JP5624939B2 - 露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法及び測定マーク - Google Patents
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Description
S201:二回の露光によるパターニング工程によって、少なくとも一対の所定位置関係を有する導電測定マークを形成する。
S202:当該少なくとも一対の導電測定マークに対して電気的特性の測定を行い、測定された電気的特性が当該所定位置関係に合わない場合、二回の露光による露光領域間の露光パターンシフト量が不合格であると確定し、電気的特性が当該所定位置関係に合う場合、二回の露光による露光領域間の露光パターンシフト量が合格であると確定する。
S301:基板に導電薄膜及びフォトレジスト層を順次形成する。当該フォトレジスト層は需要する回路パターンなどを形成するように、当該導電薄膜に対してパターニングするために用いられる。
S302:フォトレジスト層における第1の領域及びその周辺領域に対して露光を行い、当該第1の領域の周辺領域において露光されなかったフォトレジストパターンは、少なくとも一つの第1の測定マークに対応するパターンを含む。
S901:基板に第1の導電薄膜及び第1のフォトレジスト層を順次形成する。当該第1のフォトレジスト層は回路パターンなどを形成するように、当該第1の導電薄膜に対してパターニングために用いられる。
S902:基板における第1の領域及びその周辺領域の第1のフォトレジスト層に対して露光を行った後、当該基板に対して、フォトレジストの現像、第1の導電薄膜のエッチング、フォトレジストの剥離処理を実施し、そして、当該第1の領域の周辺領域に少なくとも一つの導電する第1の測定マークを形成する。
第1種の対応関係を図7に示す。第2層における第1の領域201の第2の測定マーク1002は、第1層における第1の領域101の第1の測定マーク1001と完全に重なる。即ち、初めは二つの測定マークの重なる面積が最大になっている。
C=AS/d
ただし、Aは誘電体の特性に関するパラメータである誘電率であり、Sは重なった部分の面積であり、dは第1及び第2の測定マークの導電薄膜間の距離である。
2 第1の測定マーク
3 第2の領域
4 第2の測定マーク
6 第1の測定マーク
7 第2の測定マーク
8 接続端
a 縦方向間隔
b 横方向間隔
9 パッド
10 パッド
11 測定マーク
12 基板
101 第1の領域
201 第1の領域
1001 第1の測定マーク
1002 第2の測定マーク
1101 第1の測定マーク
1102 第2の測定マーク
Claims (12)
- 露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法であって、
二回の露光によるパターニングプロセスによって、少なくとも一対の所定位置関係を有する導電測定マークを形成する工程と、
少なくとも一対の導電測定マークに対して電気的特性の測定を行い、測定された電気的特性が前記所定位置関係に合わない場合、二回の露光による露光領域間の露光パターンシフト量が不合格であると確定し、電気的特性が前記所定位置関係に合う場合、二回の露光による露光領域間の露光パターンシフト量が合格であると確定する工程と、を含み、
複数の第1の測定マークを形成するとともに、それぞれの前記第1の測定マークの全て又は一部を電気的に接続させることを特徴とする露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。 - 前記二回の露光によるパターニングプロセスを介して、少なくとも一対の所定位置関係を有する導電測定マークを形成する工程は、
基板に導電薄膜及びフォトレジスト層を順次形成する工程と、
前記フォトレジスト層における第1の領域及びその周辺領域に対して第1回目の露光を行い、前記第1の領域の周辺領域において少なくとも第1の測定マークに対応する第1のフォトレジスト露光パターンを形成する工程と、
前記フォトレジスト層における第2の領域及びその周辺領域に対して第2回目の露光を行って、前記第2の領域の周辺領域において、少なくとも一つの第2の測定マークに対応する第2のフォトレジスト露光パターンを形成し、前記第1のフォトレジスト露光パターンと第2のフォトレジスト露光パターンを対を成して配置されるとともに、設計の要求によって所定の間隔を空ける工程と、
前記基板における露光されたフォトレジスト層を現像してフォトレジストマスクを形成し、前記フォトレジストマスクを利用して前記導電薄膜に対してエッチングを行った後、フォトレジストマスクを剥離することで、前記導電薄膜により形成された導電する第1の測定マーク及び第2の測定マークを形成る工程と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。 - 少なくとも一対の導電測定マークに対して電気的特性の測定を行う工程は、
