JPS62176177A - 反射型ホトインタラプタ - Google Patents
反射型ホトインタラプタInfo
- Publication number
- JPS62176177A JPS62176177A JP61017661A JP1766186A JPS62176177A JP S62176177 A JPS62176177 A JP S62176177A JP 61017661 A JP61017661 A JP 61017661A JP 1766186 A JP1766186 A JP 1766186A JP S62176177 A JPS62176177 A JP S62176177A
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- JP
- Japan
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- light receiving
- light emitting
- semiconductor chip
- light
- cathode electrode
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、発光部と受光部が同一面側にあり、発光部か
らの光が被検出物体で反射することで検出を行う、反射
型ホトインタラプタに関するものである。
らの光が被検出物体で反射することで検出を行う、反射
型ホトインタラプタに関するものである。
［従来の技術］
従来のこの種の反射型ホトインタラプタは、第６図に示
す構造のものであり、例えばセラミックなどで形成した
基板１１の略中心部に発光素子１２をマウントし配線し
て発光部とし、前記発光素子１２の両側の対象な位置に
は二個の受光素子１３ａ、１３ｂを前記発光素子１２と
同様にマウントして受光部としたものであり、このＪ：
うに反射型ホトインタラプタを構成することで前記発光
素子１２から発せられる光が被検出物体１４で反射する
のを前記受光素子１３ａ、１３ｂで検出を行うものであ
る。 なお、前記受光素子が複数であることで、前記被
検出物体１４のある方向、あるいは前記被検出物体１４
の面の傾きなども判別することができるものであり、こ
れらの機能をより高めるためには前記受光素子の数を、
例えば上下左右の四箇所というように増設すれば良い。
す構造のものであり、例えばセラミックなどで形成した
基板１１の略中心部に発光素子１２をマウントし配線し
て発光部とし、前記発光素子１２の両側の対象な位置に
は二個の受光素子１３ａ、１３ｂを前記発光素子１２と
同様にマウントして受光部としたものであり、このＪ：
うに反射型ホトインタラプタを構成することで前記発光
素子１２から発せられる光が被検出物体１４で反射する
のを前記受光素子１３ａ、１３ｂで検出を行うものであ
る。 なお、前記受光素子が複数であることで、前記被
検出物体１４のある方向、あるいは前記被検出物体１４
の面の傾きなども判別することができるものであり、こ
れらの機能をより高めるためには前記受光素子の数を、
例えば上下左右の四箇所というように増設すれば良い。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、前記説明した従来のものは、個別の少な
くとも三個の素子を暴板上にマウントするものであるの
で、前記反射型ホトインタラプタは大形化し機器に組込
難いという問題点を生ずるとと共に、夫々の素子をマウ
ン［へする工程は工数も係り製造コス１−も高く、しか
も粘度にバラツギを生ずるものであり、この種の反射型
ホトインタラプタの製造業者側、使用者側いずれにも実
用上に問題点を生ずるものであった。
くとも三個の素子を暴板上にマウントするものであるの
で、前記反射型ホトインタラプタは大形化し機器に組込
難いという問題点を生ずるとと共に、夫々の素子をマウ
ン［へする工程は工数も係り製造コス１−も高く、しか
も粘度にバラツギを生ずるものであり、この種の反射型
ホトインタラプタの製造業者側、使用者側いずれにも実
用上に問題点を生ずるものであった。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、上記した従来の問題点を解決するために成さ
れたものであり、複数の受光部と一つの発光部とからな
る反射型ホトインタラプタにおいて、前記複数の受光部
は一つの半導体チップの少なくとも三箇所以上に形成さ
れた受光部であり、前記発光部を前記受光部を形成する
半導体デツプ上面に密接して設けて一体としたことを要
旨として従来の問題点を解決するものである。
れたものであり、複数の受光部と一つの発光部とからな
