以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、同一の構成には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。
実施の形態1.
図1を参照して、実施の形態1に係る電力変換装置1の回路構成の一例を説明する。電力変換装置1は、直流電源10と、昇圧コンバータ回路12と、第1のインバータ回路15と、第2のインバータ回路17と、第2のコンデンサ26とを備えている。昇圧コンバータ回路12と第2のコンデンサ26と第1のインバータ回路15と第2のインバータ回路17とは、正極端子20及び負極端子21で互いに接続されている。発電機14は、第1のインバータ回路15に接続されている。モータ16は、第2のインバータ回路17に接続されている。
昇圧コンバータ回路12は、第1の半導体スイッチング素子12a,12bと、直流電源10と入力端子11との間に配置される第1のコンデンサ25及びリアクトル24とを含む。入力端子11は、リアクトル24と第1の半導体スイッチング素子12a,12bとに接続されている。昇圧コンバータ回路12は、直流電源10の第1の直流電圧を、第1の直流電圧よりも大きな第2の直流電圧に上昇させる。昇圧コンバータ回路12は、シングルフェーズ昇圧コンバータ回路であってもよいし、マルチフェーズ昇圧コンバータ回路であってもよいし、マルチレベル昇圧コンバータ回路であってもよい。昇圧コンバータ回路12は、1つのリアクトル24を含んでもよいし、複数のリアクトル24を含んでもよい。
第1の半導体スイッチング素子12a,12bは、特に限定されないが、例えば、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)であってもよい。第1の半導体スイッチング素子12a,12bの一部が金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)であり、かつ、第1の半導体スイッチング素子12a,12bの残りがダイオードのような半導体整流素子であってもよい。第1の半導体スイッチング素子12a,12bは、各々、半導体整流素子が並列に接続された金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)であってもよい。第1の半導体スイッチング素子12a,12bは、特に限定されないが、例えば、シリコン(Si)または炭化シリコン(SiC)、窒化ガリウム(GaN)のような半導体材料で構成されてもよい。昇圧コンバータ回路12に含まれる第1の半導体スイッチング素子12a,12bの数は、2つに限られない。
第2のコンデンサ26は、昇圧コンバータ回路12と第1のインバータ回路15とに接続されている。第2のコンデンサ26は、昇圧コンバータ回路12と第2のインバータ回路17とに接続されている。第2のコンデンサ26は、平滑コンデンサとして機能してもよい。
第1のインバータ回路15は、発電機14で生成された交流電圧を第2の直流電圧に変換する。第1のインバータ回路15は、第2の直流電圧を昇圧コンバータ回路12に出力してもよい。第1のインバータ回路15は、第2の直流電圧を第2のインバータ回路17に出力してもよい。第2のインバータ回路17は第2の直流電圧を交流電圧に変換してモータ16に交流電圧を供給する。こうして、モータ16が駆動されてもよい。
第1のインバータ回路15は、第2の半導体スイッチング素子15a,15b,15c,15d,15e,15fを含む。第2のインバータ回路17は、第3の半導体スイッチング素子17a,17b,17c,17d,17e,17fを含む。第2の半導体スイッチング素子15a−15f及び第3の半導体スイッチング素子17a−17fは、特に限定されないが、例えば、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)であってもよい。第2の半導体スイッチング素子15a−15f及び第3の半導体スイッチング素子17a−17fは、特に限定されないが、例えば、シリコン(Si)、炭化シリコン(SiC)または窒化ガリウム(GaN)のような半導体材料で構成されてもよい。第2の半導体スイッチング素子15a−15f及び第3の半導体スイッチング素子17a−17fは、各々、還流ダイオードが並列に接続されてもよい。第1のインバータ回路15に含まれる第2の半導体スイッチング素子15a−15fの数は、6つに限られない。第2のインバータ回路17に含まれる第3の半導体スイッチング素子17a−17fの数は、6つに限られない。
第1の半導体スイッチング素子12a、第2の半導体スイッチング素子15a,15c,15e及び第3の半導体スイッチング素子17a,17c,17eは、正極端子20に接続されている。第1の半導体スイッチング素子12b、第2の半導体スイッチング素子15b,15d,15f及び第3の半導体スイッチング素子17b,17d,17fは、負極端子21に接続されている。
第2の半導体スイッチング素子15a,15bは、発電機14のR相端子14rに接続されている。第2の半導体スイッチング素子15c,15dは、発電機14のS相端子14sに接続されている。第2の半導体スイッチング素子15e,15fは、発電機14のT相端子14tに接続されている。第3の半導体スイッチング素子17a,17bは、モータ16のU相端子16uに接続されている。第3の半導体スイッチング素子17c,17dは、モータ16のV相端子16vに接続されている。第3の半導体スイッチング素子17e,17fは、モータ16のW相端子16wに接続されている。
図2から図7を参照して、実施の形態1に係る電力変換装置1を説明する。本実施の形態の電力変換装置1は、半導体モジュール(第1の半導体モジュール32、第2の半導体モジュール35、第3の半導体モジュール37)と、第1の電子部品モジュール40と、第2の電子部品モジュール50と、第1冷却部材60とを主に備える。本実施の形態の電力変換装置1は、制御回路基板78と、導電接続部材(11,20,21,14r,14s,14t,16u,16v,16w)とをさらに備えてもよい。
第1の半導体モジュール32は、第1の半導体スイッチング素子12a,12bを含む。第2の半導体モジュール35は、第2の半導体スイッチング素子15a−15fを含む。第3の半導体モジュール37は、第3の半導体スイッチング素子17a−17fを含む。半導体モジュール(32,35,37)は、第1の電子部品モジュール40及び第2の電子部品モジュール50よりも大きな発熱量を有してもよい。
第1の電子部品モジュール40は、半導体スイッチング素子(12a,12b,15a−15f,17a−17f)とは異なる第1の電子部品(24)を含む。第1の電子部品(24)は、リアクトル24であってもよく、第1の電子部品モジュール40は、リアクトルモジュールであってもよい。第1の電子部品モジュール40は、半導体モジュール(32,35,37)よりも小さくかつ第2の電子部品モジュール50よりも大きな発熱量を有してもよい。
