板状のチップであり、上側を受光面側とする。イメージセンサ３０２は、例えばＣＭＯＳ型のイメージセンサである。ガラス３０３は、矩形板状の外形を有する透明部材である。

セラミックパッケージ３０６は、セラミックスを材料として形成されたパッケージ基板であり、矩形板状の平面部３０６ａと、平面部３０６ａの縁部に沿って矩形枠状をなすように形成された壁部３０６ｂとを有する。セラミックパッケージ３０６は、平面部３０６ａおよび四方の壁部３０６ｂにより、上側を開放側とした扁平な箱状に構成されている（図２５参照）。

イメージセンサ３０２は、セラミックパッケージ３０６の平面部３０６ａ上に実装されている。セラミックパッケージ３０６は、平面部３０６ａにおいて、イメージセンサ３０２の実装を受ける表面３０６ｃと、その反対側の板面である裏面３０６ｄとを有する。セラミックパッケージ３０６の平面部３０６ａの表面３０６ｃ側には、イメージセンサ３０２が、絶縁性または導電性のペースト３０７によってダイボンドされている。

ガラス３０３は、セラミックパッケージ３０６の壁部３０６ｂ上に固定状態で支持されている。セラミックパッケージ３０６の壁部３０６ｂは、水平面に沿う上面３０６ｅを有し、上面３０６ｅ上に、ガラス３０３が接着剤３１８により固定されている。接着剤３１８により、キャビティ３０５の周囲が封止されている。

イメージセンサ３０２とセラミックパッケージ３０６とは、複数のボンディングワイヤ３０８により電気的に接続されている。ボンディングワイヤ３０８は、イメージセンサ３０２の上面に形成されたパッド電極３０９と、セラミックパッケージ３０６の平面部３０６ａの表面３０６ｃに形成されたリード電極３１０とを電気的に接続する。

セラミックパッケージ３０６上のリード電極３１０は、セラミックパッケージ３０６内に形成された配線パターン等を介して、平面部３０６ａの裏面３０６ｄ側に形成された複数の電極端子３１７に接続される。

以上のような構成を備えた固体撮像装置３０１において、固体撮像装置３０１が実装される所定の実装基板に対する電気的な接続を行うための外部接続端子として、リードフレーム３０により形成された複数の柱状端子１０が設けられている。

柱状端子１０は、セラミックパッケージ３０６の裏面３０６ｄ側に設けられた各電極端子３１７から突出した状態で設けられている。柱状端子１０は、半田部３１９を介して、電極端子３１７に電気的に接続されている。

以上のように、固体撮像装置３０１は、半導体素子であるイメージセンサ３０２を含む半導体基体３０１Ａと、リードフレームの一部により形成された柱状端子１０とを備える。本実施形態において、半導体基体３０１Ａは、セラミックパッケージ３０６の平面部３０６ａ上にイメージセンサ３０２を実装するとともに壁部３０６ｂ上にガラス２０３を設けた構造体であり、一側の面であるセラミックパッケージ３０６の裏面３０６ｄに外部接続用の複数の電極端子３１７を有する。そして、柱状端子１０は、半導体基体３０１Ａに対して各電極端子３１７から突出するように設けられている。

＜７．第３実施形態に係る半導体装置の製造方法＞
本技術の第３実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図２３、図２４および図２５を参照して説明する。

本実施形態の固体撮像装置３０１の製法は、第１実施形態の固体撮像装置１の製法との対比において、リードフレーム３０の実装態様の点等で異なる。

固体撮像装置３０１の製造方法においては、図２３Ａに示すように、まず、リードフレーム３０を準備する工程が行われる。

次に、図２３Ｂに示すように、リードフレーム３０に対し、フレーム本体部３３の対向面３３ａ側から、片面ハーフエッチングが行われる。本工程は、リードフレーム３０をセラミックパッケージ３０６に実装する工程の前に行われる。本工程により、図２３Ｂに示すように、リードフレーム３０において、突起部３４および薄板部３５が形成される。

次に、セラミックパッケージ３０６に対して、ハーフエッチングを受けたリードフレーム３０（３０Ｐ）を実装する工程が行われる。本実施形態では、図２５に示すように、集合状態のリードフレーム３０Ｐに、個片状態のセラミックパッケージ３０６を搭載することにより、リードフレーム３０の実装が行われる。すなわち、リードフレーム３０Ｐの第１メッキ端子部３１を、セラミックパッケージ３０６の端子である電極端子３１７に接合することで、リードフレーム３０Ｐを複数のセラミックパッケージ３０６に実装する工程が行われる。図２５は、本実施形態でのリードフレーム３０の搭載イメージを示している。

図２３Ｃに示すように、リードフレーム３０Ｐの実装に際しては、リードフレーム３０Ｐのメッキ端子部３１に、転写等の方法でフラックス入りの半田ペースト３１１が塗布される。

その後、図２３Ｄに示すように、複数のセラミックパッケージ３０６が、リードフレーム３０Ｐに対して、チップマウンタ等によって、各電極端子３１７が第１メッキ端子部３１に対応する所定の位置に搭載され、所定の温度でリフローが行われる。

本工程により、リードフレーム３０Ｐが、半田ペースト３１１が固化した半田部３１９を介して、各第１メッキ端子部３１を電極端子３１７に接合させた状態となる。図２３Ｄに示すように、リードフレーム３０Ｐが複数のセラミックパッケージ３０６に実装された状態において、リードフレーム３０Ｐとセラミックパッケージ３０６との間に空間部３３６が形成される。

続いて、図２４Ａに示すように、リードフレーム３０Ｐとセラミックパッケージ３０６との間の空間である空間部３３６に、レジスト３７を充填する工程が行われる。このレジスト３７を充填する工程は、リードフレーム３０Ｐを実装する工程の後、かつ柱状端子１０を形成する工程の前に行われる。

レジスト３７は、例えば、ディスペンサのノズルから吐出され、隣り合うセラミックパッケージ３０６間の隙間３０６Ｙから、空間部３３６を埋めるように塗布される。このように、本実施形態では、リードフレーム３０Ｐとセラミックパッケージ３０６との間の隙間を埋める流動体として、レジスト３７が用いられている。

次に、図２４Ｂに示すように、複数のセラミックパッケージ３０６を搭載したリードフレーム３０Ｐに対し、反対向面３３ｂ側からエッチングが行われる。本工程により、リードフレーム３０Ｐの薄板部３５が除去され、柱状部３８が形成される。すなわち、上下のメッキ端子部３１，３２および柱状部３８によって形成された柱状の部分が、半田部３１９を介して電極端子３１７上に立設された柱状端子１０となる。また、複数のセラミックパッケージ３０６が、レジスト３７を介して繋がった状態となる。

次に、図２４Ｃに示すように、レジスト３７を除去する工程が行われる。これにより、柱状端子１０の全体が露出した状態となるとともに、レジスト３７を介して繋がっていた複数のセラミックパッケージ３０６が分離される。

その後、図２４Ｄに示すように、セラミックパッケージ３０６上にイメージセンサ３０２がダイボンドされ、ボンディングワイヤ３０８によりワイヤボンド結線され、ガラス３０３がセラミックパッケージ３０６に接着されてガラス封止が行われる。これにより、複数の固体撮像装置３０１が得られる。

以上のような本実施形態に係る固体撮像装置３０１およびその製造方法によれば、第１実施形態と同様に、短時間かつ安価に外部接続端子として柱状端子１０を形成することができ、固体撮像装置３０１の実装信頼性を向上することができる。

＜８．第４実施形態に係る半導体装置の構成例＞
本技術の第４実施形態に係る半導体装置の構成例について、図２６を参照して説明する。本実施形態に係る半導体装置４０１は、第１実施形態との対比において、半導体基体１Ａの構成が異なる。なお、図２６における上下方向を半導体装置４０１における上下方向とする。

図２６に示すように、半導体装置４０１は、半導体素子としてのＩＣチップ４０２と、再配線層４０３と、封止樹脂部４０５とを備える。半導体装置４０１は、再配線層４０３をＩＣチップ４０２の外形よりも外側に拡張させたいわゆるＦＯＷＬＰ（Fan Out Wafer Level Package）の構造を有する。

ＩＣチップ４０２は、所定の回路構造を有する矩形板状の半導体チップである。再配線層４０３は、ＩＣチップ４０２の端子から配線を引き出す矩形板状の部分であり、例えば銅（Ｃｕ）等の低抵抗金属材料により形成された配線を有する。再配線層４０３は、ＩＣチップ４０２の下面４０２ａ側に形成されており、ＩＣチップ４０２の外形からはみ出た延出部４０３ａを有する。延出部４０３ａは、平面視でＩＣチップ４０２を囲むように四方に形成されている。

