JP5607418B2 - レーザ電圧画像化状態マッピングのためのシステム及び方法 - Google Patents
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Description
X∝VsigcosΘ
Y∝VsigsinΘ
である。ここで、Vsigは関心のある信号(反射レーザビーム)の振幅であり、Θは関心のある信号と参照信号(例えば、参照クロック信号)との間の位相差、即ち、Θ=Θsig - Θrefである。反対の状態又は極性に調整された一対のトランジスタにとっては、X又はY出力値は、入力参照周波数の位相にかかわらず、反対の極性になるであろう。例えば、トランジスタAがΘ1で変調している場合には、トランジスタBがΘ2 = Θ1 +/- 180°(非同期)で変調している。それゆえ、トランジスタAに対するX値は、cosΘ1に比例する一方、トランジスタBに対するX値は、cosΘ1+/-180°に比例する。つまり、
XA∝VsigcosΘ1
XB∝Vsigcos(Θ1 +/- 180°) = -VsigcosΘ1 = - XA
同様に、
YA∝VsigsinΘ1
YB∝Vsigsin(Θ1 +/- 180°) = -VsigsinΘ1 = - YA
である。
それゆえ、相対論理状態がロックインアンプのX又はY出力から抽出され得る。但し、この論理体系は、同期及び非同期検出に制限されないことに注意すべきである。むしろ、2つのトランジスタ間の位相の違いが90°よりも大きい限り、絶対振幅が異なっていたとしても、これらの2つのトランジスタのX及びY値が反対極性のものになる。ロックインアンプのX又はY出力は、グレースケール画像に変換される。ここで、各ピクセルの値は、その空間位置における位相に対応する。
R = Vsig = √(X2+Y2)
Θ = tan-1(Y/X)
Θは、関心のある信号と参照信号との間の位相差である。但し、レーザビームがICにおいてトランジスタがない領域を走査するときには、反射するRF電気信号がなく、Θ値は、乱雑になる。結果として、ロックインアンプのΘ出力電圧は乱雑であり、この電圧は、ノイズとしてみなされる。このことは、トランジスタ由来のΘ値をΘ「ノイズ」によって覆い隠すようにする。それゆえ、一実施形態によると、R出力は、Θ出力電圧値が用いられるべきか否か、即ち、Θ値が乱雑であるか否かを決定するために監視される。反射したRF電気信号は、Rがゼロでない値になると、Θ値をICの走査領域における特定の画素に用いることができる。他方、反射したRF電気信号が存在しない場合には、Rがほぼゼロ値となり、Θ値を特定のピクセルに使用することができない。一例では、Θ値の使用を許可する/許可しないR値の大きさに、閾値が設定される。
-ポイントAでの2x a.u.
-活性がない(RF干渉信号のみが測定される)場所でのx a.u.
-ポイントBでの0 a.u.
