JP5404026B2 - 受発光一体型素子アレイおよびセンサ装置 - Google Patents
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Description
本発明の効果を実証するために、遮断領域9を設けたアレイ10を作製し、フォトダイオードに流入する暗電流を測定して評価を行った。
2,23 発光ダイオード(発光素子)
3,25 フォトダイオード(受光素子)
4 発光素子個別電極
5 受光素子個別電極
6 発光素子共通電極
7 受光素子共通電極
8,45 絶縁膜
9,51 遮断領域(溝)
10,20 受発光一体型素子アレイ
17 位置可動冶具
18 反射用紙
18a 画像パターン(測定対象体)
53 測定対象体
Claims (8)
- 受光素子と発光素子とが半導体基板の一方の主面に設けられ、
前記半導体基板の一方の主面には、前記受光素子と前記発光素子との間に、前記受光素子の配置領域と前記発光素子の配置領域とを分ける溝が設けられており、
前記受光素子は、前記半導体基板の一方の主面に不純物がドーピングされて形成されたフォトダイオードであり、
前記発光素子は、前記半導体基板の一方の主面に半導体層が積層されて形成された発光ダイオードであり、
前記溝の深さは、前記発光素子からの発光の、前記半導体基板の一方の主面からの到達深さ以上であることを特徴とする、受発光一体型素子アレイ。 - 前記受光素子は前記半導体基板の一方の主面に、列状に複数設けられ、前記発光素子は前記受光素子の配列方向に沿って複数配されており、
前記溝は、前記複数の受光素子と前記複数の発光素子との間に、前記受光素子および前記発光素子の配列方向に沿って連続して設けられていることを特徴とする、請求項1に記載の受発光一体型素子アレイ。 - 前記受光素子は、前記発光素子の周囲を取り囲むように複数設けられていることを特徴とする、請求項1に記載の受発光一体型素子アレイ。
- 前記複数の受光素子は、前記半導体基板の一方の主面上で前記発光素子に対して対称的に配置されていることを特徴とする、請求項3に記載の受発光一体型素子アレイ。
- 前記溝は、前記半導体基板の一方の主面の一端部から、前記一端部と反対の端部まで連続して設けられていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の受発光一体型素子アレイ。
- 前記半導体基板はシリコン基板であり、前記半導体基板の一方の主面からの前記溝の深さが100μm以上であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の受発光一体型素子アレイ。
- 前記受発光一体型素子アレイは、受光素子と発光素子とを備えた受発光素子構造体が複数配列された半導体ウエハが、ブレードを用いたダイシングによって切り分けられて形成されたものであり、
前記溝は、前記ダイシングの際、前記ブレードによって前記半導体ウエハの表面が切削されることで形成されていることを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の受発光一体型素子アレイ。 - 請求項1〜7のいずれかに記載の受発光一体型素子アレイを用いたセンサ装置であって、
前記発光素子から測定対象体に向けて光を照射し、前記測定対象体からの反射光に応じて出力される前記受光素子からの出力電流に応じて前記測定対象体の位置または傾きを検出することを特徴とするセンサ装置。
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