封止樹脂部４０５は、例えば、ケイ素酸化物を主成分とするフィラーを含有した熱硬化性樹脂である。封止樹脂部４０５は、再配線層４０３およびＩＣチップ４０２の全体を上側から覆うように形成されている。封止樹脂部４０５は、例えばモールド金型を用いた射出成形等によって所定の形状に形成される。

再配線層４０３の裏面４０３ｂ側には、外部接続用の複数の電極部として、複数の電極端子４１７が設けられている。電極端子４１７は、再配線層４０３の配線によりＩＣチップ４０２の端子に接続されている。

以上のような構成を備えた半導体装置４０１において、半導体装置４０１が実装される所定の実装基板に対する電気的な接続を行うための外部接続端子として、リードフレーム３０により形成された複数の柱状端子１０が設けられている。

柱状端子１０は、再配線層４０３の裏面４０３ｂ側に設けられた各電極端子４１７から突出した状態で設けられている。柱状端子１０は、半田部４１９を介して、電極端子４１７に電気的に接続されている。

以上のように、半導体装置４０１は、半導体素子であるＩＣチップ４０２を含む半導体基体４０１Ａと、リードフレームの一部により形成された柱状端子１０とを備える。本実施形態において、半導体基体４０１Ａは、ＩＣチップ４０２、再配線層４０３、および封止樹脂部４０５含む構造体であり、一側の面である再配線層４０３の裏面３０３ｂに外部接続用の複数の電極端子４１７を有する。そして、柱状端子１０は、半導体基体４０１Ａに対して各電極端子４１７から突出するように設けられている。

＜９．第４実施形態に係る半導体装置の製造方法＞
本技術の第４実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図２７、図２８、および図２９を参照して説明する。

本実施形態の半導体装置４０１の製法は、第１実施形態の固体撮像装置１の製法と同様に、ウェーハ状態のＦＯＷＬＰに、リードフレーム３０を個片化したリードフレーム片３０Ｘを実装するものである（図２９参照）。

半導体装置４０１の製造方法においては、図２７Ａに示すように、まず、リードフレーム３０を準備する工程が行われる。

また、半導体装置４０１の製造方法においては、ウェーハ状態のＦＯＷＬＰであるウェーハＦＯＷＬＰ４４０を準備する工程が行われる。ウェーハＦＯＷＬＰ４４０は、半導体装置４０１の半導体基体４０１Ａの集合状態のものであり、図２９に示すように、例えば円形板状の外形を有する。

図２７Ｃおよび図２９に示すように、ウェーハＦＯＷＬＰ４４０は、所定の間隔で配列されたＩＣチップ４０２に対して円板状の外形をなすように封止樹脂部４０５となるモールド樹脂部４４５を形成し、ＩＣチップ４０２の下面４０２ａ側に、再配線層４０３となる再配線層部４４３を円板状に形成したものである。モールド樹脂部４４５は、例えばモールド金型を用いた射出成形等によって所定の形状に形成される。再配線層部４４３のＩＣチップ４０２側と反対側の板面４４３ｂには、複数の電極端子４１７が所定の配列で形成されている。

このように、本実施形態では、リードフレーム３０の実装を受ける半導体装置本体として、集合状態で形成された複数のＩＣチップ４０２を含む一体の板状体であるウェーハＦＯＷＬＰ４４０が用いられる。

次に、図２７Ｂに示すように、リードフレーム３０に対し、フレーム本体部３３の対向面３３ａ側から、片面ハーフエッチングが行われる。本工程は、リードフレーム３０をウェーハＦＯＷＬＰ４４０に実装する工程の前に行われる。本工程により、図２７Ｂに示すように、リードフレーム３０において、突起部３４および薄板部３５が形成される。

ハーフエッチングの工程の後に、図２７Ｃに示すように、エッチングを受けたリードフレーム３０をＩＣチップ４０２に対応した複数のチップに個片化する工程が行われる。本工程により、リードフレーム３０は、各ＩＣチップ４０２に対応する複数のリードフレーム片３０Ｘに分割される。リードフレーム片３０Ｘは、半導体装置４０１のサイズに対応した大きさの矩形板状のチップとなる（図２９参照）。

次に、図２７Ｄに示すように、ウェーハＦＯＷＬＰ４４０に対して、複数のリードフレーム片３０Ｘを実装する工程が行われる。すなわち、各リードフレーム片３０Ｘの第１メッキ端子部３１を、ウェーハＦＯＷＬＰ４４０の端子である電極端子４１７に接合することで、リードフレーム片３０ＸをウェーハＦＯＷＬＰ４４０に実装する工程が行われる。

本工程では、リフロー半田実装により、複数のリードフレーム片３０ＸがウェーハＦＯＷＬＰ４４０に実装される。ここでは、図２９に示すように、集合状態のウェーハＦＯＷＬＰ４４０に、個片状態の複数のリードフレーム片３０Ｘが搭載される。図２９は、本実施形態でのリードフレーム３０の搭載イメージを示している。

本工程により、複数のリードフレーム片３０Ｘが、半田部４１９を介して、各第１メッキ端子部３１を電極端子４１７に接合させた状態となる。図２７Ｄに示すように、複数のリードフレーム片３０ＸがウェーハＦＯＷＬＰ４４０に実装された状態において、リードフレーム片３０Ｘと再配線層部４４３との間に空間部４３６が形成される。

続いて、図２８Ａに示すように、リードフレーム片３０ＸとウェーハＦＯＷＬＰ４４０との間の空間である空間部４３６に、レジスト３７を充填する工程が行われる。このレジスト３７を充填する工程は、リードフレーム３０を実装する工程の後、かつ柱状端子１０を形成する工程の前に行われる。

レジスト３７は、例えば、ディスペンサのノズルから吐出され、隣り合うリードフレーム片３０Ｘ間の隙間３０Ｙ（図２７Ｄ参照）から、リードフレーム片３０Ｘと再配線層部４４３との間の隙間である空間部４３６を埋めるように塗布される。このように、本実施形態では、リードフレーム片３０Ｘと再配線層部４４３との間の隙間を埋める流動体として、レジスト３７が用いられている。

次に、図２８Ｂに示すように、ウェーハＦＯＷＬＰ４４０に実装されたリードフレーム片３０Ｘに対し、反対向面３３ｂ側からエッチングが行われる。本工程により、リードフレーム片３０Ｘの薄板部３５が除去され、柱状部３８が形成される。すなわち、上下のメッキ端子部３１，３２および柱状部３８によって形成された柱状の部分が、半田部４１９を介して電極端子４１７上に立設された柱状端子１０となる。

次に、図２８Ｃに示すように、レジスト３７を除去する工程が行われた後、柱状端子１０が形成された状態のウェーハＦＯＷＬＰ４４０をダイシングして個片化する工程が行われる。ダイシングの工程では、柱状端子１０が形成された再配線層部４４３およびモールド樹脂部４４５が、ＩＣチップ４０２の配列に対応した格子状の所定のダイシングラインに沿ってダイシングブレードにより切断されて個片化される。これにより、再配線層部４４３が複数の再配線層４０３に分離されるとともに、モールド樹脂部４４５が複数の封止樹脂部４０５に分離され、複数の半導体装置４０１が得られる。

以上のような本実施形態に係る半導体装置４０１およびその製造方法によれば、第１実施形態と同様に、短時間かつ安価に外部接続端子として柱状端子１０を形成することができ、半導体装置４０１の実装信頼性を向上することができる。

＜１０．第５実施形態に係る半導体装置の構成例＞
本技術の第５実施形態に係る半導体装置の構成例について、図３０を参照して説明する。図３０に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置５０１は、第１実施形態に係る固体撮像装置１の構成（図１参照）において、イメージセンサ２の裏面２ｂ側に、封止樹脂部５０５を設けたものである。

封止樹脂部５０５は、イメージセンサ２の裏面２ｂ側において、電極端子７、半田部９、および柱状端子１０の上半部を埋めるように層状の部分として設けられている。封止樹脂部５０５の下面５０５ａから、柱状端子１０の下半部が下方に向けて突出している。

具体的には、柱状端子１０のうち、端子本体部１３の基端側部１４から上側（基端側）の部分が、封止樹脂部５０５内に埋もれおり、先端側部１５から下側（先端側）の部分が、封止樹脂部５０５から突出している。封止樹脂部５０５は、柱状端子１０に対する接触面に、上部外周面１４ａに沿う湾曲面部５０５ｂを含む。

封止樹脂部５０５は、例えば、エポキシ系樹脂等の熱硬化性の液状樹脂等が用いられる。封止樹脂部５０５は、例えば、ディスペンサによる塗布や、モールド金型および離型フィルムを用いた射出成形等によって所定の形状に形成される。

