JP2012005191A - 電力変換装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】半導体モジュールの周囲に配された発熱部品の温度上昇を効果的に防ぐことができる電力変換装置を提供すること。
【解決手段】半導体モジュール2を複数個積層して構成してなる電力変換装置1。半導体モジュール2は、半導体素子21と放熱板22と封止部23と壁部24と貫通冷媒流路41とを有する。複数の半導体モジュール2は放熱面221の法線方向に積層されている。積層方向の両端に配される半導体モジュール2には蓋部3が配設されている。隣り合う半導体モジュール2の間及び蓋部3と半導体モジュール2との間であって壁部24の内側には、沿面冷媒流路42が形成されている。一方の蓋部3には冷媒導入管51及び冷媒排出管52が配設されている。壁部24、蓋部3、冷媒導入管51及び冷媒排出管52の少なくともいずれかは、外側面及び内側面の少なくとも一方に凹凸部14を設けてなる。
【選択図】図2

Description

本発明は、半導体素子を内蔵すると共に該半導体素子を冷却するための冷媒流路を内部に設けた半導体モジュールを、複数個積層して構成してなる電力変換装置に関する。
例えば、電気自動車やハイブリッド自動車等に搭載されるインバータ等の電力変換装置として、図34に示すごとく、半導体素子921を内蔵すると共に該半導体素子921を冷却するための冷媒流路94を内部に設けた半導体モジュール92を、複数個積層して構成してなる電力変換装置9がある(特許文献1)。
この電力変換装置9における半導体モジュール92は、半導体素子921と、該半導体素子921と熱的に接続された放熱板922と、該放熱板922の放熱面925を露出させた状態で半導体素子921及び放熱板922を封止する樹脂からなる封止部923と、該封止部923の周囲に形成された樹脂からなる壁部924とを有する。そして、壁部924と封止部923との間に冷媒流路94を有する。
すなわち、半導体モジュール92は、半導体素子921を放熱板922と共に樹脂モールドするとともに、その内部に冷媒流路94となる空間を形成している。
電力変換装置9は、複数の半導体モジュール92を放熱面925の法線方向に積層し、連結して構成されている。これにより、隣り合う半導体モジュール92における放熱板922の放熱面925同士の間にも冷媒流路94が形成される。
そして、冷媒流路94に冷却媒体Wを流通させることにより、半導体素子921の冷却を行うことができる。
かかる電力変換装置9は、上記のように複数の半導体モジュール92を積層することによって、冷媒流路94を備えた状態で構成されるため、別途冷却器を設ける必要がなく、簡素化、小型化、かつ組立容易化を実現することができる。
特開2006−165534号公報
しかしながら、上記電力変換装置9においては以下の問題がある。
すなわち、電力変換装置9には、半導体素子921以外にも、例えばコンデンサ、リアクトル、バスバー等の発熱部品が存在する。それゆえ、これらについても、冷媒流路94を流通する冷却媒体Wによって冷却する必要がある。すなわち、冷却媒体Wによって、冷媒流路94の周囲の雰囲気温度を低下させることにより、周囲の雰囲気を通じて上記発熱部品を冷却することが必要となる。
ところが、半導体モジュール92は、上記のごとく、樹脂からなる壁部924によって覆われており、冷媒流路94は壁部924の内側にある。そのため、熱伝導率が特に高くない樹脂からなる壁部924を通じて、周囲の雰囲気を冷却することとなり、その冷却効率が充分に得られ難い。その結果、半導体モジュール92の周囲に配された発熱部品の温度上昇を防ぐことが困難となるおそれがある。
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもので、半導体モジュールの周囲に配された発熱部品の温度上昇を効果的に防ぐことができる電力変換装置を提供しようとするものである。
本発明は、半導体素子を内蔵した半導体モジュールを複数個積層して構成してなる電力変換装置であって、
上記半導体モジュールは、上記半導体素子と、該半導体素子と熱的に接続された放熱板と、該放熱板の放熱面を露出させた状態で上記半導体素子及び上記放熱板を封止する封止部と、上記放熱面の法線方向に直交する方向における上記封止部の周囲に形成されると共に上記放熱面よりも上記法線方向に突出した壁部と、該壁部と上記封止部との間に形成された貫通冷媒流路とを有し、
複数の上記半導体モジュールは、上記放熱面の法線方向に積層されており、
積層方向の両端に配される上記半導体モジュールには、上記壁部における積層方向の外側の開口部を覆う蓋部が配設されており、
