JP5745653B2 - 光起電力装置およびその製造方法、光起電力モジュール - Google Patents
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Description
図1は、実施の形態1にかかる光起電力装置であるヘテロ接合太陽電池セル(以下、太陽電池セルと呼ぶ場合がある)の構成を模式的に示す断面図である。この太陽電池セル10は、n型単結晶シリコン基板11と、このn型単結晶シリコン基板11の受光面側の直上に順次積層された受光面側真性非晶質酸素含有シリコン層12(以下、a−SiO(i)層12と呼ぶ)、導電性非晶質シリコン層として不純物がドープされたp型非晶質シリコン層13、受光面側透明導電層14および受光面側集電極15を備える。また、太陽電池セル10は、n型単結晶シリコン基板11の受光面側とは反対側(裏面)の表面に順次積層された裏面側真性非晶質シリコン層16、導電性非晶質シリコン層として不純物が高濃度にドープされたn型非晶質シリコン層17、裏面側透明導電層18および裏面電極19を備える。
図5は、実施の形態2にかかる光起電力装置である太陽電池セルの受光面側の基板表面の構成を模式的に示す断面図である。実施の形態2にかかる太陽電池セルは、n型単結晶シリコン基板11の表面にピラミッド状テクスチャーを有し、該ピラミッド状テクスチャーの間隙にエピタキシャル成長層21を有すること以外は、実施の形態1にかかる太陽電池セル10と同じ構成を有する。したがって、以下では、実施の形態2にかかる太陽電池セルの特徴部分に注目して説明する。
図7は、実施の形態3にかかる光起電力装置である太陽電池セルの受光面側の基板表面の構成を模式的に示す断面図である。実施の形態3にかかる太陽電池セルは、n型単結晶シリコン基板11の表面に逆ピラミッド状テクスチャーを有し、該逆ピラミッド状テクスチャーのテラス部にエピタキシャル成長層21を有すること以外は、実施の形態1にかかる太陽電池セル10と同じ構成を有する。したがって、以下では、実施の形態3にかかる太陽電池セルの特徴部分に注目して説明する。
11 n型単結晶シリコン基板
11a 微細凹凸
12 受光面側真性非晶質酸素含有シリコン層(a−SiO(i)層)
13 p型非晶質シリコン層
14 受光面側透明導電層
15 受光面側集電極
16 裏面側真性非晶質シリコン層
17 n型非晶質シリコン層
18 裏面側透明導電層
19 裏面電極
21 エピタキシャル成長層
31 ピラミッド状テクスチャー
32 テクスチャー間平坦部
41 逆ピラミッド状テクスチャー
42 テラス部
Claims (9)
- 一導電型の単結晶シリコン基板の直上に、真性非晶質酸素含有シリコン層と、不純物がドープされた導電性非晶質シリコン層と、透明導電層とがこの順で積層された光起電力装置であって、
前記真性非晶質酸素含有シリコン層と前記導電性非晶質シリコン層との内部に、前記単結晶シリコン基板の表面において前記真性非晶質酸素含有シリコン層の厚みより大きく、前記真性非晶質酸素含有シリコン層の厚みの2倍よりも小さい高低差寸法を有する凹凸を起点として前記透明導電層に達するまで前記単結晶シリコン基板の面方向における面積が大きくなるとともに、前記単結晶シリコン基板の表面と前記透明導電層とに直接接続する複数の結晶粒子が前記単結晶シリコン基板の面方向において離間して点在していること、
を特徴とする光起電力装置。 - 前記結晶粒子は、前記真性非晶質酸素含有シリコン層の内部において前記単結晶シリコン基板の表面における前記凹凸を起点として真性酸素含有シリコンがエピタキシャル成長した第1エピタキシャル成長層と、前記導電性非晶質シリコン層の内部において前記第1エピタキシャル成長層の表面を基点として導電性非晶質シリコンがエピタキシャル成長した第2エピタキシャル成長層とからなり、