封止樹脂部５０５は、上述した固体撮像装置１の製法において、リードフレーム３０の反対面エッチングの工程の前に、リードフレーム片３０Ｘとシリコンウェーハ４２との間に充填するレジスト３７の代わりに封止樹脂を用い、その封止樹脂を除去せずに残存させることにより形成される。

＜１１．第５実施形態に係る半導体装置の製造方法＞
本技術の第５実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図４および図３１を参照して説明する。

固体撮像装置５０１の製造方法においては、第１実施形態と同様に、まず、リードフレーム３０を準備する工程が行われる（図４Ａ参照）。また、ウェーハＣＳＰ４０を準備する工程が行われる（図４Ｃ、図６参照）。次に、リードフレーム３０に対して片面ハーフエッチングが行われる（図４Ｂ参照）。その後、エッチングを受けたリードフレーム３０を複数のリードフレーム片３０Ｘに個片化する工程が行われる（図４Ｃ参照）。次に、ウェーハＣＳＰ４０に複数のリードフレーム片３０Ｘを実装する工程が行われる（図４Ｄ参照）。本工程により、リードフレーム片３０Ｘとシリコンウェーハ４２との間に空間部３６が形成される。

続いて、図３１Ａに示すように、リードフレーム片３０ＸとウェーハＣＳＰ４０との間の空間である空間部３６に、封止樹脂５３７を充填する工程が行われる。

封止樹脂５３７は、例えば、ディスペンサのノズルから吐出され、隣り合うリードフレーム片３０Ｘ間の隙間３０Ｙ（図４Ｄ参照）から、リードフレーム片３０Ｘとシリコンウェーハ４２との間の隙間である空間部３６を埋めるように塗布される。また、モールド金型および離型フィルムを用いた射出成形により、空間部３６内に封止樹脂５３７を充填させてもよい。このように、本実施形態では、リードフレーム片３０Ｘとシリコンウェーハ４２との間の隙間を埋める流動体として、封止樹脂５３７が用いられている。

空間部３６内に充填された封止樹脂５３７は、所定のタイミングで固化させられる。封止樹脂５３７が熱硬化性の樹脂の場合、空間部３６に封止樹脂５３７を充填する工程の後に、封止樹脂５３７を所定の温度で加熱して硬化させる工程が行われる。流動性を有する封止樹脂５３７は、硬化させられることで、硬化状態の封止樹脂５３７Ａとなる。

次に、図３１Ｂに示すように、ウェーハＣＰＳ４０に実装されたリードフレーム片３０Ｘに対し、反対向面３３ｂ側からエッチングが行われる。

図３１Ｂに示すように、エッチングによってリードフレーム片３０Ｘのフレーム本体部３３が部分的に除去された状態において、封止樹脂５３７Ａにおける隣り合うリードフレーム片３０Ｘ間に対応する部位には、出っ張り部としての凸部５３７Ｘが存在している。凸部５３７Ｘは、隣り合うリードフレーム片３０Ｘ間の隙間３０Ｙを埋めていた封止樹脂５３７により形成された部分であり、リードフレーム片３０Ｘの配置に対応して格子状に形成される。

このように封止樹脂５３７Ａの表面に現れた凸部５３７Ｘに対し、凸部５３７Ｘを除去する工程が行われる。凸部５３７Ｘは、例えば、凸部５３７Ｘの幅に対応した所定のダイシングブレード等を用いて切削されて除去される。ただし、凸部５３７Ｘを除去する方法は特に限定されるものではない。凸部５３７Ｘを除去することにより、図３１Ｃに示すように、封止樹脂５３７Ａの表面が平坦な面となる。

その後、図３１Ｄに示すように、柱状端子１０が形成された状態のウェーハＣＰＳ４０をダイシングして個片化する工程が行われる。この工程により、硬化状態の封止樹脂５３７Ａが、シリコンウェーハ４２、ガラス板４３、および壁部４４とともに分離されて封止樹脂部５０５となり、封止樹脂部５０５を有する複数の固体撮像装置５０１が得られる。

以上のような本実施形態に係る固体撮像装置５０１およびその製造方法によれば、第１実施形態と同様に、短時間かつ安価に外部接続端子として柱状端子１０を形成することができ、固体撮像装置５０１の実装信頼性を向上することができる。また、封止樹脂部５０５により、イメージセンサ２の裏面２ｂ側および柱状端子１０の根元側の部分を覆うことができる。これにより、柱状端子１０の電極端子７に対する接続部および柱状端子１０の根元側の部分を保護・補強することができるので、温度サイクル耐性の向上、および基板実装信頼性の向上を図ることができる。

＜１２．第５実施形態に係る半導体装置の変形例＞
第１実施形態の固体撮像装置１の変形例１～５の各構成の製造工程において、レジスト３７の代わりに封止樹脂５３７を用い、その封止樹脂を除去せずに残存させることにより、イメージセンサ２の裏面２ｂ側に封止樹脂部５０５を設けることができる。以下では各変形例の構成について説明する。

（変形例１）
図３２Ａおよび図３２Ｂに示すように、変形例１では、イメージセンサ２の裏面２ｂ側にリードフレーム３０により形成された放熱用パッド５０を備えた構成において、イメージセンサ２の裏面２ｂ側に封止樹脂部５０５が設けられている。封止樹脂部５０５は、柱状端子１０の上半部と放熱用パッド５０の上半部を覆っている。

封止樹脂部５０５は、イメージセンサ２の裏面２ｂ側において、パッド接続部５７、半田部５９、および放熱用パッド５０の上半部を埋めるように層状の部分として設けられている。封止樹脂部５０５の下面５０５ａから、放熱用パッド５０の下半部が下方に向けて突出している。

具体的には、放熱用パッド５０のうち、中間層部５３の上部外周面５３ａの形成部位から上側の部分が、封止樹脂部５０５内に埋もれており、中間層部５３の下部外周面５３ｂの形成部位から下側の部分が、封止樹脂部５０５から突出している。封止樹脂部５０５は、放熱用パッド５０に対する接触面に、中間層部５３の上部外周面５３ａに沿う湾曲面部５０５ｃを含む。

変形例１の構成によれば、封止樹脂部５０５により、放熱用パッド５０の上側の部分を覆うことができ、放熱用パッド５０を保護・補強することができる。

（変形例２）
図３３Ａおよび図３３Ｂに示すように、変形例２では、イメージセンサ２の裏面２ｂ側にリードフレーム３０により形成された枠状の補強部７０を備えた構成において、イメージセンサ２の裏面２ｂ側に封止樹脂部５０５が設けられている。封止樹脂部５０５は、柱状端子１０の上半部と補強部７０の内側の部分を覆っている。

封止樹脂部５０５は、イメージセンサ２の裏面２ｂ側において、柱状端子１０の下半部を突出させるとともに枠状の補強部７０の内側の領域の全体を埋めるように層状の部分として設けられている。

具体的には、封止樹脂部５０５は、下面５０５ａを補強部７０の下面７３ｃと略同じ高さに位置させ、補強部７０に対して面一状をなすように形成されている。封止樹脂部５０５は、補強部７０に対する接触面に、第２層部７３の内周面７３ａに沿う湾曲面部５０５ｄを含む。

変形例２の構成によれば、封止樹脂部５０５により、補強部７０の内側の部分を覆うことができ、補強部７０を保護・補強することができる。これにより、補強部７０によるパッケージの剛性の向上作用を効果的に得ることができる。

（変形例３）
図３４Ａおよび図３４Ｂに示すように、変形例３では、イメージセンサ２の裏面２ｂ側にリードフレーム３０により形成された枠状のＧＮＤプレーン９０およびＧＮＤ端子１００を備えた構成において、イメージセンサ２の裏面２ｂ側に封止樹脂部５０５が設けられている。封止樹脂部５０５は、柱状端子１０の上半部とＧＮＤプレーン９０の内側の部分とＧＮＤ端子１００の上半部を覆っている。

封止樹脂部５０５は、イメージセンサ２の裏面２ｂ側において、柱状端子１０およびＧＮＤ端子１００それぞれの下半部を突出させるとともに枠状のＧＮＤプレーン９０の内側の領域の全体を埋めるように層状の部分として設けられている。封止樹脂部５０５は、ＧＮＤ端子接続部１０７、半田部１０９、およびＧＮＤ端子１００の上半部を埋めるように設けられている。

具体的には、封止樹脂部５０５は、下面５０５ａをＧＮＤプレーン９０の下面９３ｃと略同じ高さに位置させ、ＧＮＤプレーン９０に対して面一状をなすように形成されている。封止樹脂部５０５は、ＧＮＤプレーン９０に対する接触面に、第２層部９３の内周面９３ａに沿う湾曲面部５０５ｅを含む。

