JP2010153527A

JP2010153527A - 半導体モジュール冷却装置

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Publication number: JP2010153527A
Application number: JP2008328963A
Authority: JP
Inventors: Mitsunori Kimura; 光徳木村; Noritoshi Narumi; 礼斗史鳴海; Yasuyuki Sakai; 泰幸酒井; Masaya Tonomoto; 雅也殿本
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2008-12-25
Filing date: 2008-12-25
Publication date: 2010-07-08
Anticipated expiration: 2028-12-25
Also published as: JP5212088B2

Abstract

【課題】コンデンサの冷却性能が高く、スイッチングサージ電圧を低減しやすい半導体モジュールの冷却装置を提供する。
【解決手段】冷却管７によって半導体モジュール２を冷却する。半導体モジュール２は、直流電圧が印加される正極端子４１および負極端子４２を備える。また、正極側放熱板５１と、負極側放熱板５２とを備える。さらに、正極側放熱板５１と負極側放熱板５２とに接続された半導体素子と、半導体素子に並列になるように、正極側放熱板５１と負極側放熱板５２とに電気的に接続されたコンデンサ６とを備える。正極側放熱板５１と負極側放熱板５２とは、通電時に半導体素子から発生する熱を放熱し、冷却管７は、正極側放熱板５１と、負極側放熱板５２と、コンデンサ６とを冷却するよう構成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、サージ電圧を抑制でき、かつコンデンサを冷却しやすい半導体モジュール冷却装置に関する。

従来から、ＩＧＢＴやフライホイールダイオード等の半導体素子を備える半導体モジュールが知られている。例えば下記特許文献１には、ＩＧＢＴとフライホイールダイオードを備え、さらにコンデンサをも封止した半導体モジュールが開示されている。
コンデンサを設けるのは、ノイズ低減のためである。すなわち、ＩＧＢＴをオンオフ制御するとリカバリサージが発生し、ノイズが生じる。上述のように半導体モジュール内にコンデンサを設けると、ＩＧＢＴのリカバリサージを抑制でき、ノイズを低減できるようになる。

特開２００３−２８９１２９号公報

しかしながら従来の半導体モジュールは、ＩＧＢＴに大電流を流す場合に発熱量が大きくなるため、その熱によってコンデンサが破壊されるという問題がある。また、従来の半導体モジュールでは、リカバリサージを抑制することはできるが、正極端子と負極端子間にコンデンサが接続されていないため、配線のインダクタンスを十分に低減できない。そのため、スイッチングサージ電圧を十分に低減できない問題がある。

本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、コンデンサの冷却性能が高く、スイッチングサージ電圧を低減しやすい半導体モジュール冷却装置を提供することを課題とする。

第１の発明は、半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却する冷却管とを備える半導体モジュール冷却装置であって、
上記半導体モジュールは、直流電圧が印加される正極端子および負極端子と、
該正極端子に接続された金属製の正極側放熱板と、
上記負極端子に接続された金属製の負極側放熱板と、
上記正極側放熱板と上記負極側放熱板とに接続された半導体素子と、
上記半導体素子に並列になるように、上記正極側放熱板と上記負極側放熱板とに電気的に接続されたコンデンサと、
を備え、上記正極側放熱板と上記負極側放熱板とは、通電時に上記半導体素子から発生する熱を放熱し、
上記冷却管は、上記正極側放熱板と、上記負極側放熱板と、上記コンデンサとを冷却するよう構成されていることを特徴とする半導体モジュール冷却装置にある（請求項１）。

次に、第１の発明の作用効果につき説明する。
本発明では、半導体モジュールが正極側放熱板と負極側放熱板を備え、これらの放熱板に半導体素子およびコンデンサが接続されている。そして、冷却管によって正極側放熱板と、負極側放熱板と、コンデンサとを同時に冷却している。すなわち、半導体素子を冷却するための冷却管を使って、コンデンサも冷却するようにしている。これにより、半導体素子の発熱によってコンデンサが破壊されることを防止でき、サージ電圧に起因する配線インダクタンスを最小化することができる。