第1の電子部品モジュール40は、第1の電子部品(24)を収容するケース41と、第1の電子部品(24)を封止する第1の封止部材42とをさらに含んでもよい。ケース41は、高い熱伝導性を有する材料で構成されてもよい。ケース41を構成する高い熱伝導性を有する材料は、10W/(m・K)以上の熱伝導率を有してもよい。特定的には、ケース41を構成する高い熱伝導性を有する材料は、10W/(m・K)以上の熱伝導率を有する電気絶縁性材料であってもよい。特定的には、ケース41を構成する高い熱伝導性を有する材料は、100W/(m・K)以上の熱伝導率を有する金属であってもよい。本実施の形態では、ケース41は、銅(Cu)またはアルミニウム(Al)のような高い熱伝導性を有する導電性材料で構成されているが、高い熱伝導性を有する電気絶縁性材料で構成されてもよい。ケース41は、特に限定されないが、直方体の形状を有してもよいし、円筒形の形状を有してもよい。
第1の電子部品(24)は、絶縁性接合部材43を用いてケース41に接合されている。絶縁性接合部材43は、高い熱伝導性を有する、放熱グリースまたは熱伝導シートであってもよい。絶縁性接合部材43は、2W/(m・K)以上の熱伝導率を有してもよい。特定的には、絶縁性接合部材43は、5W/(m・K)以上の熱伝導率を有してもよい。第1の封止部材42は、絶縁性樹脂から構成されてもよい。
第2の電子部品モジュール50は、半導体スイッチング素子(12a,12b,15a−15f,17a−17f)及び第1の電子部品(24)とは異なる第2の電子部品51を含む。第2の電子部品51は、フィルムコンデンサのようなコンデンサ(第1のコンデンサ25及び第2のコンデンサ26)であってもよく、第2の電子部品モジュール50は、コンデンサモジュールであってもよい。第2の電子部品モジュール50は、スナバ回路(図示せず)に含まれるコンデンサと、ノイズフィルタ(図示せず)に含まれるXコンデンサ及びYコンデンサと、マルチレベル昇圧コンバータ回路に含まれるコンデンサとをさらに含んでもよい。
第2の電子部品モジュール50は、第2の電子部品51を収容するケース52と、第2の電子部品51を封止する第2の封止部材54とをさらに含んでもよい。ケース52は、高い熱伝導性を有する材料で構成されてもよい。ケース52を構成する高い熱伝導性を有する材料は、10W/(m・K)以上の熱伝導率を有してもよい。特定的には、ケース41を構成する高い熱伝導性を有する材料は、10W/(m・K)以上の熱伝導率を有する電気絶縁性材料であってもよい。特定的には、ケース52を構成する高い熱伝導性を有する材料は、100W/(m・K)以上の熱伝導率を有する金属であってもよい。本実施の形態では、ケース52は、高い熱伝導性を有する電気絶縁性材料で構成されているが、銅(Cu)またはアルミニウム(Al)のような高い熱伝導性を有する導電性材料で構成されてもよい。ケース52は、特に限定されないが、直方体の形状を有してもよい。第2の封止部材54は、絶縁性樹脂から構成されてもよい。
第1冷却部材60は、銅(Cu)またはアルミニウム(Al)のような高い熱伝導性を有する材料で構成されている。第1冷却部材60を構成する高い熱伝導性を有する材料は、100W/(m・K)以上の熱伝導率を有してもよい。特定的には、第1冷却部材60を構成する高い熱伝導性を有する材料は、100W/(m・K)以上の熱伝導率を有する金属であってもよい。第1冷却部材60は、第1冷却板部分61と、第2冷却板部分62と、第3冷却板部分63とからなる。第1冷却板部分61は、第1主面61aと、第1主面61aとは反対側の第2主面61bとを有する。第2冷却板部分62は、第3主面62aと、第3主面62aとは反対側の第4主面62bとを有する。第3冷却板部分63は、第5主面63aと、第5主面63aとは反対側の第6主面63bとを有する。第1主面61aと第2主面61bと第5主面63aと第6主面63bとは、例えば、x−y平面に平行に延在してもよい。第3主面62aと第4主面62bとは、y−z平面に平行に延在してもよい。
第2主面61bは、第4主面62bに接続されている。第2主面61bは、第4主面62bに垂直であってもよいし、第4主面62bに対して傾斜してもよい。第1冷却板部分61は、第2冷却板部分62に対して第4主面62bの側に位置している。第2冷却板部分62は、第2主面61bに交差する方向(例えば、−z方向)に延在している。第5主面63aは、第2主面61bに交差する方向(例えば、−z方向)において第1冷却板部分61と異なる位置で、第3主面62aに接続されている。第5主面63aは、第3主面62aに垂直であってもよいし、第3主面62aに対して傾斜してもよい。第3冷却板部分63は、第2冷却板部分62に対して第3主面62aの側に位置している。第2冷却板部分62は、第1主面61aから突出していなくてもよい。第2冷却板部分62は、第6主面63bから突出していなくてもよい。第1冷却部材60は、Z字状の断面形状を有してもよい。
図5に示されるように、第1冷却板部分61はその内部に冷却流路66を含む。冷却流路66を流れる冷却液70は、特に限定されないが、例えば、不凍液またはロングライフクーラント(LLC)であってもよい。第2冷却板部分62及び第3冷却板部分63は、それらの内部に冷却流路66を含んでもよい。第3冷却板部分63は冷却流路66の入口71を有してもよい。第1冷却板部分61は冷却流路66の出口72を有してもよい。冷却流路66の入口71及び出口72の位置は、特に限定されないが、図6に示されるように、第1冷却部材60の奥行方向(y方向)における中央部であってもよいし、図7に示されるように、第1冷却部材60の奥行方向(y方向)における一方の端部であってもよい。
第1冷却板部分61は、第1主面61a側の冷却流路66の壁から突出する1つ以上の突出部材67を含んでもよい。1つ以上の突出部材67は、銅(Cu)またはアルミニウム(Al)のような高い熱伝導性を有する材料で構成されている。1つ以上の突出部材67を構成する高い熱伝導性を有する材料は、100W/(m・K)以上の熱伝導率を有してもよい。特定的には、1つ以上の突出部材67を構成する高い熱伝導性を有する材料は、100W/(m・K)以上の熱伝導率を有する金属であってもよい。1つ以上の突出部材67は、各々、柱または板の形状を有してもよい。
図2から図5に示されるように、半導体モジュール(32,35,37)は、第1主面61a上に載置されている。半導体モジュール(32,35,37)は、第1主面61aに接触している。本明細書において、半導体モジュール(32,35,37)が第1主面61aに接触していることは、半導体モジュール(32,35,37)が第1主面61aに直接接触していることと、放熱グリース、熱伝導シートまたははんだのような熱伝導性接合部材(図示せず)を介して、半導体モジュール(32,35,37)が第1主面61aに接合されていることとを意味する。特定的には、半導体モジュール(32,35,37)は、第1主面61aに面接触してもよい。
第1の電子部品モジュール40は、第2主面61b及び第4主面62b上に載置されている。第1の電子部品モジュール40は、第2主面61b及び第4主面62bに接触している。本明細書において、第1の電子部品モジュール40が第2主面61b及び第4主面62bに接触していることは、第1の電子部品モジュール40が第2主面61b及び第4主面62bに直接接触していることと、放熱グリース、熱伝導シートまたははんだのような熱伝導性接合部材45を介して、第1の電子部品モジュール40が第2主面61b及び第4主面62bに接合されていることとを意味する。第1の電子部品モジュール40は、第1冷却部材60の2箇所(第2主面61b及び第4主面62b)に接触しているため、第1の電子部品モジュール40は、第1冷却部材60によって効率的に冷却され得る。