また、ＧＮＤ端子１００のうち、第３層部１０３の上部側面１０３ａの形成部位から上側の部分が、封止樹脂部５０５内に埋もれており、第３層部１０３の下部外周面１０３ｂの形成部位から下側の部分が、封止樹脂部５０５から突出している。封止樹脂部５０５は、ＧＮＤ端子１００に対する接触面に、第３層部１０３の上部側面１０３ａに沿う湾曲面部５０５ｆを含む。

変形例３の構成によれば、封止樹脂部５０５により、ＧＮＤプレーン９０の内側の部分およびＧＮＤ端子１００の上側の部分を覆うことができ、ＧＮＤプレーン９０およびＧＮＤ端子１００を保護・補強することができる。

（変形例４）
図３５Ａおよび図３５Ｂに示すように、変形例４では、イメージセンサ２の裏面２ｂ側にリードフレーム３０により形成され内蔵チップ１２５を覆うシールド部１２０を備えた構成において、イメージセンサ２の裏面２ｂ側に封止樹脂部５０５が設けられている。封止樹脂部５０５は、柱状端子１０の上半部とシールド部１２０の上半部の外側を覆っている。

封止樹脂部５０５は、イメージセンサ２の裏面２ｂ側において、パッド接続部１２７、半田部１２９、およびシールド部１２０の上半部を、シールド部１２０の外周側から覆うように層状の部分として設けられている。封止樹脂部５０５の下面５０５ａから、シールド部１２０の下半部が下方に向けて突出している。

具体的には、シールド部１２０のうち、中間層部１２３の上部外周面１２３ａの形成部位から上側の部分が、封止樹脂部５０５内に埋もれており、中間層部１２３の下部外周面１２３ｂの形成部位から下側の部分が、封止樹脂部５０５から突出している。封止樹脂部５０５は、シールド部１２０に対する接触面に、中間層部１２３の上部外周面１２３ａに沿う湾曲面部５０５ｇを含む。

変形例４の構成によれば、封止樹脂部５０５により、シールド部１２０の上側の部分を外側から覆うことができ、シールド部１２０を保護・補強することができる。

（変形例５）
図３６Ａおよび図３６Ｂに示すように、変形例５では、根元部分を楕円形状とした柱状端子１０Ａを中心点Ｏ１から放射状に配置した構成において、イメージセンサ２の裏面２ｂ側に封止樹脂部５０５が設けられている。封止樹脂部５０５は、柱状端子１０Ａの上半部を覆っている。

封止樹脂部５０５は、イメージセンサ２の裏面２ｂ側において、電極端子７、半田部９、および柱状端子１０Ａの上半部を埋めるように層状の部分として設けられている。封止樹脂部５０５の下面５０５ａから、柱状端子１０Ａの下半部が下方に向けて突出している。

具体的には、柱状端子１０Ａのうち、端子本体部１３の基端側部１４から上側の部分が、封止樹脂部５０５内に埋もれおり、先端側部１５から下側の部分が、封止樹脂部５０５から突出している。封止樹脂部５０５は、柱状端子１０Ａに対する接触面に、上部外周面１４ａに沿う湾曲面部５０５ｈを含む。

変形例５の構成によれば、封止樹脂部５０５により、イメージセンサ２の裏面２ｂ側および柱状端子１０Ａの根元側の部分を覆うことができる。これにより、柱状端子１０Ａの電極端子７に対する接続部および柱状端子１０Ａの根元側の部分を保護・補強することができる。かかる作用効果が、柱状端子１０Ａの根元側を太くした形状および複数の柱状端子１０Ａの放射状の配置と相俟って、パッケージ構造の機械的強度を効果的に向上させることができるとともに、温度サイクル耐性および基板実装信頼性を効果的に向上させることができる。

以上説明した各変形例のように、本実施形態に係る固体撮像装置５０１およびその製法によれば、リードフレーム３０により形成された各種機能部および柱状端子１０の形状に応じて、イメージセンサ２の裏面２ｂ側に封止樹脂部５０５を設けることができる。

＜１３．第６実施形態に係る半導体装置の構成例＞
本技術の第６実施形態に係る半導体装置の構成例について、図３７を参照して説明する。図３７に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置６０１は、第２実施形態に係る固体撮像装置２０１の構成（図１８参照）において、有機基板２０６の裏面２０６ｂ側に、封止樹脂部６０５を設けたものである。封止樹脂部６０５は、第５実施形態に係る封止樹脂部５０５と同様の材料、製法によって形成される部分である。

封止樹脂部６０５は、有機基板２０６の裏面２０６ｂ側において、電極端子２１７、半田部２１９、および柱状端子１０の上半部を埋めるように層状の部分として設けられている。封止樹脂部６０５の下面６０５ａから、柱状端子１０の下半部が下方に向けて突出している。

具体的には、柱状端子１０のうち、端子本体部１３の基端側部１４から上側の部分が、封止樹脂部６０５内に埋もれおり、先端側部１５から下側の部分が、封止樹脂部６０５から突出している。封止樹脂部６０５は、柱状端子１０に対する接触面に、上部外周面１４ａに沿う湾曲面部６０５ｂを含む。

封止樹脂部６０５は、上述した固体撮像装置２０１の製法において、リードフレーム３０の反対面エッチングの工程の前に、リードフレーム片３０Ｘと有機基板体２４６との間に充填するレジスト３７の代わりに封止樹脂を用い、その封止樹脂を除去せずに残存させることにより形成される。

＜１４．第６実施形態に係る半導体装置の製造方法＞
本技術の第６実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図１９および図３８を参照して説明する。

固体撮像装置６０１の製造方法においては、第２実施形態と同様に、まず、リードフレーム３０を準備する工程が行われる（図１９Ａ参照）。また、有機基板パッケージ２４０を準備する工程が行われる（図１９Ｂ、図２１参照）。次に、リードフレーム３０に対して片面ハーフエッチングが行われる（図１９Ｂ参照）。その後、エッチングを受けたリードフレーム３０（３０Ｐ）を有機基板パッケージ２４０に実装する工程が行われる（図１９Ｃ参照）。本工程により、リードフレーム３０Ｐと有機基板体２４６との間に空間部２３６が形成される。

続いて、図３８Ａに示すように、リードフレーム３０Ｐと有機基板体２４６との間の空間である空間部２３６に、封止樹脂５３７を充填する工程が行われる。

封止樹脂５３７は、例えば、ディスペンサのノズルから吐出され、有機基板パッケージ２４０の外縁部におけるリードフレーム３０Ｐと有機基板体２４６との間の隙間から、空間部２３６を埋めるように塗布される。ここで、リードフレーム３０Ｐにおける所定の部位に、封止樹脂５３７を空間部２３６内に供給するための開口部を形成してもよい。開口部は、リードフレーム３０Ｐにおいて例えば薄板部３５等にスリット状の貫通孔部として形成され、空間部２３６を外部空間に連通させる。封止樹脂５３７は、リードフレーム３０Ｐの開口部から空間部２３６内に充填される。リードフレーム３０Ｐに開口部を形成することで、封止樹脂５３７の塗布を容易にかつ効率的に行うことが可能となる。また、モールド金型および離型フィルムを用いた射出成形により、空間部２３６内に封止樹脂５３７を充填させてもよい。この場合においても、リードフレーム３０Ｐにスリット状の開口部を形成してもよい。

このように、本実施形態では、リードフレーム３０Ｐと有機基板体２４６との間の隙間を埋める流動体として、封止樹脂５３７が用いられている。

空間部２３６内に充填された封止樹脂５３７は、所定のタイミングで固化させられる。封止樹脂５３７が熱硬化性の樹脂の場合、空間部２３６に封止樹脂５３７を充填する工程の後に、封止樹脂５３７を所定の温度で加熱して硬化させる工程が行われる。流動性を有する封止樹脂５３７は、硬化させられることで、硬化状態の封止樹脂５３７Ａとなる。

次に、図３８Ｂに示すように、有機基板パッケージ２４０に実装されたリードフレーム３０Ｐに対し、反対向面３３ｂ側からエッチングが行われる。

その後、図３８Ｃに示すように、柱状端子１０が形成された状態の有機基板パッケージ２４０をダイシングして個片化する工程が行われる。この工程により、硬化状態の封止樹脂５３７Ａが、有機基板体２４６およびモールド樹脂部２４３とともに分離されて封止樹脂部６０５となり、封止樹脂部６０５を有する複数の固体撮像装置６０１が得られる。

以上のような本実施形態に係る固体撮像装置６０１およびその製造方法によれば、第５実施形態と同様に、封止樹脂部６０５により、柱状端子１０の電極端子７に対する接続部および柱状端子１０の根元側の部分を保護・補強することができ、温度サイクル耐性の向上、および基板実装信頼性の向上を図ることができる。

