JP5704121B2 - スナバコンデンサが搭載された半導体モジュールの保護回路 - Google Patents
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Description
半導体能動素子とスナバコンデンサとが樹脂筐体内に封入された半導体モジュールの保護回路であって、前記半導体モジュールは、外部に接続される一対の端子であって、前記半導体能動素子に与えられる印加電圧の正側に対応するP側端子および負側に対応するN側端子と、外部に接続される一対の端子であって、前記P側端子と前記N側端子との間に接続された前記スナバコンデンサの両端の電圧をモニタするためのP側モニタ端子およびN側モニタ端子と、を備えており、前記半導体モジュールの保護回路は、前記P側モニタ端子および前記N側モニタ端子に接続され、前記スナバコンデンサの両端の電圧をモニタする電圧モニタと、前記電圧モニタでモニタした電圧が、あらかじめ定めた閾値以上となった場合には、前記P側端子および前記N側端子の間に与えられる印加電圧を低下させる制御部と、を備えることを特徴とする半導体モジュールの保護回路。
適用例1によれば、半導体モジュール内部に搭載されたスナバコンデンサの端子間の電圧が閾値以上となった場合に、P側端子およびN側端子の間に与える印加電圧を低下させることができる。これにより、例えば、スナバコンデンサの温度上昇を抑制することができ、スナバコンデンサの耐久性が低下して寿命が短くなることを抑制することができる。また、例えば、スナバコンデンサのサージ電圧吸収性能が低下したとしても、印加電圧を低下させることにより、発生するサージ電圧を低くすることができるので、半導体能動素子の保護を図ることができる。なお、半導体能動素子としては、単独の半導体能動素子であっても良いし、複数の半導体能動素子を含むものであっても良い。
12…P側端子
13…N側端子
14…制御端子
16…出力端子
17…P側モニタ端子
18…N側モニタ端子
20…DC/DCコンバータ
30…電圧モニタ
40…制御部
112,114…IGBT
112t,114t…IGBT素子
112d,114d…FWD
116…スナバコンデンサ
116p…コンデンサ
122…P側リードフレーム
124…ハンダ
126…先端部分
132…N側リードフレーム
134…導体部
134a…ハンダ
134b…導体板
134c…ハンダ
136…先端部分
142…制御リードフレーム
144…ワイヤ
152…制御リードフレーム
154…ワイヤ
162…出力側リードフレーム
164…導体部
164a…ハンダ
164b…導体板
164c…ハンダ
166…ハンダ
172…P側モニタリードフレーム
174…ワイヤ
182…N側モニタリードフレーム
184…ワイヤ
192…冷却器
194…冷却器
196…絶縁基板
198…絶縁基板
M…モールド
Gr…グリス
Claims (1)
- 半導体能動素子とスナバコンデンサとが樹脂筐体内に封入された半導体モジュールの保護回路であって、
前記半導体モジュールは、
外部に接続される一対の端子であって、前記半導体能動素子に与えられる印加電圧の正側に対応するP側端子および負側に対応するN側端子と、
外部に接続される一対の端子であって、前記P側端子と前記N側端子との間に接続された前記スナバコンデンサの両端の電圧をモニタするためのP側モニタ端子およびN側モニタ端子と、
を備えており、
前記半導体モジュールの保護回路は、
前記P側モニタ端子および前記N側モニタ端子に接続され、前記スナバコンデンサの両端の電圧をモニタする電圧モニタと、
前記電圧モニタでモニタした電圧が、あらかじめ定めた閾値以上となった場合には、前記P側端子および前記N側端子の間に与えられる印加電圧を低下させる制御部と、
を備えることを特徴とする半導体モジュールの保護回路。
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- 2012-06-01 JP JP2012125908A patent/JP5704121B2/ja active Active
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