隣り合う上記半導体モジュールの間及び上記蓋部と上記半導体モジュールとの間であって上記壁部の内側には、上記貫通冷媒流路に連通すると共に上記放熱面に沿った沿面冷媒流路が形成されており、
上記一対の蓋部のうちの一方には、上記冷却媒体を上記貫通冷媒流路及び上記沿面冷媒流路に導入、排出する、冷媒導入管及び冷媒排出管が配設されており、
かつ、上記壁部、上記蓋部、上記冷媒導入管、及び上記冷媒排出管の少なくともいずれかは、外側面及び内側面の少なくとも一方に凹凸部を設けてなることを特徴とする電力変換装置にある(請求項1)。
上記電力変換装置においては、上記壁部、上記蓋部、上記冷媒導入管、及び上記冷媒排出管の少なくともいずれかは、外側面及び内側面の少なくとも一方に凹凸部を設けてなる。すなわち、冷却媒体に接する部位のいずれかが、外側面と内側面との少なくとも一方に上記凹凸部を有することとなる。
ここで、これらの部位の外側面に上記凹凸部が形成されている場合には、外側面とその周囲の雰囲気との間の接触面積が大きくなり、両者間の熱交換効率が高くなる。その結果、上記冷却媒体によって、上記半導体モジュールの周囲の雰囲気温度を低く保ちやすくすることができる。
また、上記壁部、上記蓋部、上記冷媒導入管、及び上記冷媒排出管の少なくともいずれかの内側面に上記凹凸部が形成されている場合には、内側面と冷却媒体との接触面積が大きくなり、両者間の熱交換効率が高くなる。その結果、上記半導体モジュールの周囲の雰囲気温度を低く保ちやすくすることができる。
それゆえ、上記凹凸部が、上記壁部、上記蓋部、上記冷媒導入管、及び上記冷媒排出管の少なくともいずれかの外側面に設けてある場合、内側面に設けてある場合、或いは両面に設けてある場合のいずれであっても、上記半導体モジュールの周囲の雰囲気温度を低く保ちやすくすることができる。したがって、上記半導体モジュールの周囲に配置された、コンデンサ、リアクトル、バスバー等の上記電力変換装置を構成する発熱部品の温度上昇を効果的に抑制することができる。
以上のごとく、本発明によれば、半導体モジュールの周囲に配された発熱部品の温度上昇を効果的に防ぐことができる電力変換装置を提供することができる。
実施例1における、電力変換装置の斜視展開図。 実施例1における、図1のA−A線矢視断面相当の電力変換装置の断面図。 実施例1における、半導体モジュールの斜視図。 実施例1における、半導体モジュールの正面図。 図4のB−B線矢視断面図。 実施例1における、電力変換装置の回路図。 実施例2における、電力変換装置の断面図。 実施例2における、半導体モジュールの正面図。 実施例3における、電力変換装置の断面図。 実施例3における、半導体モジュールの正面図。 図10のC−C線矢視断面図。 実施例4における、電力変換装置の断面図。 実施例4における、半導体モジュールの正面図。 実施例5における、電力変換装置の断面図。 実施例5における、半導体モジュールの正面図。 図15のD−D線矢視断面図。 実施例6における、電力変換装置の断面図。 実施例6における、半導体モジュールの正面図。 実施例7における、電力変換装置の断面図。 実施例7における、半導体モジュールの正面図。 図20のE−E線矢視断面図。 実施例8における、電力変換装置の断面図。 実施例8における、半導体モジュールの正面図。 実施例9における、壁部の外側面に凹凸部を設けた半導体モジュールの正面図。 実施例9における、壁部の内側面に凹凸部を設けた半導体モジュールの正面図。 実施例10における、蓋部の外側面に鋸歯状の凹凸部を設けた電力変換装置の断面図。 実施例10における、蓋部の外側面にピン状の凹凸部を設けた電力変換装置の断面図。 実施例10における、蓋部の内側面に鋸歯状の凹凸部を設けた電力変換装置の断面図。 実施例10における、蓋部の内側面にピン状の凹凸部を設けた電力変換装置の断面図。 実施例11における、電力変換装置の断面図。 図30のF−F線矢視断面図。 実施例12における、電力変換装置の断面図。 図32のG−G線矢視断面図。 背景技術における、電力変換装置の断面図。
本発明において、上記複数の半導体モジュールの積層方向は、上記放熱面の法線方向と略平行であればよく、隣り合う半導体モジュールの上記半導体素子間に、上記放熱面に沿った上記沿面冷媒流路が形成される状態であればよい。
また、上記半導体モジュールにおける上記放熱板は、上記半導体素子を両側から挟持する状態で配設されていることが好ましいが、上記半導体素子の一方の面側のみに配設されていてもよい。
