JP5294757B2 - 受発光一体型素子アレイを用いたセンサ装置 - Google Patents
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Description
物へ照射された光の反射光を受光素子で受光して光電変換する機能を用いて、光が照射された検出対象物の情報を得るものをいう。
えば、2Aと2B)で発生した光電流の大きさが同じ大きさになったときに出力信号を発する回路(不図示)を設けることで、センサ装置を構成することができる。こうすると、この出力信号が発せられたときに、位置可動治具17が、隣り合うフォトダイオードのちょうど中間位置にあることがわかる。このような回路は、各フォトダイオードで発生した光電流の大きさを比較するコンパレータ等を内蔵し、所定の範囲内であれば出力信号を発するように構成される。
2:フォトダイオード(受光素子)
3:発光ダイオード(発光素子)
4:発光側個別電極
5:受光側個別電極
6:発光側共通電極
7:受光側共通電極
8:絶縁膜
9:発光素子用マイクロレンズ
10:受光素子用マイクロレンズ
Claims (1)
- 基板と、
前記基板上に列状に配置して設けられた複数の受光素子と、
前記基板上に、前記受光素子の配列方向に沿って、列状に配置して設けられた複数の発光素子とを備え、
前記発光素子は、前記各受光素子に対し、複数個ずつ対応するように設けられており、
前記各受光素子に対応する複数個の前記発光素子の配置間隔が一定であり、
前記各発光素子上に形成された発光素子用マイクロレンズおよび前記各受光素子上に形成された受光素子用マイクロレンズをさらに備え、
前記受光素子用マイクロレンズは、前記各受光素子上に複数個ずつ設けられている受発光一体型素子アレイを用いたセンサ装置であって、
前記発光素子からの光を検出対象物に照射し、その反射光を前記受光素子へ入射させ、該受光素子で光電流を発生させることによって、前記検出対象物の位置を検出するとともに、
隣り合う前記受光素子で発生した光電流の大きさが同じになったときに出力信号を発する回路および前記受光素子で発生した光電流の大きさが極小となったときに出力信号を発する回路を備えるセンサ装置。
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JPH07249784A (ja) * | 1994-03-11 | 1995-09-26 | Matsushita Electron Corp | 受光装置 |
JP3568287B2 (ja) * | 1995-09-05 | 2004-09-22 | オリンパス株式会社 | 光学式エンコーダ |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10215555B2 (en) | 2016-09-16 | 2019-02-26 | Apple Inc. | Motion sensing by monitoring intensity of light redirected by an intensity pattern |
US10612910B2 (en) | 2016-09-16 | 2020-04-07 | Apple Inc. | Motion sensing by monitoring intensity of light redirected by an intensity pattern |
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