る反射型ホトインタラプタにおいて、前記複数の受光部
は一つの半導体チップの少なくとも三箇所以上に形成さ
れた受光部であり、前記発光部を前記受光部を形成する
半導体デツプ上面に密接して設けて一体としたことを要
旨として従来の問題点を解決するものである。
［実施例］
つぎに、本発明を図に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
する。
第１図、第２図に示すものは、本発明による反射型ホト
インタラプタの一実施例を示すものであり、図中に符号
１で示すものは、基板であり、従来例と同様にセラミッ
クなどで形成してら良いが、従来例に比較して格段に小
形化することが可能であるのでＴｏ−１８など既製のパ
ッケージを用うることも可能である。 前記基板１には
一つの半導体チップ２がマウン１〜されるが、該半導体
チップ２はＮ型基板の中央に発光索子３を配設する場所
２ａが設けてあり、左右両端にはＰ層が拡散されて受光
素子２ｂ、２Ｃとされ、さらに前記受光素子２ｂ、２Ｃ
の表面側の端部にはアノード電１４２ｄ、２ｅが設けら
れる。 また、前記発光索子３を配設する場所２ａはＮ
＋層に拡散されて前記受光素子２ｂ、２Ｃのカソード電
極も兼ねるものである。 以上に説明した半導体デツプ
２の発光素子３を配設する場所２ａの中央部に導電性接
着剤などを用いて発光素子３が配設される、該発光素子
３は表面側にアノード電極３ａが設りられ、底面側にカ
ソード電極３ｂが設けられているので、前記受光素子２
ｂ、２Ｃとカソード電極を共通のものとする。 尚、前
記半導体チップ２のカソード電極は第３図に符号２ｆで
示すように通常に行われている手段で前記半導体チップ
２の底面側に設けても本発明の要旨を変更するものでな
いことは言うまでもない。
インタラプタの一実施例を示すものであり、図中に符号
１で示すものは、基板であり、従来例と同様にセラミッ
クなどで形成してら良いが、従来例に比較して格段に小
形化することが可能であるのでＴｏ−１８など既製のパ
ッケージを用うることも可能である。 前記基板１には
一つの半導体チップ２がマウン１〜されるが、該半導体
チップ２はＮ型基板の中央に発光索子３を配設する場所
２ａが設けてあり、左右両端にはＰ層が拡散されて受光
素子２ｂ、２Ｃとされ、さらに前記受光素子２ｂ、２Ｃ
の表面側の端部にはアノード電１４２ｄ、２ｅが設けら
れる。 また、前記発光索子３を配設する場所２ａはＮ
＋層に拡散されて前記受光素子２ｂ、２Ｃのカソード電
極も兼ねるものである。 以上に説明した半導体デツプ
２の発光素子３を配設する場所２ａの中央部に導電性接
着剤などを用いて発光素子３が配設される、該発光素子
３は表面側にアノード電極３ａが設りられ、底面側にカ
ソード電極３ｂが設けられているので、前記受光素子２
ｂ、２Ｃとカソード電極を共通のものとする。 尚、前
記半導体チップ２のカソード電極は第３図に符号２ｆで
示すように通常に行われている手段で前記半導体チップ
２の底面側に設けても本発明の要旨を変更するものでな
いことは言うまでもない。
第４図、第５図に示すものは、本発明の別の実施例であ
り、本発明の反射型ホトインタラプタを、より高感度な
ものとするために成されたものである。 本実施例では
、前記半導体チップ２に設けられる二個所の受光素子２
ｑ、２ｈは極度に接近され′て形成され、前記実施例よ
りも小範囲のアノード？［ｔ４２ ｉ １２ ｊが設け
られ、さらには、前記アノード電極２ｉ、２ｊの部分を
除く前記半導体チップ２の全表面にわたり透明な酸化シ
リコン（ＳｉＯ２）で絶縁膜４が形成され、該絶縁膜４
の上面にアルミ蒸着などでパッド５を設け、前記発光素
子３を配設したものである。 以上に述べた、いずれの
実施例も理解を容易にするために前記受光素子が二箇所
の例で説明したが、実際の実施に当っては、四箇所、へ
箇所など任意の数で実施できるものである。
り、本発明の反射型ホトインタラプタを、より高感度な
ものとするために成されたものである。 本実施例では
、前記半導体チップ２に設けられる二個所の受光素子２
ｑ、２ｈは極度に接近され′て形成され、前記実施例よ
りも小範囲のアノード？［ｔ４２ ｉ １２ ｊが設け
られ、さらには、前記アノード電極２ｉ、２ｊの部分を
除く前記半導体チップ２の全表面にわたり透明な酸化シ
リコン（ＳｉＯ２）で絶縁膜４が形成され、該絶縁膜４
の上面にアルミ蒸着などでパッド５を設け、前記発光素
子３を配設したものである。 以上に述べた、いずれの
実施例も理解を容易にするために前記受光素子が二箇所
の例で説明したが、実際の実施に当っては、四箇所、へ
箇所など任意の数で実施できるものである。