特定的には、第1の電子部品モジュール40は、第2主面61b及び第4主面62bに面接触してもよい。第1の電子部品モジュール40は、第1冷却部材60の2つの面(第2主面61b及び第4主面62b)に面接触しているため、第1の電子部品モジュール40は、第1冷却部材60によって効率的に冷却され得る。
第2の電子部品モジュール50は、第3主面62a及び第5主面63a上に載置されている。第2の電子部品モジュール50は、第3主面62a及び第5主面63aに接触している。本明細書において、第2の電子部品モジュール50が第3主面62a及び第5主面63aに接触していることは、第2の電子部品モジュール50が第3主面62a及び第5主面63aに直接接触していることと、放熱グリース、熱伝導シートまたははんだのような熱伝導性接合部材(図示せず)を介して、第2の電子部品モジュール50が第3主面62a及び第5主面63aに接合されていることとを意味する。第2の電子部品モジュール50は、第1冷却部材60の2箇所(第3主面62a及び第5主面63a)に接触しているため、第2の電子部品モジュール50は、第1冷却部材60によって効率的に冷却され得る。
特定的には、第2の電子部品モジュール50は、第3主面62a及び第5主面63aに面接触してもよい。第2の電子部品モジュール50は、第1冷却部材60の2つの面(第3主面62a及び第5主面63a)に面接触しているため、第2の電子部品モジュール50は、第1冷却部材60によって効率的に冷却され得る。
第1冷却板部分61は、半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40との間に挟まれている。第2冷却板部分62は、第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50との間に挟まれている。
制御回路基板78は、半導体モジュール(32,35,37)に接続されている。制御回路基板78は、半導体モジュール(32,35,37)を制御する。例えば、制御回路基板78は、半導体スイッチング素子(12a,12b,15a−15f,17a−17f)を駆動する駆動回路を含んでもよい。制御回路基板78は、半導体スイッチング素子(12a,12b,15a−15f,17a−17f)にゲート信号を供給してもよい。制御回路基板78は、半導体スイッチング素子(12a,12b,15a−15f,17a−17f)の過度な温度上昇を防止するための第1の保護回路を含んでもよい。制御回路基板78は、半導体スイッチング素子(12a,12b,15a−15f,17a−17f)に過電流が流れることを防止するための第2の保護回路を含んでもよい。
制御回路基板78は、例えば、多層配線基板と、多層配線基板上に載置された集積回路(IC)とを含んでもよい。多層配線基板は、例えば、ガラスエポキシ樹脂からなる基材と、複数の配線とを含んでもよい。制御回路基板78は、支柱79を用いて、第1冷却部材60に支持されてもよい。
制御回路基板78と半導体モジュール(32,35,37)との間に、銅(Cu)のような導電性材料で構成される電磁シールド(図示せず)が配置されてもよい。電磁シールドは、半導体モジュール(32,35,37)において発生する電磁ノイズが制御回路基板78に伝搬することを防止する。
半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50と直流電源10と発電機14とモータ16とは互いに、導電接続部材(11,20,21,14r,14s,14t,16u,16v,16w)によって接続されている。導電接続部材(11,20,21,14r,14s,14t,16u,16v,16w)は、例えば、入力端子11、正極端子20、負極端子21、発電機14のR相端子14r、発電機14のS相端子14s、発電機14のT相端子14t、モータ16のU相端子16u、モータ16のV相端子16v、モータ16のW相端子16wを含む。導電接続部材(11,20,21,14r,14s,14t,16u,16v,16w)は、特に限定されないが、バスバーであってもよい。
図2及び図5に示されるように、半導体モジュール(32,35,37)を第2の電子部品モジュール50に接続する導電接続部材(20)の全体は、第1主面61aに沿って延在している。本実施の形態では、第2冷却板部分62は第1主面61aから突出していないため、半導体モジュール(32,35,37)を第2の電子部品モジュール50に接続する導電接続部材(20)が第2冷却板部分62を迂回するように、半導体モジュール(32,35,37)を第2の電子部品モジュール50に接続する導電接続部材(20)を第1主面61aに直交する方向に延在させる必要がない。
本実施の形態の電力変換装置1の効果を説明する。
本実施の形態の電力変換装置1は、半導体スイッチング素子(12a,12b,15a−15f,17a−17f)を含む半導体モジュール(32,35,37)と、半導体スイッチング素子(12a,12b,15a−15f,17a−17f)とは異なる第1の電子部品(24)を含む第1の電子部品モジュール40と、半導体スイッチング素子(12a,12b,15a−15f,17a−17f)及び第1の電子部品(24)とは異なる第2の電子部品51を含む第2の電子部品モジュール50と、第1冷却部材60とを備える。第1冷却部材60は、第1主面61aと第1主面61aとは反対側の第2主面61bとを有する第1冷却板部分61と、第3主面62aと第3主面62aとは反対側の第4主面62bとを有する第2冷却板部分62と、第5主面63aと第5主面63aとは反対側の第6主面63bとを有する第3冷却板部分63とからなる。
第2主面61bは、第4主面62bに接続されている。第1冷却板部分61は、第2冷却板部分62に対して第4主面62bの側に位置している。第2冷却板部分62は、第2主面61bに交差する方向(例えば、−z方向)に延在している。第5主面63aは、第2主面61bに交差する方向(例えば、−z方向)において第1冷却板部分61と異なる位置で、第3主面62aに接続されている。第3冷却板部分63は、第2冷却板部分62に対して第3主面62aの側に位置している。半導体モジュール(32,35,37)は、第1主面61aに接触している。第1の電子部品モジュール40は、第2主面61b及び第4主面62bに接触している。第2の電子部品モジュール50は、第3主面62a及び第5主面63aに接触している。第1冷却板部分61はその内部に冷却流路66を含む。
本実施の形態の電力変換装置1では、第1冷却部材60に含まれる冷却流路66は、第1の電子部品モジュール40の三方を囲んでいない。第1冷却部材60に含まれる冷却流路66は、第2の電子部品モジュール50の三方を囲んでいない。第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50とは、第1冷却部材60の2箇所に接触している。半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50とは、第1冷却部材60にコンパクトに配置され得る。本実施の形態の電力変換装置1によれば、半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50とが効率的に冷却され得るとともに、電力変換装置1が小型化され得る。