前記第2エピタキシャル成長層が前記透明導電層に接触する面積は、前記第1エピタキシャル成長層が前記単結晶シリコン基板の表面に接触する面積に対して10倍以上大きいこと、
を特徴とする請求項1に記載の光起電力装置。 - 前記単結晶シリコン基板は、主面の面方位が(100)であり、
前記結晶粒子は、表面の面方位が(100)とされてエピタキシャル成長した粒子であること、
を特徴とする請求項1または2に記載の光起電力装置。 - 前記単結晶シリコン基板は、前記真性非晶質酸素含有シリコン層の厚みより大きく、前記真性非晶質酸素含有シリコン層の厚みの2倍より小さい高低差を有する凹凸が前記真性非晶質酸素含有シリコン層側の表面に形成され、
前記結晶粒子は、前記凹凸を基点として形成されていること、
を特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の光起電力装置。 - 前記単結晶シリコン基板は、前記真性非晶質酸素含有シリコン層側の表面にピラミッド状テクスチャーが複数形成されるとともに隣接する前記ピラミッド状テクスチャー間に平坦な第1平坦部が形成され、前記第1平坦部に前記凹凸が形成されていること、
を特徴とする請求項4に記載の光起電力装置。 - 前記単結晶シリコン基板は、前記真性非晶質酸素含有シリコン層側の表面に逆ピラミッド状テクスチャーが複数形成されるとともに隣接する前記逆ピラミッド状テクスチャー間に平坦な第2平坦部が形成され、前記第2平坦部に前記凹凸が形成されていること、
を特徴とする請求項4に記載の光起電力装置。 - 一導電型の単結晶シリコン基板の直上に、真性非晶質酸素含有シリコン層と、不純物がドープされた導電性非晶質シリコン層と、透明導電層とがこの順で積層された光起電力装置の製造方法であって、
前記単結晶シリコン基板の表面に有機溶媒を塗布した後に前記単結晶シリコン基板の表面をアルカリ溶液によりエッチングすることにより前記単結晶シリコン基板の表面において前記真性非晶質酸素含有シリコン層の厚みより大きく、前記真性非晶質酸素含有シリコン層の厚みの2倍よりも小さい高低差寸法を有する複数の凹凸を前記単結晶シリコン基板の面方向において離間させて形成する第1工程と、
前記凹凸が形成された単結晶シリコン基板の表面に真性非晶質酸素含有シリコン層を形成すると同時に、前記凹凸を基点として前記真性非晶質酸素含有シリコン層の表面から露出する真性酸素含有シリコンの結晶粒子からなる第1エピタキシャル成長層を前記真性非晶質酸素含有シリコン層の一部に形成する第2工程と、
不純物がドープされた導電性非晶質シリコン層を前記真性非晶質酸素含有シリコン層上に形成すると同時に、前記第1エピタキシャル成長層の表面を基点として前記導電性非晶質シリコン層の表面から露出する導電性非晶質シリコンの結晶粒子からなる第2エピタキシャル成長層を前記導電性非晶質シリコン層の一部に形成する第3工程と、
前記導電性非晶質シリコン層上および前記第2エピタキシャル成長層上に透明導電膜を形成する第4工程と、
を含むことを特徴とする光起電力装置の製造方法。 - 前記第1工程の前に、
前記単結晶シリコン基板の表面に複数のピラミッド状テクスチャーを形成後、フッ酸と硝酸との混合液によるエッチング処理により隣接する前記ビラミッド状テクスチャーの間隙に内壁が丸まった縦断面形状を有する溝を形成し、その後アルカリ溶液によるエッチング処理によって前記溝の丸まった内壁を角ばらせることにより前記ピラミッド状テクスチャーの間隙に平坦部を形成する工程を有し、
前記第1工程では、前記平坦部の表面に前記凹凸を形成すること、
を特徴とする請求項7に記載の光起電力装置の製造方法。 - 請求項1〜6のいずれか1つに記載の光起電力装置の少なくとも2つ以上が電気的に直列または並列に接続されてなること、
を特徴とする光起電力モジュール。
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