また、上記封止部と上記壁部とは、樹脂によって成形されていることが好ましい。この場合には、上記封止部、上記壁部、及びこれらの間に形成される上記貫通冷媒流路を容易に形成することができ、電力変換装置の構成の簡素化、小型化、低コスト化を実現することができる。そして、この場合、上記壁部の熱伝導率が低くなりやすいため、冷却媒体による半導体モジュールの周囲の雰囲気の冷却を効率的に行い難くなるが、本発明を適用して伝熱面積を大きくすることにより、周囲の雰囲気温度を低く保ちやすくすることができる。その結果、上記半導体モジュールの周囲の雰囲気温度の上昇を防ぎつつ、電力変換装置の簡素化、小型化、低コスト化を、効率的に行うことができる。
また、上記凹凸部は、上記壁部に設けることが好ましい(請求項2)。
この場合には、上記壁部を介して、上記冷却媒体と、上記半導体モジュールの周囲の雰囲気との間の熱交換効率を高くすることができる。その結果、上記冷却媒体によって、上記半導体モジュールの周囲の雰囲気温度を低く保ちやすくすることができ、上記半導体モジュールの周囲に配置された上記発熱部品の温度上昇を効果的に抑制することができる。
また、上記凹凸部は、上記貫通冷媒流路の周囲に設けてあることが好ましい(請求項3)。
この場合には、上記壁部を介して、上記貫通冷媒流路を流れる冷却媒体と、上記半導体モジュールの周囲の雰囲気との間の熱交換効率を高くすることができる。貫通冷媒流路を流れる冷却媒体は、上記半導体素子からの受熱量が比較的少なくなりやすく、低温となりやすい。そのため、貫通冷媒流路を流れる冷却媒体と熱交換される雰囲気は、温度がより低くなりやすい。それゆえ、上記構成によれば、上記発熱部品の温度上昇をより効果的に抑制することができる。
また、上記凹凸部は、上記蓋部に設けてあってもよい(請求項4)。
この場合には、比較的広い面積に上記凹凸部を形成しやすくなるため、その周囲の雰囲気温度を効果的に低下させることができる。
また、上記凹凸部は、上記冷媒導入管、及び上記冷媒排出管の少なくとも一方に設けてあってもよい(請求項5)。
この場合には、上記半導体素子からの受熱量が比較的少なくなりやすい上記冷媒導入管及び冷媒排出管の少なくとも一方を流れる冷却媒体によって、周囲の雰囲気を冷却することができるため、その冷却効率を高くすることができる。
また、上記凹凸部は、上記壁部、上記蓋部、上記冷媒導入管、及び上記冷媒排出管の少なくともいずれかの外側面に設けることができる(請求項6)。
この場合には、外側面とその周囲の雰囲気との間の接触面積が大きくなり、両者間の熱交換効率が高くなる。その結果、上記冷却媒体によって、上記半導体モジュールの周囲の雰囲気温度を低く保ちやすくすることができる。
また、上記凹凸部は、上記壁部、上記蓋部、上記冷媒導入管、及び上記冷媒排出管の少なくともいずれかの内側面に設けることもできる(請求項7)。
この場合には、内側面と冷却媒体との接触面積が大きくなり、両者間の熱交換効率が高くなる。その結果、上記半導体モジュールの周囲の雰囲気温度を低く保ちやすくすることができる。
(実施例1)
本発明の実施例にかかる電力変換装置につき、図1〜図6を用いて説明する。
本例の電力変換装置1は、図1、図2に示すごとく、半導体素子21を内蔵した半導体モジュール2を複数個積層して構成してなる。
半導体モジュール2は、図2〜図5に示すごとく、半導体素子21と、放熱板22と、封止部23と、壁部24と、貫通冷媒流路41とを有する。
放熱板22は、半導体素子21と熱的に接続されている。封止部23は、放熱板22の放熱面221を露出させた状態で半導体素子21及び放熱板22を封止している。壁部24は、放熱面221の法線方向に直交する方向における封止部23の周囲に形成されると共に放熱面221よりも法線方向に突出している。貫通冷媒流路41は、壁部24と封止部23との間に形成されている。
図1、図2に示すごとく、複数の半導体モジュール2は、放熱面221の法線方向に積層されている。
積層方向の両端に配される半導体モジュール21には、壁部24における積層方向の外側の開口部を覆う蓋部3が配設されている。
隣り合う半導体モジュール2の間及び蓋部3と半導体モジュール2との間であって壁部24の内側には、貫通冷媒流路41に連通すると共に放熱面221に沿った沿面冷媒流路42が形成されている。
一対の蓋部3のうちの一方には、冷却媒体Wを貫通冷媒流路41及び沿面冷媒流路42に導入、排出する、冷媒導入管51及び冷媒排出管52が配設されている。
そして、壁部24は、外側面に凹凸部14を設けてなる。
本例の電力変換装置1は、電気自動車やハイブリッド自動車等に搭載され、図6に示すごとく、直流電源(バッテリー101)と交流負荷(三相交流の回転電機102)との間の電力変換を行うよう構成されている。