本実施の形態の電力変換装置1は、半導体モジュール(32,35,37)を第2の電子部品モジュール50に接続する導電接続部材(20)をさらに備える。半導体モジュール(32,35,37)を第2の電子部品モジュール50に接続する導電接続部材(20)の全体は、第1主面61aに沿って延在している。導電接続部材(20)の長さが短くなり、導電接続部材(20)の寄生インダクタンスが低減され得る。低減された寄生インダクタンスを有する導電接続部材(20)は、半導体スイッチング素子(12a,12b,15a−15f,17a−17f)をオン状態からオフ状態に切り換えるときに発生するサージ電圧及びノイズを減少させ得る。
そのため、低減された寄生インダクタンスを有する導電接続部材(20)は、半導体スイッチング素子(12a,12b,15a−15f,17a−17f)のスイッチング速度を増加させ得る。半導体スイッチング素子(12a,12b,15a−15f,17a−17f)のスイッチング速度を増加させることは、半導体スイッチング素子(12a,12b,15a−15f,17a−17f)における損失を減少させ得て、半導体スイッチング素子(12a,12b,15a−15f,17a−17f)における発熱量を減少させ得る。そのため、半導体スイッチング素子(12a,12b,15a−15f,17a−17f)及び第1冷却部材60が小型化されても、半導体スイッチング素子(12a,12b,15a−15f,17a−17f)は第1冷却部材60によって十分に冷却され得る。本実施の形態の電力変換装置1によれば、半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50とが効率的に冷却され得るとともに、電力変換装置1が小型化され得る。
本実施の形態の電力変換装置1では、第2冷却板部分62及び第3冷却板部分63は、それらの内部に冷却流路66を含む。そのため、第1冷却部材60は大きな冷却能力を有する。半導体スイッチング素子(12a,12b,15a−15f,17a−17f)、第1電子部品、第2電子部品及び第1冷却部材60が小型化されても、半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50とは第1冷却部材60によって十分に冷却され得る。本実施の形態の電力変換装置1によれば、半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50とが効率的に冷却され得るとともに、電力変換装置1が小型化され得る。
本実施の形態の電力変換装置1では、第3冷却板部分63は冷却流路66の入口71を有する。第1冷却板部分61は冷却流路66の出口72を有する。冷却液70は、第1冷却板部分61、第2冷却板部分62及び第3冷却板部分63の全ての内部を流れるため、第1冷却部材60は大きな冷却能力を有する。半導体スイッチング素子(12a,12b,15a−15f,17a−17f)、第1の電子部品(24)、第2の電子部品51及び第1冷却部材60が小型化されても、半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50とは第1冷却部材60によって十分に冷却され得る。本実施の形態の電力変換装置1によれば、半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50とが効率的に冷却され得るとともに、電力変換装置1が小型化され得る。
さらに、半導体モジュール(32,35,37)が第1の電子部品モジュール40よりも大きな発熱量を有し、かつ、第1の電子部品モジュール40が第2の電子部品モジュール50よりも大きな発熱量を有する場合、冷却流路66中の冷却液70は、発熱量のより小さなモジュールから順に、モジュール(半導体モジュール(32,35,37)、第1の電子部品モジュール40及び第2の電子部品モジュール50)を冷却する。具体的には、冷却液70は、最初に、最も小さな発熱量を有する第2の電子部品モジュール50を冷却し、それから、第1の電子部品モジュール40を冷却し、最後に、最も大きな発熱量を有する半導体モジュール(32,35,37)を冷却する。
冷却液70は、最初に、最も小さな発熱量を有する第2の電子部品モジュール50を冷却するため、第2の電子部品モジュール50を冷却した後の冷却液70の温度の上昇が抑制される。そのため、冷却液70は、第2の電子部品モジュール50だけでなく、半導体モジュール(32,35,37)及び第1の電子部品モジュール40も十分に冷却することができる。半導体スイッチング素子(12a,12b,15a−15f,17a−17f)、第1電子部品、第2電子部品及び第1冷却部材60が小型化されても、半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50とは第1冷却部材60によって十分に冷却され得る。本実施の形態の電力変換装置1によれば、半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50とが効率的に冷却され得るとともに、電力変換装置1が小型化され得る。
本実施の形態の電力変換装置1では、第1冷却板部分61は、第1主面61a側の冷却流路66の壁から突出する1つ以上の突出部材67を含む。1つ以上の突出部材67は、第1冷却部材60と冷却液70との接触面積を増加させて、第1冷却部材60の冷却能力を向上させる。そのため、半導体スイッチング素子(12a,12b,15a−15f,17a−17f)、第1の電子部品(24)、第2の電子部品51及び第1冷却部材60が小型化されても、半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50とは第1冷却部材60によって十分に冷却され得る。本実施の形態の電力変換装置1によれば、半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50とが効率的に冷却され得るとともに、電力変換装置1が小型化され得る。
さらに、半導体モジュール(32,35,37)が第1の電子部品モジュール40よりも大きな発熱量を有し、かつ、第1の電子部品モジュール40が第2の電子部品モジュール50よりも大きな発熱量を有する場合、1つ以上の突出部材67を含む第1冷却部材60は、最大の発熱量を有する半導体モジュール(32,35,37)を効率的に冷却することができる。そのため、半導体スイッチング素子(12a,12b,15a−15f,17a−17f)、第1の電子部品(24)、第2の電子部品51及び第1冷却部材60が小型化されても、半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50とは第1冷却部材60によって十分に冷却され得る。本実施の形態の電力変換装置1によれば、半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50とが効率的に冷却され得るとともに、電力変換装置1が小型化され得る。
実施の形態2.