＜１５．第７実施形態に係る半導体装置の構成例＞
本技術の第７実施形態に係る半導体装置の構成例について、図３９を参照して説明する。図３９に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置７０１は、第３実施形態に係る固体撮像装置３０１の構成（図２２参照）との対比において、セラミックパッケージ３０６の代わりに、矩形板状のセラミック基板７０６を備える。そして、セラミック基板７０６の裏面側から周縁部上にかけて封止樹脂部７０５が設けられている。封止樹脂部７０５は、第５実施形態に係る封止樹脂部５０５と同様の材料、製法によって形成される部分である。

セラミック基板７０６は、セラミックスを材料として形成された基板であり、第３実施形態の箱状のセラミックパッケージ３０６の壁部３０６ｂを省略した態様のものである。セラミック基板７０６は、上側の板面である表面７０６ａと、下側の板面である裏面７０６ｂと、四方の側面７０６ｃとを有する。セラミック基板７０６の裏面７０６ｂ側には、複数の電極端子３１７が形成されている。

固体撮像装置７０１は、封止樹脂部７０５の一部により、セラミック基板７０６の上方にガラス３０３を支持している。すなわち、固体撮像装置７０１は、セラミックパッケージ３０６の壁部３０６ｂの代わりに、ガラス３０３を支持する部分として、封止樹脂部７０５の一部により、セラミック基板７０６の周縁部の上側に壁状の部分を形成している。

封止樹脂部７０５は、セラミック基板７０６の裏面７０６ｂ側に設けられた下側層部７０５ｐと、セラミック基板７０６の側面７０６ｃ側に設けられた囲繞部７０５ｑと、セラミック基板７０６の表面７０６ａよりも上側に設けられた壁部７０５ｒとを有する。これらの下側層部７０５ｐ、囲繞部７０５ｑ、および壁部７０５ｒは、一体の連続した部分として封止樹脂部７０５を形成している。

下側層部７０５ｐは、セラミック基板７０６の裏面７０６ｂ側において、電極端子３１７、半田部３１９、および柱状端子１０の上半部を埋めるように層状の部分として設けられている。セラミック基板７０６の下面となる下側層部７０５ｐの下面７０５ａから、柱状端子１０の下半部が下方に向けて突出している。

具体的には、柱状端子１０のうち、端子本体部１３の基端側部１４から上側の部分が、下側層部７０５ｐ内に埋もれおり、先端側部１５から下側の部分が、下側層部７０５ｐから突出している。下側層部７０５ｐは、柱状端子１０に対する接触面に、上部外周面１４ａに沿う湾曲面部７０５ｂを含む。

囲繞部７０５ｑは、下側層部７０５ｐおよびセラミック基板７０６の外側（側面７０６ｃ側）において、矩形板状のセラミック基板７０６を全周にわたって覆うように形成されている。下側層部７０５ｐは、セラミック基板７０６の四方の側面７０５ｃに沿って形成され、セラミック基板７０６の外側を囲繞している。

壁部７０５ｒは、セラミック基板７０６の縁部に沿って矩形枠状をなすように四方に形成されている。壁部７０５ｒは、セラミック基板７０６とともに、上側を開放側とした扁平な箱状をなすように形成されている。壁部７０６ｒは、イメージセンサ３０２の上方にガラス３０３を支持する部分となる。

ガラス３０３は、セラミック基板７０６の壁部７０５ｒ上に固定状態で支持されている。壁部７０５ｒは、水平面に沿う上面７０５ｄを有し、上面７０５ｄ上に、ガラス３０３が接着剤３１８により固定されている。封止樹脂部７０５および接着剤３１８により、キャビティ３０５の周囲が封止されている。

以上のように、封止樹脂部７０５は、セラミック基板７０６の下方および側方を全体的に覆うとともに、セラミック基板７０６の周縁部の上側に枠状に突出している。そして、封止樹脂部７０５は、セラミック基板７０６の表面７０６ａから上方への枠状の突出部分により、ガラス３０３の支持部を形成している。

封止樹脂部７０５は、上述した固体撮像装置３０１の製法において、リードフレーム３０の反対面エッチングの工程の前に、リードフレーム３０とセラミックパッケージ３０６との間に充填するレジスト３７の代わりに封止樹脂を用い、その封止樹脂を所定の形状として除去せずに残存させることにより形成される。

＜１６．第７実施形態に係る半導体装置の製造方法＞
本技術の第７実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図４０および図４１を参照して説明する。

固体撮像装置７０１の製造方法においては、第３実施形態と同様に、まず、図４０Ａに示すように、リードフレーム３０を準備する工程が行われる。次に、図４０Ｂに示すように、リードフレーム３０に対して片面ハーフエッチングが行われる。

次に、セラミック基板７０６に対して、エッチングを受けたリードフレーム３０（３０Ｐ）を実装する工程が行われる。ここで、図２５に示す態様と同様の態様で、集合状態のリードフレーム３０Ｐに、個片状態のセラミック基板７０６を搭載することにより、リードフレーム３０の実装が行われる。

図４０Ｃに示すように、リードフレーム３０Ｐの実装に際しては、リードフレーム３０Ｐのメッキ端子部３１に半田ペースト３１１が塗布される。その後、図４０Ｄに示すように、複数のセラミック基板７０６がリードフレーム３０Ｐに対してリフロー実装される。本工程により、リードフレーム３０Ｐとセラミック基板７０６との間に空間部７３６が形成される。

続いて、図４１Ａに示すように、リードフレーム３０Ｐとセラミック基板７０６との間の空間である空間部７３６に、封止樹脂５３７を充填するとともに、封止樹脂部７０５の囲繞部７０５ｑおよび壁部７０５ｒとなる部分である樹脂壁部７４６を形成する工程が行われる。樹脂壁部７４６は、セラミック基板７０６の矩形状の領域に対応して、平面視で所定の幅を持った格子状の部分として形成される。

空間部７３６内への封止樹脂５３７の充填および樹脂壁部７４６の形成は、モールド金型および離型フィルムを用いた射出成形により行われる。このように、本実施形態では、リードフレーム３０Ｐとセラミック基板７０６との間の隙間を埋める流動体として、封止樹脂５３７が用いられている。

空間部７３６内に充填されるとともに樹脂壁部７４６をなす封止樹脂５３７は、モールド金型内への射出工程の後の所定のタイミングで固化させられる。封止樹脂５３７は、硬化させられることで、硬化状態の封止樹脂５３７Ａとなる。封止樹脂５３７Ａは、空間部７３６内に充填された部分と樹脂壁部７４６とを含む。

次に、図４１Ｂに示すように、複数のセラミックパッケージ３０６を搭載したリードフレーム３０Ｐに対し、反対向面３３ｂ側からエッチングが行われる。

次に、図４１Ｃに示すように、セラミック基板７０６上にイメージセンサ３０２がダイボンドされ、ボンディングワイヤ３０８によりワイヤボンド結線される。また、樹脂壁部７４６の上面７４６ａに対して、接着剤３１８によりガラス３０３が接着されてガラス封止が行われる。樹脂壁部７４６の上面７４６ａは、封止樹脂部７０５において壁部７０５ｒの上面７０５ｄとなる面である。

その後、図４１Ｄに示すように、パッケージをダイシングして個片化する工程が行われる。この工程により、空間部７３６内の充填部および樹脂壁部７４６を含む硬化状態の封止樹脂５３７Ａが分離されて封止樹脂部７０５となり、封止樹脂部７０５を有する複数の固体撮像装置７０１が得られる。

以上のような本実施形態に係る固体撮像装置７０１およびその製造方法によれば、第５実施形態と同様に、封止樹脂部７０５により、柱状端子１０の電極端子７に対する接続部および柱状端子１０の根元側の部分を保護・補強することができ、温度サイクル耐性の向上、および基板実装信頼性の向上を図ることができる。また、板状のセラミック基板７０６を用いることで、第３実施形態のセラミックパッケージ３０６と比べて、安価に製造することが可能となり、コストを抑えることが可能となる。

＜１７．第８実施形態に係る半導体装置の構成例＞
本技術の第８実施形態に係る半導体装置の構成例について、図４２を参照して説明する。図４２に示すように、本実施形態に係る半導体装置８０１は、第４実施形態に係る半導体装置４０１の構成（図２６参照）において、再配線層４０３の裏面４０３ｂ側に、封止樹脂部８０５を設けたものである。封止樹脂部８０５は、第５実施形態に係る封止樹脂部５０５と同様の材料、製法によって形成される部分である。

封止樹脂部８０５は、再配線層４０３の裏面４０３ｂ側において、電極端子４１７、半田部４１９、および柱状端子１０の上半部を埋めるように層状の部分として設けられている。封止樹脂部８０５の下面８０５ａから、柱状端子１０の下半部が下方に向けて突出している。