半導体モジュール2は、図2に示すごとく、2個の半導体素子21を備えている。具体的には、半導体モジュール2に内蔵された半導体素子21の一方は、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)等からなるスイッチング素子であり、他方は、スイッチング素子に逆並列接続されたFWD(フリーホイールダイオード)等のダイオードである(図6参照)。
各半導体モジュール2は、半導体素子21を両側から挟持するように配設された一対の金属製の放熱板22を有する。そして、これらの放熱板22は、はんだ222を介して半導体素子21に電気的、熱的に接続されている。2個の半導体素子21と一対の放熱板22とは、各放熱板22の放熱面221を露出させながら、樹脂製の封止部23によって一体化されて封止されている。封止部23は、放熱面221の全周に形成されている。
また、放熱面221の法線方向に直交する方向の全周にわたって封止部23を囲むように、樹脂製の壁部24が形成されている。
図3〜図5に示すごとく、封止部23及び壁部24からは、放熱面221の法線方向に直交する方向に、一対の主電極端子251が突出し、その反対方向に、複数の制御端子252が突出している。主電極端子251には、被制御電流用のバスバー(図示略)が接続され、制御端子252は、スイッチング素子(半導体素子21)を制御等するための制御回路(図示略)に接続される。
また、放熱面221の法線方向に直交する方向であって、主電極端子251及び制御端子252の突出方向に直交する方向(以下、「横方向」という。)における、封止部23と壁部24との間に、一対の貫通冷媒流路41が形成されている。
また、壁部24は、一対の放熱面221よりも、放熱面221の法線方向に突出している。
そして、壁部24の外側面に凹凸部14が形成されている。本例においては、凹凸部14は中央部が外側へ突出するような一対のテーパ面によって構成されている。そして、凹凸部14は、壁部24における、積層方向に直交する方向の全周にわたって形成されている。すなわち、図2、図5に示すごとく、主電極端子251及び制御端子252と平行な方向にも、横方向にも、壁部24は、その中央部が外側へ突出するようなテーパ状の凹凸部14を外側面に形成してなる。
この凹凸部14は、少なくとも貫通冷媒流路41の周囲には設けてあり、それ以外の部位にも設けてある。
図1、図2に示すごとく、電力変換装置1は、複数の半導体モジュール2を、放熱面221の法線方向に積層することにより、構成されている。図1、図2においては、半導体モジュール2を3個積層した図を示しているが、実際の電力変換装置1は、より多数の半導体モジュール2を積層してなり、その積層数は特に限定されるものではない。
複数の半導体モジュール2は、壁部24において互いに連結されている。そして、電力変換装置1における積層方向の両端に、樹脂製の蓋部3が、半導体モジュール2の壁部24の開口部を塞ぐように取り付けてある。隣り合う半導体モジュール2の壁部24の間や、半導体モジュール2の壁部24と蓋部3との間には、水密性を確保するためのシール部材を介在させることができる。
一対の蓋部3のうちの一方には、貫通冷媒流路41及び沿面冷媒流路42へ冷却媒体Wを導入するための冷媒導入管51と、冷却媒体Wを排出するための冷媒排出管52とが取り付けてある。これらの冷媒導入管51及び冷媒排出管52は、樹脂からなる。
なお、蓋部3、冷媒導入管51及び冷媒排出管52は、金属製、或いはセラミック製等、他の材質とすることもできる。
このように、複数の半導体モジュール2と一対の蓋部3とを積層して連結することにより、図2に示すごとく、内部に貫通冷媒流路41と沿面冷媒流路42とが連続した冷媒流路4が、壁部24と蓋部3とによって囲まれた内側の空間に形成される。この状態において、各半導体モジュール2に設けられた一対の貫通冷媒流路41は、それぞれ一直線上に配列した状態で連結される。沿面冷媒流路42は、隣り合う半導体モジュール2の放熱面221同士の間、及び半導体モジュール2と蓋部3との間に、貫通冷媒流路41に直交するように、かつこれらに連結するように形成される。
これにより、冷媒導入管51から冷媒流路4に導入された冷却媒体Wは、貫通冷媒流路41を適宜通過しながら、各半導体モジュール2における一対の放熱面221に接触する沿面冷媒流路42を通過する。ここで、半導体素子21と熱交換した冷却媒体Wは、他方の貫通冷媒流路41を適宜通過して、冷媒排出管52から排出される。
なお、冷却媒体Wとしては、例えば、水やアンモニア等の自然冷媒、エチレングリコール系の不凍液を混入した水、フロリナート等のフッ化炭素系冷媒、HCFC123、HFC134a等のフロン系冷媒、メタノール、アルコール等のアルコール系冷媒、アセトン等のケトン系冷媒等を用いることができる。