導電する第1の測定マーク及び第2の測定マークに電流を印加して測定を行い、前記第1の測定マークと前記第2の測定マークとの間に電流が流す場合、前記第1の領域と前記第2の領域との間のパターンシフト量が不合格であると確定し、前記第1の測定マークと前記第2の測定マークとの間が絶縁される場合、前記第1の領域と前記第2の領域との間のパターンシフト量が合格であると確定する工程を含むことを特徴とする請求項2に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。 - 複数の第2の測定マークを形成するとともに、ぞれぞれ電気的に接続された前記第1の測定マークに対応した前記第2の測定マークを、それぞれ電気的に接続させることを特徴とする請求項1又は3のいずれか1項に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。
- 前記第2の測定マークの全体又は一部が前記第1の測定マークに囲まれたことを特徴とする請求項2〜4のいずれか1項に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。
- 前記二回の露光によるパターニングプロセスを介して、少なくとも一対の所定位置関係を有する導電測定マークを形成する工程は、
基板に第1の導電薄膜及び第1のフォトレジスト層を順次形成する工程と、
前記基板における第1の領域及びその周辺領域の前記フォトレジスト層に対して露光を行った後、当該基板における露光された第1のフォトレジスト層を現像して第1のフォトレジストマスクを形成し、前記第1のフォトレジストマスクにより第1の導電薄膜に対してエッチングを行い、前記第1のフォトレジストマスクを剥離させて、前記第1の領域の周辺領域において、前記第1の導電薄膜により形成された少なくとも一つの導電する第1の測定マークを形成する工程と、
前記基板の他方の層に第2の導電薄膜及び第2のフォトレジスト層を順次形成する工程と、
前記基板における第1の領域及びその周辺領域の第2のフォトレジスト層に対して露光を行った後、当該基板における露光された第2のフォトレジスト層を現像して第2のフォトレジストマスクを形成し、前記第2のフォトレジストマスクにより第2の導電薄膜に対してエッチングを行い、前記第2のフォトレジストマスクを剥離させて、前記第1の領域の周辺領域において、前記第2の導電薄膜により形成されるとともに前記第1の測定マークと対を成して配置された導電する少なくとも一つの第2の測定マークを形成する工程と、
を含み、
前記第2の測定マークと第1の測定マークとの間に絶縁層が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。 - 前記少なくとも一対の導電測定マークに対して電気的特性の測定を行う工程は、
前記第1の測定マークと前記第2の測定マークとによる容量に対して測定し、当該容量と所定値との差が所定範囲にある場合、二層の第1の領域間におけるパターンシフト量が合格であり、当該容量と所定値との差が所定範囲から外れる場合、二層の第1の領域間におけるパターンシフト量が不合格であることを特徴とする請求項2に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。 - 露光領域間におけるパターンシフト量を測定する測定マークであって、
露光領域の周辺領域に対を成して配置された導電する第1の測定マーク及び第2の測定マークを備え、
前記第1の測定マーク及び前記第2の測定マークは同一層に位置され、前記第1の測定マークと前記第2の測定マークとの間は、形成する際設計の要求によって所定間隔を空け、
前記第1の測定マークは複数形成するとともに、それぞれの前記第1の測定マークの全て又は一部を電気的に接続させることを特徴とする露光領域間におけるパターンシフト量を測定する測定マーク。 - 前記第1の測定マーク及び前記第2の測定マークのそれぞれは電流を印可する接続端を含むことを特徴とする請求項8に記載の露光領域間におけるパターンシフト量を測定する測定マーク。
- 前記第2の測定マークの全体又は一部は前記第1の測定マークに囲まれていることを特徴とする請求項8または9に記載の露光領域間におけるパターンシフト量を測定する測定マーク。
- 露光領域間におけるパターンシフト量を測定する測定マークであって、
露光領域の周辺領域に対を成して配置された導電する第1の測定マーク及び第2の測定マークを備え、
前記第1の測定マーク及び前記第2の測定マークは所定の相対的位置関係で異なる層に位置され、前記第1の測定マークと前記第2の測定マークはとの間に絶縁層が形成され、
前記第1の測定マークは複数形成するとともに、それぞれの前記第1の測定マークの全て又は一部を電気的に接続させることを特徴とする露光領域間におけるパターンシフト量を測定する測定マーク。 - 前記第1の測定マーク及び前記第2の測定マークのそれぞれは電圧を印可する接続端を含むことを特徴とする請求項11に記載の露光領域間におけるパターンシフト量を測定する測定マーク。
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