図8を参照して、実施の形態2に係る電力変換装置1bを説明する。本実施の形態の電力変換装置1bは、実施の形態1の電力変換装置1と同様の構成を備えるが、主に以下の点で異なる。
本実施の形態の電力変換装置1bは、第1冷却部材60に接続されている第2冷却部材68を備える。第2冷却部材68は、銅(Cu)またはアルミニウム(Al)のような高い熱伝導性を有する材料で構成されている。第2冷却部材68を構成する高い熱伝導性を有する材料は、10W/(m・K)以上の熱伝導率を有してもよい。特定的には、第2冷却部材68を構成する高い熱伝導性を有する材料は、10W/(m・K)以上の熱伝導率を有する金属または電気絶縁性材料であってもよい。第2冷却部材68は、第1冷却部材60と同じ材料で構成されてもよい。第2冷却部材68は、第1冷却部材60に一体化されてもよい。第2冷却部材68は、冷却流路66を含んでいない。第2冷却部材68は、第1冷却部材60よりも薄い。第2冷却部材68は、第1冷却部材60の第1の厚さt1よりも薄い第2の厚さt2を有している。
第1の電子部品モジュール40は、第2冷却部材68に接触している。本明細書において、第1の電子部品モジュール40が第2冷却部材68に接触していることは、第1の電子部品モジュール40が第2冷却部材68に直接接触していることと、放熱グリース、熱伝導シートまたははんだのような熱伝導性接合部材(図示せず)を介して、第1の電子部品モジュール40が第2冷却部材68に接合されていることとを意味する。第1の電子部品モジュール40は、第1冷却部材60の2箇所(第2主面61b及び第4主面62b)と第2冷却部材68とに接触しているため、第1の電子部品モジュール40は、第1冷却部材60及び第2冷却部材68によって効率的に冷却され得る。
特定的には、第1の電子部品モジュール40は、第2主面61b、第4主面62b及び第2冷却部材68に面接触してもよい。第1の電子部品モジュール40は、第1冷却部材60の2つの面(第2主面61b及び第4主面62b)と第2冷却部材68とに面接触しているため、第1の電子部品モジュール40は、第1冷却部材60及び第2冷却部材68によって効率的に冷却され得る。
第1冷却板部分61、第2冷却板部分62及び第2冷却部材68は、第1の電子部品(24)を収容する第1のケース(61,62,68)を構成している。本実施の形態の電力変換装置1bでは、実施の形態1のケース41と熱伝導性接合部材45とが省略されている。
本実施の形態の電力変換装置1bは、実施の形態1の電力変換装置1と同様の効果を奏するが、以下の点で主に異なる。
本実施の形態の電力変換装置1bは、第1冷却部材60に接続されている第2冷却部材68を備える。第2冷却部材68は、冷却流路66を含んでいない。第2冷却部材68は、第1冷却部材60よりも薄い。第1の電子部品モジュール40は、第2冷却部材68に接触している。第2冷却部材68は冷却流路66を含まないため、冷却流路66は、第1の電子部品モジュール40の三方を囲んでいない。さらに、第2冷却部材68は第1冷却部材60よりも薄く、かつ、第1の電子部品モジュール40に接触している。本実施の形態の電力変換装置1bによれば、半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50とが第1冷却部材60及び第2冷却部材68によって効率的に冷却され得るとともに、電力変換装置1bが小型化され得る。
本実施の形態の電力変換装置1bでは、第1冷却板部分61、第2冷却板部分62及び第2冷却部材68は、第1の電子部品(24)を収容する第1のケース(61,62,68)を構成している。本実施の形態の電力変換装置1bでは、実施の形態1のケース41と熱伝導性接合部材45とが省略され得る。本実施の形態の電力変換装置1bによれば、半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50とが効率的に冷却され得るとともに、電力変換装置1bが小型化され得る。
実施の形態3.