これをグレースケールレベルに標準化すると、ポイントAは白色画素に、活性のないポイントは灰色画素(背景レベル)、ポイントBは黒色画素に見え、これによりポイントAとBとの間での相対的な論理状態マッピングを提供する。
Claims (20)
- 被テストデバイス(DUT)における能動デバイスの状態マッピングのための方法であって、
能動デバイスに変調させるテスト信号をDUTが受信している間に、反対の論理状態に変調された少なくとも2つの能動デバイスを有する、DUTにおける選択領域を照射する工程と、
前記選択領域からの反射光を収集する工程と、
前記反射光を電気信号に変換する工程と、
前記電気信号から前記2つの能動デバイスの相対位相情報を抽出することによって前記DUTにおける能動デバイスの論理状態を抽出する工程と、
前記相対位相情報から、前記選択領域と空間的に対応する2次元画像を生成する工程とを含むことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、
前記相対位相情報を抽出する工程は、前記電気信号と干渉信号を混合する工程を有していることを特徴とする方法。 - 請求項2に記載の方法において、
前記混合する工程は、前記電気信号をロックインアンプに印加する工程を有していることを特徴とする方法。 - 請求項3に記載の方法において、
前記2次元画像を生成する工程は、前記ロックインアンプの出力信号をデータ取得モジュールに印加する工程を有していることを特徴とする方法。 - 請求項4に記載の方法において、
前記出力信号を印加する工程は、前記ロックインアンプのX又はY出力の1つを印加する工程を有していることを特徴とする方法。 - 請求項4に記載の方法において、
前記出力信号を印加する工程は、前記ロックインアンプのR−Θ出力を印加する工程を有していることを特徴とする方法。 - 請求項6に記載の方法において、
前記Rの閾値を設定する工程と、
各画素に対し、検出された前記Rの振幅を検査して、検出された振幅Rが前記閾値よりも高いときには、その画素に対してΘの値を使用する一方、検出された振幅Rが前記閾値よりも低いときには、その画素に対してΘの使用を許可しない工程とをさらに含むことを特徴とする方法。 - 請求項2に記載の方法において、
前記混合する工程は、前記電気信号及び前記干渉信号をスペクトラムアナライザに印加する工程を有していることを特徴とする方法。 - 請求項8に記載の方法において、
DUT、テスター、テストボード、DUTボード、及びケーブルのうちの少なくとも1つにより放射された電磁放射線を収集して干渉信号を生成する工程をさらに含むことを特徴とする方法。 - 請求項9に記載の方法において、
前記混合する工程の前に、前記干渉信号を調整する工程をさらに含むことを特徴とする方法。 - 請求項10に記載の方法において、
前記調整する工程は、増幅工程、減衰工程、及び位相シフト工程のうちの少なくとも1つを有していることを特徴とする方法。 - 請求項8に記載の方法において、
前記混合する工程は、サミングアンプ及び電圧加算器の何れか一つにおいて、前記電気信号及び前記干渉信号を合成する工程を有していることを特徴とする方法。 - 請求項12に記載の方法において、
前記合成する工程の前に、前記電気信号をRF増幅する工程をさらに含むことを特徴とする方法。 - 請求項8に記載の方法において、
前記混合する工程は、前記干渉信号を前記電気信号の電気経路に放射する工程を有していることを特徴とする方法。 - 請求項8に記載の方法において、
前記混合する工程は、前記電気信号及び前記干渉信号をT結線に印加する工程を有していることを特徴とする方法。 - 請求項8に記載の方法において、
前記2次元画像を生成する工程は、前記スペクトラムアナライザの出力をデータ取得モジュールに印加する工程を有していることを特徴とする方法。 - ICである被テストデバイス(DUT)を試験するためのシステムであって、
レーザビームを生成するレーザ光源と、
前記レーザビームを調整して、反対の論理状態に変調された少なくとも2つの能動デバイスを有する、前記DUTの選択領域上で該レーザビームを走査するための光学素子と、
前記DUTからの反射ビームを収集するための光学素子と、
前記反射ビームを電気信号に変換するためのセンサと、
干渉信号を前記電気信号に混合して、前記反射ビームの前記2つの能動デバイスの相対位相情報を抽出するための電気部品と、
前記相対位相情報から2次元画像を生成して、それにより前記DUTの選択領域の位相マップを提供するためのデータ取得モジュールとを備えていることを特徴とするシステム。 - 請求項17に記載のシステムにおいて、
前記電気部品は、ロックインアンプを有していることを特徴とするシステム。 - 請求項17に記載のシステムにおいて、
前記電気部品は、干渉信号発生器と、前記電気信号と前記干渉信号とを合成して、合成された信号を生成するための合成器と、該合成された信号を受信するスペクトラムアナライザとを有していることを特徴とするシステム。 - 請求項19に記載のシステムにおいて、
前記合成器は、サミングアンプ、電圧加算器、放射アンテナ、T型コネクタのうちの何れか1つを有していることを特徴とするシステム。
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