具体的には、柱状端子１０のうち、端子本体部１３の基端側部１４から上側の部分が、封止樹脂部８０５内に埋もれおり、先端側部１５から下側の部分が、封止樹脂部８０５から突出している。封止樹脂部８０５は、柱状端子１０に対する接触面に、上部外周面１４ａに沿う湾曲面部８０５ｂを含む。

封止樹脂部８０５は、上述した半導体装置４０１の製法において、リードフレーム３０の反対面エッチングの工程の前に、リードフレーム片３０Ｘと再配線層部４４３との間に充填するレジスト３７の代わりに封止樹脂を用い、その封止樹脂を除去せずに残存させることにより形成される。

＜１８．第８実施形態に係る半導体装置の製造方法＞
本技術の第８実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図２７および図４３を参照して説明する。

半導体装置８０１の製造方法においては、第４実施形態と同様に、まず、リードフレーム３０を準備する工程が行われる（図２７Ａ参照）。また、ウェーハＦＯＷＬＰ４４０を準備する工程が行われる（図２７Ｃ、図２９参照）。次に、リードフレーム３０に対して片面ハーフエッチングが行われる（図２７Ｂ参照）。続いて、エッチングを受けたリードフレーム３０をＩＣチップ４０２に対応した複数のリードフレーム片３０Ｘに個片化する工程が行われる（図２７Ｃ参照）。

その後、エッチングを受けたリードフレーム３０（３０Ｐ）をウェーハＦＯＷＬＰ４４０に実装する工程が行われる（図２７Ｄ参照）。本工程により、リードフレーム片３０ＸとウェーハＦＯＷＬＰ４４０との間に空間部４３６が形成される。

続いて、図４３Ａに示すように、リードフレーム片３０ＸとウェーハＦＯＷＬＰ４４０との間の空間である空間部４３６に、封止樹脂５３７を充填する工程が行われる。

封止樹脂５３７は、例えば、ディスペンサのノズルから吐出され、隣り合うリードフレーム片３０Ｘ間の隙間３０Ｙ（図２７Ｄ参照）から、リードフレーム片３０Ｘと再配線層部４４３との間の隙間である空間部４３６を埋めるように塗布される。また、モールド金型および離型フィルムを用いた射出成形により、空間部４３６内に封止樹脂５３７を充填させてもよい。このように、本実施形態では、リードフレーム片３０Ｘと再配線層部４４３との間の隙間を埋める流動体として、封止樹脂５３７が用いられている。

空間部４３６内に充填された封止樹脂５３７は、所定のタイミングで固化させられる。流動性を有する封止樹脂５３７は、硬化させられることで、硬化状態の封止樹脂５３７Ａとなる。

次に、図４３Ｂに示すように、ウェーハＦＯＷＬＰ４４０に実装されたリードフレーム片３０Ｘに対し、反対向面３３ｂ側からエッチングが行われる。その後、封止樹脂５３７Ａの凸部５３７Ｘを除去する工程が行われる。

そして、図４３Ｃに示すように、柱状端子１０が形成された状態のウェーハＦＯＷＬＰ４４０をダイシングして個片化する工程が行われる。この工程により、硬化状態の封止樹脂５３７Ａが、再配線層部４４３およびモールド樹脂部４４５とともに分離されて封止樹脂部８０５となり、封止樹脂部８０５を有する複数の半導体装置８０１が得られる。

以上のような本実施形態に係る半導体装置８０１およびその製造方法によれば、第５実施形態と同様に、封止樹脂部８０５により、柱状端子１０の電極端子７に対する接続部および柱状端子１０の根元側の部分を保護・補強することができ、温度サイクル耐性の向上、および基板実装信頼性の向上を図ることができる。

＜１９．第９実施形態に係る半導体装置の製造方法＞
本技術の第９実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図４４、図４５および図４６を参照して説明する。

本実施形態の製法は、第１実施形態の固体撮像装置１の製法との対比において、リードフレーム３０の実装態様の点で異なる。すなわち、第１実施形態の製法は、ウェーハ状態のＷＬ－ＣＳＰに、リードフレーム３０を個片化したリードフレーム片３０Ｘを実装するが（図６参照）、第９実施形態の製法は、ウェーハ状態のＷＬ－ＣＳＰに、同じく集合状態のリードフレーム３０（３０Ｐ）を搭載する（図４６参照）。他の工程は、第１実施形態と共通である。

本実施形態の製造方法においては、第１実施形態と同様に、まず、リードフレーム３０を準備する工程が行われる（図４４Ａ参照）。また、ウェーハＣＳＰ４０を準備する工程が行われる（図４４Ｂ、図４６参照）。次に、リードフレーム３０に対して片面ハーフエッチングが行われる（図４４Ｂ参照）。

次に、図４４Ｃに示すように、ウェーハＣＳＰ４０に対して、ハーフエッチングを受けたリードフレーム３０Ｐを実装する工程が行われる。本工程では、図４６に示すように、リードフレーム３０Ｐが個片化されることなく集合状態のままウェーハＣＳＰ４０に実装される。本工程により、リードフレーム３０Ｐとシリコンウェーハ４２との間に空間部９３６が形成される。図４６は、本実施形態でのリードフレーム３０の搭載イメージを示している。

続いて、図４５Ａに示すように、リードフレーム３０ＰとウェーハＣＳＰ４０との間の空間である空間部９３６に、レジスト３７を充填する工程が行われる。

レジスト３７は、例えば、ディスペンサのノズルから吐出され、ウェーハＣＳＰ４０の外縁部におけるリードフレーム３０Ｐとシリコンウェーハ４２との間の隙間から、空間部９３６を埋めるように塗布される。ここで、リードフレーム３０Ｐにおける所定の部位に、レジスト３７を空間部９３６内に供給するための開口部を形成してもよい。開口部は、リードフレーム３０Ｐにおいて例えば薄板部３５等にスリット状の貫通孔部として形成され、空間部９３６を外部空間に連通させる。レジスト３７は、リードフレーム３０Ｐの開口部から空間部９３６内に充填される。リードフレーム３０Ｐに開口部を形成することで、レジスト３７の塗布を容易にかつ効率的に行うことが可能となる。

次に、図４５Ｂに示すように、ウェーハＣＳＰ４０に実装されたリードフレーム３０Ｐに対し、反対向面３３ｂ側からエッチングが行われる。次に、図４５Ｃに示すように、レジスト３７を除去する工程が行われた後、柱状端子１０が形成された状態のウェーハＣＳＰ４０をダイシングして個片化する工程が行われる。これにより、複数の固体撮像装置１が得られる。

以上のような本実施形態に係る固体撮像装置１の製造方法によれば、第１実施形態と同様に、短時間かつ安価に外部接続端子として柱状端子１０を形成することができ、固体撮像装置１の実装信頼性を向上することができる。

＜２０．第１０実施形態に係る半導体装置の構成例＞
本技術の第１０実施形態に係る半導体装置の構成例について、図４７および図４８を参照して説明する。本実施形態の固体撮像装置１００１は、第１実施形態の固体撮像装置１との対比において、柱状端子１０の端子本体部１３の形状を異にするものである。他の構成は第１実施形態と共通である。

固体撮像装置１００１は、イメージセンサ２を含む半導体基体１Ａと、リードフレーム３０の一部により形成された柱状端子１０Ｂ（１０）とを備える。柱状端子１０Ｂは、基端側端子部１１と、先端側端子部１２と、基端側端子部１１と先端側端子部１２との間の部分であって柱状端子１０Ｂの本体部分をなす端子本体部１０１３とを有する。

端子本体部１０１３は、柱状端子１０Ｂの大部分を構成する柱状の部分である。端子本体部１０１３は、基端側端子部１１に対する接合面である上面１０１３ａの形状・寸法を、基端側端子部１１の下面１１ｂに略一致させており、先端側端子部１２に対する接合面である下面１０１３ｂの形状・寸法を、先端側端子部１２の上面１２ｂに略一致させている。端子本体部１０１３は、上述した実施形態の端子本体部１３と同様にフレーム本体部３３の一部により形成されている。

また、図４８に示すように、柱状端子１０Ｂに関し、電極端子７に対する柱状端子１０Ｂの接合面は、柱状端子１０Ｂの先端側の端面よりも大きくなっている。すなわち、柱状端子１０Ｂにおいては、基端側端子部１１の面積が、先端側端子部１２の面積よりも大きくなっている。

端子本体部１０１３は、基端側端子部１１および先端側端子部１２の大小関係に対応して、基端側端子部１１側から先端側端子部１２側にかけて外径を徐々に小さくした略先細りの形状（略テーパ形状）を有する。したがって、柱状端子１０Ｂは、端子本体部１０１３の形状に倣って全体として略先細りの形状を有する。

