JP5692971B2 - 受発光素子及びその製造方法、並びに受発光素子を備えた光センサ装置 - Google Patents
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Description
3 半導体基板
3a 一方の主面(上面)
5 発光ダイオード
7 フォトダイオード
7p P型半導体領域
7n N型半導体領域
19 溝
Claims (5)
- 一方の主面および他方の主面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記一方の主面に設けられた発光ダイオードと、
前記半導体基板の前記一方の主面に、前記発光ダイオードと離間して設けられたフォトダイオードと、
を備え、
前記半導体基板の前記一方の主面において前記発光ダイオードと前記フォトダイオードとの間の位置には溝が形成され、
前記フォトダイオードは、前記半導体基板の前記一方の主面にP型不純物を拡散して形成されたP型半導体領域と、該P型半導体領域と前記溝と反対方向に間隔をあけて配置され、前記半導体基板の前記一方の主面にN型不純物を拡散して形成されたN型半導体領域とを有し、
前記P型半導体領域及び前記N型半導体領域の不純物濃度は、前記半導体基板の不純物濃度より高く、
前記溝の深さは、前記P型半導体領域及び前記N型半導体領域の深さより深く、
前記半導体基板は、前記発光ダイオードが設けられた第1部分と、前記フォトダイオードが設けられているとともに前記第1部分から前記溝を挟んで離れた第2部分と、前記溝よりも前記他方の主面側に位置するとともに前記第1部分および前記第2部分につながった第3部分とを有することを特徴とする、受発光素子。 - 前記発光ダイオードは、前記半導体基板の前記一方の主面上にエピタキシャル成長されたN型半導体層を有し、
前記フォトダイオードは、前記N型半導体領域上に、前記発光ダイオードの前記N型半導体層と同時にエピタキシャル成長されたN型半導体層を有することを特徴とする、請求項1に記載の受発光素子。 - 前記発光ダイオードは、前記半導体基板の前記一方の主面上にエピタキシャル成長されたP型半導体層を有し、
前記フォトダイオードは、前記P型半導体領域上に、前記発光ダイオードの前記P型半導体層と同時にエピタキシャル成長されたP型半導体層を有することを特徴とする、請求項1に記載の受発光素子。 - 請求項1から3のいずれかに記載の受発光素子を備えた光センサ装置であって、
前記フォトダイオードから出力される光電流の大きさによって、被照射物の位置及び濃
度のうちの少なくとも1つを検出することを特徴とする、光センサ装置。 - 請求項1から3のいずれかに記載の受発光素子の製造方法であって、
前記半導体基板の前記一方の主面上に形成された自然酸化膜を熱処理によって除去する熱処理工程を有し、
前記半導体基板に形成される前記P型半導体領域又は前記N型半導体領域に拡散すべき不純物を含む雰囲気中で前記熱処理工程を行うことにより、拡散すべき不純物を前記半導体基板の前記一方の主面に拡散し、前記P型半導体領域又は前記N型半導体領域を構成する不純物拡散領域を形成することを特徴とする、受発光素子の製造方法。
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