JP6407555B2 - 画像生成装置及び画像生成方法 - Google Patents
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Description
図1に示されるように、第1実施形態に係る画像生成装置1は、計測対象物であって被検査デバイス(DUT:Device Under Test)である半導体デバイス2において異常発生箇所を特定する等、半導体デバイス2を検査するための装置である。半導体デバイス2としては、トランジスタ等のPNジャンクションを有する集積回路(例えば、小規模集積回路(SSI:Small Scale Integration)、中規模集積回路(MSI:Medium Scale Integration)、大規模集積回路(LSI:Large Scale Integration)、超大規模集積回路(VLSI:Very Large Scale Integration)、超々大規模集積回路(ULSI:Ultra Large Scale Integration)、ギガ・スケール集積回路(GSI:Giga Scale Integration))、大電流用/高圧用MOSトランジスタ及びバイポーラトランジスタ等がある。
次に、図4を参照して、第2実施形態に係る画像生成装置について説明する。なお、第2実施形態に係る説明では、上述した第1実施形態と異なる点について主に説明する。
次に、図5を参照して、第3実施形態に係る画像生成装置について説明する。なお、第3実施形態に係る発明では、上述した第1及び第2実施形態と異なる点について主に説明する。
Claims (9)
- 光源から出射された光を計測対象物に照射し、前記計測対象物からの計測光に基づき画像を生成する画像生成装置であって、
前記計測光を検出し、第2の信号を出力する光検出器と、
前記光検出器に一定の電圧である第1の電圧を印加し電流を供給する電源部と、
前記電源部から前記光検出器に供給される前記電流を計測し、前記電流の大きさに応じて、第1の信号を生成する、前記電源部が有する電流検出器である信号生成部と、
前記第1の信号に基づいて第1の画像を生成する第1の画像生成部と、
前記第2の信号に基づいて第2の画像を生成する第2の画像生成部と、
を備える、画像生成装置。 - 前記電源部は、前記第1の電圧とは異なる第2の電圧を供給する電源と、前記電源から供給される前記第2の電圧を前記第1の電圧に変圧する変圧部とを有する、請求項1記載の画像生成装置。
- 前記信号生成部は、前記変圧部から前記光検出器に流れる前記電流を計測し、前記第1の信号を生成する、請求項2記載の画像生成装置。
- 前記信号生成部は、
前記電源と前記変圧部とを結ぶ配線を流れる電流を計測する第1の電流検出器と、前記変圧部と接地電位線とを結ぶ配線を流れる電流を計測する第2の電流検出器とを有し、
前記第1の電流検出器が計測した電流及び前記第2の電流検出器が計測した電流の差に基づき、前記電源から前記光検出器に供給される電流を計測し、前記第1の信号を生成する、請求項2記載の画像生成装置。 - 前記変圧部は、DC/DCコンバータである、請求項2〜4のいずれか一項記載の画像生成装置。
- 前記計測対象物は、半導体デバイスである、請求項1〜5のいずれか一項記載の画像生成装置。
- 前記光検出器が出力する第2の信号に基づき、所定の周波数若しくは周波数帯域における、前記第2の信号の同相成分及び直交位相成分を示す値、振幅、並びに位相、の少なくとも1つを計測する計測部を更に備える、請求項1〜6のいずれか一項記載の画像生成装置。
- 前記第2の画像生成部は、前記計測部により計測された、所定の周波数若しくは周波数帯域における、前記第2の信号の同相成分及び直交位相成分を示す値、振幅、並びに位相、の少なくとも1つに基づいて第2の画像を生成する、請求項7記載の画像生成装置。
- 前記第1の画像と前記第2の画像とを重畳して表示する表示部を更に備える、請求項8記載の画像生成装置。
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