図9及び図10を参照して、実施の形態3に係る電力変換装置1cを説明する。本実施の形態の電力変換装置1cは、実施の形態1の電力変換装置1と同様の構成を備えるが、主に以下の点で異なる。
本実施の形態の電力変換装置1cでは、第1冷却板部分61のみがその内部に冷却流路66を含む。第2冷却板部分62及び第3冷却板部分63は、それらの内部に冷却流路66を含んでいない。図10を参照して、第1冷却板部分61は、冷却流路66の入口71と出口72とを有する。冷却液70の流れる方向は、特に限定されないが、奥行方向(y方向)であってもよい。
本実施の形態の電力変換装置1cは、実施の形態1の電力変換装置1と同様の効果を奏するが、以下の点で主に異なる。
本実施の形態の電力変換装置1cでは、第1冷却板部分61のみがその内部に冷却流路66を含む。半導体モジュール(32,35,37)が第1の電子部品モジュール40よりも大きな発熱量を有し、かつ、第1の電子部品モジュール40が第2の電子部品モジュール50よりも大きな発熱量を有する場合、第1冷却部材60は、相対的に大きな発熱量を有する半導体モジュール(32,35,37)及び第1の電子部品モジュール40を効率的に冷却することができる。さらに、第1冷却部材60は、相対的に小さな発熱量を有する第2の電子部品モジュール50を冷却することができる。本実施の形態の電力変換装置1cによれば、半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50とが効率的に冷却され得るとともに、電力変換装置1cが小型化され得る。本実施の形態の電力変換装置1cは、第1冷却部材60の構成を簡素化することができる。
本実施の形態の電力変換装置1cでは、第1冷却板部分61は冷却流路66の入口71と出口72とを有する。そのため、第1冷却板部分61のみに冷却流路66が設けられ得る。本実施の形態の電力変換装置1cによれば、半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50とが効率的に冷却され得るとともに、電力変換装置1cが小型化され得る。本実施の形態の電力変換装置1cは、第1冷却部材60の構成を簡素化することができる。
実施の形態4.
図11を参照して、実施の形態4に係る電力変換装置1dを説明する。本実施の形態の電力変換装置1dは、実施の形態1の電力変換装置1と同様の構成を備えるが、主に以下の点で異なる。
本実施の形態の電力変換装置1dは、第3の電子部品モジュール80と、第3冷却部材69aとをさらに備える。本実施の形態の電力変換装置1dは、第4の電子部品モジュール85と、第4冷却部材69bとをさらに備える。
第3の電子部品モジュール80は、第1の電子部品(24)及び第2の電子部品51とは異なる第3の電子部品(図示せず)を含む。第3の電子部品モジュール80は、第3の電子部品を収容するケース(図示せず)をさらに含んでもよい。第3の電子部品は、放電抵抗を含み、第3の電子部品モジュール80は、放電回路モジュールであってもよい。特定的には、第3の電子部品は、放電スイッチをさらに含んでもよく、第3の電子部品モジュール80は、放電スイッチ付きの放電回路モジュールであってもよい。放電スイッチは、例えば、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)または金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のような半導体スイッチング素子であってもよい。
第3の電子部品モジュール80は、導電接続部材(図示せず)を用いて、第2の電子部品モジュール50に接続されている。特定的には、第3の電子部品は、導電接続部材を用いて、第2の電子部品51に接続されている。さらに特定的には、放電スイッチ及び放電抵抗は、導電接続部材を用いて、第1のコンデンサ25及び第2のコンデンサ26に、並列に接続される。第3の電子部品モジュール80は、制御回路基板78に接続されている。制御回路基板78からの制御信号により放電スイッチがオン状態になると、第1のコンデンサ25及び第2のコンデンサ26に蓄えられた電荷が、放電抵抗を通して放電される。この電荷が放電抵抗を通して放電されるとき、放電抵抗は熱を発する。第3の電子部品モジュール80は、半導体モジュール(32,35,37)よりも小さな発熱量を有している。
第3冷却部材69aは、第1冷却部材60に接続されている。第3冷却部材69aは、冷却流路66を含んでいない。第3冷却部材69aは、銅(Cu)またはアルミニウム(Al)のような高い熱伝導性を有する材料で構成されている。第3冷却部材69aを構成する高い熱伝導性を有する材料は、10W/(m・K)以上の熱伝導率を有してもよい。特定的には、第3冷却部材69aを構成する高い熱伝導性を有する材料は、10W/(m・K)以上の熱伝導率を有する金属または電気絶縁性材料であってもよい。第3冷却部材69aは、第1冷却部材60と同じ材料で構成されてもよい。第3冷却部材69aは、第1冷却部材60に一体化されてもよい。第3冷却部材69aは、第1冷却部材60よりも薄い。第3冷却部材69aは、第1冷却部材60の第1の厚さt1よりも薄い第3の厚さt3を有している。
第1の電子部品モジュール40は、第3冷却部材69aにさらに接触している。本明細書において、第1の電子部品モジュール40が第3冷却部材69aに接触していることは、第1の電子部品モジュール40が第3冷却部材69aに直接接触していることと、放熱グリース、熱伝導シートまたははんだのような熱伝導性接合部材(図示せず)を介して、第1の電子部品モジュール40が第3冷却部材69aに接合されていることとを意味する。第1の電子部品モジュール40は、第1冷却部材60の2箇所(第2主面61b及び第4主面62b)と第3冷却部材69aとに接触しているため、第1の電子部品モジュール40は、第1冷却部材60及び第3冷却部材69aによって効率的に冷却され得る。
特定的には、第1の電子部品モジュール40は、第2主面61b、第4主面62b及び第3冷却部材69aに面接触してもよい。第1の電子部品モジュール40は、第1冷却部材60の2つの面(第2主面61b及び第4主面62b)と第3冷却部材69aとに面接触しているため、第1の電子部品モジュール40は、第1冷却部材60及び第3冷却部材69aによって効率的に冷却され得る。
第3の電子部品モジュール80は、第2主面61bと第4主面62bと第3冷却部材69aとに接触している。本明細書において、第3の電子部品モジュール80が第2主面61bと第4主面62bと第3冷却部材69aとに接触していることは、第3の電子部品モジュール80が第2主面61bと第4主面62bと第3冷却部材69aとに直接接触していることと、放熱グリース、熱伝導シートまたははんだのような熱伝導性接合部材(図示せず)を介して、第3の電子部品モジュール80が第2主面61bと第4主面62bと第3冷却部材69aとに接合されていることとを意味する。第3の電子部品モジュール80は、第1冷却部材60の2箇所(第2主面61b及び第4主面62b)と第3冷却部材69aとに接触しているため、第3の電子部品モジュール80は、第1冷却部材60及び第3冷却部材69aによって効率的に冷却され得る。
特定的には、第3の電子部品モジュール80は、第2主面61b、第4主面62b及び第3冷却部材69aに面接触してもよい。第3の電子部品モジュール80は、第1冷却部材60の2つの面(第2主面61b及び第4主面62b)と第3冷却部材69aとに面接触しているため、第3の電子部品モジュール80は、第1冷却部材60及び第3冷却部材69aによって効率的に冷却され得る。