また、第２の発明は、
ＩＧＢＴ素子と、該ＩＧＢＴ素子のエミッタ−コレクタ間に電気的に接続されたフライホイールダイオードとを有する半導体モジュールを備え、
該半導体モジュールは、一対に配置され、一方の半導体モジュールのエミッタ端子と他方の半導体モジュールのコレクタ端子とが接続されており、
上記一方の半導体モジュールのコレクタ端子と、上記他方の半導体モジュールのエミッタ端子との間にコンデンサが電気的に接続され、
上記一方の半導体モジュールと、上記他方の半導体モジュールと、上記コンデンサとを冷却する冷却管が設けられ、
上記一対の半導体モジュールおよび上記コンデンサと、上記冷却管とが複数個、積層されていることを特徴とする半導体モジュール冷却装置にある（請求項７）。

次に、第２の発明の作用効果につき説明する。
本発明は、ＩＧＢＴ素子とフライホイールダイオードとを備える半導体モジュールを一対に備え、この半導体モジュールの直流端子（エミッタ、コレクタ）間にコンデンサが接続されている。また、これら半導体モジュールとコンデンサとが複数個、積層されている。そのため、例えば図１４に示すごとく、コンデンサを備えない半導体モジュール９５を複数個配置してインバータ９２を構成し、この複数個の半導体モジュール９５に対して１個のコンデンサ９４を設ける場合と比較して、正極端子、負極端子とコンデンサとを接続する配線の長さを短くすることができる。これにより、配線のインダクタンスを小さくでき、スイッチングサージ電圧を低減できる。
また、冷却管を使って半導体モジュールとコンデンサとを同時に冷却している。そのため、コンデンサを効率よく冷却でき、半導体モジュールの発熱によってコンデンサが破壊されることを防止できる。

以上のごとく、本発明によれば、コンデンサの冷却性能が高く、スイッチングサージ電圧を低減しやすい半導体モジュール冷却装置を提供することができる。

上述した本発明における好ましい実施の形態につき説明する。
本発明（請求項１）において、上記コンデンサは、上記正極側放熱板と上記負極側放熱板との間に設けられていることが好ましい（請求項２）。
このようにすると、正極端子、負極端子とコンデンサとの接続距離を最も短くすることができる。そのため、配線インダクタンスを小さくでき、スイッチングサージ電圧を小さくすることができる。

また、上記半導体モジュールは上記半導体素子と、上記正極側放熱板および上記負極側放熱板と、上記コンデンサとを封止する四辺形板状の封止部材を備え、該封止部材の側面から上記正極端子および上記負極端子が突出するとともに、上記正極側放熱板と、上記負極側放熱板と、上記コンデンサとが上記封止部材の主表面から露出するよう構成されていることが好ましい（請求項３）。
このようにすると、封止部材の表面からコンデンサが露出しているため、該コンデンサを冷却管によって冷却しやすい。

また、上記半導体素子は、２個のＩＧＢＴ素子と２個のフライホイールダイオードからなり、一方の上記ＩＧＢＴ素子のエミッタ端子と他方の上記ＩＧＢＴ素子のコレクタ端子とが電気的に接続され、上記フライホイールダイオードは、各々の上記ＩＧＢＴ素子のエミッタ−コレクタ端子間に電気的に接続され、一方の上記ＩＧＢＴ素子のコレクタ端子が上記正極側放熱板に接続され、他方の上記ＩＧＢＴ素子のエミッタ端子が上記負極側放熱板に接続されていることが好ましい（請求項４）。
このようにすると、正極端子と負極端子間にコンデンサを接続することができる。そのため、全体の配線インダクタンスを小さくでき、これにより、スイッチングサージ電圧を低減することが可能となる。

また、上記半導体モジュールと上記冷却管とが交互に複数個積層され、複数個の上記半導体モジュールが接続されてインバータを構成していることが好ましい（請求項５）。
この場合には、例えば図１４に示すごとく、コンデンサが入っていない半導体モジュール９５を複数個設けてインバータを構成し、この複数個の半導体モジュール９５に対して１個のコンデンサ９４を並列接続した場合と比較して、半導体モジュールとコンデンサとの配線距離を短くできる。これにより配線インダクタンスを小さくでき、スイッチングサージ電圧を小さくすることができる。

また、上記正極端子および上記負極端子は、上記半導体モジュールを挟持する一対の上記冷却管のうち一方の冷却管により冷却され、上記コンデンサは、上記正極端子および上記負極端子と、他方の上記冷却管とにより挟持されていることが好ましい（請求項６）。
このようにすると、コンデンサを冷却管によって直接、冷却することができる。また、正極端子および負極端子も冷却されているため、コンデンサは、これら正極端子および負極端子によっても冷却される。すなわち、上記構成により、コンデンサの一方の面を冷却管によって直接、冷却でき、他方の面を正極端子および負極端子を介して間接的に冷却することができる。これにより、高い冷却効果を奏することができる。