本例の電力変換装置1は、図6に示す電力変換回路を構成しており、直流電源(バッテリー101)の電圧を昇圧するコンバータ11と、昇圧した直流電力を交流電力に変換して交流負荷(回転電機102)へ出力するインバータ12とを有する。インバータ12及びコンバータ11は、上記の機能と反対の機能、すなわち、交流電力を直流電力へ変換する機能、及び直流電力を降圧する機能をもそれぞれ備えている。
コンバータ11は、複数の半導体モジュール2、リアクトル111、及びフィルタコンデンサ112によって構成されている。インバータ12は、複数の半導体モジュール2、スナバコンデンサ121を備えている。さらにコンバータ11とインバータ12との間には、平滑コンデンサ131、放電抵抗132が配線されている。
そして、電力変換装置1は、これらのリアクトル111、フィルタコンデンサ112、スナバコンデンサ121、平滑コンデンサ131、放電抵抗132等の構成部品(発熱部品)を、複数の半導体モジュール2の積層体の周囲に配置してなる(図示略)。また、半導体モジュール2の主電極端子251に接続されるバスバー(図示略)も、半導体モジュール2の積層体の周囲に配される発熱部品である。
また、これらの構成部品(発熱部品)は、複数の半導体モジュール2の積層体と共に、一つの金属ケース(図示略)に収容され、車両のエンジンルーム等に搭載されている。そして、複数の半導体モジュール2の積層体の表面の一部は、壁部24の外側面に形成された上記凹凸部14によって構成されている。これにより、壁部24の内側に形成された冷媒流路4内を流れる冷却媒体Wが、金属ケース内の雰囲気を、壁部24を介して効率的に冷却することができるよう構成されている。
次に、本例の作用効果につき説明する。
電力変換装置1において、壁部24は外側面に凹凸部14を設けてなる。そのため、壁部24の外側面とその周囲の雰囲気との間の接触面積が大きくなり、両者間の熱交換効率が高くなる。その結果、壁部24の内側の冷媒流路4を流れる冷却媒体Wによって、半導体モジュール2の周囲の雰囲気温度を低く保ちやすくすることができる。
したがって、半導体モジュール2の周囲に配置された、リアクトル111、フィルタコンデンサ112、スナバコンデンサ121、平滑コンデンサ131、放電抵抗132、バスバー等、電力変換装置1を構成する発熱部品の温度上昇を効果的に抑制することができる。
また、凹凸部14は壁部24に設けてあるため、壁部24を介して、冷却媒体Wと半導体モジュール2の周囲の雰囲気との間の熱交換効率を高くすることができる。その結果、冷却媒体Wによって、半導体モジュール2の周囲の雰囲気温度を低く保ちやすくすることができ、発熱部品の温度上昇を効果的に抑制することができる。
また、凹凸部14は、貫通冷媒流路41の周囲に設けてある。そのため、壁部24を介して、貫通冷媒流路41を流れる冷却媒体Wと、半導体モジュール2の周囲の雰囲気との間の熱交換効率を高くすることができる。貫通冷媒流路41を流れる冷却媒体Wは、半導体素子21からの受熱量が比較的少なくなりやすく、低温となりやすい。そのため、貫通冷媒流路41を流れる冷却媒体Wと熱交換される雰囲気は、温度がより低くなりやすい。それゆえ、凹凸部14を貫通冷媒流路41の周囲に設けることにより、発熱部品の温度上昇をより効果的に抑制することができる。
以上のごとく、本例によれば、半導体モジュールの周囲に配された発熱部品の温度上昇を効果的に防ぐことができる電力変換装置を提供することができる。
(実施例2)
本例は、図7、図8に示すごとく、壁部24の外側面に設けた凹凸部14の形状を変更した例である。
すなわち、本例の電力変換装置1における凹凸部14は、図8に示すごとく、積層方向から見た形状が鋸歯状となるような形状を有する。そして、この鋸歯状の凹凸部14は、壁部24の外側面の全周にわたって形成されている。
その他は、実施例1と同様である。
本例の場合には、壁部24の外側面の表面積がより大きくなり、壁部24と周囲の雰囲気との接触面積をより大きくすることができる。その結果、周囲の雰囲気をより効果的に冷却することができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
(実施例3)
本例は、図9〜図11に示すごとく、壁部24の外側面に設けた凹凸部14を、主電極端子251及び制御端子252の突出方向から見た形状、及び、横方向から見た形状において、鋸歯状となるような形状とした例である。
その他は、実施例1と同様である。