柱状端子１０Ｂの縦断面視において、端子本体部１０１３の外周面１０１３ｃは、柱状端子１０Ｂの中心軸側を凸側とした凹状の曲線をなす。図４８に示す例では、端子本体部１０１３は、その下部について、上側から下側にかけて外径を徐々にわずかに大きくした緩やかな逆テーパ形状を有する。

以上のような構成を備えた固体撮像装置１００１は、図４８に示すように、柱状端子１０Ｂを接続端子として、ランド電極２１を有する実装基板２０に実装される。柱状端子１０Ｂは、半田部２５を介してランド電極２１に接合されている。半田部２５は、第１実施形態の場合と同様に、基端側端子部１１とランド電極２１の間を埋めるとともに、下広がりの形状をなしながら柱状端子１０Ｂの下部を被覆しており、端子間介在部２５ａ、下端外周部２５ｂ、および周壁部２５ｃを有する。

以上のような柱状端子１０Ｂによる固体撮像装置１００１の実装態様によれば、イメージセンサ２の電極端子７と実装基板２０のランド電極２１との間の電気的な接続部として、上下の中間部に対して上下の両端側を拡径させた形態を有する導体部が形成されている。この導体部は、電極端子７とランド電極２１とを繋ぐ部分であって、半田部９、柱状端子１０Ｂ、および半田部２５からなる柱状の部分である。そして、この導体部は、上下方向について両端部から中央部にかけて外径を徐々に小さくした中細りの形状を有し、縦断面視において端子本体部１０１３の上下中央部を中心として略上下対称の形状を有する。

端子本体部１０１３は、上述した固体撮像装置１の製法において、リードフレーム３０のハーフエッチングを行わず、リードフレーム３０を当初の板厚のまま実装し、その後、メッキ端子部３１，３２をマスクとして一気にフルエッチングを行うことにより一括して形成される。

＜２１．第１０実施形態に係る半導体装置の製造方法＞
本技術の第１０実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図４９を参照して説明する。

固体撮像装置１００１の製造方法においては、第１実施形態と同様に、まず、図４９Ａに示すように、リードフレーム３０を準備する工程と、ウェーハＣＳＰ４０を準備する工程が行われる。

次に、図４９Ｂに示すように、リードフレーム３０に対してハーフエッチングを行うことなく、ウェーハＣＳＰ４０に対して、リードフレーム３０を実装する工程が行われる。本工程では、リードフレーム３０が個片化されることなく集合状態のままウェーハＣＳＰ４０にリフロー実装される（図４６参照）。本工程により、リードフレーム３０が、半田部９を介して各第１メッキ端子部３１を電極端子７に接合させた状態となる。

次に、図４９Ｃに示すように、ウェーハＣＰＳ４０に実装されたリードフレーム３０に対し、反対向面３３ｂ側からエッチングが行われる。ここでは、フレーム本体部３３のメッキ端子部３１，３２の形成領域以外の部分について、フレーム本体部３３の板厚方向に全体的に除去するフルエッチングが行われる。このように、フレーム本体部３３の第２メッキ端子部３２および第１メッキ端子部３１をマスクとしたエッチングにより、リードフレーム３０のフレーム本体部３３を部分的に除去することで、電極端子７から突出した柱状端子１０Ｂを形成する工程が行われる。

本工程により、リードフレーム３０のフレーム本体部３３のうち、第１メッキ端子部３１と第２メッキ端子部３２の間の部分以外の部分が除去される。これにより、フレーム本体部３３のうち、第１メッキ端子部３１と第２メッキ端子部３２の間の部分が、柱状部１０３８として残る。

このように、上下のメッキ端子部３１，３２および柱状部１０３８によって形成された柱状の部分が、半田部９を介して電極端子７上に立設された柱状端子１０Ｂとなる。本工程のエッチングにより、柱状端子１０Ｂにおいて端子本体部１０１３の外周面１０１３ｃとなる面が、柱状部１０３８の外周面１０３８ｃとして形成される。すなわち、第１メッキ端子部３１が基端側端子部１１となり、第２メッキ端子部３２が先端側端子部１２となり、柱状部１０３８が端子本体部１０１３となり、柱状端子１０Ｂが形成される。

その後、図４９Ｄに示すように、柱状端子１０Ｂが形成された状態のウェーハＣＰＳ４０をダイシングして個片化する工程が行われる。これにより、複数の固体撮像装置１００１が得られる。

以上のような本実施形態に係る固体撮像装置１００１およびその製造方法によれば、第１実施形態と同様に、短時間かつ安価に外部接続端子として柱状端子１０Ｂを形成することができ、固体撮像装置１００１の実装信頼性を向上することができる。

また、本実施形態においても、第１メッキ端子部３１と第２メッキ端子部３２の大小関係により、イメージセンサ２の電極端子７と実装基板２０のランド電極２１とを接続させる導体部について、強度を向上することができる。すなわち、図４８に示すように、固体撮像装置１００１を実装基板２０に実装した状態において、柱状端子１０Ｂに対して濡れ上がった半田部２５を含む導体部を全体的に略上下対称の形状とすることができる。これにより、導体部について上下の断面サイズをバランスさせることができ、導体部を破壊しにくい構造とすることができる。

また、本実施形態の製造方法によれば、リードフレーム３０に対するハーフエッチングの工程が省略されているため、製造工程を簡略化することができる。これにより、製造コストを低減することが可能となる。

＜２２．電子機器の構成例＞
上述した実施形態に係る固体撮像装置の電子機器への適用例について、図５０を用いて説明する。なお、ここでは第１実施形態に係る固体撮像装置１の適用例について説明する。

固体撮像装置１は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像素子を用いる複写機など、画像取込部（光電変換部）に固体撮像素子を用いる電子機器全般に対して適用可能である。固体撮像素子は、ワンチップとして形成された形態のものであってもよいし、撮像部と信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態のものであってもよい。

図５０に示すように、電子機器としての撮像装置２１００は、光学部２１０２と、固体撮像装置１と、カメラ信号処理回路であるＤＳＰ(Digital Signal Processor)回路２１０３と、フレームメモリ２１０４と、表示部２１０５と、記録部２１０６と、操作部２１０７と、電源部２１０８とを備える。ＤＳＰ回路２１０３、フレームメモリ２１０４、表示部２１０５、記録部２１０６、操作部２１０７および電源部２１０８は、バスライン２１０９を介して相互に接続されている。

光学部２１０２は、複数のレンズを含み、被写体からの入射光（像光）を取り込んで固体撮像装置１の撮像面上に結像する。固体撮像装置１は、光学部２１０２によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。

表示部２１０５は、例えば、液晶パネルや有機ＥＬ(Electro Luminescence)パネル等のパネル型表示装置からなり、固体撮像装置１で撮像された動画または静止画を表示する。記録部２１０６は、固体撮像装置１で撮像された動画または静止画を、ハードディスクや半導体メモリ等の記録媒体に記録する。

操作部２１０７は、ユーザによる操作の下に、撮像装置２１００が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源部２１０８は、ＤＳＰ回路２１０３、フレームメモリ２１０４、表示部２１０５、記録部２１０６および操作部２１０７の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。

以上のような撮像装置２１００によれば、固体撮像装置１において、固体撮像装置１の発熱の対応において、簡単な構造により、パッケージサイズを小型にすることができるとともに、高速インターフェースの伝送遅延を抑制することができる。固体撮像装置１の小型化にともない、撮像装置２１００の小型化を進めることができる。

上述した実施形態の説明は本技術の一例であり、本技術は上述の実施形態に限定されることはない。このため、上述した実施形態以外であっても、本開示に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。また、本開示に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。また、上述した各実施形態の構成および変形例の構成は適宜組み合せることができる。

上述した実施形態では、リードフレーム３０は、その端子部としてメッキにより形成されたメッキ端子部３１，３２を有するが、リードフレーム３０が有する端子部は、メッキ以外の方法によって形成された部分であってもよい。