（実施例１）
本発明の実施例にかかる半導体モジュール冷却装置につき、図１〜図６を用いて説明する。
図１、図２に示すごとく、本例の半導体モジュール冷却装置１は、半導体モジュール２と、該半導体モジュール２を冷却する冷却管７とを備える。
半導体モジュール２は、直流電圧が印加される正極端子４１および負極端子４２を備える。また、正極端子４１に接続された金属製の正極側放熱板５１と、負極端子４２に接続された金属製の負極側放熱板５２とを備える。さらに、正極側放熱板５１と負極側放熱板５２とに接続された半導体素子３（図３参照）と、半導体素子３に並列になるように、正極側放熱板５１と負極側放熱板５２とに電気的に接続されたコンデンサ６とを備える。そして、正極側放熱板５１と負極側放熱板５２とは、通電時に半導体素子３から発生する熱を放熱し、冷却管７は、正極側放熱板５１と、負極側放熱板５２と、コンデンサ６とを冷却するよう構成されている。

より詳しくは、本例の半導体モジュール冷却装置１は、冷却管７と、半導体モジュール２とが交互に複数個、積層されており、この複数個の半導体モジュール２が接続されてインバータ（図３参照）を構成している。

図１に示すごとく、冷却管７には冷媒７３の導入口７１と、導出口７２とが取り付けられている。また、冷却管７の間には接続部材７０が設けられている。これら全ての冷却管７に冷媒７３を流通させることにより、全ての半導体モジュール２を冷却するようになっている。

図２に、半導体モジュール２の拡大斜視図を示す。半導体モジュール２は半導体素子３（図３参照）と、正極側放熱板５１および負極側放熱板５２と、コンデンサ６とを封止する四辺形板状の封止部材２０を備え、封止部材２０の側面から正極端子４１および負極端子４２が突出するとともに、正極側放熱板５１と、負極側放熱板５２と、コンデンサ６とが封止部材２０の主表面から露出するよう構成されている。
また、本例の半導体モジュール２は、交流出力端子４３と、該交流出力端子４３に接続された交流側放熱板５３を備える。

また、図２（Ａ）に示すごとく、コンデンサ６は、正極側放熱板５１と負極側放熱板５２との間に設けられている。

図３に、半導体モジュール２および該半導体モジュール２により構成したインバータ８の回路図を示す。図示するごとく、半導体素子３は、２個のＩＧＢＴ素子３０と２個のフライホイールダイオード３１からなり、一方のＩＧＢＴ素子３０ａのエミッタ端子３３ａと他方のＩＧＢＴ素子３０ｂのコレクタ端子３２ｂとが接続され、フライホイールダイオード３１は、各々のＩＧＢＴ素子３０のエミッタ−コレクタ端子間に接続され、一方のＩＧＢＴ素子３０ａのコレクタ端子３２ａが正極側放熱板５１（図２参照）に接続され、他方のＩＧＢＴ素子３０ｂのエミッタ端子が負極側放熱板５２（図２参照）に接続されている。

また、これらＩＧＢＴ素子３０、フライホイールダイオード３１に並列になるように、コンデンサ６が設けられている。
さらに、一方のＩＧＢＴ素子３０ａのエミッタ端子３３ａと他方のＩＧＢＴ素子３０ｂのコレクタ端子３２ｂとが接続され、交流電圧を出力するようになっている。これらの端子は図２の交流出力端子４３および交流側放熱板５３に接続されている。

また、図１、図３に示すごとく、本例では、半導体モジュール２と冷却管７とが交互に複数個積層され、複数個の半導体モジュール２が接続されてインバータ８を構成している。
このインバータ８は、例えば電気自動車やハイブリッドカー等の車両に搭載して用いられる。車両には直流電源８３と、この直流電源８３の電圧を昇圧するコンバータ８２とが搭載されている。コンバータ８２により昇圧した電圧を、インバータ８の上記正極端子４１および負極端子４２に印加する。
また、交流出力端子４３は三相交流モータ８０，８１に接続されている。交流出力端子４３から出力される交流電力により、三相交流モータ８０，８１を駆動し、車両を走行させる。