本例の場合にも、壁部24と周囲の雰囲気との接触面積をより大きくすることができ、雰囲気温度をより効果的に低下させることができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
(実施例4)
本例は、図12、図13に示すごとく、壁部24の外側面に設けた凹凸部14を、多数のピンを立設した形状とした例である。
そして、凹凸部14は、壁部24の外側面の全周にわたって形成されている。
その他は、実施例1と同様である。
本例の場合にも、壁部24と周囲の雰囲気との接触面積をより大きくすることができ、雰囲気温度をより効果的に低下させることができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
(実施例5)
本例は、図14〜図16に示すごとく、壁部24の内側面に凹凸部14を設けた例である。
各半導体モジュール2は、壁部24の中央部が内方へ突出するような一対のテーパ面によって構成されている。そして、凹凸部14は、壁部24における、貫通冷媒流路41に面する部分の全体にわたって形成されている。すなわち、図14、図16に示すごとく、主電極端子251及び制御端子252と平行な方向にも、横方向にも、壁部24は、その中央部が内側へ突出するようなテーパ状の凹凸部14を形成してなる。
その他は、実施例1と同様である。
本例の場合には、壁部24の内側面と冷却媒体Wとの接触面積が大きくなり、両者間の熱交換効率が高くなる。その結果、半導体モジュール2の周囲の雰囲気温度を低く保ちやすくすることができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
(実施例6)
本例は、図17、図18に示すごとく、壁部24の内側面に設けた凹凸部14の形状を変更した例である。
すなわち、本例の電力変換装置1における凹凸部14は、積層方向から見た形状が鋸歯状となるような形状を有する。そして、この鋸歯状の凹凸部14は、壁部24の内側面の全周にわたって形成されている。
その他は、実施例5と同様である。
本例の場合には、壁部24の内側面、すなわち冷媒流路4に接する面の表面積がより大きくなり、壁部24と冷却媒体Wとの接触面積をより大きくすることができる。その結果、雰囲気温度をより効果的に低下させることができる。
その他、実施例5と同様の作用効果を有する。
(実施例7)
本例は、図19〜図21に示すごとく、壁部24の内側面に設けた凹凸部14を、主電極端子251及び制御端子252の突出方向から見た形状、及び、横方向から見た形状において、鋸歯状となるような形状とした例である。
その他は、実施例5と同様である。
本例の場合にも、壁部24と冷却媒体Wとの接触面積をより大きくすることができ、雰囲気温度をより効果的に低下させることができる。
その他、実施例5と同様の作用効果を有する。
(実施例8)
本例は、図22、図23に示すごとく、壁部24の内側面に設けた凹凸部14を、多数のピンを立設した形状とした例である。
そして、凹凸部14は、壁部24の内側面の全周にわたって形成されている。
その他は、実施例5と同様である。
本例の場合にも、壁部24と冷却媒体Wとの接触面積をより大きくすることができ、雰囲気温度をより効果的に低下させることができる。
その他、実施例5と同様の作用効果を有する。
(実施例9)
本例は、図24、図25に示すごとく、貫通冷媒流路41の周囲にのみ凹凸部14を設けた例である。
凹凸部14は、図24に示すごとく、壁部24の外側面に設けてもよいし、図25に示すごとく、壁部24の内側面に設けてもよい。
その他は、実施例2又は実施例6と同様である。
本例の場合には、貫通冷媒流路41を流れる冷却媒体Wと、半導体モジュール2の周囲の雰囲気との間の熱交換効率を高めやすい部分に集中して、凹凸部14を設けることにより、構造の簡素化を図りつつ、周囲の雰囲気の冷却を効果的に行うことができる。
その他、実施例2又は実施例6と同様の作用効果を有する。
(実施例10)
本例は、図26〜図29に示すごとく、蓋部3に凹凸部14を設けた例である。
凹凸部14は、図26、図27に示すごとく、蓋部3の外側面に設けてもよいし、図28、図29に示すごとく、蓋部3の内側面に設けてもよい。
また、凹凸部14の形状は、図26、図28に示すごとく、鋸歯状に形成してもよいし、図27、図29に示すごとく、多数のピンを立設した形状としてもよい。或いは、凹凸部14の形状を、これら以外の種々の形状とすることもできる。
なお、本例において、蓋部3は樹脂成形体からなり、凹凸部14と共に一体成形されている。
その他は、実施例1と同様である。