［作 用］
本発明により、反射型ホトインタラプタを、一つの半導
体チップの少なくとも三箇所以上に形成された受光部と
、前記半導体チップ上面に密接して発光部を設けて一体
としたことで、前記発光部と、前記受光部を物理的に可
能な限界までに近接して配設することが可能となり、被
検出物体の極めて僅かな傾きも検出することが可能とな
り、また機械的な寸法精度も高くでき、検出感度、検出
精度ともに向上する。
体チップの少なくとも三箇所以上に形成された受光部と
、前記半導体チップ上面に密接して発光部を設けて一体
としたことで、前記発光部と、前記受光部を物理的に可
能な限界までに近接して配設することが可能となり、被
検出物体の極めて僅かな傾きも検出することが可能とな
り、また機械的な寸法精度も高くでき、検出感度、検出
精度ともに向上する。
［発明の効果］
以上に説明したように、本発明により、反則型ホトイン
タラプタを、−・つの半導体チップの少なくとも三箇所
以上に形成された受光部と、前記半導体チップ上面に密
接して発光部を設りで一体としたことで、受光部は従来
のもののように琲根上の発光部の左右に手作業でマウン
トされるものでなく、写真技術などにＪ：り高い精度で
位置決めが成されるものとなり、それにＪ：す、容易な
製造工程でありながら、格段に高い左右方向の感度の対
象制が得られることとなり、該反射型ホトインクラブタ
を被検出物体の傾き、位置の検出などに使用するときに
は、非常に精度の高い検出が行える１会れた効果を奏し
、また、一つの半導体チップ−Ｌにに複数の受光部を配
設したことで、夫々が配設される間の距離を狭くするこ
とが可能となりそれゆえに、従来のものでは無くすこと
の出来なかった、発光部と受光部の間の間隙をなくし、
僅かの反射光の傾ぎも検出でき、高い検出感度も得られ
るという効果も併せて奏するものである。
タラプタを、−・つの半導体チップの少なくとも三箇所
以上に形成された受光部と、前記半導体チップ上面に密
接して発光部を設りで一体としたことで、受光部は従来
のもののように琲根上の発光部の左右に手作業でマウン
トされるものでなく、写真技術などにＪ：り高い精度で
位置決めが成されるものとなり、それにＪ：す、容易な
製造工程でありながら、格段に高い左右方向の感度の対
象制が得られることとなり、該反射型ホトインクラブタ
を被検出物体の傾き、位置の検出などに使用するときに
は、非常に精度の高い検出が行える１会れた効果を奏し
、また、一つの半導体チップ−Ｌにに複数の受光部を配
設したことで、夫々が配設される間の距離を狭くするこ
とが可能となりそれゆえに、従来のものでは無くすこと
の出来なかった、発光部と受光部の間の間隙をなくし、
僅かの反射光の傾ぎも検出でき、高い検出感度も得られ
るという効果も併せて奏するものである。
第１図は本発明の反射型ホトインタラプタの一実施例を
示′？ｊ断面図、第２図は同じ実施例の上面図、第３図
は本発明の別の実施例を示す断面図、第４図は同じく本
発明の更に別の実施例をポリ断面図、第５図は第４図の
実施例の上面図、第６図は従来例をポリ断面図である。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・半導体
チップ２ｂ、２Ｇ・・・受光部 ２ａ、 ２ｆ・・・カソード電極 ２ｄ、２ｅ、２ ｉ 、２ｊ−アノード電極３・・・・
・・発光部 ３ａ・・・アノード電極３ｂ・・
・カソード電極 ４・・・・・・絶縁膜５・・・・・
・パッド 特許出願人 スクンレー電気株式会社・ど′−で 代 理 人 秋 元 輝 雄；
：１・・・”、・Ｎ Ｌ♀ 第３図 第５図 手続ネ市正副 昭和６１年１０月／ 日 １、事件の表示 昭和６１年 特 許 願 第１７６６１号２、発明の名
称 反射型ホトインタラプタ ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人 名 称 （２３０）スタンレー電気株式会社４、
代理人 住 所 東京都港区南青山−丁目１番１号５、補正命
令の日付（自発） （発送日）昭和 年 月 日 ７、補正の内容 （１）明細書、第２頁４行目の「対象」を「対照」と訂
正する。 （２）同、第４頁１９行から２０行目の［尚、前記半導
体・・・で示すように」を下記のとおり訂正する。 記 ｆ４は絶縁性保護膜である。尚、前記半導体チップ２の
カソード電極は場所２ａにＮ＋層を拡散形成させて設け
るのではなく、第３図に符号２ｆで示すように」 （３）同、第５頁１０行から１９行目の「さらには、・
・・ものである。」を下記のとおり訂正する。 記 「さらには、発光素子が配設される場所２ａの一部とな
る箇所以外の受光素子２Ｑ ： ２ｈの部分と、前記ア