図２のａ−ａ断面図を図４に示し、図２のｂ−ｂ断面図を図５に示す。このように、半導体素子３（３０，３１）と、正極側放熱板５１と、負極側放熱板５２と、交流側放熱板５３とが封止部材２０に封止されている。正極側放熱板５１と、負極側放熱板５２と、交流側放熱板５３とは、封止部材２０の主表面２３から露出している。また、正極側放熱板５１と交流側放熱板５３との間に、ＩＧＢＴ素子３０ａおよびフライホイールダイオード３１ａが、はんだ２１により接続されている。さらに、負極側放熱板５２と交流側放熱板５３との間に、ＩＧＢＴ素子３０ｂおよびフライホイールダイオード３１ｂが接続されている。正極側放熱板５１と負極側放熱板５２とには、コンデンサ６が接続されている。

なお、図４では、冷却管７とコンデンサ６との間に絶縁部材１０が介在しているが、図６に示すように、絶縁部材１０を介在させず、コンデンサ６と冷却管７とを直接、接触させてもよい。

次に、本例の半導体モジュール冷却装置１の作用効果について説明する。
本例の半導体モジュール冷却装置１は、図４に示すごとく、半導体モジュール２が正極側放熱板５１と負極側放熱板５２を備え、これらの放熱板５１，５２に半導体素子３およびコンデンサ６が接続されている。そして、図１に示すごとく、冷却管７によって正極側放熱板５１と、負極側放熱板５２と、コンデンサ６とを同時に冷却している。すなわち、半導体素子３を冷却するための冷却管７を使って、コンデンサ６も冷却するようにしている。これにより、半導体素子３の発熱によってコンデンサ６が破壊されることを防止できる。

また、図１、図２に示すごとく、コンデンサ６は、正極側放熱板５１と負極側放熱板５２との間に設けられている。
このようにすると、半導体素子３とコンデンサ６との接続距離を最も短くすることができる。そのため、配線インダクタンスを小さくでき、スイッチングサージ電圧を小さくすることができる。

また、図１、図２に示すごとく、本例では、コンデンサ６が封止部材２０の表面２３から露出している。
このようにすると、コンデンサ６を冷却管７によって冷却しやすくなる。そのため、半導体素子３からの発熱によりコンデンサ６が破壊される等の不具合を効果的に防止できる。

また、図３に示すごとく、１個の半導体モジュール２には２個のＩＧＢＴ素子３０と、２個のフライホイールダイオード３１が設けられ、これら２個のＩＧＢＴ素子３０とフライホイールダイオード３１に対して、１個のコンデンサ６が並列に接続されている。
このようにすると、例えば１個のＩＧＢＴ素子３０に１個のコンデンサ６を接続した場合と比較して、全体の配線インダクタンスを小さくでき、これにより、スイッチングサージ電圧を低減することが可能となる。

また、図１、図３に示すごとく、上記半導体モジュール２と冷却管７とが交互に複数個積層され、複数個の半導体モジュール２が接続されてインバータ８を構成している。
このようにすると、例えば図１４に示すごとく、コンデンサが入っていない半導体モジュール９５を複数個設けてインバータを構成し、この複数個の半導体モジュール９５に対して１個のコンデンサ９４を並列接続した場合と比較して、半導体モジュールとコンデンサとの配線距離を短くできる。これにより配線インダクタンスを小さくでき、スイッチングサージ電圧を小さくすることができる。

以上のごとく、本例によれば、コンデンサ６の冷却性能が高く、スイッチングサージ電圧を低減しやすい半導体モジュール冷却装置１を提供することができる。

（実施例２）
本例は、コンデンサ６の配置位置を変えた例である。図７（Ｂ）は図７（Ａ）のａ−ａ断面図であり、図８は図７（Ａ）のｂ−ｂ断面図である。図示するごとく、正極端子４１および負極端子４２は、半導体モジュール２を挟持する一対の冷却管７ａ，７ｂのうち一方の冷却管７ａにより冷却され、コンデンサ６は、正極端子４１および負極端子４２と、他方の冷却管７ｂとにより挟持されている。
より詳しくは、正極端子４１および負極端子４２は、封止部材２０の一方の主表面２３ａに露出しており、コンデンサ６は他方の主表面２３ｂに露出している。そして、正極端子４１および負極端子４２は一方の冷却管７ａによって冷却されている。また、コンデンサ６は他方の冷却管７ｂに冷却されている。

また、図９のようにすることもできる。図９の例では、コンデンサ６は封止部材２０に封止されておらず、正極端子４１および負極端子４２と、冷却管７ｂとに挟持されている。また、正極端子４１および負極端子４２は、コンデンサの主面６０に接触する第１部分４１ａ，４２ａと、コンデンサの側面６１に接触する４１ｂ，４２ｂとからなる。
その他、実施例１と同様の構成を有する。

