JPS62252178A - 反射型光センサ - Google Patents
反射型光センサInfo
- Publication number
- JPS62252178A JPS62252178A JP61095748A JP9574886A JPS62252178A JP S62252178 A JPS62252178 A JP S62252178A JP 61095748 A JP61095748 A JP 61095748A JP 9574886 A JP9574886 A JP 9574886A JP S62252178 A JPS62252178 A JP S62252178A
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- JP
- Japan
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- light
- light emitting
- diode
- optical sensor
- photodetector
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- Pending
Links
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Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光の反射を利用して対象面の傾きを検出する
反射型光センサに関する。
反射型光センサに関する。
（従来の技術）
近年、ＤＡＤ （デジタルオーディオデスク）及びＶＤ
（ビデオディスク）等の発達にともない、反射物の傾き
を検出する反射型光センサ（以下チルトセンサと称する
）に対する要求が高まっている。従来のチルトセンサは
発光素子として発光ダイオードを使用し、受光素子とし
てホトダイオード、ホトトランジスタ等を用い、これら
の素子を測定対象面１３の下方に並べて配置してセンサ
を構成していた。すなわち、第５図に示すように、プリ
ント基板１０上に発光ダイオード１１及び受光素子１２
を並べた構造であった。
（ビデオディスク）等の発達にともない、反射物の傾き
を検出する反射型光センサ（以下チルトセンサと称する
）に対する要求が高まっている。従来のチルトセンサは
発光素子として発光ダイオードを使用し、受光素子とし
てホトダイオード、ホトトランジスタ等を用い、これら
の素子を測定対象面１３の下方に並べて配置してセンサ
を構成していた。すなわち、第５図に示すように、プリ
ント基板１０上に発光ダイオード１１及び受光素子１２
を並べた構造であった。
（発明が解決しようとする問題点）
しかるに、この種のチルトセンサは発光ダイオード１１
のレンズの指向性のバラツキ及び受光素子１２間の感度
バラツキ、それぞれの素子の取り付は時の位置決めバラ
ツキが重畳し、センサとして特性のバラツキが大きいと
いう欠点があった。
のレンズの指向性のバラツキ及び受光素子１２間の感度
バラツキ、それぞれの素子の取り付は時の位置決めバラ
ツキが重畳し、センサとして特性のバラツキが大きいと
いう欠点があった。
（問題点を解決するための手段）
本発明に係る反射型光センサは、光の反射によって対象
面の傾きを検出するもので、半導体基板上に集積して作
成された発光素子と受光素子からなり、該受光素子は発
光素子を取り囲む位置に配されたものであり、前記半導
体基板は例えばシリコン基板、ＧａＡ３基板である。
面の傾きを検出するもので、半導体基板上に集積して作
成された発光素子と受光素子からなり、該受光素子は発
光素子を取り囲む位置に配されたものであり、前記半導
体基板は例えばシリコン基板、ＧａＡ３基板である。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
〔実施例１〕
本例を第１図及び第２図に示している。
本例はシリコン基板４と、該シリコン基板４上に形成さ
れたホトダイオード又はホトトランジスタ等によるＳｉ
受光素子３を２次元に配列し、中央部に表面発光型のＧ
ａＡｓ発光ダイオード２を設けた構造のセンサである。
れたホトダイオード又はホトトランジスタ等によるＳｉ
受光素子３を２次元に配列し、中央部に表面発光型のＧ
ａＡｓ発光ダイオード２を設けた構造のセンサである。
符号１はシリコン基板４より分離させ、かつ発光ダイオ
ード２と受光素子３の距離を設けるための絶縁スペーサ
であり、ポリイミド樹脂等の絶縁物をフォトエツチング
等により加工して形成されている。前記発光ダイオード
２のアノード電極をダイオードの裏面側より取り出すた
めに、前記絶縁スペーサｌ上に電極取り出し用電極５が
形成されている。第１図に示した構造では発光ダイオー
ド２は、Ｐ型不純物（主としてＺｎ）を拡散法により形
成した構造の拡散型ＧａＡｓ発光ダイオードを使用して
表面発光型となしており、このようにすることで受光素
子３はダイオード側面からの赤外発光の影響を受けに（
（、特性上有利である。
ード２と受光素子３の距離を設けるための絶縁スペーサ
であり、ポリイミド樹脂等の絶縁物をフォトエツチング
等により加工して形成されている。前記発光ダイオード
２のアノード電極をダイオードの裏面側より取り出すた
めに、前記絶縁スペーサｌ上に電極取り出し用電極５が
形成されている。第１図に示した構造では発光ダイオー
ド２は、Ｐ型不純物（主としてＺｎ）を拡散法により形
成した構造の拡散型ＧａＡｓ発光ダイオードを使用して
表面発光型となしており、このようにすることで受光素
子３はダイオード側面からの赤外発光の影響を受けに（
（、特性上有利である。
〔実施例２〕
本例を第３図及び第４図に示している。
本例はＧａＡＳ基板６上に形成されたＧａＡｓホトダイ
オードによる受光素子８を２次元に配列し、中央部にＧ
ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ発光ダイオード７を設けた構造の
センサである。符号９は共通電極を示している。
オードによる受光素子８を２次元に配列し、中央部にＧ
ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ発光ダイオード７を設けた構造の
センサである。符号９は共通電極を示している。
第３図に示した構造では、発光ダイオード７はＧａＡｓ
基板６の中央部に配置されており、この発光ダイオード
７はＧａＡｌＡｓであり、受光素子８はＧａＡｓホトダ
イオードである。このような材質で構成しているので、
ＧａＡｓとＧａＡｌＡｓの格子定数の差（Ｑａ、Ａｓで
５．６５人、ＧａＡｌＡｓで５．６６人）が小さいため
、ＧａＡＳｉ板６上に良質の結晶を成長できる点と、前
記発光ダイオード７の発光スペクトルと受光素子８の受
光感度の一致が良い。すなわち、例えばＧ ａ ０．９
４１１ｏ、。、Ａ３発光ダイオードにＧｅをドープした
場合約８４００人の光を出すがＧａＡｓホトダイオード
は前記Ｇ ａ ０．９ＡＡ ｊ！ ｏ、 ｏｂＡ ｓよ
り小さなバンドギャップを持っているので受光感度スペ
クトルは発光スペクトルを包含でき、受発光間のマツチ
ングを良くすることができる。
基板６の中央部に配置されており、この発光ダイオード
７はＧａＡｌＡｓであり、受光素子８はＧａＡｓホトダ
イオードである。このような材質で構成しているので、
ＧａＡｓとＧａＡｌＡｓの格子定数の差（Ｑａ、Ａｓで
５．６５人、ＧａＡｌＡｓで５．６６人）が小さいため
、ＧａＡＳｉ板６上に良質の結晶を成長できる点と、前
記発光ダイオード７の発光スペクトルと受光素子８の受
光感度の一致が良い。すなわち、例えばＧ ａ ０．９
４１１ｏ、。、Ａ３発光ダイオードにＧｅをドープした
場合約８４００人の光を出すがＧａＡｓホトダイオード