ノード電極２ｉ、２ｊの部分とを除く前記半導体チップ
２の全表面にわたり透明な酸化シリコン（Ｓ ｉ Ｏ２
）で絶縁性保護膜４が形成され、該絶縁性保護膜４の一
部上面にアルミ蒸着などでパッド５を設け、前記発光素
子３を配設したものである。３Ｃはパット５に接続させ
て絶縁性保護膜４上に形成した発光素子３のカソード電
極である。以上に述べた、いずれの実施例も理解を容易
にするために前記受光素子が二箇所の例で説明したが、
実際の実施に当っては、四箇所、へ箇所など任意の数で
実施できるものである。 尚、受光素子の表面の表面反射を防止し、該発光素子か
らの光の受光効率を高めるために、前記発光素子、アノ
ード電極、カソード電極を除く全表面にわたりシリコン
ナイトライド（Ｓ１３Ｎ４）で反射防止膜を形成すると
、より効果的である。ｊ （４）同、第５頁１０行目の「対象制」を「対照性」と
訂正する。 （５）同、第４頁１９行目から第８頁４行目の「４゜図
面の簡単な・・・絶縁膜」を下記のとおり訂正Ｊ。 る。 ｒ４、図面の簡単な説明 第１図は本発明の反射型ホトインタラプタの一実施例を
示す第２図のＡ−Ａ’断面図、第２図は本発明の反射型
ホトインタラプタの一実施例の上面図、第３図は本発明
の別の実施例を示す断面図、第４図は本発明の更に別の
実施例を示す第５図のＢ−８’ 断面図、第５図は本発
明の更に別の実施例の上面図、第６図は従来例を示す断
面図である。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・半導体
チップ２ｂ、２ｃ・・・受光部 ２ｆ、３ｃ・・・カソード電極 ２ｄ、２ｅ、２ ｉ、 ２ｊ−アノード電極３・・・
・・・発光部 ３ａ・・・アノード電極３ｂ・
・・導電性接着剤 ４・・・・・・絶縁性保護膜 Ｊ
（６）図面、第１図から第５図を別紙のとおり訂正する
。 以 上 第３図 第５図
示′？ｊ断面図、第２図は同じ実施例の上面図、第３図
は本発明の別の実施例を示す断面図、第４図は同じく本
発明の更に別の実施例をポリ断面図、第５図は第４図の
実施例の上面図、第６図は従来例をポリ断面図である。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・半導体
チップ２ｂ、２Ｇ・・・受光部 ２ａ、 ２ｆ・・・カソード電極 ２ｄ、２ｅ、２ ｉ 、２ｊ−アノード電極３・・・・
・・発光部 ３ａ・・・アノード電極３ｂ・・
・カソード電極 ４・・・・・・絶縁膜５・・・・・
・パッド 特許出願人 スクンレー電気株式会社・ど′−で 代 理 人 秋 元 輝 雄；
：１・・・”、・Ｎ Ｌ♀ 第３図 第５図 手続ネ市正副 昭和６１年１０月／ 日 １、事件の表示 昭和６１年 特 許 願 第１７６６１号２、発明の名
称 反射型ホトインタラプタ ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人 名 称 （２３０）スタンレー電気株式会社４、
代理人 住 所 東京都港区南青山−丁目１番１号５、補正命
令の日付（自発） （発送日）昭和 年 月 日 ７、補正の内容 （１）明細書、第２頁４行目の「対象」を「対照」と訂
正する。 （２）同、第４頁１９行から２０行目の［尚、前記半導
体・・・で示すように」を下記のとおり訂正する。 記 ｆ４は絶縁性保護膜である。尚、前記半導体チップ２の
カソード電極は場所２ａにＮ＋層を拡散形成させて設け
るのではなく、第３図に符号２ｆで示すように」 （３）同、第５頁１０行から１９行目の「さらには、・
・・ものである。」を下記のとおり訂正する。 記 「さらには、発光素子が配設される場所２ａの一部とな
る箇所以外の受光素子２Ｑ ： ２ｈの部分と、前記ア
ノード電極２ｉ、２ｊの部分とを除く前記半導体チップ
２の全表面にわたり透明な酸化シリコン（Ｓ ｉ Ｏ２
）で絶縁性保護膜４が形成され、該絶縁性保護膜４の一
部上面にアルミ蒸着などでパッド５を設け、前記発光素
子３を配設したものである。３Ｃはパット５に接続させ
て絶縁性保護膜４上に形成した発光素子３のカソード電
極である。以上に述べた、いずれの実施例も理解を容易
にするために前記受光素子が二箇所の例で説明したが、
実際の実施に当っては、四箇所、へ箇所など任意の数で
実施できるものである。 尚、受光素子の表面の表面反射を防止し、該発光素子か
らの光の受光効率を高めるために、前記発光素子、アノ
ード電極、カソード電極を除く全表面にわたりシリコン
ナイトライド（Ｓ１３Ｎ４）で反射防止膜を形成すると
、より効果的である。ｊ （４）同、第５頁１０行目の「対象制」を「対照性」と
訂正する。 （５）同、第４頁１９行目から第８頁４行目の「４゜図