第4冷却部材69bは、第1冷却部材60に接続されている。第4冷却部材69bは、冷却流路66を含んでいない。第4冷却部材69bは、銅(Cu)またはアルミニウム(Al)のような高い熱伝導性を有する材料で構成されている。第4冷却部材69bを構成する高い熱伝導性を有する材料は、10W/(m・K)以上の熱伝導率を有してもよい。特定的には、第4冷却部材69bを構成する高い熱伝導性を有する材料は、10W/(m・K)以上の熱伝導率を有する金属または電気絶縁性材料であってもよい。第4冷却部材69bは、第1冷却部材60と同じ材料で構成されてもよい。第4冷却部材69bは、第1冷却部材60に一体化されてもよい。第4冷却部材69bは、第1冷却部材60よりも薄い。第4冷却部材69bは、第1冷却部材60の第1の厚さt1よりも薄い第4の厚さt4を有している。
第3の電子部品モジュール80は、第4冷却部材69bにさらに接触している。本明細書において、第3の電子部品モジュール80が第4冷却部材69bに接触していることは、第3の電子部品モジュール80が第4冷却部材69bに直接接触していることと、放熱グリース、熱伝導シートまたははんだのような熱伝導性接合部材(図示せず)を介して、第3の電子部品モジュール80が第4冷却部材69bに接合されていることとを意味する。第3の電子部品モジュール80は、第1冷却部材60の2箇所(第2主面61b及び第4主面62b)と第3冷却部材69aと第4冷却部材69bとに接触しているため、第3の電子部品モジュール80は、第1冷却部材60と第3冷却部材69aと第4冷却部材69bとによって効率的に冷却され得る。
特定的には、第3の電子部品モジュール80は、第2主面61bと第4主面62bと第3冷却部材69aと第4冷却部材69bとに面接触してもよい。第3の電子部品モジュール80は、第1冷却部材60の2つの面(第2主面61b及び第4主面62b)と第3冷却部材69aと第4冷却部材69bとに面接触しているため、第3の電子部品モジュール80は、第1冷却部材60と第3冷却部材69aと第4冷却部材69bとによって効率的に冷却され得る。
第4の電子部品モジュール85は、第1の電子部品(24)、第2の電子部品51及び第3の電子部品とは異なる第4の電子部品(図示せず)を含む。第4の電子部品モジュール85は、第4の電子部品を収容するケース(図示せず)をさらに含んでもよい。第4の電子部品は、ノイズフィルタを含み、第3の電子部品モジュール80は、ノイズフィルタモジュールであってもよい。ノイズフィルタは、リアクトル及びコンデンサのいずれかまたはそれらの両者を含んでもよい。
第4の電子部品モジュール85は、導電接続部材(図示せず)を用いて、半導体モジュール(32,35,37)に接続されている。ノイズフィルタは、半導体モジュール(32,35,37)に含まれる半導体スイッチング素子(12a,12b,15a−15f,17a−17f)において発生する電磁ノイズを除去する。電力変換装置1dの動作時に半導体スイッチング素子(12a,12b,15a−15f,17a−17f)だけでなくノイズフィルタにも電流が流れるため、ノイズフィルタは熱を発する。第4の電子部品モジュール85は、半導体モジュール(32,35,37)よりも小さな発熱量を有している。
第4の電子部品モジュール85は、第2主面61bと第4主面62bと第4冷却部材69bとに接触している。本明細書において、第4の電子部品モジュール85が第2主面61bと第4主面62bと第4冷却部材69bとに接触していることは、第4の電子部品モジュール85が第2主面61bと第4主面62bと第4冷却部材69bとに直接接触していることと、放熱グリース、熱伝導シートまたははんだのような熱伝導性接合部材(図示せず)を介して、第4の電子部品モジュール85が第2主面61bと第4主面62bと第4冷却部材69bとに接合されていることとを意味する。第4の電子部品モジュール85は、第1冷却部材60の2箇所(第2主面61b及び第4主面62b)と第4冷却部材69bとに接触しているため、第4の電子部品モジュール85は、第1冷却部材60及び第4冷却部材69bによって効率的に冷却され得る。
特定的には、第4の電子部品モジュール85は、第2主面61bと第4主面62bと第4冷却部材69bとに面接触してもよい。第4の電子部品モジュール85は、第1冷却部材60の2つの面(第2主面61b及び第4主面62b)と第4冷却部材69bとに面接触しているため、第4の電子部品モジュール85は、第1冷却部材60及び第4冷却部材69bによって効率的に冷却され得る。
本実施の形態の電力変換装置1dは、実施の形態1の電力変換装置1と同様の効果を奏するが、以下の点で主に異なる。
本実施の形態の電力変換装置1dは、第1の電子部品(24)及び第2の電子部品51とは異なる第3の電子部品を含む第3の電子部品モジュール80と、第1冷却部材60に接続されている第3冷却部材69aとをさらに備える。第3冷却部材69aは、冷却流路66を含まない。第3冷却部材69aは、第1冷却部材60よりも薄い。第1の電子部品モジュール40は、第3冷却部材69aにさらに接触している。第3の電子部品モジュール80は、第2主面61bと第4主面62bと第3冷却部材69aとに接触している。
第3冷却部材69aは冷却流路66を含まないため、冷却流路66は、第3の電子部品モジュール80の三方を囲んでいない。さらに、第3冷却部材69aは第1冷却部材60よりも薄く、かつ、第3の電子部品モジュール80に接触している。第3の電子部品モジュール80は、第1冷却部材60の2箇所と第3冷却部材69aとに接触している。半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50と第3の電子部品モジュール80とは、第1冷却部材60にコンパクトに配置され得る。本実施の形態の電力変換装置1dによれば、半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50と第3の電子部品モジュール80とが効率的に冷却され得るとともに、電力変換装置1dが小型化され得る。
本実施の形態の電力変換装置1dは、第1の電子部品(24)、第2の電子部品51及び第3の電子部品とは異なる第4の電子部品を含む第4の電子部品モジュール85と、第1冷却部材60に接続されている第4冷却部材69bとをさらに備える。第4冷却部材69bは、冷却流路66を含まない。第4冷却部材69bは、第1冷却部材60よりも薄い。第3の電子部品モジュール80は、第4冷却部材69bにさらに接触している。第4の電子部品モジュール85は、第2主面61bと第4主面62bと第4冷却部材69bとに接触している。
第4冷却部材69bは冷却流路66を含まないため、冷却流路66は、第4の電子部品モジュール85の三方を囲んでいない。さらに、第4冷却部材69bは第1冷却部材60よりも薄く、かつ、第3の電子部品モジュール80及び第4の電子部品モジュール85に接触している。第3の電子部品モジュール80は、第1冷却部材60の2箇所と第3冷却部材69aと第4冷却部材69bとに接触している。第4の電子部品モジュール85とは、第1冷却部材60の2箇所と第4冷却部材69bとに接触している。半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50と第3の電子部品モジュール80と第4の電子部品モジュール85とは、第1冷却部材60にコンパクトに配置され得る。本実施の形態の電力変換装置1dによれば、半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50と第3の電子部品モジュール80と第4の電子部品モジュール85とが効率的に冷却され得るとともに、電力変換装置1dが小型化され得る。
実施の形態5.