実施例２の作用効果につき説明する。
上述の構成にすると、コンデンサ６を冷却管７によって直接、冷却することができる。また、正極端子４１および負極端子４２も冷却されているため、コンデンサ６は、これら正極端子４１および負極端子４２によっても冷却される。すなわち、上記構成により、コンデンサ６の一方の面を冷却管７によって直接、冷却でき、他方の面を正極端子４１および負極端子４２を介して間接的に冷却することができる。これにより、高い冷却効果を奏することができる。
その他、実施例１と同様の作用効果を有する。

（実施例３）
本例は、半導体モジュールを２個組み合わせた例である。図１０は、本例の半導体モジュール冷却装置１の斜視図である。また、図１１は要部拡大図であり、図１２は図１１のａ−ａ断面図である。図１３（Ａ）は図１１のｂ−ｂ断面図であり、図１３（Ｂ）は図１１のｃ−ｃ断面図である。
図示するごとく、本例では２個の半導体モジュール２ａ，２ｂを組み合わせて使用している。各半導体モジュール２ａ，２ｂには１個のＩＧＢＴ素子と１個のフライホイールダイオード３１が入っており、この半導体モジュール２ａ，２ｂを接続することにより、図３に示す１個の半導体モジュール２と同じ機能を持たせている。

本例ではこのように、ＩＧＢＴ素子３０と、ＩＧＢＴ素子３０のエミッタ−コレクタ間に接続されたフライホイールダイオード３１とを有する半導体モジュール２ａ，２ｂを備える。半導体モジュール２ａ，２ｂは、一対に配置され、一方の半導体モジュール２ａのエミッタ端子と他方の半導体モジュール２ｂのコレクタ端子とが接続されている（図３参照）。さらに、一方の半導体モジュール２ａのコレクタ端子と、他方の半導体モジュール２ｂのエミッタ端子との間にコンデンサ６が接続されている（図１０、１１参照）。また、一方の半導体モジュール２ａと、他方の半導体モジュール２ｂと、コンデンサ６とを冷却する冷却管７が設けられている。そして、一対の半導体モジュール２ａ，２ｂおよびコンデンサ６と、冷却管７とが複数個、積層されている（図１０参照）。

より詳しくは、コンデンサ６は、封止体２０の外に配置されている。図１２に示すごとく、正極端子４１、負極端子４２は一方の冷却管７ａにより冷却されており、コンデンサ６は、他方の冷却管７ｂにより冷却されている。そして、コンデンサ６は、正極端子４１および負極端子４２と、他方の冷却管７ｂとに挟持されている。

図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）に示すごとく、ＩＧＢＴ素子３０およびフライホイールダイオード３１は、正極側放熱板５１と、負極側放熱板５２とに接続されている。また、正極側放熱板５１には正極端子４１が接続されており、負極側放熱板５２には負極端子４２が接続されている。

実施例３の作用効果につき説明する。
本例は、ＩＧＢＴ素子３０とフライホイールダイオード３１とを備える半導体モジュール２ａ，２ｂを一対に備え、この半導体モジュール２ａ，２ｂの直流端子（エミッタ、コレクタ）間にコンデンサ６が接続されている。また、これら半導体モジュール２とコンデンサ６とが複数個、積層されている。そのため、例えば図１４に示すごとく、複数個の半導体モジュール９５に対して１個のコンデンサ９４を設ける場合と比較して、半導体モジュールとコンデンサとを接続する配線の長さを短くすることができる。これにより、配線のインダクタンスを小さくでき、スイッチングサージ電圧を低減できる。
また、冷却管７を使って半導体モジュール２とコンデンサ６とを同時に冷却している。そのため、コンデンサ６を効率よく冷却でき、半導体モジュール２の発熱によってコンデンサ６が破壊されることを防止できる。