面の簡単な・・・絶縁膜」を下記のとおり訂正Ｊ。 る。 ｒ４、図面の簡単な説明 第１図は本発明の反射型ホトインタラプタの一実施例を
示す第２図のＡ−Ａ’断面図、第２図は本発明の反射型
ホトインタラプタの一実施例の上面図、第３図は本発明
の別の実施例を示す断面図、第４図は本発明の更に別の
実施例を示す第５図のＢ−８’ 断面図、第５図は本発
明の更に別の実施例の上面図、第６図は従来例を示す断
面図である。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・半導体
チップ２ｂ、２ｃ・・・受光部 ２ｆ、３ｃ・・・カソード電極 ２ｄ、２ｅ、２ ｉ、 ２ｊ−アノード電極３・・・
・・・発光部 ３ａ・・・アノード電極３ｂ・
・・導電性接着剤 ４・・・・・・絶縁性保護膜 Ｊ
（６）図面、第１図から第５図を別紙のとおり訂正する
。 以 上 第３図 第５図
Claims (1)
- 複数の受光部と一つの発光部とからなる反射型ホトイ
ンタラプタにおいて、前記複数の受光部は一つの半導体
チップの少なくとも二箇所以上に形成された受光部であ
り、前記発光部を前記受光部を形成する半導体チップ上
面に密接して設けて一体としたことを特徴とする反射型
ホトインタラプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61017661A JPS62176177A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 反射型ホトインタラプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61017661A JPS62176177A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 反射型ホトインタラプタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62176177A true JPS62176177A (ja) | 1987-08-01 |
Family
ID=11950032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61017661A Pending JPS62176177A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 反射型ホトインタラプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62176177A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6461071A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-08 | Sharp Kk | Optical semiconductor device |
| JP2009231804A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-10-08 | Kyocera Corp | 受発光一体型素子アレイおよびセンサ装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5278392A (en) * | 1975-12-25 | 1977-07-01 | Nec Corp | Optical semiconductor device |
-
1986
- 1986-01-29 JP JP61017661A patent/JPS62176177A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5278392A (en) * | 1975-12-25 | 1977-07-01 | Nec Corp | Optical semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6461071A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-08 | Sharp Kk | Optical semiconductor device |
| JP2009231804A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-10-08 | Kyocera Corp | 受発光一体型素子アレイおよびセンサ装置 |
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