なお、本技術は、以下のような構成を取ることができる。
（１）
板状のフレーム本体部、および前記フレーム本体部の両側の板面に板面視で少なくとも一部同士を重ねるように対で設けられた複数の端子部を有するリードフレームを準備する工程と、
前記フレーム本体部の一方の板面の前記端子部を、半導体素子を含む半導体装置本体の電極部に接合することで、前記リードフレームを前記半導体装置本体に実装する工程と、
前記フレーム本体部の他方の板面の前記端子部をマスクとしたエッチングにより、前記フレーム本体部を部分的に除去することで、前記電極部から突出した柱状端子を形成する工程と、を備える
半導体装置の製造方法。
（２）
前記実装する工程の前に、前記フレーム本体部の一方の板面側に対する前記端子部をマスクとしたエッチングにより、前記フレーム本体部をその板厚方向について部分的に除去する工程をさらに備え、
前記実装する工程の後、かつ前記柱状端子を形成する工程の前に、前記リードフレームと前記半導体装置本体との間の空間に、絶縁性を有する流動体を充填する工程をさらに備える
前記（１）に記載の半導体装置の製造方法。
（３）
前記半導体装置本体として、集合状態で形成された複数の前記半導体素子を含む一体の板状体を用い、
前記除去する工程の後に、前記リードフレームを前記半導体素子に対応した複数のチップに個片化する工程をさらに備え、
前記実装する工程は、前記複数のチップを前記半導体装置本体に実装する
前記（２）に記載の半導体装置の製造方法。
（４）
前記充填する工程では、前記流動体として、フォトレジストを用いる
前記（２）または前記（３）に記載の半導体装置の製造方法。
（５）
前記準備する工程は、前記フレーム本体部に対するメッキにより、前記複数の端子部を形成する工程を含み、
前記複数の端子部を形成する工程では、前記フレーム本体部の一方の板面に形成する前記端子部を、前記フレーム本体部の他方の板面に形成する前記端子部よりも大きく形成する
前記（２）～（４）のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（６）
前記複数の端子部を形成する工程では、前記フレーム本体部の一方の板面に形成する前記端子部を楕円形状とするとともに、前記フレーム本体部の他方の板面に形成する前記端子部を円形状とし、
前記楕円形状の前記端子部を、楕円形状の長径方向を前記半導体素子の中央部に向けるように形成する
前記（５）に記載の半導体装置の製造方法。
（７）
半導体素子を含み、一側の面に外部接続用の複数の電極部を有する半導体基体と、
前記半導体基体に対して前記電極部から突出するように設けられ、リードフレームの一部により形成された柱状端子と、を備える
半導体装置。
（８）
前記電極部に対する前記柱状端子の接合面は、前記柱状端子の先端側の端面よりも大きい
前記（７）に記載の半導体装置。
（９）
前記電極部に対する前記柱状端子の接合面は楕円形状であり、前記柱状端子の先端側の端面は円形状であり、
複数の前記柱状端子は、前記電極部に対する接合面の楕円形状の長径方向を前記半導体基体の中央部に向けるように設けられている
前記（７）または前記（８）に記載の半導体装置。
（１０）
前記半導体基体の一側の面に設けられ、前記リードフレームの一部により形成された放熱用パッドをさらに備える
前記（７）～（９）のいずれかに記載の半導体装置。
（１１）
前記半導体基体の一側の面に設けられ、前記リードフレームの一部により形成された補強部をさらに備える
前記（７）～（１０）のいずれかに記載の半導体装置。
（１２）
前記半導体基体の一側の面に設けられ、前記リードフレームの一部により形成されたＧＮＤプレーンをさらに備える
前記（７）～（１１）のいずれかに記載の半導体装置。
（１３）
前記半導体基体の一側の面に設けられた第２の半導体素子と、
前記半導体基体の一側の面に設けられ、前記リードフレームの一部により前記第２の半導体素子を覆うように形成されたシールド部と、をさらに備える
前記（７）～（１２）のいずれかに記載の半導体装置。
（１４）
半導体素子を含み、一側の面に外部接続用の複数の電極部を有する半導体基体と、
前記半導体基体に対して前記電極部から突出するように設けられ、リードフレームの一部により形成された柱状端子と、を備える
半導体装置を備えた
電子機器。

１，２０１，３０１，５０１，６０１，７０１，１００１ 固体撮像装置（半導体装置）
１Ａ，２０１Ａ，３０１Ａ，４０１Ａ 半導体基体
２，２０２，３０２ イメージセンサ（半導体素子）
７，２１７，３１７，４１７ 電極端子（電極部）
１０ 柱状端子
１１ 基端側端子部
１２ 先端側端子部
１３ 端子本体部
３０ リードフレーム
３０Ｘ リードフレーム片
３１ 第１メッキ端子部（端子部）
３２ 第２メッキ端子部（端子部）
３３ フレーム本体部
３３ａ 対向面（一方の板面）
３３ｂ 反対向面（他方の板面）
３６，２３６，３３６，４３６，７３６，９３６ 空間部
３７ レジスト（流動体、フォトレジスト）
４０ ウェーハＣＳＰ（半導体装置本体、板状体）
５０ 放熱用パッド
７０ 補強部
９０ ＧＮＤプレーン
１２０ シールド部
１２５ 内蔵チップ（第２の半導体素子）
２４０ 有機基板パッケージ（半導体装置本体）
４０１，８０１ 半導体装置
４０２ ＩＣチップ（半導体素子）
４４０ ウェーハＦＯＷＬＰ（半導体装置本体、板状体）
５３７ 封止樹脂（流動体）
２１００ 撮像装置（電子機器）

Claims (14)

1. 板状のフレーム本体部、および前記フレーム本体部の両側の板面に板面視で少なくとも一部同士を重ねるように対で設けられた複数の端子部を有するリードフレームを準備する工程と、
   前記フレーム本体部の一方の板面の前記端子部を、半導体素子を含む半導体装置本体の電極部に接合することで、前記リードフレームを前記半導体装置本体に実装する工程と、
   前記フレーム本体部の他方の板面の前記端子部をマスクとしたエッチングにより、前記フレーム本体部を部分的に除去することで、前記電極部から突出した柱状端子を形成する工程と、を備える
   半導体装置の製造方法。
2. 前記実装する工程の前に、前記フレーム本体部の一方の板面側に対する前記端子部をマスクとしたエッチングにより、前記フレーム本体部をその板厚方向について部分的に除去する工程をさらに備え、
   前記実装する工程の後、かつ前記柱状端子を形成する工程の前に、前記リードフレームと前記半導体装置本体との間の空間に、絶縁性を有する流動体を充填する工程をさらに備える
   請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記半導体装置本体として、集合状態で形成された複数の前記半導体素子を含む一体の板状体を用い、
   前記除去する工程の後に、前記リードフレームを前記半導体素子に対応した複数のチップに個片化する工程をさらに備え、
   前記実装する工程は、前記複数のチップを前記半導体装置本体に実装する
   請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記充填する工程では、前記流動体として、フォトレジストを用いる
   請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記準備する工程は、前記フレーム本体部に対するメッキにより、前記複数の端子部を形成する工程を含み、
   前記複数の端子部を形成する工程では、前記フレーム本体部の一方の板面に形成する前記端子部を、前記フレーム本体部の他方の板面に形成する前記端子部よりも大きく形成する
   請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記複数の端子部を形成する工程では、前記フレーム本体部の一方の板面に形成する前記端子部を楕円形状とするとともに、前記フレーム本体部の他方の板面に形成する前記端子部を円形状とし、
   前記楕円形状の前記端子部を、楕円形状の長径方向を前記半導体素子の中央部に向けるように形成する
   請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
7. 半導体素子を含み、一側の面に外部接続用の複数の電極部を有する半導体基体と、
   前記半導体基体に対して前記電極部から突出するように設けられ、リードフレームの一部により形成された柱状端子と、を備える
   半導体装置。
8. 前記電極部に対する前記柱状端子の接合面は、前記柱状端子の先端側の端面よりも大きい
   請求項７に記載の半導体装置。
9. 前記電極部に対する前記柱状端子の接合面は楕円形状であり、前記柱状端子の先端側の端面は円形状であり、
   複数の前記柱状端子は、前記電極部に対する接合面の楕円形状の長径方向を前記半導体基体の中央部に向けるように設けられている
   請求項７に記載の半導体装置。
10. 前記半導体基体の一側の面に設けられ、前記リードフレームの一部により形成された放熱用パッドをさらに備える
    請求項７に記載の半導体装置。
11. 前記半導体基体の一側の面に設けられ、前記リードフレームの一部により形成された補強部をさらに備える
    請求項７に記載の半導体装置。
12. 前記半導体基体の一側の面に設けられ、前記リードフレームの一部により形成されたＧＮＤプレーンをさらに備える
    請求項７に記載の半導体装置。
13. 前記半導体基体の一側の面に設けられた第２の半導体素子と、
    前記半導体基体の一側の面に設けられ、前記リードフレームの一部により前記第２の半導体素子を覆うように形成されたシールド部と、をさらに備える
    請求項７に記載の半導体装置。
14. 半導体素子を含み、一側の面に外部接続用の複数の電極部を有する半導体基体と、
    前記半導体基体に対して前記電極部から突出するように設けられ、リードフレームの一部により形成された柱状端子と、を備える
    半導体装置を備えた
    電子機器。

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