実施例１における、半導体モジュール冷却装置の分解斜視図。実施例１における、半導体モジュールの（Ａ）斜視図（Ｂ）図２（Ａ）の裏側から見た斜視図。実施例１における、半導体モジュールによって構成されるインバータの回路図。図２（Ａ）のａ−ａ断面図であって、冷却管を併せて記載した図。図２（Ａ）のｂ−ｂ断面図であって、冷却管を併せて記載した図。図４の変形例であって、コンデンサと冷却管とを直接、接触させた図。実施例２における、半導体モジュール冷却装置の断面図であって、（Ａ）図７（Ｂ）のｃ−ｃ断面図（Ｂ）図７（Ａ）のａ−ａ断面図。図７（Ａ）のｂ−ｂ断面図。実施例２における、半導体モジュール冷却装置の断面図であって、（Ａ）図９（Ｂ）のｃ−ｃ断面図（Ｂ）図９（Ａ）のａ−ａ断面図。実施例３における、半導体モジュール冷却装置の斜視図。実施例３における、半導体モジュール冷却装置の断面図であって、図１２のａ−ａ断面図。図１１のａ−ａ断面図。（Ａ）図１１のｂ−ｂ断面図（Ｂ）図１１のｃ−ｃ断面図比較例としてのインバータの回路図。

符号の説明

１半導体モジュール冷却装置
２半導体モジュール
３半導体素子
３０ＩＧＢＴ素子
３１フライホイールダイオード
４１正極端子
４２負極端子
５１正極側放熱板
５２負極側放熱板
６コンデンサ
７冷却管
８インバータ

Claims

半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却する冷却管とを備える半導体モジュール冷却装置であって、
上記半導体モジュールは、直流電圧が印加される正極端子および負極端子と、
該正極端子に接続された金属製の正極側放熱板と、
上記負極端子に接続された金属製の負極側放熱板と、
上記正極側放熱板と上記負極側放熱板とに接続された半導体素子と、
上記半導体素子に並列になるように、上記正極側放熱板と上記負極側放熱板とに電気的に接続されたコンデンサと、
を備え、上記正極側放熱板と上記負極側放熱板とは、通電時に上記半導体素子から発生する熱を放熱し、
上記冷却管は、上記正極側放熱板と、上記負極側放熱板と、上記コンデンサとを冷却するよう構成されていることを特徴とする半導体モジュール冷却装置。
請求項１において、上記コンデンサは、上記正極側放熱板と上記負極側放熱板との間に設けられていることを特徴とする半導体モジュール冷却装置。
請求項１または請求項２において、上記半導体モジュールは上記半導体素子と、上記正極側放熱板および上記負極側放熱板と、上記コンデンサとを封止する四辺形板状の封止部材を備え、該封止部材の側面から上記正極端子および上記負極端子が突出するとともに、上記正極側放熱板と、上記負極側放熱板と、上記コンデンサとが上記封止部材の主表面から露出するよう構成されていることを特徴とする半導体モジュール冷却装置。
請求項１〜請求項３のいずれか１項において、上記半導体素子は、２個のＩＧＢＴ素子と２個のフライホイールダイオードからなり、一方の上記ＩＧＢＴ素子のエミッタ端子と他方の上記ＩＧＢＴ素子のコレクタ端子とが電気的に接続され、上記フライホイールダイオードは、各々の上記ＩＧＢＴ素子のエミッタ−コレクタ端子間に電気的に接続され、一方の上記ＩＧＢＴ素子のコレクタ端子が上記正極側放熱板に接続され、他方の上記ＩＧＢＴ素子のエミッタ端子が上記負極側放熱板に接続されていることを特徴とする半導体モジュール冷却装置。
請求項１〜請求項４のいずれか１項において、上記半導体モジュールと上記冷却管とが交互に複数個積層され、複数個の上記半導体モジュールが接続されてインバータを構成していることを特徴とする半導体モジュール冷却装置。
請求項５において、上記正極端子および上記負極端子は、上記半導体モジュールを挟持する一対の上記冷却管のうち一方の冷却管により冷却され、上記コンデンサは、上記正極端子および上記負極端子と、他方の上記冷却管とにより挟持されていることを特徴とする半導体モジュール冷却装置。
ＩＧＢＴ素子と、該ＩＧＢＴ素子のエミッタ−コレクタ間に電気的に接続されたフライホイールダイオードとを有する半導体モジュールを備え、
該半導体モジュールは、一対に配置され、一方の半導体モジュールのエミッタ端子と他方の半導体モジュールのコレクタ端子とが接続されており、
上記一方の半導体モジュールのコレクタ端子と、上記他方の半導体モジュールのエミッタ端子との間にコンデンサが電気的に接続され、
上記一方の半導体モジュールと、上記他方の半導体モジュールと、上記コンデンサとを冷却する冷却管が設けられ、
上記一対の半導体モジュールおよび上記コンデンサと、上記冷却管とが複数個、積層されていることを特徴とする半導体モジュール冷却装置。