は前記Ｇ ａ ０．９ＡＡ ｊ！ ｏ、 ｏｂＡ ｓよ
り小さなバンドギャップを持っているので受光感度スペ
クトルは発光スペクトルを包含でき、受発光間のマツチ
ングを良くすることができる。
（発明の効果）
以上述べたように、本発明によれば、発光素子と受光素
子とを半導体基板上に１チツプ化した反射型センサなの
で特性バラツキが改良される。すなわち、ＬＥＤの指向
性のずれ及び発光部と受光部のセツティングずれを改良
することができる。
子とを半導体基板上に１チツプ化した反射型センサなの
で特性バラツキが改良される。すなわち、ＬＥＤの指向
性のずれ及び発光部と受光部のセツティングずれを改良
することができる。
また、小型で量産効果の良いセンサである。
第１図は本発明に係る反射型光センサの実施例を示す平
面図、第２図は第１図における切断線■−ｎで切断した
断面図、第３図は他の実施例を示す平面図、第４図は第
３図における切断線ＩＶ−ｒＶで切断した断面図、第５
図は従来の反射型光センサを示す断面図である。 ４・・・シリコン基板 ６・・・ＧａＡｓ基板２．７
・・・発光ダイオード ３．８・・・受光素子 第７図 第２図 第３図 第４図
面図、第２図は第１図における切断線■−ｎで切断した
断面図、第３図は他の実施例を示す平面図、第４図は第
３図における切断線ＩＶ−ｒＶで切断した断面図、第５
図は従来の反射型光センサを示す断面図である。 ４・・・シリコン基板 ６・・・ＧａＡｓ基板２．７
・・・発光ダイオード ３．８・・・受光素子 第７図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- １）光の反射によって対象面の傾きを検出するもので、
半導体基板上に集積して作成された発光素子と受光素子
からなり、該受光素子は発光素子を取り囲む位置に配さ
れたことを特徴とする反射型光センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61095748A JPS62252178A (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 反射型光センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61095748A JPS62252178A (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 反射型光センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62252178A true JPS62252178A (ja) | 1987-11-02 |
Family
ID=14146114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61095748A Pending JPS62252178A (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 反射型光センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62252178A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5654559A (en) * | 1993-09-23 | 1997-08-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Optical coupling device and method for manufacturing the same |
| US5811797A (en) * | 1995-09-20 | 1998-09-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoreflective detector including a light emitting element and a light recieving element located at different distances from an object reflecting light from the emitting element |
| WO2008117800A1 (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Rintaro Nishina | 反射型光センサ |
| JP2009231804A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-10-08 | Kyocera Corp | 受発光一体型素子アレイおよびセンサ装置 |
| CN104584238A (zh) * | 2012-08-30 | 2015-04-29 | 京瓷株式会社 | 受光发光元件以及使用该受光发光元件的传感器装置 |
-
1986
- 1986-04-24 JP JP61095748A patent/JPS62252178A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5654559A (en) * | 1993-09-23 | 1997-08-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Optical coupling device and method for manufacturing the same |
| US5811797A (en) * | 1995-09-20 | 1998-09-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoreflective detector including a light emitting element and a light recieving element located at different distances from an object reflecting light from the emitting element |
| US6060337A (en) * | 1995-09-20 | 2000-05-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoreflective detector including a light emitting element and a light receiving element located at different distances from an object reflecting light from the emitting element |
| WO2008117800A1 (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Rintaro Nishina | 反射型光センサ |
| JPWO2008117800A1 (ja) * | 2007-03-26 | 2010-07-15 | 仁科 ▲りん▼太郎 | 反射型光センサ |
| JP2009231804A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-10-08 | Kyocera Corp | 受発光一体型素子アレイおよびセンサ装置 |
| CN104584238A (zh) * | 2012-08-30 | 2015-04-29 | 京瓷株式会社 | 受光发光元件以及使用该受光发光元件的传感器装置 |
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