本例の場合には、比較的広い面積に凹凸部14を形成しやすくなるため、その周囲の雰囲気温度を効果的に低下させることができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
(実施例11)
本例は、図30、図31に示すごとく、凹凸部14を、冷媒導入管51及び冷媒排出管52に設けた例である。
具体的には、円筒状の冷媒導入管51及び冷媒排出管52の外側面に、外方へ突出した鋸歯状の凹凸部14が形成されている。凹凸部14は、積層方向に直交する方向から見たとき、鋸歯状となる形状を有している。
なお、本例において、蓋部3は樹脂成形体からなり、凹凸部14と共に一体成形されている。
その他は、実施例1と同様である。
本例の場合には、半導体素子21からの受熱量が比較的少なくなりやすい冷媒導入管51及び冷媒排出管52を流れる冷却媒体Wによって、周囲の雰囲気を冷却することができるため、その冷却効率を高くすることができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
(実施例12)
本例は、図32、図33に示すごとく、凹凸部14を、冷媒導入管51及び冷媒排出管52に設けた他の例である。
本例においては、凹凸部14は、積層方向から見たとき、鋸歯状となる形状を有している。
その他は、実施例11と同様の構成を有し、同様の作用効果を有する。
本発明は、上記実施例以外にも種々の態様をとることができる。
例えば、凹凸部14を、壁部24の内側面と外側面との双方に形成したり、壁部24と冷媒導入管51及び冷媒排出管52との双方に形成するなど、上記実施例を適宜、複数組み合わせた態様とすることもできる。
1 電力変換装置
14 凹凸部
2 半導体モジュール
21 半導体素子
22 放熱板
221 放熱面
23 封止部
24 壁部
3 蓋部
4 冷媒流路
41 貫通冷媒流路
42 沿面冷媒流路
51 冷媒導入管
52 冷媒排出管

Claims (7)

  1. 半導体素子を内蔵した半導体モジュールを複数個積層して構成してなる電力変換装置であって、
    上記半導体モジュールは、上記半導体素子と、該半導体素子と熱的に接続された放熱板と、該放熱板の放熱面を露出させた状態で上記半導体素子及び上記放熱板を封止する封止部と、上記放熱面の法線方向に直交する方向における上記封止部の周囲に形成されると共に上記放熱面よりも上記法線方向に突出した壁部と、該壁部と上記封止部との間に形成された貫通冷媒流路とを有し、
    複数の上記半導体モジュールは、上記放熱面の法線方向に積層されており、
    積層方向の両端に配される上記半導体モジュールには、上記壁部における積層方向の外側の開口部を覆う蓋部が配設されており、
    隣り合う上記半導体モジュールの間及び上記蓋部と上記半導体モジュールとの間であって上記壁部の内側には、上記貫通冷媒流路に連通すると共に上記放熱面に沿った沿面冷媒流路が形成されており、
    上記一対の蓋部のうちの一方には、上記冷却媒体を上記貫通冷媒流路及び上記沿面冷媒流路に導入、排出する、冷媒導入管及び冷媒排出管が配設されており、
    かつ、上記壁部、上記蓋部、上記冷媒導入管、及び上記冷媒排出管の少なくともいずれかは、外側面及び内側面の少なくとも一方に凹凸部を設けてなることを特徴とする電力変換装置。
  2. 請求項1に記載の電力変換装置において、上記凹凸部は、上記壁部に設けてあることを特徴とする電力変換装置。
  3. 請求項1又は2に記載の電力変換装置において、上記凹凸部は、上記貫通冷媒流路の周囲に設けてあることを特徴とする電力変換装置。
  4. 請求項1〜3のいずれか一項に記載の電力変換装置において、上記凹凸部は、上記蓋部に設けてあることを特徴とする電力変換装置。
  5. 請求項1〜4のいずれか一項に記載の電力変換装置において、上記凹凸部は、上記冷媒導入管、及び上記冷媒排出管の少なくとも一方に設けてあることを特徴とする電力変換装置。
  6. 請求項1〜5のいずれか一項に記載の電力変換装置において、上記凹凸部は、上記壁部、上記蓋部、上記冷媒導入管、及び上記冷媒排出管の少なくともいずれかの外側面に設けてあることを特徴とする電力変換装置。
  7. 請求項1〜6のいずれか一項に記載の電力変換装置において、上記凹凸部は、上記壁部、上記蓋部、上記冷媒導入管、及び上記冷媒排出管の少なくともいずれかの内側面に設けてあることを特徴とする電力変換装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013048204A (ja) * 2011-07-28 2013-03-07 Kyocera Corp 流路部材、これを用いた熱交換器および電子部品装置ならびに半導体製造装置