図12を参照して、実施の形態5に係る電力変換装置1eを説明する。本実施の形態の電力変換装置1eは、実施の形態1の電力変換装置1と同様の構成を備えるが、主に以下の点で異なる。
本実施の形態の電力変換装置1eは、第1の電子部品(24)及び第2の電子部品51とは異なる第3の電子部品(図示せず)を含む第3の電子部品モジュール80をさらに備える。本実施の形態における第3の電子部品モジュール80は、実施の形態4における第3の電子部品モジュール80と同様の構成を含んでいる。具体的には、第3の電子部品は、放電抵抗を含み、第3の電子部品モジュール80は、放電回路モジュールであってもよい。特定的には、第3の電子部品は、放電スイッチをさらに含んでもよく、第3の電子部品モジュール80は、放電スイッチ付きの放電回路モジュールであってもよい。第3の電子部品モジュール80は、第3の電子部品を収容するケース(図示せず)をさらに含んでもよい。
第2の電子部品モジュール50は、第2の電子部品51を収容するケース52を含む。ケース52は、第3主面62aに接触する第1部分52aと、第5主面63aに接触する第2部分52bとを有している。本明細書において、第1部分52a及び第2部分52bがそれぞれ第3主面62a及び第5主面63aに接触していることは、第1部分52a及び第2部分52bがそれぞれ第3主面62a及び第5主面63aに直接接触していることと、放熱グリース、熱伝導シートまたははんだのような熱伝導性接合部材(図示せず)を介して、第1部分52a及び第2部分52bがそれぞれ第3主面62a及び第5主面63aに接合されていることとを意味する。第2の電子部品モジュール50は、第1冷却部材60の2箇所(第3主面62a及び第5主面63a)に接触しているため、第2の電子部品モジュール50は、第1冷却部材60によって効率的に冷却され得る。
特定的には、第1部分52a及び第2部分52bはそれぞれ第3主面62a及び第5主面63aに面接触してもよい。第1部分52a及び第2部分52bはそれぞれ第3主面62a及び第5主面63aに面接触しているため、第2の電子部品モジュール50は、第1冷却部材60によって効率的に冷却され得る。
第3の電子部品モジュール80は、第1部分52aと第2部分52bとに接触している。本明細書において、第3の電子部品モジュール80が第1部分52aと第2部分52bとに接触していることは、第3の電子部品モジュール80が第1部分52aと第2部分52bとに直接接触していることと、放熱グリース、熱伝導シートまたははんだのような熱伝導性接合部材(図示せず)を介して、第3の電子部品モジュール80が第1部分52aと第2部分52bとに接合されていることとを意味する。第3の電子部品モジュール80は、ケース52の第1部分52aと第2部分52bとを介して、第1冷却部材60の2箇所(第3主面62a及び第5主面63a)に接触しているため、第3の電子部品モジュール80は、第1冷却部材60によって効率的に冷却され得る。
特定的には、第3の電子部品モジュール80は、第1部分52aと第2部分52bとに面接触してもよい。すなわち、第3の電子部品モジュール80は、ケース52の第1部分52aと第2部分52bとを介して、第3主面62aと第5主面63aとに面接触してもよい。第3の電子部品モジュール80はケース52の第1部分52aと第2部分52bとを介して第1冷却部材60の2つの面(第3主面62a及び第5主面63a)に面接触しているため、第3の電子部品モジュール80は、第1冷却部材60によって効率的に冷却され得る。
本実施の形態の電力変換装置1eは、実施の形態1の電力変換装置1と同様の効果を奏するが、以下の点で主に異なる。
本実施の形態の電力変換装置1eは、第1の電子部品(24)及び第2の電子部品51とは異なる第3の電子部品を含む第3の電子部品モジュール80をさらに備える。第2の電子部品モジュール50は、第2の電子部品51を収容する第2のケース(52)を含む。第2のケース(52)は、第3主面62aに接触する第1部分52aと第5主面63aに接触する第2部分52bとを有している。第3の電子部品モジュール80は、第1部分52aと第2部分52bとに接触している。
本実施の形態の電力変換装置1eでは、第1冷却部材60の冷却流路66は、第3の電子部品モジュール80の三方を囲んでいない。第3の電子部品モジュール80は、第2のケース(52)を介して、第1冷却部材60の2箇所に接触している。半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50と第3の電子部品モジュール80とは、第1冷却部材60にコンパクトに配置され得る。本実施の形態の電力変換装置1eによれば、半導体モジュール(32,35,37)と第1の電子部品モジュール40と第2の電子部品モジュール50と第3の電子部品モジュール80とが効率的に冷却され得るとともに、電力変換装置1eが小型化され得る。
今回開示された実施の形態1から実施の形態5はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。矛盾のない限り、今回開示された実施の形態1から実施の形態5の少なくとも2つを組み合わせてもよい。本発明の範囲は、上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることを意図される。