JP2014032991A (ja) * 2012-08-01 2014-02-20 Nippon Soken Inc 半導体積層ユニット
JP2016222057A (ja) * 2015-05-28 2016-12-28 矢崎総業株式会社 車両用電源装置
US10803832B2 (en) 2017-08-01 2020-10-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Synchronizing holographic displays and 3D objects with physical video panels

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5713681A (en) * 1980-06-30 1982-01-23 Tokyo Shibaura Electric Co Ceramic heater
JPS5864055A (ja) * 1981-10-14 1983-04-16 Fujitsu Ltd 液冷モジユ−ル
JPH0448763A (ja) * 1990-06-15 1992-02-18 Fujitsu Ltd 冷却構造
JPH0637219A (ja) * 1992-07-16 1994-02-10 Fuji Electric Co Ltd パワー半導体装置の冷却装置
JPH06245542A (ja) * 1993-02-22 1994-09-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 自動車用一体型インバータ装置
JPH1116547A (ja) * 1997-06-25 1999-01-22 Yuasa Corp 蓄電池
JP2006165534A (ja) * 2004-11-11 2006-06-22 Denso Corp 半導体装置
JP2010118239A (ja) * 2008-11-12 2010-05-27 Denso Corp 電池冷却装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5713681A (en) * 1980-06-30 1982-01-23 Tokyo Shibaura Electric Co Ceramic heater
JPS5864055A (ja) * 1981-10-14 1983-04-16 Fujitsu Ltd 液冷モジユ−ル
JPH0448763A (ja) * 1990-06-15 1992-02-18 Fujitsu Ltd 冷却構造
JPH0637219A (ja) * 1992-07-16 1994-02-10 Fuji Electric Co Ltd パワー半導体装置の冷却装置
JPH06245542A (ja) * 1993-02-22 1994-09-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 自動車用一体型インバータ装置
JPH1116547A (ja) * 1997-06-25 1999-01-22 Yuasa Corp 蓄電池
JP2006165534A (ja) * 2004-11-11 2006-06-22 Denso Corp 半導体装置
JP2010118239A (ja) * 2008-11-12 2010-05-27 Denso Corp 電池冷却装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013048204A (ja) * 2011-07-28 2013-03-07 Kyocera Corp 流路部材、これを用いた熱交換器および電子部品装置ならびに半導体製造装置
JP2014032991A (ja) * 2012-08-01 2014-02-20 Nippon Soken Inc 半導体積層ユニット
JP2016222057A (ja) * 2015-05-28 2016-12-28 矢崎総業株式会社 車両用電源装置
US10803832B2 (en) 2017-08-01 2020-10-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Synchronizing holographic displays and 3D objects with physical video panels

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